JP6560923B2 - Sealing film forming apparatus and sealing film forming method - Google Patents

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Description

この発明は、水分の浸入を防止する封止膜を対象物に形成する封止膜形成装置および封止膜形成方法に関する。   The present invention relates to a sealing film forming apparatus and a sealing film forming method for forming a sealing film for preventing moisture from entering an object.

有機ＥＬや薄膜太陽電池など、水分に弱い電子デバイスの製造において、デバイスへ水分が浸入しないようにデバイスを封止する必要がある。従来では、ガラスやバリア性の高いフィルムなどを用いてデバイスを封止していたが、製品をより薄く軽量化させるために、近年、ＣＶＤ法などのドライプロセスによってバリア性の高い薄膜（封止膜）をデバイス表面に成膜させることによって、電子デバイスを外気から保護する手段が採用されつつある。   In the manufacture of electronic devices that are sensitive to moisture, such as organic EL and thin film solar cells, it is necessary to seal the device so that moisture does not enter the device. In the past, devices were sealed using glass or films with high barrier properties. However, in order to reduce the thickness and weight of products, thin films with high barrier properties (sealing) have recently been developed by dry processes such as CVD. A means for protecting an electronic device from the outside air by forming a film) on the device surface is being adopted.

ただし、このように封止膜で保護を行う場合、図５のように工程上発生してしまうパーティクルなどの異物９１が電子デバイス（基材Ｗ）上に付着したときにその上から封止膜９０を形成させてしまうと、部位９２のように封止膜材料が回り込めないような急峻な窪みがある部位では封止膜９０が途切れやすくなり、そこから水分が浸入して電子デバイスの劣化が生じる可能性があった。すなわち、封止膜のバリア性が低くなる可能性があった。   However, when protection is performed with the sealing film in this way, when a foreign substance 91 such as particles generated in the process adheres to the electronic device (base material W) as shown in FIG. If 90 is formed, the sealing film 90 easily breaks in a portion having a steep depression such as the portion 92 where the sealing film material cannot go around, and moisture enters from there to deteriorate the electronic device. Could occur. That is, the barrier property of the sealing film may be lowered.

そこで、たとえば特許文献１では、図６に示す通りエレクトロスプレー法、インクジェット法などのウェットプロセスによって基材Ｗの表面に流動性のあるカバー膜９３を形成してカバー膜９３で異物９１を埋めてから、カバー膜９３の表面に封止膜９０を形成することが提案されている。これにより、カバー膜９３のなだらかな表面に封止膜９０を形成することができるので、途切れが無くバリア性の高い封止膜９０を得ることができる。   Therefore, in Patent Document 1, for example, as shown in FIG. 6, a fluid cover film 93 is formed on the surface of the substrate W by a wet process such as an electrospray method or an ink jet method, and the foreign matter 91 is filled with the cover film 93. Therefore, it has been proposed to form the sealing film 90 on the surface of the cover film 93. Thereby, since the sealing film 90 can be formed on the gentle surface of the cover film 93, the sealing film 90 with high barrier properties without interruption can be obtained.

特願２０１４−１０５５６６号公報Japanese Patent Application No. 2014-105566

しかし、特許文献１に記載の封止膜の形成方法だと、それでも封止膜のバリア性が低くなる可能性があるおそれがあった。具体的には、カバー膜を形成した後ドライプロセスで封止膜を形成するためにドライプロセス装置まで基材を搬送して基材周辺を減圧する際に大きな気流が発生するため、カバー膜上にパーティクルなどの異物が付着する可能性がある。その結果、図７に示すように封止膜９０は異物９４の周辺で途切れが生じ、バリア性が低くなる可能性があった。   However, with the method for forming a sealing film described in Patent Document 1, there is still a possibility that the barrier property of the sealing film may be lowered. Specifically, after the cover film is formed, a large air current is generated when the substrate is transported to the dry process device and the periphery of the substrate is decompressed in order to form a sealing film by a dry process. There is a possibility that foreign matters such as particles adhere to the surface. As a result, as shown in FIG. 7, the sealing film 90 may be interrupted around the foreign matter 94 and the barrier property may be lowered.

本発明は上記問題を鑑みてなされたものであり、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる封止膜形成装置および封止膜形成方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide a sealing film forming apparatus and a sealing film forming method capable of stably forming a sealing film having a high barrier property.

上記課題を解決するために本発明の封止膜形成装置は、基材を収容する第１の減圧チャンバーと、前記第１の減圧チャンバー内に収容された基材へウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成部と、基材を収容する第２の減圧チャンバーと、前記第１の減圧チャンバーから前記第２の減圧チャンバーへの基材の搬送経路であり、減圧される減圧搬送路と、前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成部と、を備えることを特徴としている。   In order to solve the above problems, a sealing film forming apparatus of the present invention includes a first decompression chamber that accommodates a base material, and a cover film material applied to the base material accommodated in the first decompression chamber by a wet process. A cover film forming section for supplying and forming a cover film; a second decompression chamber for housing the substrate; and a transport path for the substrate from the first decompression chamber to the second decompression chamber, Forming a sealing film by supplying a sealing film material by a dry process to the cover film formed on the base material accommodated in the reduced-pressure conveying path and the second decompression chamber And a section.

上記封止膜形成装置によれば、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。具体的には、第１の減圧チャンバー、減圧搬送路、および第２の減圧チャンバーを有していることにより、カバー膜が形成されてからカバー膜の表面に封止膜が形成されるまで常に減圧環境を維持することができるため、カバー膜の表面に異物が付着することを防ぐことができ、ならだかなカバー膜表面にバリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。   According to the sealing film forming apparatus, a sealing film having a high barrier property can be stably formed. Specifically, by having the first decompression chamber, the decompression conveyance path, and the second decompression chamber, the cover film is always formed until the sealing film is formed on the surface of the cover film. Since a reduced pressure environment can be maintained, foreign matter can be prevented from adhering to the surface of the cover film, and a sealing film having a high barrier property can be stably formed on the surface of the cover film.

また、前記カバー膜材料は、無溶剤系の液体であると良い。   The cover film material may be a solventless liquid.

こうすることにより、減圧環境下でウェットプロセスを行う際にカバー膜内の溶剤が揮発して塗布完了前に硬化してしまうことを防ぐことができる。   By doing so, it is possible to prevent the solvent in the cover film from volatilizing and curing before the completion of coating when the wet process is performed in a reduced pressure environment.

また、前記カバー膜材料は、加熱硬化型または紫外線硬化型もしくは吸水硬化型の液体であると良い。   The cover film material may be a heat curable liquid, an ultraviolet curable liquid, or a water absorption curable liquid.

こうすることにより、減圧環境下でも容易にカバー膜を硬化させることができる。   By doing so, the cover film can be easily cured even under a reduced pressure environment.

また、前記カバー膜形成部はエレクトロスプレー装置であり、前記カバー膜材料供給時の前記第１の減圧チャンバー内の圧力は０．２Ｐａ以下であると良い。   The cover film forming unit may be an electrospray apparatus, and the pressure in the first decompression chamber when the cover film material is supplied may be 0.2 Pa or less.

こうすることにより、減圧環境下であっても第１の減圧チャンバーとエレクトロスプレー装置の間やノズルとステージ間で異常放電が起こることを防ぎ、安定してカバー膜を形成することができる。   By doing so, it is possible to prevent abnormal discharge from occurring between the first reduced pressure chamber and the electrospray apparatus or between the nozzle and the stage even under a reduced pressure environment, and to stably form the cover film.

また、上記課題を解決するために本発明の封止膜形成方法は、第１の減圧チャンバー内に収容された基材へ減圧環境下でウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成工程と、減圧環境下で基材を前記第１の減圧チャンバーから第２の減圧チャンバーへ搬送する減圧搬送工程と、前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へ減圧環境下でドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成工程と、を有することを特徴としている。   Further, in order to solve the above problems, the sealing film forming method of the present invention forms a cover film by supplying a cover film material to a base material accommodated in the first reduced pressure chamber by a wet process under a reduced pressure environment. A cover film forming step, a reduced pressure transfer step of transferring the substrate from the first reduced pressure chamber to the second reduced pressure chamber in a reduced pressure environment, and a substrate accommodated in the second reduced pressure chamber. A sealing film forming step of supplying a sealing film material to the cover film by a dry process under a reduced pressure environment to form a sealing film.

上記封止膜形成方法によれば、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。具体的には、カバー膜形成工程、減圧搬送工程、および封止膜形成工程とを有することにより、カバー膜が形成されてからカバー膜の表面に封止膜が形成されるまで常に減圧環境を維持することができるため、カバー膜の表面に異物が付着することを防ぐことができ、なだらかなカバー膜表面にバリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。   According to the sealing film forming method, a sealing film having a high barrier property can be stably formed. Specifically, by having a cover film forming step, a reduced pressure conveying step, and a sealing film forming step, the reduced pressure environment is always maintained after the cover film is formed until the sealing film is formed on the surface of the cover film. Therefore, it is possible to prevent foreign matters from adhering to the surface of the cover film, and a sealing film having a high barrier property can be stably formed on the smooth surface of the cover film.

本発明の封止膜形成装置および封止膜形成方法によれば、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。   According to the sealing film forming apparatus and the sealing film forming method of the present invention, a sealing film having a high barrier property can be stably formed.

本発明の一実施形態における封止膜形成装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the sealing film forming apparatus in one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態における封止膜形成方法を示すフロー図である。It is a flowchart which shows the sealing film formation method in one Embodiment of this invention. エレクトロスプレー塗布における減圧チャンバー内圧力と放電電圧との関係を示したグラフである。It is the graph which showed the relationship between the pressure in the pressure reduction chamber and discharge voltage in electrospray application. 他の実施形態における封止膜形成装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the sealing film forming apparatus in other embodiment. 従来の封止膜形成方法により基材に形成された封止膜を示す概略図である。It is the schematic which shows the sealing film formed in the base material by the conventional sealing film formation method. 本発明の封止膜形成方法により基材に形成された封止膜を示す概略図である。It is the schematic which shows the sealing film formed in the base material by the sealing film formation method of this invention. 従来の封止膜形成方法により基材に形成された封止膜を示す概略図である。It is the schematic which shows the sealing film formed in the base material by the conventional sealing film formation method.

本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。   Embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施形態における封止膜形成装置を示す概略図であり、断面図である。   FIG. 1 is a schematic view showing a sealing film forming apparatus according to an embodiment of the present invention, and is a cross-sectional view.

封止膜形成装置１は、カバー膜形成部２および封止膜形成部３を有し、基材Ｗの表面にカバー膜形成部２によってカバー膜９３を形成し、このカバー膜９３の表面に封止膜形成部３によって封止膜９０を形成する。   The sealing film forming apparatus 1 includes a cover film forming unit 2 and a sealing film forming unit 3, and a cover film 93 is formed on the surface of the base material W by the cover film forming unit 2. The sealing film 90 is formed by the sealing film forming unit 3.

また、カバー膜形成部２は第１の減圧チャンバー４に収容されており、減圧環境下でカバー膜９３が形成される。また、封止膜形成部３は第２の減圧チャンバー５に収容されており、減圧環境下で封止膜９０が形成される。   Further, the cover film forming unit 2 is housed in the first decompression chamber 4, and the cover film 93 is formed under a decompressed environment. Further, the sealing film forming unit 3 is accommodated in the second decompression chamber 5, and the sealing film 90 is formed in a decompressed environment.

また、第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５とは、第１の減圧チャンバー４から第２の減圧チャンバー５への基材Ｗの搬送経路である減圧搬送路６を介して連結されており、減圧搬送路６の内部が減圧されていることによって、減圧状態を維持したまま基材Ｗにカバー膜９３および封止膜９０を形成することが可能である。   The first decompression chamber 4 and the second decompression chamber 5 are connected via a decompression conveyance path 6 which is a conveyance path of the substrate W from the first decompression chamber 4 to the second decompression chamber 5. In addition, since the inside of the decompression conveyance path 6 is decompressed, it is possible to form the cover film 93 and the sealing film 90 on the substrate W while maintaining the decompressed state.

カバー膜形成部２は基材Ｗへウェットプロセスによりカバー膜材料を供給する装置であり、本実施形態ではエレクトロスプレー装置である。なお、ウェットプロセスにより成膜対象に数百ｎｍ〜数十ｕｍの膜厚のカバー膜９３を形成することが可能である。なお、カバー膜９３のバリア性は高くなく、後述の封止膜９０によってバリア性が確保される。   The cover film forming unit 2 is an apparatus that supplies the cover film material to the base material W by a wet process, and is an electrospray apparatus in the present embodiment. Note that the cover film 93 having a thickness of several hundred nm to several tens of um can be formed on the film formation target by a wet process. Note that the barrier property of the cover film 93 is not high, and the barrier property is ensured by the sealing film 90 described later.

カバー膜形成部２はノズル２１、シリンジ２２、電源２３、およびステージ２４を有し、シリンジ２２から供給されたカバー膜材料が内部に充填されたノズル２１に対して電源２３が電圧を印加することにより、ステージ２４に載置された基材Ｗに向かって溶液材料がスプレーされる。   The cover film forming unit 2 includes a nozzle 21, a syringe 22, a power source 23, and a stage 24, and the power source 23 applies a voltage to the nozzle 21 in which the cover film material supplied from the syringe 22 is filled. Thus, the solution material is sprayed toward the base material W placed on the stage 24.

ノズル２１は、導電体製の管状の部材であり、開口がＺ軸方向（上下方向）を向いている。また、ノズル２１はシリンジ２２と接続されており、シリンジ２２からノズルの中空部にカバー膜材料が充填される。なお、本実施形態ではノズル２１として内径０．８ｍｍ、外径１．２ｍｍの管状体を用いている。   The nozzle 21 is a tubular member made of a conductor, and the opening faces the Z-axis direction (vertical direction). The nozzle 21 is connected to a syringe 22, and the cover membrane material is filled from the syringe 22 into the hollow portion of the nozzle. In the present embodiment, a tubular body having an inner diameter of 0.8 mm and an outer diameter of 1.2 mm is used as the nozzle 21.

また、ノズル２１には電源２３が接続されており、ノズル２１の中空部を通るカバー膜材料に電圧を印加した状態で、溶液材料を下方から上方に向かって噴霧するように構成されている。そして、ノズル２１から噴霧された溶液材料は、ノズル２１と基材Ｗとの間でスプレーを形成し、基材Ｗにカバー膜９３として堆積される。   Further, a power source 23 is connected to the nozzle 21, and the solution material is sprayed from below to above in a state where a voltage is applied to the cover membrane material passing through the hollow portion of the nozzle 21. Then, the solution material sprayed from the nozzle 21 forms a spray between the nozzle 21 and the substrate W and is deposited on the substrate W as a cover film 93.

シリンジ２２は、筒状のシリンダおよび当該シリンダの内壁を摺動するピストンを有し、シリンダに対してピストンが押し込まれる方向に駆動することによってシリンダ内に貯留されたカバー膜材料がピストンに対して反対側から押し出され、押し出されたカバー膜材料がノズル２１に供給される。また、ピストンは図示しない駆動源に接続されており、この駆動源によりピストンは精密駆動して５〜１００ｕｌ／ｍｉｎ程度の微量のカバー膜材料をノズル２１に送り出す。なお、シリンジ２２は第１の減圧チャンバ４―内ではなく、チャンバー外の大気側に設置してもよい。   The syringe 22 has a cylindrical cylinder and a piston that slides on the inner wall of the cylinder, and the cover film material stored in the cylinder is driven against the piston by being driven in a direction in which the piston is pushed into the cylinder. The cover film material extruded from the opposite side is supplied to the nozzle 21. The piston is connected to a drive source (not shown), and the piston is precisely driven by this drive source to send a small amount of cover film material of about 5 to 100 ul / min to the nozzle 21. The syringe 22 may be installed not on the first decompression chamber 4-but on the atmosphere side outside the chamber.

ステージ２４は、基材Ｗを把持する機構を有するプレートであり、導電性を有する。本実施形態では、ステージ２４は金属板である。ステージ２４は、カバー膜の形成時に基材Ｗに対してノズル２１と反対側から基材Ｗに接触して基材Ｗを把持するとともに接地するように構成されている。これにより、電源２３により電圧が印加されるノズル２１とステージ２４との間に電位差が生じ、ノズル２１とステージ２４との間に電気力線が形成される。そして、電圧が印加されてノズル２１から噴出するカバー膜材料は、電気力線の影響を受けてステージ２４に向かって飛行し（すなわちＺ軸方向に飛行し）、スプレーを形成する。   The stage 24 is a plate having a mechanism for gripping the substrate W and has conductivity. In the present embodiment, the stage 24 is a metal plate. The stage 24 is configured to contact the substrate W from the side opposite to the nozzle 21 with respect to the substrate W when the cover film is formed, hold the substrate W, and ground. As a result, a potential difference is generated between the nozzle 21 to which a voltage is applied by the power source 23 and the stage 24, and a line of electric force is formed between the nozzle 21 and the stage 24. The cover film material ejected from the nozzle 21 when a voltage is applied flies toward the stage 24 under the influence of the lines of electric force (that is, flies in the Z-axis direction) to form a spray.

封止膜形成部３は、基材Ｗへドライプロセスにより封止膜材料を供給する装置であり、本実施形態ではプラズマＣＶＤ装置である。なお、ドライプロセスによって成膜対象に数十ｎｍ〜数ｕｍの膜厚の封止膜９０を形成することが可能である。   The sealing film forming unit 3 is an apparatus that supplies a sealing film material to the base material W by a dry process, and is a plasma CVD apparatus in the present embodiment. Note that the sealing film 90 having a film thickness of several tens of nanometers to several um can be formed on a film formation target by a dry process.

封止膜形成部３は、成膜チャンバー３１、電極ユニット３２、プラズマガス供給源３３、原料ガス供給源３４、高周波電源３５、およびステージ３６を有しており電極ユニット３２が成膜チャンバー内に設けられている。成膜チャンバー３１の内部が減圧された状態でプラズマガス供給源３３および原料ガス供給源３４からプラズマガスおよび原料ガスが供給され、高周波電源３５によって電極ユニット３２に高周波電力が印加されることにより、プラズマガスがプラズマ化して誘導結合プラズマが発生し、この誘導結合プラズマが原料ガスを分解させる。この分解された原料ガスがステージ３６に載置された基材Ｗに堆積することにより、封止膜９０が形成される。   The sealing film forming unit 3 includes a film forming chamber 31, an electrode unit 32, a plasma gas supply source 33, a source gas supply source 34, a high frequency power source 35, and a stage 36. The electrode unit 32 is placed in the film forming chamber. Is provided. Plasma gas and source gas are supplied from the plasma gas supply source 33 and the source gas supply source 34 in a state where the inside of the film forming chamber 31 is decompressed, and high frequency power is applied to the electrode unit 32 by the high frequency power source 35. The plasma gas is turned into plasma to generate inductively coupled plasma, and this inductively coupled plasma decomposes the source gas. The decomposed source gas is deposited on the substrate W placed on the stage 36, whereby the sealing film 90 is formed.

成膜チャンバー３１は、たとえば複数のステンレス板が直方体状に組み合わされて構成される中空の箱状体であり、この成膜チャンバー３１の内部の空間に電極ユニット３２が配置される。   The film forming chamber 31 is, for example, a hollow box-shaped body formed by combining a plurality of stainless steel plates in a rectangular parallelepiped shape, and the electrode unit 32 is disposed in the space inside the film forming chamber 31.

また、成膜チャンバー３１は一部開口しており、この開口部にメッシュ３７が設けられ、メッシュ３７を介して後述する第２の減圧チャンバー５と連結している。そして、第２の減圧チャンバー５の内部が減圧されることに連動して、成膜チャンバー３１の内部も減圧される。   Further, the film forming chamber 31 is partially opened, and a mesh 37 is provided in the opening, and is connected to a second decompression chamber 5 described later via the mesh 37. Then, the inside of the film forming chamber 31 is also decompressed in conjunction with the decompression of the inside of the second decompression chamber 5.

成膜チャンバー３１を形成する外壁部には、プラズマガス供給源３３および原料ガス供給源３４が設けられており、これらから成膜チャンバー３１内にプラズマガスおよび原料ガスが供給される。   A plasma gas supply source 33 and a source gas supply source 34 are provided on an outer wall portion forming the film formation chamber 31, and plasma gas and source gas are supplied from these into the film formation chamber 31.

なお、本実施形態では原料ガスとしてＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）ガスを用いている。これに対し、プラズマガスとしてアルゴンガスおよび水素ガスを用いることにより、封止膜としてＳｉ化合物膜が形成され、また、プラズマガスとして酸素ガスが用いられることにより、封止膜としてＳｉＯ２膜が形成される。Ｓｉ化合物膜はＳｉＯ２膜よりも密着性が高く、ＳｉＯ２膜はＳｉ化合物膜よりもバリア性が高い。本実施形態ではＳｉ化合物膜とＳｉＯ２膜とが交互に形成されるよう複数回の成膜を行っており、高いバリア性と密着性の両方を具備する封止膜９０を形成させている。   In this embodiment, HMDS (hexamethyldisilazane) gas is used as the source gas. On the other hand, by using argon gas and hydrogen gas as the plasma gas, a Si compound film is formed as the sealing film, and by using oxygen gas as the plasma gas, a SiO2 film is formed as the sealing film. The The Si compound film has higher adhesion than the SiO 2 film, and the SiO 2 film has higher barrier properties than the Si compound film. In the present embodiment, the Si film and the SiO 2 film are alternately formed a plurality of times, and the sealing film 90 having both high barrier properties and adhesiveness is formed.

電極ユニット３２はたとえば銅などの導電性を有する材料で構成され、略Ｕ字状の形状を有しており、成膜チャンバー３１の壁面に固定されている。   The electrode unit 32 is made of a conductive material such as copper, has a substantially U-shape, and is fixed to the wall surface of the film forming chamber 31.

また、電極ユニット３２の両端は高周波電源３５に接続されており、高周波電源３５が作動して電極ユニット３２に高周波電力が印加されることにより、成膜チャンバー３１の内部空間にて略Ｕ字状の電極ユニット３２の間で絶縁破壊が生じ、プラズマガスをプラズマ化させる。   Further, both ends of the electrode unit 32 are connected to a high-frequency power source 35, and the high-frequency power source 35 is activated to apply high-frequency power to the electrode unit 32. Dielectric breakdown occurs between the electrode units 32, and the plasma gas is turned into plasma.

ステージ３６は基材Ｗを把持する機構を有するプレートであり、メッシュ３７を挟んで電極ユニット３２と反対側、すなわち第２の減圧チャンバー５側に設けられている。これにより、成膜チャンバー３１内で分解された原料ガスはメッシュ３７を通ってステージ３６へ向かい、ステージ３６に載置された基材Ｗに封止膜を形成する。ここで、メッシュ３７が接地されていることにより、分解された原料ガスのうち成膜に必要なラジカルのみがメッシュ３７を通過し、成膜に不要な電子、イオン等はメッシュ３７に付着もしくは跳ね返される。   The stage 36 is a plate having a mechanism for gripping the substrate W, and is provided on the side opposite to the electrode unit 32 with the mesh 37 interposed therebetween, that is, on the second decompression chamber 5 side. Thereby, the source gas decomposed in the film forming chamber 31 passes through the mesh 37 to the stage 36 and forms a sealing film on the substrate W placed on the stage 36. Here, since the mesh 37 is grounded, only radicals necessary for film formation out of the decomposed source gas pass through the mesh 37, and electrons, ions, etc. unnecessary for film formation adhere to or rebound to the mesh 37. It is.

第１の減圧チャンバー４は真空ポンプ４１を有し、真空ポンプ４１を動作させることにより、内部空間を減圧環境（大気圧よりも低い気圧である環境）にする。そして、第１の減圧チャンバー４の内部にはカバー膜形成部２が設けられており、カバー膜形成部２を用いたウェットプロセスによるカバー膜形成作業を減圧環境下で実施することができる。   The first decompression chamber 4 includes a vacuum pump 41, and the vacuum pump 41 is operated to make the internal space a decompressed environment (an environment having an atmospheric pressure lower than the atmospheric pressure). A cover film forming unit 2 is provided inside the first decompression chamber 4, and a cover film forming operation by a wet process using the cover film forming unit 2 can be performed under a reduced pressure environment.

また、第１の減圧チャンバー４にはシャッター４２およびシャッター４３が設けられており、シャッター４２が開くことにより、カバー膜形成部２より前の工程の装置から基材Ｗを搬入し、シャッター４３が開くことにより、カバー膜形成部２より後の工程の装置（本実施形態では封止膜形成部３）へ基材Ｗを搬出することができる。   The first decompression chamber 4 is provided with a shutter 42 and a shutter 43. When the shutter 42 is opened, the substrate W is carried in from a device in a process preceding the cover film forming unit 2, and the shutter 43 is By opening, the base material W can be carried out to the apparatus (the sealing film formation part 3 in this embodiment) of the process after the cover film formation part 2. FIG.

第２の減圧チャンバー５は真空ポンプ５１を有し、真空ポンプ５１を動作させることにより、内部空間を減圧環境にする。そして、第２の減圧チャンバー５の内部には封止膜形成部３が設けられており、封止膜形成部３を用いたドライプロセスによる封止膜形成作業を減圧環境下で実施することができる。   The second decompression chamber 5 has a vacuum pump 51 and operates the vacuum pump 51 to make the internal space a decompressed environment. The sealing film forming unit 3 is provided inside the second decompression chamber 5, and the sealing film forming operation by the dry process using the sealing film forming unit 3 can be performed under a reduced pressure environment. it can.

また、第２の減圧チャンバー５にはシャッター５２およびシャッター５３が設けられており、シャッター５２が開くことにより、封止膜形成部３より前の工程の装置（本実施形態ではカバー膜形成部２）から基材Ｗを搬入し、シャッター５３が開くことにより、封止膜形成部３より後の工程の装置へ基材Ｗを搬出することができる。   Further, the second decompression chamber 5 is provided with a shutter 52 and a shutter 53, and when the shutter 52 is opened, an apparatus in a process preceding the sealing film forming unit 3 (in this embodiment, the cover film forming unit 2). ), And the shutter 53 is opened, so that the substrate W can be carried out to an apparatus in a process subsequent to the sealing film forming unit 3.

減圧搬送路６は、第１の減圧チャンバー４から第２の減圧チャンバー５への基材Ｗの搬送経路であり、隔壁６１、真空ポンプ６２を有している。   The decompression conveyance path 6 is a conveyance path of the base material W from the first decompression chamber 4 to the second decompression chamber 5, and includes a partition wall 61 and a vacuum pump 62.

隔壁６１は第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５との間を外気から遮断する壁部であり、隔壁６１で仕切られた内部を基材Ｗが搬送される。そして、真空ポンプ６２が動作することにより減圧搬送路６内を減圧環境にすることができ、第１の減圧チャンバー４内において基材Ｗにカバー膜９３が形成される時から第２の減圧チャンバー５内において基材Ｗに封止膜９０が形成されるまでの間、減圧環境を維持することができる。   The partition wall 61 is a wall portion that shields between the first decompression chamber 4 and the second decompression chamber 5 from the outside air, and the substrate W is transported through the interior partitioned by the partition wall 61. Then, by operating the vacuum pump 62, the reduced pressure conveying path 6 can be made into a reduced pressure environment, and the second reduced pressure chamber is formed from when the cover film 93 is formed on the base material W in the first reduced pressure chamber 4. 5, a reduced pressure environment can be maintained until the sealing film 90 is formed on the substrate W.

ここで、第１の減圧チャンバー４内、第２の減圧チャンバー５内、および減圧搬送路６内の圧力は必ずしも同一である必要はない。たとえば、減圧搬送路６内の圧力を第１の減圧チャンバー４内および第２の減圧チャンバー５内の圧力よりも低くすることにより、第１の減圧チャンバー４内でカバー膜９３が硬化するときに発生するアウトガスが第２の減圧チャンバー５内に入り込むことを防ぐことができる。   Here, the pressures in the first decompression chamber 4, the second decompression chamber 5, and the decompression conveyance path 6 do not necessarily have to be the same. For example, when the cover film 93 is cured in the first decompression chamber 4 by making the pressure in the decompression conveyance path 6 lower than the pressure in the first decompression chamber 4 and the second decompression chamber 5. It is possible to prevent the generated outgas from entering the second decompression chamber 5.

また、減圧搬送路６内に減圧環境を維持しながらＡｒなどの不活性ガスを供給し、第１の減圧チャンバー４や第２の減圧チャンバー５の圧力よりも高くすることにより、気体などが第１の減圧チャンバー４から減圧搬送路６内に混入することを防ぎ、また第２の減圧チャンバー５から減圧搬送路６内に混入することも防ぐことも可能となる。   In addition, an inert gas such as Ar is supplied into the decompression conveyance path 6 while maintaining a decompression environment, and the pressure of the first decompression chamber 4 or the second decompression chamber 5 is increased, so that the gas or the like It is possible to prevent mixing from one decompression chamber 4 into the decompression conveyance path 6 and also prevent contamination from the second decompression chamber 5 into the decompression conveyance path 6.

また、減圧搬送路６には基材Ｗを搬送する搬送装置６３が設けられており、搬送装置のハンド６４が第１の減圧チャンバー４へ移動することにより、基材Ｗをステージ２４から取り出すことができ、また、ハンド６４が第２の減圧チャンバー５へ移動することにより、基材Ｗをステージ３６に載置することができる。   The decompression transport path 6 is provided with a transport device 63 for transporting the substrate W, and the substrate 64 is taken out from the stage 24 by moving the hand 64 of the transport device to the first decompression chamber 4. Moreover, the base material W can be mounted on the stage 36 by moving the hand 64 to the second decompression chamber 5.

次に、上記封止膜形成装置１を用いた本発明の封止膜形成方法の動作フローを図２に示す。なお、本実施形態では真空ポンプ４１、真空ポンプ５１、および真空ポンプ６２は常に動作しており、第１の減圧チャンバー４、第２の減圧チャンバー５、および減圧搬送路６の内部は常に減圧されているものとする。   Next, an operation flow of the sealing film forming method of the present invention using the sealing film forming apparatus 1 is shown in FIG. In this embodiment, the vacuum pump 41, the vacuum pump 51, and the vacuum pump 62 are always in operation, and the insides of the first decompression chamber 4, the second decompression chamber 5, and the decompression transport path 6 are always decompressed. It shall be.

まず、シャッター４２が開き、ウェットプロセスの前の工程の装置から第１の減圧チャンバー４内へ図示しない搬送装置によって基材Ｗが搬入され、ステージ２４へ載置される（ステップＳ１）。   First, the shutter 42 is opened, and the substrate W is loaded into the first decompression chamber 4 from the apparatus before the wet process by the transfer device (not shown) and placed on the stage 24 (step S1).

次に、シャッター４２が閉まり、第１の減圧チャンバー４内の圧力が所定の値となった後、ウェットプロセスにより基材Ｗの表面にカバー膜９３が形成される（ステップＳ２）。   Next, after the shutter 42 is closed and the pressure in the first decompression chamber 4 reaches a predetermined value, a cover film 93 is formed on the surface of the substrate W by a wet process (step S2).

カバー膜９３が形成された後、第１の減圧チャンバー４内でカバー膜９３が硬化される（ステップＳ３）。カバー膜９３を硬化する手段は、加熱、紫外線照射などが挙げられる。   After the cover film 93 is formed, the cover film 93 is cured in the first decompression chamber 4 (step S3). Examples of means for curing the cover film 93 include heating and ultraviolet irradiation.

次に、減圧搬送路６を介して第１の減圧チャンバー４から第２の減圧チャンバー５へ基材Ｗが搬送される（ステップＳ４）。これにより、カバー膜９３の形成が開始する時点から封止膜９０の形成が完了する時点まで減圧環境が維持される。   Next, the substrate W is transported from the first decompression chamber 4 to the second decompression chamber 5 via the decompression transport path 6 (step S4). Thereby, the reduced pressure environment is maintained from the time when the formation of the cover film 93 is started to the time when the formation of the sealing film 90 is completed.

ここで、基材Ｗの搬送時はシャッター４３およびシャッター５２が開き、搬送装置６３によって基材Ｗの搬送が行われる。このとき、万が一カバー膜９３の硬化の際に生じたアウトガスが第２の減圧チャンバー５に入り込んで封止膜９０の形成に悪影響が生じることを防ぐために、シャッター４３が開いてハンド６４がステージ２４から基材Ｗを受け取る間はシャッター５２は閉まっており、ハンド６４が基材Ｗを受け取って減圧搬送路６内に収納されてシャッター４３が閉じた後にシャッター５２が開くようにしている。そして、ハンド６４が第２の減圧チャンバー５内に進入し、ステージ３６へ基材Ｗを受け渡す。   Here, when the base material W is transported, the shutter 43 and the shutter 52 are opened, and the transport device 63 transports the base material W. At this time, in order to prevent the outgas generated when the cover film 93 is cured from entering the second decompression chamber 5 and adversely affecting the formation of the sealing film 90, the shutter 43 is opened and the hand 64 is moved to the stage 24. The shutter 52 is closed while the base material W is received, and the shutter 52 is opened after the hand 64 receives the base material W and is stored in the decompression conveyance path 6 and the shutter 43 is closed. Then, the hand 64 enters the second decompression chamber 5 and delivers the substrate W to the stage 36.

次に、シャッター５２が閉まり、第２の減圧チャンバー５内の圧力が所定の値となった後、ドライプロセスによりカバー膜９３の表面に封止膜９０が形成される（ステップＳ５）。   Next, after the shutter 52 is closed and the pressure in the second decompression chamber 5 reaches a predetermined value, the sealing film 90 is formed on the surface of the cover film 93 by a dry process (step S5).

最後に、シャッター５３が開いて、図示しない搬送装置によって第２の減圧チャンバー５から基材Ｗが搬出され、次の工程の装置へ搬送される（ステップＳ６）。   Finally, the shutter 53 is opened, and the base material W is unloaded from the second decompression chamber 5 by a transfer device (not shown) and transferred to the next process device (step S6).

以上の封止膜形成装置１および封止膜形成方法を用いて形成された封止膜９０は図６に示すような形態をとる。すなわち、基材Ｗの表面にカバー膜９３が形成され、そのカバー膜９３の表面に封止膜９０が形成される。   The sealing film 90 formed using the sealing film forming apparatus 1 and the sealing film forming method described above takes a form as shown in FIG. That is, the cover film 93 is formed on the surface of the substrate W, and the sealing film 90 is formed on the surface of the cover film 93.

カバー膜９３は流動性があるカバー膜材料をウェットプロセスを用いて基材Ｗに塗布することによって形成されるため、万が一第１の減圧チャンバー４に搬送された基材Ｗに異物９１が付着していたとしてもカバー膜９３が異物９１を包み込み、その表面は封止膜材料が回り込めないような急峻な窪みが無い、なだらかなものとなる。そして、封止膜９０はそのカバー膜９３の表面に形成される。   Since the cover film 93 is formed by applying a fluid cover film material to the base material W using a wet process, the foreign matter 91 is attached to the base material W conveyed to the first decompression chamber 4 by any chance. Even if this is the case, the cover film 93 wraps the foreign matter 91, and the surface thereof is smooth, without a steep depression that prevents the sealing film material from flowing around. The sealing film 90 is formed on the surface of the cover film 93.

また、カバー膜９３の形成が開始する時点から封止膜９０の形成が完了する時点まで減圧環境が維持されることにより、図７に示すようにカバー膜９３の表面に異物９４が付着するようなことが無いため、途切れが無くバリア性の高い封止膜９０を得ることができる。   Further, the reduced pressure environment is maintained from the time when the formation of the cover film 93 is started until the time when the formation of the sealing film 90 is completed, so that the foreign matter 94 adheres to the surface of the cover film 93 as shown in FIG. Therefore, the sealing film 90 having no barrier and high barrier properties can be obtained.

一方、電子デバイスを製造する一連の工程では、他の工程も減圧環境下で行われるものが多いため、カバー膜９３の形成が開始する時点から封止膜９０の形成が完了する時点まで減圧環境が維持されることは、ウェットプロセスを行うために気圧を大気圧に戻し、ウェットプロセスを行った後再度減圧を行うといった手間を省くことができるという特徴もある。   On the other hand, in a series of processes for manufacturing an electronic device, other processes are often performed under a reduced pressure environment. Therefore, the reduced pressure environment is from the time when the formation of the cover film 93 is started to the time when the formation of the sealing film 90 is completed. Is maintained in that the atmospheric pressure is returned to the atmospheric pressure in order to perform the wet process, and the time for depressurization after performing the wet process can be saved.

ここで、カバー膜９３が異物９１を包み込み、カバー膜９３の表面がなだらかとなるためには、ウェットプロセス中はカバー膜材料は液体状態を保持することが望ましい。ただし、低圧環境下では溶剤は揮発し易くなるため、液体状態を維持することは困難である。そこで、カバー膜材料の溶剤は蒸気圧の低い溶媒を含まないことが好ましい。また、カバー膜材料自体がたとえばエポキシ樹脂、アクリル樹脂といった無溶剤系の液体であれば、溶剤の揮発を考慮する必要が無いため、さらに好ましい。   Here, in order for the cover film 93 to enclose the foreign matter 91 and the surface of the cover film 93 to be smooth, it is desirable that the cover film material be kept in a liquid state during the wet process. However, it is difficult to maintain a liquid state because the solvent easily evaporates under a low pressure environment. Therefore, it is preferable that the solvent of the cover film material does not contain a solvent having a low vapor pressure. Further, if the cover film material itself is a solvent-free liquid such as an epoxy resin or an acrylic resin, it is more preferable because it is not necessary to consider the volatilization of the solvent.

また、カバー膜材料の硬化の形態については、カバー膜材料が加熱硬化型または紫外線硬化型の液体であれば、減圧環境下でも硬化の進行を制御しやすいため好ましい。また、吸水硬化型であっても良い。このとき、第１の減圧チャンバー４内に含まれる僅かな水分によって硬化するようにしても構わないが、基材Ｗへのカバー膜材料の供給完了後に図示しない水供給手段によって第１の減圧チャンバー４の外側から内側へ水を供給しても良い。   As for the form of curing of the cover film material, it is preferable that the cover film material is a heat curable liquid or an ultraviolet curable liquid because the progress of curing can be easily controlled even in a reduced pressure environment. Moreover, a water absorption hardening type may be sufficient. At this time, it may be cured by a slight amount of water contained in the first decompression chamber 4, but after the completion of the supply of the cover film material to the substrate W, the first decompression chamber is provided by a water supply means (not shown). Water may be supplied from the outside of 4 to the inside.

次に、ウェットプロセスとしてエレクトロスプレー塗布を採用した場合における第１の減圧チャンバー４内の圧力と放電電圧との関係を図３のグラフに示す。   Next, the graph of FIG. 3 shows the relationship between the pressure in the first decompression chamber 4 and the discharge voltage when electrospray coating is employed as the wet process.

エレクトロスプレー塗布では、前述の通りノズル２１に電圧を印加するが、減圧環境下ではノズル２１と第１の減圧チャンバー４の壁面との間やノズル２１とステージ２４との間で異常放電が生じてエレクトロスプレー塗布が行いにくくなる可能性がある。   In electrospray coating, a voltage is applied to the nozzle 21 as described above, but abnormal discharge occurs between the nozzle 21 and the wall surface of the first decompression chamber 4 or between the nozzle 21 and the stage 24 in a reduced pressure environment. Electrospray application may be difficult to perform.

図３は複数パターンのチャンバ内圧力におけるノズル２１と第１の減圧チャンバー４の壁面との間の放電電圧をプロットしたものである。なお、本実施形態において、ノズル２１と第１の減圧チャンバー４の壁面との距離は約２００ｍｍであり、ノズル２１とステージ２４の距離は５０〜１００ｍｍである。この結果、たとえば図３に二点鎖線で示す通り、放電電圧の変化はパッシェンの法則に従ってある圧力で極小値をとり、その圧力以下では圧力が低くなるほど放電電圧が高くなっている。   FIG. 3 is a plot of the discharge voltage between the nozzle 21 and the wall surface of the first decompression chamber 4 at a plurality of chamber internal pressures. In the present embodiment, the distance between the nozzle 21 and the wall surface of the first decompression chamber 4 is about 200 mm, and the distance between the nozzle 21 and the stage 24 is 50 to 100 mm. As a result, for example, as shown by a two-dot chain line in FIG. 3, the change in the discharge voltage takes a minimum value at a certain pressure in accordance with Paschen's law, and the discharge voltage increases as the pressure decreases below that pressure.

ここで、本実施形態ではエレクトロスプレー塗布ではノズル２１に約１２ｋＶの電圧を印加しており、チャンバ内圧力が０．２Ｐａ以下であればチャンバ壁面との間での異常放電を抑えてエレクトロスプレー塗布を行い、安定してカバー膜９３を形成することができる。   Here, in this embodiment, in electrospray coating, a voltage of about 12 kV is applied to the nozzle 21, and if the pressure in the chamber is 0.2 Pa or less, abnormal discharge between the chamber wall surface is suppressed and electrospray coating is performed. The cover film 93 can be stably formed.

以上の封止膜形成装置および封止膜形成方法により、バリア性の高い封止膜を安定して形成することができる。   With the above sealing film forming apparatus and sealing film forming method, a sealing film having a high barrier property can be stably formed.

ここで、本発明の封止膜形成装置および封止膜形成方法は、以上で説明した形態に限らず本発明の範囲内において他の形態のものであってもよい。たとえば、図１の実施形態では第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５との間に隔壁６１を有する減圧搬送路６を別個設けているが、図４に示すように第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５とを直接連結させても良い。この場合、第１の減圧チャンバー４と第２の減圧チャンバー５のそれぞれの外壁の開口部が連結して形成される空間が減圧搬送路６となる。   Here, the sealing film forming apparatus and the sealing film forming method of the present invention are not limited to the modes described above, and may be in other modes within the scope of the present invention. For example, in the embodiment of FIG. 1, the decompression conveyance path 6 having the partition wall 61 is separately provided between the first decompression chamber 4 and the second decompression chamber 5, but as shown in FIG. The chamber 4 and the second decompression chamber 5 may be directly connected. In this case, the space formed by connecting the openings of the outer walls of the first decompression chamber 4 and the second decompression chamber 5 becomes the decompression conveyance path 6.

また、基材Ｗは図１などに示すような枚葉状のものに限らず、長尺のフィルム状のものであっても良い。この場合、基材Ｗはロールトゥロールで搬送しても良く、このとき第１の減圧チャンバー４および第２の減圧チャンバー５に基材Ｗが通る最低限の寸法の開口を設け、基材Ｗの搬送経路とすることにより、第１の減圧チャンバー４や第２の減圧チャンバー５のプロセスで発生するガスが別チャンバーに混入しにくい構造にすることができる。   Further, the substrate W is not limited to a single wafer as shown in FIG. 1 or the like, but may be a long film. In this case, the substrate W may be transported by roll-to-roll, and at this time, an opening having a minimum dimension through which the substrate W passes through the first decompression chamber 4 and the second decompression chamber 5 is provided. By using this transport path, it is possible to make a structure in which gas generated in the process of the first decompression chamber 4 or the second decompression chamber 5 is difficult to be mixed into another chamber.

また、カバー膜形成部２はエレクトロスプレー装置に限らず他のウェットプロセス装置であっても良い。たとえば、スリットノズル塗布装置やインクジェット塗布装置などでも良い。   Further, the cover film forming unit 2 is not limited to the electrospray apparatus, but may be another wet process apparatus. For example, a slit nozzle coating device or an inkjet coating device may be used.

また、封止膜形成部３はＣＶＤ装置に限らず他のドライプロセス装置であっても良い。たとえば、スパッタリング装置であっても良い。   Further, the sealing film forming unit 3 is not limited to a CVD apparatus, but may be another dry process apparatus. For example, a sputtering apparatus may be used.

１ 封止膜形成装置
２ カバー膜形成部
３ 封止膜形成部
４ 第１の減圧チャンバー
５ 第２の減圧チャンバー
６ 減圧搬送路
２１ ノズル
２２ シリンジ
２３ 電源
２４ ステージ
３１ 成膜チャンバー
３２ 電極ユニット
３３ プラズマガス供給源
３４ 原料ガス供給源
３５ 高周波電源
３６ ステージ
３７ メッシュ
４１ 真空ポンプ
４２ シャッター
４３ シャッター
５１ 真空ポンプ
５２ シャッター
５３ シャッター
６１ 隔壁
６２ 真空ポンプ
６３ 搬送装置
６４ ハンド
９０ 封止膜
９１ 異物
９２ 部位
９３ カバー膜
９４ 異物
Ｗ 基材 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sealing film forming apparatus 2 Cover film forming part 3 Sealing film forming part 4 1st decompression chamber 5 2nd decompression chamber 6 decompression conveyance path 21 Nozzle 22 Syringe 23 Power supply 24 Stage 31 Deposition chamber 32 Electrode unit 33 Plasma Gas supply source 34 Raw material gas supply source 35 High frequency power source 36 Stage 37 Mesh 41 Vacuum pump 42 Shutter 43 Shutter 51 Vacuum pump 52 Shutter 53 Shutter 61 Bulkhead 62 Vacuum pump 63 Conveying device 64 Hand 90 Sealing film 91 Foreign matter 92 Part 93 Cover film 94 Foreign object W Base material

Claims (5)

基材を収容する第１の減圧チャンバーと、
前記第１の減圧チャンバー内に収容された基材へウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成部と、
基材を収容する第２の減圧チャンバーと、
前記第１の減圧チャンバーから前記第２の減圧チャンバーへの基材の搬送経路であり、減圧される減圧搬送路と、
前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成部と、
を備えることを特徴とする、封止膜形成装置。 A first vacuum chamber containing a substrate;
A cover film material is formed by supplying a cover film material to the substrate housed in the first decompression chamber by a wet process, and forming a cover film;
A second vacuum chamber containing a substrate;
A substrate transport path from the first decompression chamber to the second decompression chamber, wherein the decompression transport path is decompressed;
A sealing film forming part for supplying a sealing film material to the cover film formed on the base material housed in the second decompression chamber by a dry process, and forming a sealing film;
A sealing film forming apparatus comprising: 前記カバー膜材料は、無溶剤系の液体であることを特徴とする、請求項１に記載の保護膜形成装置。   The protective film forming apparatus according to claim 1, wherein the cover film material is a solvent-free liquid. 前記カバー膜材料は、加熱硬化型または紫外線硬化型もしくは吸水硬化型の液体であることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の保護膜形成装置。   The protective film forming apparatus according to claim 1, wherein the cover film material is a heat curable liquid, an ultraviolet curable liquid, or a water absorption curable liquid. 前記カバー膜形成部はエレクトロスプレー装置であり、前記カバー膜材料供給時の前記第１の減圧チャンバー内の圧力は０．２Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の保護膜形成装置。   The cover film forming unit is an electrospray apparatus, and the pressure in the first decompression chamber at the time of supplying the cover film material is 0.2 Pa or less. The protective film forming apparatus as described. 第１の減圧チャンバー内に収容された基材へ減圧環境下でウェットプロセスによりカバー膜材料を供給し、カバー膜を形成するカバー膜形成工程と、
減圧環境下で基材を前記第１の減圧チャンバーから第２の減圧チャンバーへ搬送する減圧搬送工程と、
前記第２の減圧チャンバー内に収容された基材に形成されている前記カバー膜へ減圧環境下でドライプロセスにより封止膜材料を供給し、封止膜を形成する封止膜形成工程と、
を有することを特徴とする、封止膜形成方法。 A cover film forming step of supplying a cover film material by a wet process under a reduced pressure environment to the base material housed in the first vacuum chamber, and forming a cover film;
A reduced pressure transfer step of transferring the substrate from the first reduced pressure chamber to the second reduced pressure chamber in a reduced pressure environment;
A sealing film forming step of forming a sealing film by supplying a sealing film material by a dry process under a reduced pressure environment to the cover film formed on the substrate housed in the second decompression chamber;
The sealing film formation method characterized by having.
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