JP6562415B2 - シリコンインゴット及びその製造方法 - Google Patents
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前記種結晶層の前記凹凸表面に、高融点化剤を配置する高融点化剤配置工程と、
前記高融点化剤を配置した前記種結晶層の前記凹凸表面に、シリコン融液又はシリコン原料を配置する原料配置工程と、
前記シリコン融液、又は前記シリコン原料を加熱して得られたシリコン融液を、冷却して下から上側に向けて結晶成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。
以下の方法によりシリコンインゴットを製造した。
シリコンインゴットの底部に残った種結晶層について加熱試験を行った。加熱試験では、1470℃で種結晶層を加熱した。加熱試験は、シリコンインゴットから種結晶層を切断して取り出した。取り出した種結晶層片を各種温度で加熱した。その結果、1470℃までの温度に曝しても、種結晶層においてシリコン粒子を被覆している窒素含有部は溶融ないし分解しなかった。しかも、シリコン粒子もその形状を保持した。
比較例1のシリコンインゴットの製造方法は、種結晶配置工程及び高融点化剤配置工程を行わない点が、実施例1と相違する。即ち、比較例1では、シリコン種結晶を坩堝底に配置しなかった。そして、実施例1と同様に、シリコン原料配置工程及び成長工程を行って、シリコンインゴットを得た。
Claims (13)
- 坩堝の底面にシリコン種結晶を配置して凹凸表面を有する種結晶層を形成する種結晶配置工程と、
前記種結晶層の前記凹凸表面に、高融点化剤を配置する高融点化剤配置工程と、
前記高融点化剤を配置した前記種結晶層の前記凹凸表面に、シリコン融液又はシリコン原料を配置する原料配置工程と、
前記シリコン融液、又は前記シリコン原料を加熱して得られたシリコン融液を、冷却して下から上側に向けて結晶成長させる成長工程と、を有することを特徴とするシリコンインゴットの製造方法。 - 前記高融点化剤は、窒化珪素からなる請求項1に記載のシリコンインゴットの製造方法。
- 前記シリコン種結晶は、シリコン粒子からなり、
前記種結晶層は、複数の前記シリコン粒子を敷設した種結晶集合層である請求項1又は2に記載のシリコンインゴットの製造方法。 - 前記シリコン粒子は球状を呈している請求項3に記載のシリコンインゴットの製造方法。
- 前記シリコン粒子の最大直径は0.2mm〜1cmである請求項3又は4に記載のシリコンインゴットの製造方法。
- 前記高融点化剤配置工程において、前記高融点化剤を有する液体を前記種結晶の前記凹凸表面に供給する請求項1〜5のいずれかに記載のシリコンインゴットの製造方法。
- 表面が凹凸表面とされておりシリコン種結晶からなる種結晶層と、前記凹凸表面から延びる複数の結晶粒からなる多結晶シリコンと、前記多結晶シリコンと前記種結晶層との間に介在するとともに前記シリコン種結晶よりも融点が高い高融点部とを有することを特徴とするシリコンインゴット。
- 前記高融点部は、窒素含有部である請求項7に記載のシリコンインゴット。
- 前記種結晶層は、複数のシリコン粒子が敷設された種結晶集合層である請求項7又は8に記載のシリコンインゴット。
- 前記種結晶集合層は、複数の前記シリコン粒子が1層分敷設されている請求項9に記載のシリコンインゴット。
- 前記高融点部は、前記シリコン種結晶の表面を被覆している請求項7〜10のいずれかに記載のシリコンインゴット。
- 前記高融点部は、網目構造を有する請求項7〜11のいずれかに記載のシリコンインゴット。
- 前記種結晶層の厚みは、0.2mm以上2mm未満である請求項7〜12のいずれかに記載のシリコンインゴット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015195801A JP6562415B2 (ja) | 2015-10-01 | 2015-10-01 | シリコンインゴット及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015195801A JP6562415B2 (ja) | 2015-10-01 | 2015-10-01 | シリコンインゴット及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2017066008A JP2017066008A (ja) | 2017-04-06 |
JP6562415B2 true JP6562415B2 (ja) | 2019-08-21 |
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ID=58491607
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6562415B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI595124B (zh) * | 2016-07-18 | 2017-08-11 | 綠能科技股份有限公司 | 多晶矽鑄錠的製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3852147B2 (ja) * | 1996-12-27 | 2006-11-29 | Jfeスチール株式会社 | 太陽電池用多結晶シリコン・インゴットの製造方法 |
JP4569957B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2010-10-27 | コバレントマテリアル株式会社 | 多結晶半導体製造用ルツボ及び多結晶半導体製造方法 |
JP2007063049A (ja) * | 2005-08-30 | 2007-03-15 | Kyocera Corp | 半導体インゴットの製造方法 |
SG190514A1 (en) * | 2011-11-28 | 2013-06-28 | Sino American Silicon Prod Inc | Crystalline silicon ingot and method of fabricating the same |
JP5846987B2 (ja) * | 2012-03-29 | 2016-01-20 | Jx日鉱日石金属株式会社 | シリコン結晶インゴット製造用離型材およびシリコン結晶インゴット製造用離型材の形成方法 |
JP2014024716A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Tohoku Univ | シリコンインゴットの製造方法 |
TWI541393B (zh) * | 2012-12-28 | 2016-07-11 | 中美矽晶製品股份有限公司 | 用於製造矽晶鑄錠之晶種 |
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2015
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017066008A (ja) | 2017-04-06 |
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