JP6563717B2

JP6563717B2 - 成膜装置

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Publication number: JP6563717B2
Application number: JP2015138506A
Authority: JP
Inventors: 白幡　孝洋; 孝洋白幡
Original assignee: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Current assignee: Toshiba Mitsubishi Electric Industrial Systems Corp
Priority date: 2015-07-10
Filing date: 2015-07-10
Publication date: 2019-08-21
Anticipated expiration: 2035-07-10
Also published as: JP2017020076A

Description

この発明は、太陽電池、電子デバイス等に用いられ、基板上に薄膜を成膜する成膜装置に関するものである。

基板上に薄膜を成膜する方法として、化学気相成長（ＣＶＤ）法がある。しかしながら、化学気相成長法では真空下での成膜が必要であり、真空ポンプなどに加えて、大型の真空容器を用いる必要がある。さらに、化学気相成長法では、コストの観点等から、成膜される基板として大面積のものを採用することが困難である、という問題があった。そこで、大気圧下における成膜処理が可能なミスト法が、注目されている。

ミスト法を利用した成膜装置等に関する従来技術として、たとえば特許文献１に開示された技術がある。

特許文献１に係る技術では、金属を含む原料溶液をミスト化させる工程と、基板を加熱する工程と、加熱中の基板の第一の主面上にミスト化された原料溶液である原料ミストとオゾンとを供給する工程とを備えており、オゾンを供給することにより、原料ミストの反応性を高め、基板に対する加熱処理における加熱温度の抑制を図っている。

国際公開第２０１３／０３８４８４号

しかしながら、特許文献１に開示されている技術は、基本的には熱エネルギーを利用して薄膜を成膜する方法であり、薄膜の成膜に際し加熱処理により溶媒の蒸発や溶質の分解、酸化等の化学反応を進行させる必要があるため、比較的低い温度環境下で薄膜の成膜を行うことは実質的に困難であるという問題点があった。

この発明は上記問題点を解決するためになされたもので、比較的低い温度環境下で薄膜を成膜することができる成膜装置を得ることを目的とする。

この発明に係る請求項１記載の成膜装置は、薄膜原料を溶媒により溶解させた原料溶液をミスト化して得られる原料ミストを大気中に噴射することにより、基板に対して薄膜を成膜する成膜装置であって、前記基板が載置される載置部と、前記載置部に載置されている前記基板の上面に向けて、噴射面から前記原料ミストを噴射するミスト噴射機構とを備え、前記ミスト噴射機構は超音波振動子を有し、前記原料溶液に対し前記超音波振動子により超音波を印加することにより、前記原料溶液をミスト化させて前記原料ミストを得ており、前記ミスト噴射機構の前記噴射面と前記基板の上面との間に形成される反応空間にマイクロ波を導入するマイクロ波発生器をさらに備え、前記噴射面は第１の方向を長手方向とした縦長形状の原料ミスト噴出口を有し、前記原料ミスト噴出口から前記原料ミストが噴射され、前記載置部は、前記基板を載置した状態で前記第１の方向に垂直な第２の方向に移動する移動機能を有し、前記マイクロ波発生器は、前記第１の方向に沿って前記マイクロ波を前記反応空間に導入し、前記ミスト噴射機構の前記噴射面と前記基板の上面との間に配置され、内部に中空部を形成する上面、下面及び４つの側面を有する直方体状の補助部材をさらに備え、前記補助部材の上面が前記噴射面に近接し、下面が前記基板の上面に近接し、第１の側面が前記マイクロ波発生器に近接し、前記中空部が前記反応空間となり、前記補助部材の上面及び下面はそれぞれ、前記原料ミスト噴出口から噴射される前記原料ミストが前記中空部を通過して前記基板の上面に到達可能な複数の貫通口を有し、前記補助部材の４つの側面の１つである前記第１の側面は、前記マイクロ波発生器から発生する前記マイクロ波を前記中空部内に導入可能なマイクロ波導入口を有する。

請求項１記載の本願発明の成膜装置において、マイクロ波発生器によって反応空間にマイクロ波が導入されるため、溶媒を沸点以下の状態で蒸発させることにより、比較的低温な温度環境下で基板の上面に薄膜を成膜することができる。

この発明の実施の形態である成膜装置の主要構成を示す説明図である。図１で示す成膜装置のミスト噴射ヘッド部等を側面方向から視た構成を示す説明図である。図１及び図２で示したミスト噴射ヘッド部の噴射面を基板の配設側から視た平面図である。図１及び図２で示した補助部材の上面の構成を模式的に示す平面図である。成膜工程時におけるミスト噴射ヘッド部及び補助部材と基板との相対的位置関係を模式的に示す説明図である。

＜実施の形態＞
（構成）
図１はこの発明の実施の形態である成膜装置の主要構成を示す説明図である。図２は図１で示す成膜装置のミスト噴射ヘッド部４等を側面方向から視た構成を示す説明図である。なお、図１及び図２において、ＸＹＺ直交座標系を示している。また、以降に示す図３〜図５においても、ＸＹＺ直交座標系を示している。

本実施の形態の成膜装置は、金属元素等の原料がミスト化された原料溶液である原料ミストＭ１を大気中に噴射することにより、基板１０に対して金属酸化膜等の薄膜を成膜する装置である。つまり、本実施の形態の成膜装置は、大気中での成膜処理であるミスト法により、基板１０上に所望の薄膜を成膜する装置である。

なお、原料溶液の薄膜を形成するための原料（薄膜原料）となる金属元素としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｓｉ（シリコン）、Ｇａ（ガリウム）、Ｍｎ（マンガン）、Ｐｂ（鉛）およびスズ（Ｓｎ）等が考えられる。

また、基板１０としては、太陽電池、発光デバイス、タッチパネル、液晶パネルなどのフラットパネルディスプレイの分野で使用される、ガラス基板、樹脂フィルムなどのフレキシブル基板やプラスチック基板などを採用できる。

本実施の形態の成膜装置は、ミスト噴射機構、補助部材７、マイクロ波発生器８及び載置部９０を主要構成と有している。ミスト噴射機構は霧化器１、ミスト搬送管３及びミスト噴射ヘッド部４から構成される。

霧化器１は原料溶液１４を収容する溶液容器１５及び溶液容器１５内の原料溶液１４をミスト化して原料ミストＭ１を得る超音波振動子２から構成されている。原料溶液１４は薄膜原料を溶媒により溶解させた溶液である。溶媒として、例えば、水、エタノールやメタノールなどのアルコールや、これらの液体の混合液などが考えられる。

このような構成の霧化器１は、溶液容器１５内の原料溶液１４に対して超音波振動子２により超音波を印加することにより、溶液容器１５内の原料溶液１４をミスト化させて原料ミストＭ１を得る。原料ミストＭ１は外部より供給された窒素等のキャリアガス（図示せず）によって搬送され、ミスト搬送管３を通って、ミスト噴射ヘッド部４、最終的に基板１０の上面に向けて供給される。

加熱機能を有する載置部９０上には、基板１０が配置されている。つまり、載置部９０は、基板１０の加熱処理が可能である。そして、基板１０上面の上方に、ミスト噴射ヘッド部４が配置される。なお、ミスト噴射ヘッド部４及び基板１０は、大気圧下に配置されている。

ここで、ミスト噴射ヘッド部４の下面である噴射面４Ｓと基板１０の上面との間に形成される空間を「反応空間」と称し、噴射面４Ｓと基板１０の上面との間の距離を「反応距離」と称する。上記反応距離は、０．１〜５０（ｍｍ）の範囲に設定される。

載置部９０の加熱機能により所定の温度で基板１０は加熱される。一方、ミスト噴射ヘッド部４は、ミスト化された原料溶液である原料ミストＭ１を噴射面４Ｓに設けた原料ミスト噴出口５から下方に向けて噴射する。上述した処理により、後に詳述する補助部材７を通過させ後の原料ミストＭ１を基板１０の上面に供給することにより、基板１０上に所望の薄膜を成膜することができる。なお、成膜処理時において、載置部９０は、Ｘ方向（第２の方向）に一致する基板移動方向Ｄ１０に沿って移動する移動機能を有している。

以下、ミスト噴射ヘッド部４の構成について具体的に説明する。図１に示すように、ミスト搬送管３はミスト噴射ヘッド部４の上面から内部のミスト空洞部４ｍに連通している。ミスト空洞部４ｍ内において互いに対向する両側面からＸＹ平面に沿って、平面視して矩形状の複数の整流板２１がそれぞれの形成高さを交互に変えながら配設される。複数の整流板２１はそれぞれ対向する側面に達することなく、対向する側面との間に隙間が形成されるように構成される。

そして、噴射面４Ｓにおいてミスト空洞部４ｍに連通する箇所に原料ミスト噴出口５が設けられる。

一方、ミスト噴射ヘッド部４の下面（噴射面４Ｓと同一面）に設けられる排気口６は内部の排気用空洞部４ｅに連通している。ミスト空洞部４ｍ，排気用空洞部４ｅ間は分離用の側面が形成されているため、ミスト空洞部４ｍ，排気用空洞部４ｅ間は互いに分離されている。

排気用空洞部４ｅ内において、ミスト空洞部４ｍ内と同様、互いに対向する両側面からＸＹ平面に沿って、平面視して矩形状の複数の整流板２２がそれぞれの形成高さを交互に変えながら配設される。複数の整流板２２はそれぞれ対向する側面に達することなく、対向する側面との間に隙間が形成されるように構成される。

そして、反応空間となる中空部ＳＰ７内の排気物Ｅ１は、排気口６を介して排気用空洞部４ｅ内に取り込まれた後、ミスト噴射ヘッド部４の上面から排気される。なお、排気物Ｅ１とは、中空部ＳＰ７に発生する反応残渣等を意味する。

ミスト噴射ヘッド部４はミスト空洞部４ｍ及び排気用空洞部４ｅに整流板２１及び２２を設けることにより、霧化器１から供給された原料ミストＭ１及び排気口６から吸収された排気物Ｅ１のミスト空洞部４ｍ及び排気用空洞部４ｅ内における流れを整えて偏りをなくすことができる。なお、複数の整流板２１及び２２それぞれの高さ方向の形成間隔は１〜３ｍｍで５枚程度設ける等の構成が考えられる。

図３はミスト噴射ヘッド部４の噴射面４Ｓを基板１０の配設側（−Ｚ方向側）から視た平面図である。同図に示すように、噴射面４ＳはＹ方向（第１の方向）を長辺とし、Ｘ方向（第２の方向）を短辺とした平面視矩形状を呈している。

そして、噴射面４Ｓに原料ミスト噴出口５及び排気口６が形成される。原料ミスト噴出口５はミスト空洞部４ｍから原料ミストＭ１を噴射するために設けられた開口部であり、Ｙ方向を長手方向としたスリット状の縦長形状を呈しており、−Ｘ方向側の噴射面４Ｓの長辺の近傍に形成される。そして、原料ミスト噴出口５の短手方向である横幅（Ｘ方向の形成幅）は０．１〜１０（ｍｍ）の範囲に設定される。

排気口６は排気物Ｅ１を排気用空洞部４ｅ内に吸収するために設けられた開口部であり、原料ミスト噴出口５と同様、Ｙ方向を長手方向としたスリット状の縦長形状の呈しており、Ｘ方向側の噴射面４Ｓの長辺の近傍に形成される。したがって、原料ミスト噴出口５及び排気口６は噴射面４Ｓにおいて互いに対向する長辺近傍に設けられる。なお、排気口６の横幅も原料ミスト噴出口５と同様、０．１〜１０（ｍｍ）の範囲に設定される。

このような構成の霧化器１、ミスト搬送管３及びミスト噴射ヘッド部４を主要構成として、ミスト噴射機構が構成される。

図１及び図２に戻って、実施の形態１の成膜装置は、ミスト噴射機構のミスト噴射ヘッド部４における下面の噴射面４Ｓと、基板１０の上面との間に配置された補助部材７をさらに有している。補助部材７は内部に中空部ＳＰ７を形成する上面、下面及び４つの側面を有する直方体状を呈しており、補助部材７の上面が互いに対向する態様で噴射面４Ｓに近接し、下面が互いに対向する態様で基板１０の上面に近接し、第１の側面（図２の−Ｙ側の側面）に、波長が１ｍｍ〜１ｍ程度のマイクロ波を発生するマイクロ波発生器８が近接して設けられ、中空部ＳＰ７が上述した反応空間となる。なお、補助部材７の構成素材としてはステンレス等が考えられる。

図４は補助部材７の上面の構成を模式的に示す平面図である。同図に示すように、補助部材７の上面は、噴射面４Ｓの原料ミスト噴出口５から噴射される原料ミストＭ１を中空部ＳＰ７内に導入可能な複数の貫通口７１を有している。

図４では図示しないが、補助部材７の下面も、上面と同様に、中空部ＳＰ７内の原料ミストＭ１が通過して基板１０の上面に到達可能な複数の貫通口７１を有している。

このように、補助部材７の上面及び下面はそれぞれ、原料ミスト噴出口５から噴射される原料ミストＭ１が中空部ＳＰ７内を通過して基板１０の上面に到達可能な複数の貫通口７１を有している。また、４つの側面にも同様に複数の貫通口７１を設けるようにしてもよい。

補助部材７の上面及び下面に形成される複数の貫通口７１はそれぞれ円状であり、かつ長径がマイクロ波発生器８から出射されるマイクロ波の波長の１／２以下に設定される。一般にマイクロ波は直進性が強いため、補助部材７の上面及び下面に設けた貫通口７１からマイクロ波が漏れ出る可能性はさほど高くないが、さらに、上記のように複数の貫通口７１の形状を設定することにより、複数の貫通口７１からマイクロ波が漏れ出る可能性を実質的に“０”にすることができる。

一方、補助部材の４つの側面の１つである第１の側面（図２の−Ｙ方向側の側面）は、マイクロ波発生器８から照射されるマイクロ波を中空部ＳＰ７に導入可能なマイクロ波導入口を有している。

マイクロ波発生器８は、補助部材７の第１の側面に設けたマイクロ波導入口から、マイクロ波を＋Ｙ方向（第１の方向）に平行な方向に照射する。したがって、補助部材７の中空部ＳＰ７内において、Ｙ方向に沿ってマイクロ波が導入される。

さらに、本実施の形態の成膜装置は、補助部材７における第１の側面に対向する第２の側面（図２の＋Ｙ方向側の側面）側の全面に対応してマイクロ波発生器８から照射されるマイクロ波を反射して反射マイクロ波を得るための金属製の反射板９を有している。第２の側面においてもマイクロ波発生器８から照射されるマイクロ波が通過可能な少なくとも一つのマイクロ波通過口が設けられているため、第２の側面に向けて照射されたマイクロ波は反射板９によって反射され、−Ｙ方向に反射する反射マイクロ波が得られる。

反射板９は、金属等により構成されることにより、反射板９による反射マイクロ波とマイクロ波発生器８から照射されるマイクロ波とにより定在波を発生することが可能な反射率を有している。なお、マイクロ波発生器８及び反射板９は補助部材７の第１及び第２の側面に密接して配置しても良い。

上述した本実施の形態の成膜装置は、基板１０が載置される載置部９０と、載置部９０に載置されている基板１０の上面に向けて、噴射面４Ｓから原料ミストＭ１を噴射するミスト噴射機構（霧化器１、ミスト搬送管３、及びミスト噴射ヘッド部４）と、上記ミスト噴射機構の噴射面４Ｓと基板１０の上面との間に形成される反応空間となる補助部材７の中空部ＳＰ７にマイクロ波を導入するマイクロ波発生器８とを備えることを基本的特徴としている。

（成膜方法）
次に、本実施の形態の成膜装置による薄膜の成膜方法について説明する。

まず、上面への薄膜の成膜を所望する基板１０を載置部９０上に載置する。一方、霧化器１の溶液容器１５内において、超音波振動子２により、原料溶液１４をミスト化する。ミスト化された原料溶液１４である原料ミストＭ１は、外部より供給されるキャリアガス（図示せず）によってミスト搬送管３を通ってミスト噴射ヘッド部４、補助部材７及び基板１０の上面に向けて搬送することができる。

ミスト噴射ヘッド部４内に供給された原料ミストＭ１はミスト空洞部４ｍ内で整流された後、噴射面４Ｓの原料ミスト噴出口５から出射される。原料ミスト噴出口５から出射された原料ミストＭ１が補助部材７の上面に設けられた複数の貫通口７１から中空部ＳＰ７内に導入される。

この際、補助部材７の第１の側面からマイクロ波発生器８によるマイクロ波がＹ方向に沿って中空部ＳＰ７内に照射される。すると、マイクロ波の照射によって中空部ＳＰ７内における原料ミストＭ１の溶媒を沸点以下の状態で蒸発させつつ、蒸発により溶媒の大部分が除去された原料ミストＭ１（薄膜原料の反応中間体が存在する状態を含む）が補助部材７の下面の貫通口７１から、基板１０の上面に供給されることにより、望ましくは原料ミストＭ１の溶媒の沸点以下の比較的低温な環境下で基板１０の上面に薄膜を成膜することができる。すなわち、載置部９０の加熱機能による加熱温度を比較的低く抑えることができる。

一方、補助部材７の中空部ＳＰ７内で発生した排気物Ｅ１は、複数の整流板２２により、均一に排気口６から排気用空洞部４ｅ内に吸引され、外部に排出される。なお、排気用空洞部４ｅ内への排気物Ｅ１の吸引処理、排気物Ｅ１の排気用空洞部４ｅ外の排出処理は、例えば図示しない排気ポンプ等による吸引機能を利用して実行される。

図５は成膜工程時におけるミスト噴射ヘッド部４及び補助部材７と基板１０との相対的位置関係を模式的に示す説明図である。

図５に示すように、例えば、Ｙ方向の長さが１２００ｍｍ、Ｘ方向の長さが６００ｍｍの矩形状の比較的大きな基板１０の上面上に薄膜を成膜するために、ミスト噴射ヘッド部４及び補助部材７を、基板１０の上方に位置させている。そして、ミスト噴射ヘッド部４の噴射面４Ｓ（原料ミスト噴出口５）から原料ミストＭ１を補助部材７の中空部ＳＰ７に供給し、中空部ＳＰ７内で原料ミストＭ１にマイクロ波を照射した後、中空部ＳＰ７を通過させて、最終的に溶媒の大部分を除去した状態の原料ミストＭ１を基板１０の上面に供給する。

その結果、載置部９０の加熱処理によって薄膜の成膜に必要な温度に加熱することにより、基板１０の上面上に薄膜を成膜することができる。この際、常温（室温）で基板１０上に薄膜を成膜可能な場合は、載置部９０による加熱処理を省略することができる。

ここで、ミスト噴射ヘッド部４、補助部材７及びマイクロ波発生器８（図５では図示省略）を固定しつつ、原料ミストＭ１の供給及びマイクロ波の導入を行いながら、載置部９０の移動機能により、基板１０を基板移動方向Ｄ１０（Ｘ方向）に移動させながら上述した成膜処理を行う。すなわち、熱以外のエネルギーを利用したマイクロ波の導入処理を成膜処理に活用している。

このように、基板１０の基板移動方向Ｄ１０方向への移動を伴う原料ミストＭ１の供給及びマイクロ波の照射により、基板１０の上面全面に、溶媒の大部分を除去した状態の原料ミストＭ１を供給することができ、結果として基板１０上面全面に、均一な薄膜を成膜することができる。

（効果等）
上述したように、本実施の形態の成膜装置において、マイクロ波発生器８によって反応空間となる中空部ＳＰ７内にマイクロ波が導入されるため、中空部ＳＰ７内において原料ミストＭ１（原料溶液１４）の溶媒の大部分（望ましくは全て）を沸点以下の状態で蒸発させることにより、望ましくは溶媒の沸点以下の比較的低温な温度環境下で基板１０の上面上に薄膜を成膜することができる。

そして、噴射面４Ｓに設けられる原料ミスト噴出口５、補助部材７及びマイクロ波発生器８を固定しつつ、基板１０を載置した状態で載置部９０を基板移動方向Ｄ１０（Ｘ方向；第２の方向）に移動させながら、基板１０の上面全面に薄膜を成膜することができる。このため、本実施の形態の成膜装置は、噴射面４Ｓを基板１０の上面より狭く構成できる分、ミスト噴射機構を構成するミスト噴射ヘッド部４の装置構成の小型化を図ることができる。

また、補助部材７内に設けられる中空部ＳＰ７（反応空間）も必要最小限の大きさに抑えることにより、マイクロ波発生器８によるマイクロ波の導入も必要最小限に抑えることができる。

さらに、原料ミスト噴出口５の横幅を０．１〜１０（ｍｍ）の範囲の実用に沿った大きさに設定しつつ、基板１０の上面に対して、均等に原料ミストＭ１を噴霧することができる。

また、ミスト噴射ヘッド部４の噴射面４Ｓと基板１０の上面との間の反応距離を、０．１〜５０（ｍｍ）の範囲に設定して、噴射面４Ｓと基板１０の上面との間に補助部材７を配置するため（反応空間を形成するため）の余裕を確保しつつ、必要最小限の反応距離に設定することができる。

マイクロ波発生器８による照射されるマイクロ波は、反応空間となる補助部材７内の中空部ＳＰ７に導入されており基板１０には直接照射されないため、マイクロ波の照射によって基板１０が割れる等の不具合を確実に回避することができる。

また、複数の貫通口７１の形状をマイクロ波が通過不能な形状（長径がマイクロ波の波長の１／２以下の円状）にして、中空部ＳＰ７内に導入されたマイクロ波を中空部ＳＰ７内に閉じ込めることができる。その結果、マイクロ波が基板１０に照射されることによる悪影響を確実に回避することができる。さらに、マイクロ波がミスト噴射ヘッド部４に照射されることにより加熱され、（原料ミストＭ１内の）原料が事前分解されることを確実に回避することができる。

本実施の形態の成膜装置は、補助部材７の第２の側面側に反射板９を設けることにより、補助部材７の第２の側面側に設けた反射板９によりマイクロ波を反射させながら、中空部ＳＰ７にマイクロ波を閉じ込めることができる。

加えて、反射板９によるマイクロ波の反射によって、マイクロ波（反射マイクロ波）を減衰させることなく、中空部ＳＰ７内に閉じ込めることにより、効率的に溶媒を蒸発させ生産効率を低下させることなく薄膜を成膜することができる。

上述した実施の形態の成膜装置による成膜方法は、基本的に以下のステップ(a) 及び(b) の実行により実現される。

(a) 基板１０の上面に向けて、ミスト噴射ヘッド部４の噴射面４Ｓ（所定の噴射面）から原料ミストＭ１を噴射するステップ
(b) 噴射面４Ｓと基板１０の上面との間に形成される反応空間（中空部ＳＰ７）に、マイクロ波発生器８によってマイクロ波を導入するステップ

したがって、本実施の形態の成膜方法は、上記ステップ(b) の実行時に、マイクロ波発生器８によって補助部材７の中空部ＳＰ７内にマイクロ波を導入することにより、中空部ＳＰ７内において原料ミストＭ１の溶媒を沸点以下の状態で蒸発させ、その結果、比較的低い温度環境下で基板１０上に薄膜を成膜することができる効果を奏する。

なお、本発明は、その発明の範囲内において、実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

１霧化器
２超音波振動子
３ミスト搬送管
４ミスト噴射ヘッド部
４ｅ排気用空洞部
４ｍミスト空洞部
４Ｓ噴射面
５原料ミスト噴出口
６排気口
７補助部材
８マイクロ波発生器
９反射板
７１貫通口
９０載置部
Ｍ１原料ミスト
ＳＰ７中空部

Claims

薄膜原料を溶媒により溶解させた原料溶液をミスト化して得られる原料ミストを大気中に噴射することにより、基板に対して薄膜を成膜する成膜装置であって、
前記基板が載置される載置部と、
前記載置部に載置されている前記基板の上面に向けて、噴射面から前記原料ミストを噴射するミスト噴射機構とを備え、前記ミスト噴射機構は超音波振動子を有し、前記原料溶液に対し前記超音波振動子により超音波を印加することにより、前記原料溶液をミスト化させて前記原料ミストを得ており、
前記ミスト噴射機構の前記噴射面と前記基板の上面との間に形成される反応空間にマイクロ波を導入するマイクロ波発生器をさらに備え、
前記噴射面は第１の方向を長手方向とした縦長形状の原料ミスト噴出口を有し、前記原料ミスト噴出口から前記原料ミストが噴射され、
前記載置部は、前記基板を載置した状態で前記第１の方向に垂直な第２の方向に移動する移動機能を有し、
前記マイクロ波発生器は、前記第１の方向に沿って前記マイクロ波を前記反応空間に導入し、
前記ミスト噴射機構の前記噴射面と前記基板の上面との間に配置され、内部に中空部を形成する上面、下面及び４つの側面を有する直方体状の補助部材をさらに備え、前記補助部材の上面が前記噴射面に近接し、下面が前記基板の上面に近接し、第１の側面が前記マイクロ波発生器に近接し、前記中空部が前記反応空間となり、
前記補助部材の上面及び下面はそれぞれ、前記原料ミスト噴出口から噴射される前記原料ミストが前記中空部を通過して前記基板の上面に到達可能な複数の貫通口を有し、
前記補助部材の４つの側面の１つである前記第１の側面は、前記マイクロ波発生器から発生する前記マイクロ波を前記中空部内に導入可能なマイクロ波導入口を有する、
成膜装置。
請求項１記載の成膜装置であって、
前記原料ミスト噴出口の短手方向である横幅は０．１〜１０（ｍｍ）の範囲に設定される、
成膜装置。
請求項１記載の成膜装置であって、
前記複数の貫通口はそれぞれ円状であり、かつ長径が前記マイクロ波の波長の１／２以下に設定される、
成膜装置。
請求項１または請求項３記載の成膜装置であって、
前記補助部材における４つの側面の１つであり前記第１の側面に対向する第２の側面側に前記マイクロ波を反射して反射マイクロ波を得る反射板をさらに備えることを特徴とする、
成膜装置。
請求項４記載の成膜装置であって、
前記反射板は、前記反射マイクロ波と前記マイクロ波発生器から照射される前記マイクロ波とにより定在波を発生するように設けられる、
成膜装置。
請求項１から請求項５のうち、いずれか１項に記載の成膜装置であって、
前記噴射面と前記基板の上面との距離である反応距離は、０．１〜５０（ｍｍ）の範囲に設定される、
成膜装置。