JP6563717B2 - 成膜装置 - Google Patents
成膜装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6563717B2 JP6563717B2 JP2015138506A JP2015138506A JP6563717B2 JP 6563717 B2 JP6563717 B2 JP 6563717B2 JP 2015138506 A JP2015138506 A JP 2015138506A JP 2015138506 A JP2015138506 A JP 2015138506A JP 6563717 B2 JP6563717 B2 JP 6563717B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- mist
- substrate
- microwave
- auxiliary member
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims 7
- 239000003595 mist Substances 0.000 claims description 137
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 91
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 45
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 37
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000007806 chemical reaction intermediate Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
(構成)
図1はこの発明の実施の形態である成膜装置の主要構成を示す説明図である。図2は図1で示す成膜装置のミスト噴射ヘッド部4等を側面方向から視た構成を示す説明図である。なお、図1及び図2において、XYZ直交座標系を示している。また、以降に示す図3〜図5においても、XYZ直交座標系を示している。
次に、本実施の形態の成膜装置による薄膜の成膜方法について説明する。
上述したように、本実施の形態の成膜装置において、マイクロ波発生器8によって反応空間となる中空部SP7内にマイクロ波が導入されるため、中空部SP7内において原料ミストM1(原料溶液14)の溶媒の大部分(望ましくは全て)を沸点以下の状態で蒸発させることにより、望ましくは溶媒の沸点以下の比較的低温な温度環境下で基板10の上面上に薄膜を成膜することができる。
(b) 噴射面4Sと基板10の上面との間に形成される反応空間(中空部SP7)に、マイクロ波発生器8によってマイクロ波を導入するステップ
2 超音波振動子
3 ミスト搬送管
4 ミスト噴射ヘッド部
4e 排気用空洞部
4m ミスト空洞部
4S 噴射面
5 原料ミスト噴出口
6 排気口
7 補助部材
8 マイクロ波発生器
9 反射板
71 貫通口
90 載置部
M1 原料ミスト
SP7 中空部
Claims (6)
- 薄膜原料を溶媒により溶解させた原料溶液をミスト化して得られる原料ミストを大気中に噴射することにより、基板に対して薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記基板が載置される載置部と、
前記載置部に載置されている前記基板の上面に向けて、噴射面から前記原料ミストを噴射するミスト噴射機構とを備え、前記ミスト噴射機構は超音波振動子を有し、前記原料溶液に対し前記超音波振動子により超音波を印加することにより、前記原料溶液をミスト化させて前記原料ミストを得ており、
前記ミスト噴射機構の前記噴射面と前記基板の上面との間に形成される反応空間にマイクロ波を導入するマイクロ波発生器をさらに備え、
前記噴射面は第1の方向を長手方向とした縦長形状の原料ミスト噴出口を有し、前記原料ミスト噴出口から前記原料ミストが噴射され、
前記載置部は、前記基板を載置した状態で前記第1の方向に垂直な第2の方向に移動する移動機能を有し、
前記マイクロ波発生器は、前記第1の方向に沿って前記マイクロ波を前記反応空間に導入し、
前記ミスト噴射機構の前記噴射面と前記基板の上面との間に配置され、内部に中空部を形成する上面、下面及び4つの側面を有する直方体状の補助部材をさらに備え、前記補助部材の上面が前記噴射面に近接し、下面が前記基板の上面に近接し、第1の側面が前記マイクロ波発生器に近接し、前記中空部が前記反応空間となり、
前記補助部材の上面及び下面はそれぞれ、前記原料ミスト噴出口から噴射される前記原料ミストが前記中空部を通過して前記基板の上面に到達可能な複数の貫通口を有し、
前記補助部材の4つの側面の1つである前記第1の側面は、前記マイクロ波発生器から発生する前記マイクロ波を前記中空部内に導入可能なマイクロ波導入口を有する、
成膜装置。 - 請求項1記載の成膜装置であって、
前記原料ミスト噴出口の短手方向である横幅は0.1〜10(mm)の範囲に設定される、
成膜装置。 - 請求項1記載の成膜装置であって、
前記複数の貫通口はそれぞれ円状であり、かつ長径が前記マイクロ波の波長の1/2以下に設定される、
成膜装置。 - 請求項1または請求項3記載の成膜装置であって、
前記補助部材における4つの側面の1つであり前記第1の側面に対向する第2の側面側に前記マイクロ波を反射して反射マイクロ波を得る反射板をさらに備えることを特徴とする、
成膜装置。 - 請求項4記載の成膜装置であって、
前記反射板は、前記反射マイクロ波と前記マイクロ波発生器から照射される前記マイクロ波とにより定在波を発生するように設けられる、
成膜装置。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の成膜装置であって、
前記噴射面と前記基板の上面との距離である反応距離は、0.1〜50(mm)の範囲に設定される、
成膜装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015138506A JP6563717B2 (ja) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015138506A JP6563717B2 (ja) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 成膜装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017020076A JP2017020076A (ja) | 2017-01-26 |
JP6563717B2 true JP6563717B2 (ja) | 2019-08-21 |
Family
ID=57889083
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015138506A Active JP6563717B2 (ja) | 2015-07-10 | 2015-07-10 | 成膜装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6563717B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWM636275U (zh) * | 2021-03-12 | 2023-01-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 成膜系統及成膜裝置 |
CN118103547A (zh) * | 2021-10-14 | 2024-05-28 | 信越化学工业株式会社 | 成膜装置及制造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08100266A (ja) * | 1994-09-30 | 1996-04-16 | Kao Corp | 薄膜形成方法及びその装置 |
JPH10152779A (ja) * | 1996-11-25 | 1998-06-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気化装置及びcvd装置 |
JP3741861B2 (ja) * | 1998-05-13 | 2006-02-01 | 株式会社フジクラ | Cvd反応装置 |
GB0211354D0 (en) * | 2002-05-17 | 2002-06-26 | Surface Innovations Ltd | Atomisation of a precursor into an excitation medium for coating a remote substrate |
JP5563522B2 (ja) * | 2011-05-23 | 2014-07-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
WO2013038484A1 (ja) * | 2011-09-13 | 2013-03-21 | 東芝三菱電機産業システム株式会社 | 酸化膜成膜方法および酸化膜成膜装置 |
-
2015
- 2015-07-10 JP JP2015138506A patent/JP6563717B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017020076A (ja) | 2017-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5529340B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP5841156B2 (ja) | 酸化膜成膜方法および酸化膜成膜装置 | |
JP6563717B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2012046772A (ja) | ミストcvd装置及びミスト発生方法 | |
CN102421237A (zh) | 等离子体生成装置、等离子体处理装置以及处理方法 | |
JP2003249492A (ja) | プラズマ放電処理装置、薄膜形成方法及び基材 | |
CN104813746A (zh) | 等离子体处理装置以及方法 | |
JP2008098128A (ja) | 大気圧プラズマ発生照射装置 | |
JP2013108155A (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
KR20190016088A (ko) | 미스트 도포 성막 장치 및 미스트 도포 성막 방법 | |
KR20120023655A (ko) | 표면파 플라즈마 cvd 장치 및 성막 방법 | |
JP5984622B2 (ja) | 水洗装置 | |
JP2017168524A (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4708130B2 (ja) | 成膜装置および透明導電膜の製法 | |
JP4395931B2 (ja) | インク噴射装置のノズルプレートの製造方法 | |
KR20120023656A (ko) | 표면파 플라즈마 cvd 장치 및 성막 방법 | |
JP2005026171A (ja) | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 | |
JP4991950B1 (ja) | ミスト成膜装置 | |
WO2022059119A1 (ja) | 成膜装置 | |
CN112424389A (zh) | 成膜装置及成膜方法 | |
JP2007184163A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP6811221B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2012062527A (ja) | 金属酸化物薄膜の製造方法およびその方法を用いる金属酸化物薄膜形成装置 | |
JP2002151476A (ja) | レジスト除去方法及びその装置 | |
JP2015535887A (ja) | 基板をコーティングする装置及び方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170816 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180424 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180918 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190305 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190725 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6563717 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |