JP6811221B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、プラズマ処理装置に関する。

マイクロ波によりプラズマを発生させるマイクロ波励起型のプラズマ処理装置がある。また、有機物を除去するために、水や水蒸気を用いるプラズマ処理装置が提案されている。
例えば、水中にマイクロ波を放射し、発生した気泡中においてプラズマを誘起させる水中プラズマ処理装置が提案されている。しかしながら、水中プラズマ処理装置は、気泡の制御が難しいのでプラズマを安定的に生成するのが難しい。また、大面積を均一に処理するのが困難である。
大面積を処理するプラズマ処理装置として、チャンバの内部を延びる矩形導波管を備えたラインプラズマ処理装置が提案されている。ところが、ラインプラズマ処理装置は定在波の腹の位置の処理レートが高くなり、処理ムラが生じるという問題がある。この場合、定在波の位相を周期的にシフトさせると、プラズマを安定的に生成するのが困難となるおそれがある。
そこで、大面積を処理することができ、且つ、処理ムラを抑制することができるプラズマ処理装置の開発が望まれていた。

特許第６０８６３６３号公報 特許第５９２１２４１号公報

本発明が解決しようとする課題は、大面積を処理することができ、且つ、処理ムラを抑制することができるプラズマ処理装置を提供することである。

実施形態に係るプラズマ処理装置は、大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、前記チャンバの内部を排気可能な排気部と、前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、前記チャンバの内部に設けられ、前記載置部側の面に少なくとも１つのスロットを有する導波管と、前記導波管の内部にマイクロ波を放射可能なマイクロ波発生部と、前記導波管と前記載置部との相対的な位置を変更可能な駆動部と、前記チャンバの底面に設けられ、内部に液体を収納可能な空間を有し、上部に開口が設けられた蒸発槽と、を備えている。平面視において、前記載置部の中心に最も近い前記スロットの中心は、前記載置部の中心から離れた位置にある。

本実施の形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式断面図である。 処理面における定在波の腹の位置を例示するための模式図である。 複数の導波管が設けられる場合を例示するための模式図である。 複数の導波管が設けられる場合を例示するための模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る排気位置を例示するための模式平面図である。 （ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る排気位置および蒸気の供給位置を例示するための模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係るプラズマ処理装置を例示するための模式平面図である。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１を例示するための模式断面図である。 図１に示すように、プラズマ処理装置１には、チャンバ２、プラズマ発生部３、排気部４、蒸気供給部５、載置部６、駆動部７、およびコントローラ８が設けられている。

チャンバ２は、略円筒形状を呈したものとすることができる。チャンバ２は、大気よりも減圧された雰囲気を維持可能とされている。チャンバ２は、ステンレスやアルミニウム合金などの金属から形成することができる。また、チャンバ２の側壁には図示しない搬入搬出口を設けることができる。処理物１００は、搬入搬出口を介して、チャンバ２の内部に搬入、または、チャンバ２の内部から搬出される。搬入搬出口は、図示しないゲートバルブにより気密に閉止される。

処理物１００は、板状を呈するものとすることができる。処理物１００には特に限定はないが、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１の場合には、処理物１００の平面形状は円形とすることが好ましい。また、処理物１００の表面には、プラズマ処理を施す対象物が露出している。処理物１００は、例えば、レジストマスクが形成された半導体ウェーハなどとすることができる。この場合、レジストマスクがプラズマ処理の対象となる。
なお、処理物１００は例示をしたものに限定されるわけではないが、ここでは一例としてプラズマ処理により有機物を除去する場合を説明する。

プラズマ発生部３は、チャンバ２の内部にプラズマを発生させる。プラズマ発生部３は、処理物１００の上方にプラズマを発生させる。
プラズマ発生部３には、導波管３１、誘電体部３２、およびマイクロ波発生部３３が設けられている。

導波管３１は、チャンバ２の内部に設けられている。導波管３１は、載置台６１の上方に載置面６１ａと平行に設けられている。導波管３１は、チャンバ２の内部を延びている。平面視において（プラズマ処理装置１を上方から見て）、導波管３１の中心軸は、載置面６１ａの中心を通っている。導波管３１の断面は四角形とすることができる。導波管３１は、角筒状を呈するものとすることができる。導波管３１は、例えば、アルミニウム合金などの金属から形成することができる。

導波管３１の載置部６（載置台６１）側の面にはアンテナ部３１ａが設けられている。アンテナ部３１ａは、例えば、図１の点線で示した領域に設けることができる。アンテナ部３１ａは、例えば、導波管３１の載置部６（載置台６１）側の面に設けられたスロット３１ａ１（孔）とすることができる。スロット３１ａ１は、導波管３１内に形成された定在波１０１ａの電界強度が最も強くなる部分の位置（いわゆる腹の位置１０１ａ１）に設けることができる。平面視において、スロット３１ａ１の中心は、載置面６１ａの中心を通る線上に設けることができる。この場合、導波管３１が延びる方向に延びる長いスロット３１ａ１を設け、定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１が１つのスロット３１ａ１に複数含まれるようにすることができる。また、定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１毎にスロット３１ａ１を設けることもできる。すなわち、導波管３１の、載置部６側の面に少なくとも１つのスロット３１ａ１を設けることができる。
なお、処理物１００の処理面１００ａと、定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１との関係に関する詳細は後述する。

誘電体部３２は、導波管３１の内部に設けられている。導波管３１のマイクロ波発生部３３側の端部は、チャンバ２の外部に設けられている。また、導波管３１にはスロット３１ａ１が設けられ、チャンバ２の内部は排気部４により排気される。そのため、外気が、角筒状の導波管３１を介してチャンバ２の内部に侵入するおそれがある。そのため、誘電体部３２は、導波管３１の内部に隙間なく設けることができる。この場合、誘電体部３２は、マイクロ波１０１を伝播させる機能と、導波管３１の内部を封止する機能を有する。

なお、誘電体部３２は、導波管３１の内部であって、スロット３１ａ１が設けられる領域とマイクロ波発生部３３側の端部との間に設けることもできる。例えば、誘電体部３２は、板状またはブロック状を呈するものとすることができる。この場合、誘電体部３２は、マイクロ波１０１を透過させる機能と、導波管３１の内部を封止する機能を有する。
誘電体部３２は、例えば、石英や酸化アルミニウムなどの誘電体材料から形成することができる。

マイクロ波発生部３３は、チャンバ２の外部に設けられている。マイクロ波発生部３３は、導波管３１の一方の端部に接続されている。マイクロ波発生部３３は、導波管３１の内部にマイクロ波１０１を放射する。マイクロ波１０１の周波数は、例えば、２．４５ＧＨｚとすることができる。導波管３１の内部に放射されたマイクロ波１０１は、導波管３１のマイクロ波発生部３３側とは反対側の端部で反射される。そのため、導波管３１の内部に放射されたマイクロ波１０１（進行波）と、導波管３１の端部で反射されたマイクロ波１０１（反射波）とが合成されることで定在波１０１ａが形成される。定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１では電界強度が最も強くなるので、腹の位置１０１ａ１の近傍でプラズマが発生しやすくなる。定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１は、マイクロ波１０１の周波数（波長）と、導波管３１のマイクロ波発生部３３側とは反対側の端部の位置とにより決まるので予め求めることができる。そのため、プラズマ処理装置１の製造やメンテナンスの際に、チャンバ２に対する導波管３１の位置を変化させることで、処理物１００の処理面１００ａに対する定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１を調整することができる。なお、導波管３１のマイクロ波発生部３３側とは反対側の端部に移動可能な反射板を設け、プラズマ処理装置１の製造やメンテナンスの際に反射板の位置を調整するようにしてもよい。

排気部４は、チャンバ２の内部を排気する。排気部４は、例えば、真空ポンプなどとすることができる。チャンバ２の内部の圧力が高すぎるとプラズマの発生が困難となったり、発生したプラズマが不安定となったりするおそれがある。一方、チャンバ２の内部の圧力が低すぎると、すなわち、蒸気１０２（例えば、水蒸気）の排出量が多くなり過ぎると、処理レートが低くなったり、処理レートのバラツキが大きくなったりするおそれがある。本発明者らの得た知見によれば、チャンバ２の内部の圧力は数ｋＰａ程度とすることができる。この場合、チャンバ２の内部の圧力は、０．５ｋＰａ以上、３．０ｋＰａ以下とすることが好ましい。

排気部４は、チャンバ２に設けられた排気口２ａに接続されている。本実施の形態においては排気口２ａが排気位置２ａ１となる。排気口２ａは、蒸気供給部５から供給された蒸気１０２が、導波管３１の下方（プラズマが発生する領域）に行き渡り易くなるような位置に設けられる。図１に例示をしたものの場合には、蒸気１０２はチャンバ２の底面の周縁近傍から供給される。そのため、排気口２ａは、チャンバ２の天井の中心近傍に設けることが好ましい。この様にすれば、図１に示すように、チャンバ２の底面の周縁近傍から、処理面１００ａ（載置面６１ａ）の中央領域に向かう蒸気１０２の流れを形成することができる。そのため、蒸気１０２が、導波管３１の下方に行き渡り易くなる。

また、蒸気１０２がチャンバ２の天井の中心近傍から供給される場合には、排気口２ａはチャンバ２の底面の周縁近傍に設けることができる。
なお、排気位置に関する詳細は後述する。
また、排気部４と排気口２ａとの間に制御バルブ４１を設けることができる。制御バルブ４１は、例えば、ＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブなどの圧力制御バルブとすることができる。

蒸気供給部５は、チャンバ２の内部に蒸気を供給する。
蒸気供給部５には、蒸発槽５１、開閉バルブ５２、ポンプ５３、タンク５４、および開閉バルブ５５が設けられている。
蒸発槽５１は、チャンバ２の内部に設けられている。蒸発槽５１は、チャンバ２の底面に設けられ、チャンバ２の側面に沿って延びている。蒸発槽５１は、環状を呈し、上部が開口した形態を有する。蒸発槽５１の内部には液体１０３が収納可能な空間が設けられている。液体１０３は、処理に適したラジカルが生成可能なものを適宜選択することができる。例えば、レジストなどの有機物を除去する場合には、液体１０３はＯＨラジカルが生成可能なものとすることができる。この場合、液体１０３は水（純水）とすることができる。蒸気１０２は水蒸気とすることができる。

前述したように、プラズマ処理を行う際には、チャンバ２の内部の圧力が数ｋＰａ程度とされる。そのため、液体１０３の沸点が下がるので、蒸気１０２を発生させることができる。なお、蒸発槽５１には、ヒータや超音波振動子などをさらに設けることもできる。ヒータや超音波振動子などが設けられていれば、蒸気１０２の発生がさらに容易となる。

開閉バルブ５２は、チャンバ２の外部に設けられている。開閉バルブ５２は、蒸発槽５１とポンプ５３とに接続され、蒸発槽５１への液体１０３の供給と供給の停止とを切り替える。

ポンプ５３は、チャンバ２の外部に設けられている。ポンプ５３は、開閉バルブ５２とタンク５４とに接続されている。ポンプ５３は、タンク５４に収納されている液体１０３を開閉バルブ５２を介して蒸発槽５１へ供給する。
タンク５４は、チャンバ２の外部に設けられている。タンク５４は、液体１０３を収納する。
なお、開閉バルブ５２を工場配管などに接続することもできる。この場合、ポンプ５３とタンク５４は、省略することができる。
開閉バルブ５５は、チャンバ２の外部に設けられている。開閉バルブ５５は、例えば、蒸発槽５１と工場のドレイン配管などに接続することができる。開閉バルブ５５は、蒸発槽５１からの液体１０３の排出と排出の停止とを切り替える。

なお、チャンバ２の内部で蒸気１０２を発生させる場合を例示したが、チャンバ２の外部で液体１０３を加熱するなどして蒸気１０２を発生させるようにしてもよい。チャンバ２の外部で発生させた蒸気１０２は、ノズルなどを介してチャンバ２の内部に供給することができる。ただし、チャンバ２の内部で蒸気１０２を発生させれば、チャンバ２の内部における蒸気１０２の濃度を均一化したり、多量の蒸気１０２を発生させたりするのが容易となる。

載置部６は、チャンバ２の内部に設けられている。載置部６は、所定の間隔を空けて導波管３１の下方に設けることができる。載置部６は、処理物１００を載置可能となっている。また、載置部６は、載置された処理物１００を保持することができる。
載置部６には、例えば、載置台６１および軸６２が設けられている。

載置台６１は、例えば、円板状を呈したものとすることができる。例えば、載置台６１には、処理物１００を保持するための静電チャック、処理物１００の温度を制御するためのヒータやチラーなどを設けることができる。

軸６２の一方の端部は、チャンバ２の内部において、載置台６１の、載置面６１ａとは反対側の面に接続されている。軸６２は、載置台６１と同芯となるように設けることができる。また、軸６２は、チャンバ２の底面に回転可能に設けることができる。軸６２の他方の端部は、チャンバ２の外部において、駆動部７に接続されている。
その他、載置部６には、処理物１００の受け渡しを行うためのピックアップピンなどを設けることもできる。

駆動部７は、載置部６を回転可能となっている。駆動部７は、軸６２を介して載置台６１を回転させる。そのため、載置台６１に保持された処理物１００が回転することになる。この場合、駆動部７は、回転の開始と停止、回転方向の変更、回転数（回転速度）の変更を行うことができる。駆動部７は、例えば、サーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。

コントローラ８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）などの演算部と、メモリなどの記憶部とを備えたものとすることができる。コントローラ８は、記憶部に格納されている制御プログラムに基づいて、プラズマ処理装置１に設けられた各要素の動作を制御する。

次に、処理物１００の処理面１００ａと、定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１との関係についてさらに説明する。
図２は、処理面１００ａにおける定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１を例示するための模式図である。
図２に示すように、処理面１００ａのＡ、Ｂ、Ｃ、およびＤの位置の上方に定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１があるものとする。定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１では電界強度が最も強くなる。そのため、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤの位置の上方においてプラズマが発生しやすくなる。プラズマが発生すると、発生したプラズマにより蒸気１０２が励起、活性化されてラジカルやイオンが生成される。そして、生成されたラジカルやイオンが処理物１００の処理面１００ａに供給されることで、例えば、処理面１００ａに付着している有機物が分解、除去される。

この場合、プラズマが発生する領域にはある程度の広がりが有り、また、生成されたラジカルなどはある程度拡散しながら処理面１００ａに到達する。そのため、処理面１００ａにおいて、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤの位置のそれぞれを中心とした領域に処理が施される。この場合、処理物１００は回転するので、Ａ、Ｂ、Ｃ、およびＤの位置のそれぞれを中心とした環状の領域Ａ１、Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１に処理が施される。そのため、処理面１００ａの全域に処理を施すことができる。

以上に説明したように、平面視において、載置部６の中心に最も近いスロット３１ａ１の中心は、載置部６の中心から離れた位置にある。
また、導波管３１の内部には、導波管３１の一定の位置に腹を有する定在波１０１ａが形成可能である。そして、平面視において、載置部６の中心に最も近い腹の位置１０１ａ１は、載置部６の中心から離れた位置にある。

ここで、それぞれの領域においては、中心側の処理レートが高く、周縁側の処理レートが低くなるように思える。しかしながら、領域の周縁近傍には、隣接する領域の周縁近傍に向かうラジカルなどの一部が供給される。そのため、それぞれの領域において処理レートのバラツキが大きくなるのを抑制することができる。

以上に説明したように、本実施の形態に係るプラズマ処理装置１とすれば、大面積を処理することができ、且つ、処理ムラを抑制することができる。また、処理物１００を回転させることで処理面１００ａの全域に処理を施すようにしているため、チャンバ２の小型化、ひいてはプラズマ処理装置１の小型化を図ることができる。また、プラズマ処理を施す際には定在波の位相を意図的に変化させることがないので、プラズマを安定的に発生させることができる。そのため、プラズマ処理の安定化を図ることができ、ひいては歩留まりや生産性の向上を図ることができる。

以上においては１つの導波管３１が設けられる場合を例示したが、複数の導波管３１を設けることもできる。
図３は、複数の導波管が設けられる場合を例示するための模式図である。
ここで、処理物１００は回転するので、処理面１００ａの周縁領域における移動速度は、処理面１００ａの中央領域における移動速度よりも速くなる。そのため、処理面１００ａの周縁領域における処理レートが低くなるおそれがある。

この場合、図３に示すように、処理面１００ａの中央領域にプラズマ処理を施すための導波管１３１ａと、処理面１００ａの周縁領域にプラズマ処理を施すための導波管１３１ｂを設けるようにすることができる。そして、導波管１３１ｂの内部にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部に印加する電力を、導波管１３１ａの内部にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部に印加する電力よりも大きくする。この様にすれば、処理面１００ａのＡの位置の上方における電界強度を高めることができる。また、処理面１００ａの周縁領域には蒸気１０２が供給されやすい。そのため、処理面１００ａのＡの位置の上方において生成されるラジカルやイオンの量を増加させることができる。その結果、処理面１００ａの周縁領域において処理レートが低くなるのを抑制することができる。

図４は、複数の導波管が設けられる場合を例示するための模式図である。
図４に示すように、中央側の領域Ｂ１、Ｃ１にプラズマ処理を施すための導波管１３１ｃと、周縁側の領域Ａ１にプラズマ処理を施すための導波管１３１ｄと、中間の領域Ｄ１にプラズマ処理を施すための導波管１３１ｅを設けることもできる。そして、導波管１３１ｃ〜１３１ｅの内部にマイクロ波を放射するマイクロ波発生部に印加する電力を、領域における処理レートに応じて制御することもできる。この様にすれば、処理レートのバラツキをさらに抑制することができる。
なお、導波管の数は、処理物１００の大きさや形状などに応じて適宜変更することができる。また、複数のマイクロ波発生部に印加する電力は、実験やシミュレーションなどを行うことで適宜決定することができる。

次に、排気位置についてさらに説明する。
図１に例示をした排気位置２ａ１は、チャンバ２の天井の中心近傍に設けられている。この様にすれば、軸対称な排気を行うのが容易となる。そのため、蒸気供給部５から供給された蒸気１０２が、導波管３１の下方に行き渡り易くなる。

しかしながら、処理物１００の上方には導波管３１、１３１ａ〜１３１ｅが設けられている。そのため、導波管の大きさ、数、配置などによっては蒸気１０２の流れが阻害されるおそれがある。

図５（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る排気位置を例示するための模式平面図である。
図５（ａ）に示すように、複数の排気位置２ａ１を設ける場合には、複数の排気位置２ａ１は、チャンバ２の中心軸２ｂを中心として点対称な位置に設けることができる。
また、図５（ｂ）に示すように、排気口２ａの開口寸法を大きくし、排気口２ａの開口に、複数の孔２ａ２ａが設けられたプレート２ａ２を設けることができる。この様にすれば、孔２ａ２ａの配置や数などを変更することで排気位置の調整を行うことができる。
以上に説明したように、排気位置２ａ１は少なくとも１つ設けられていればよい。排気位置２ａ１の数、配置などは、チャンバ２、導波管３１、および載置部６などの大きさに応じて実験やシミュレーションを行うことで適宜決定することができる。

図６（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係る排気位置および蒸気の供給位置を例示するための模式図である。
なお、図６（ｂ）は、図６（ａ）におけるＥ−Ｅ線方向の模式断面図である。
図６（ａ）に示すように、平面視において、蒸気１０２を供給するノズル５６を、定在波１０１ａの腹の位置１０１ａ１の近傍、例えば、スロット３１ａ１の中心の近傍に設けることができる。また、必要に応じて、導波管３１の、ノズル５６側とは反対側に排気ノズル５７を設けることができる。
この様にすれば、図６（ｂ）に示すように、導波管３１の下方のプラズマが発生する領域に蒸気１０２を導入するのが容易となる。

図７（ａ）、（ｂ）は、他の実施形態に係るプラズマ処理装置１１を例示するための模式平面図である。なお、図中の矢印Ｘは水平面内における一つの方向を表している。矢印Ｙは水平面内において矢印Ｘに直交する方向を表している。
処理物１００の平面形状が円形であれば、プラズマ処理を施す際に処理物１００を回転させることが好ましい。
処理物１００ｂの平面形状が四角形である場合には、処理物１００ｂを水平方向に移動させることができる。
この場合、導波管３１の数が１つであれば、図７（ａ）に示すように、矢印Ｘの方向の移動と、矢印Ｙの方向の移動を組み合わせることができる。例えば、処理物１００ｂが導波管３１の下方を通過するように、処理物１００ｂを矢印Ｘの方向に移動させる。次に、処理物１００ｂを矢印Ｙの方向に移動させる。この際、処理物１００ｂを、スロット３１ａ１のピッチ寸法の半分の距離だけ移動させる。次に、処理物１００ｂを矢印Ｘとは逆方向に移動させる。この様にすれば、処理物１００ｂの処理面１００ｃの全域にプラズマ処理を施すことができる。なお、矢印Ｙの方向の移動距離を小さくして、矢印Ｘの方向における往復移動の回数を増やすこともできる。
この場合、載置部６および駆動部７は、例えば、ＸＹテーブルなどとすることができる。

また、図７（ｂ）に示すように、複数の導波管３１を並べて設けることもできる。例えば、スロット３１ａ１の位置を、スロット３１ａ１のピッチ寸法の半分の距離だけずらして導波管３１を並べることができる。
この様な場合には、複数のスロット３１ａ１が並ぶ方向（矢印Ｙの方向）に直交する矢印Ｘの方向に、処理物１００ｄを移動させれば良い。この様にすれば、処理物１００ｄの処理面１００ｅの全域にプラズマ処理を施すことができる。なお、導波管３１の数を３つ以上とすることもできる。
この場合、載置部６および駆動部７は、例えば、単軸ロボット、コンベアなどとすることができる。また、帯状の処理物１００ｄを巻き取るものであってもよい。

以上においては、載置部の位置を変化させるようにしたが、導波管の位置を変化させることもできる。すなわち、駆動部は、導波管と載置部との相対的な位置を変更可能なものとすることができる。

以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。

１ プラズマ処理装置、２ チャンバ、２ａ 排気口、３ プラズマ発生部、４ 排気部、５ 蒸気供給部、６ 載置部、７ 駆動部、８ コントローラ、１１ プラズマ処理装置、３１ 導波管、３１ａ１ スロット、３２ 誘電体部、３３ マイクロ波発生部、５１ 蒸発槽、５６ ノズル、５７ 排気ノズル、６１ 載置台、１００ 処理物、１００ａ 処理面、１００ｂ 処理物、１００ｄ 処理物、１０１ａ 定在波、１０１ａ１ 腹の位置、１０２ 蒸気、１０３ 液体、１３１ａ〜１３１ｅ 導波管

Claims (7)

1. 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
   前記チャンバの内部を排気可能な排気部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、前記載置部側の面に少なくとも１つのスロットを有する導波管と、
   前記導波管の内部にマイクロ波を放射可能なマイクロ波発生部と、
   前記導波管と前記載置部との相対的な位置を変更可能な駆動部と、
   前記チャンバの底面に設けられ、内部に液体を収納可能な空間を有し、上部に開口が設けられた蒸発槽と、
   を備え、
   平面視において、前記載置部の中心に最も近い前記スロットの中心は、前記載置部の中心から離れた位置にあるプラズマ処理装置。
2. 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
   前記チャンバの内部を排気可能な排気部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、前記載置部側の面に少なくとも１つのスロットを有する導波管と、
   前記導波管の内部にマイクロ波を放射可能なマイクロ波発生部と、
   前記導波管と前記載置部との相対的な位置を変更可能な駆動部と、
   を備え、
   平面視において、前記載置部の中心に最も近い前記スロットの中心は、前記載置部の中心から離れた位置にあり、
   前記排気部による排気位置は、前記チャンバの天井の中心近傍に設けられているプラズマ処理装置。
3. 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
   前記チャンバの内部を排気可能な排気部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、
   前記チャンバの内部に設けられた導波管と、
   前記導波管の内部にマイクロ波を放射可能なマイクロ波発生部と、
   前記導波管と前記載置部との相対的な位置を変更可能な駆動部と、
   前記チャンバの底面に設けられ、内部に液体を収納可能な空間を有し、上部に開口が設けられた蒸発槽と、
   を備え、
   前記導波管の内部には、前記導波管の一定の位置に腹を有する定在波が形成可能であり、
   平面視において、前記載置部の中心に最も近い前記腹の位置は、前記載置部の中心から離れた位置にあるプラズマ処理装置。
4. 大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能なチャンバと、
   前記チャンバの内部を排気可能な排気部と、
   前記チャンバの内部に設けられ、処理物を載置可能な載置部と、
   前記チャンバの内部に設けられた導波管と、
   前記導波管の内部にマイクロ波を放射可能なマイクロ波発生部と、
   前記導波管と前記載置部との相対的な位置を変更可能な駆動部と、
   を備え、
   前記導波管の内部には、前記導波管の一定の位置に腹を有する定在波が形成可能であり、
   平面視において、前記載置部の中心に最も近い前記腹の位置は、前記載置部の中心から離れた位置にあり、
   前記排気部による排気位置は、前記チャンバの天井の中心近傍に設けられているプラズマ処理装置。
5. 前記導波管の内部に設けられ、誘電体材料を含む誘電体部をさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
6. 前記駆動部は、前記載置部を回転可能となっている請求項１〜５のいずれか１つに記載のプラズマ処理装置。
7. 前記液体は、水を含む請求項１または３に記載のプラズマ処理装置。

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