JP6023559B2 - Thin film forming equipment - Google Patents

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本発明は、封止膜等の薄膜形成に適した薄膜形成装置に関するものである。   The present invention relates to a thin film forming apparatus suitable for forming a thin film such as a sealing film.

有機ＥＬ、太陽電池等の電子デバイスは水や酸に弱いため、その表面を封止膜で覆って耐久性を向上させることが提案されている。このような封止膜は、薄膜形成装置、いわゆるプラズマＣＶＤ装置で形成されている。この薄膜形成装置は、チャンバと、このチャンバ内にプラズマを発生させる電極ユニットを備えており、チャンバ内に原料ガスを供給すると原料ガスがプラズマ環境で分解されることにより、有効成分が基板上に堆積し薄膜が形成される。具体的には、電極ユニットに形成されたプラズマ雰囲気にプラズマガスが曝されると反応ガスとなり、この反応ガスと原料ガスとが反応することにより製膜粒子が基板全体に堆積することにより封止膜が形成される。   Since electronic devices such as organic EL and solar cells are vulnerable to water and acid, it has been proposed to improve durability by covering the surface with a sealing film. Such a sealing film is formed by a thin film forming apparatus, a so-called plasma CVD apparatus. The thin film forming apparatus includes a chamber and an electrode unit that generates plasma in the chamber. When a raw material gas is supplied into the chamber, the raw material gas is decomposed in a plasma environment, so that an active component is deposited on the substrate. A thin film is formed by deposition. Specifically, when a plasma gas is exposed to the plasma atmosphere formed in the electrode unit, it becomes a reaction gas, and the reaction gas and the raw material gas react to form a film-forming particle on the entire substrate for sealing. A film is formed.

一方、基板上に封止膜が形成されるにしたがって、チャンバ内のあらゆるところに製膜粒子が付着する。チャンバ内に付着した製膜粒子は、ある程度の厚みが形成されると剥離し、再度チャンバ内を浮遊して基板上に堆積する虞があり、膜質を低下させる要因になる。そこで、チャンバ壁面は、壁面に沿って防着板を設けておき、この防着板を交換することにより、製膜粒子がチャンバ壁面に付着するのを防止できる（例えば特許文献１参照）。また、電極ユニットに製膜粒子が付着するとプラズマの発生状態が不安定になり膜質に影響するため、電極ユニットもクリーニングする必要がある。ところが、電極ユニットには防着板が設けることができないため、例えば、フッ素系ガスを用いた定期的なチャンバ内のプラズマクリーニングが行われることにより、電極ユニットに付着した製膜粒子の除去作業が行われていた（例えば特許文献２参照）。   On the other hand, as the sealing film is formed on the substrate, the film-forming particles adhere everywhere in the chamber. The film-forming particles adhering to the chamber peel off when a certain thickness is formed, and the film-forming particles may float again in the chamber and be deposited on the substrate, which causes the film quality to deteriorate. Therefore, the chamber wall surface can be prevented from adhering to the wall surface of the chamber by providing a deposition plate along the wall surface and replacing the deposition plate (see, for example, Patent Document 1). In addition, if the film-forming particles adhere to the electrode unit, the plasma generation state becomes unstable and affects the film quality. Therefore, it is necessary to clean the electrode unit. However, since an electrode plate cannot be provided on the electrode unit, for example, a periodic plasma cleaning in the chamber using a fluorine-based gas is performed, so that the film forming particles attached to the electrode unit can be removed. (For example, refer to Patent Document 2).

特開平９−２７２９７９JP-A-9-272979 特開２００４−１６５３４５JP 2004-165345 A

しかし、上記プラズマクリーニングは、装置のコストが高くなるという問題がある。すなわち、フッ素系ガスを用いた場合には、フッ素系ガスによる大気汚染を防止するため、フッ素系ガスの除害設備を設置する必要がある。そして、フッ素系ガスの中には、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＮＦ３、ＦＣｌ４、ＳＦ６等がクリーニング用途に応じて使用することができるが、使用するフッ素系ガスの種類毎に除害設備を別々に設ける必要があり、プラズマクリーニングは、この除害設備が大きなコスト負担になるという問題があった。 However, the plasma cleaning has a problem that the cost of the apparatus becomes high. That is, when a fluorine-based gas is used, it is necessary to install a fluorine-based gas abatement facility in order to prevent air pollution by the fluorine-based gas. Among the fluorine-based gases, CF 4 , C 2 F 6 , NF 3 , FCl 4 , SF 6, etc. can be used depending on the cleaning application. There is a need to separately provide harmful equipment, and the plasma cleaning has a problem that this harmful equipment is a large cost burden.

また、プラズマクリーニングを行う場合には、製膜温度よりも低い常温で行う必要があるため、クリーニング毎にチャンバ内の温度を常温まで下げると共に、クリーニング後にはチャンバ内を製膜温度まで上昇させる必要がある。そして、クリーニング後には、チャンバ内のフッ素系ガスの影響を取り除く後処理も必要であり、プラズマクリーニングは、装置の稼働率を低下させるという問題もあった。   In addition, when performing plasma cleaning, it is necessary to perform at room temperature lower than the film forming temperature, so it is necessary to lower the temperature in the chamber to room temperature for each cleaning and to raise the chamber to the film forming temperature after cleaning. There is. Further, after cleaning, a post-treatment for removing the influence of the fluorine-based gas in the chamber is necessary, and the plasma cleaning has a problem that the operating rate of the apparatus is lowered.

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、プラズマクリーニングを行うことなく電極ユニットを容易にクリーニングできることにより、装置のコストを低減し、装置の稼働率を向上させることができる薄膜形成装置を提供することを目的としている。   The present invention has been made in view of the above problems, and can easily clean an electrode unit without performing plasma cleaning, thereby reducing the cost of the device and improving the operating rate of the device. An object is to provide a forming apparatus.

上記課題を解決するために本発明の薄膜形成装置は、基板とプラズマ発生させる電極ユニットとを収容するチャンバ内に原料ガスを供給し、チャンバ内に形成されたプラズマ環境に原料ガスを曝して、基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、前記電極ユニットは、導体で形成される電極部と、チャンバ内に位置する誘電体部とを有しており、少なくともチャンバ内に位置する前記誘電体部の表面には、拭取りにより剥離可能な剥離膜が形成されていることを特徴としている。 In order to solve the above problems, a thin film forming apparatus of the present invention supplies a source gas into a chamber that houses a substrate and an electrode unit that generates plasma, and exposes the source gas to a plasma environment formed in the chamber. a thin film forming apparatus for forming a thin film on a substrate, wherein the electrode unit includes an electrode section formed of a conductor, has a dielectric portion positioned in the chamber, less the position in the chamber even A release film that can be peeled off by wiping is formed on the surface of the dielectric part .

上記薄膜形成装置によれば、少なくとも電極ユニットの誘電体部がチャンバ内に位置する部分に、拭取りにより剥離可能な剥離膜が形成されているため、拭取り作業を行うことにより、容易に剥離膜を除去することができる。したがって、製膜粒子が誘電体部に付着した場合でも、プラズマクリーニングを行うことなく、拭取り作業だけで容易に電極ユニットに付着した製膜粒子を除去することができる。これにより、プラズマクリーニングを行うための除害設備が不要になり、プラズマクリーニングに伴う様々な処理が不要になるため、従来に比べて装置のコストを低減できるとともに、装置の稼働率を向上させることができる。   According to the thin film forming apparatus, since a release film that can be peeled off by wiping is formed at least in a portion where the dielectric portion of the electrode unit is located in the chamber, it is easily peeled off by performing wiping work. The film can be removed. Therefore, even when the film-forming particles adhere to the dielectric portion, the film-forming particles attached to the electrode unit can be easily removed only by wiping without performing plasma cleaning. This eliminates the need for an abatement facility for performing plasma cleaning, and eliminates the need for various processes associated with plasma cleaning, thereby reducing the cost of the apparatus and improving the operating rate of the apparatus. Can do.

また、具体的な前記電極ユニットの様態としては、前記電極部が前記誘電体部で被覆されており、少なくとも前記チャンバ内に位置する誘電体部の表面に剥離膜が形成されている構成としてもよい。   As a specific mode of the electrode unit, the electrode part may be covered with the dielectric part, and a peeling film may be formed at least on the surface of the dielectric part located in the chamber. Good.

また、前記誘電体部はガラスで形成されており、前記剥離膜は、フッ素樹脂又はシリコーン樹脂で形成される離型膜と無機物で形成される無機膜との２層で形成されており、前記誘電体部側から前記離型膜、前記無機物の順に形成されている構成としてもよい。   Further, the dielectric part is formed of glass, and the release film is formed of two layers of a release film formed of a fluorine resin or a silicone resin and an inorganic film formed of an inorganic material, It is good also as a structure currently formed in order of the said release film and the said inorganic substance from the dielectric material part side.

この構成によれば、剥離膜は、誘電体部側から離型膜と無機物で形成される無機膜との２層で形成されているため、誘電体部から容易に除去することができ、また、プラズマによる侵食が防止できるため、形成される薄膜の膜質に影響を与えるのを防止することができる。すなわち、前記誘電体部がガラスであり、このガラスと接する部分の離型膜はフッ素樹脂又はシリコーン樹脂で形成されているため、例えば、エタノール等の溶剤を含ませた布部材で拭き取ることにより、容易に剥離膜を除去することができる。また、離型膜上には無機物で形成される無機膜で覆われているため、電極ユニットでプラズマを発生させることにより剥離膜がプラズマ環境に曝された場合であっても、無機膜により剥離膜がプラズマに侵食されるのを抑えることができるため、侵食により不純物がチャンバ内に浮遊して膜質を低下させるのを抑えることができる。なお、無機膜はプラズマ放電に影響を与えにくい絶縁性であることが望ましい。   According to this configuration, since the release film is formed of two layers of the release film and the inorganic film formed of an inorganic material from the dielectric part side, it can be easily removed from the dielectric part. Since erosion by plasma can be prevented, it is possible to prevent the film quality of the formed thin film from being affected. That is, the dielectric part is glass, and the part of the release film in contact with the glass is formed of fluororesin or silicone resin.For example, by wiping with a cloth member containing a solvent such as ethanol, The release film can be easily removed. In addition, since the release film is covered with an inorganic film formed of an inorganic material, even if the release film is exposed to a plasma environment by generating plasma in the electrode unit, the release film is peeled off by the inorganic film. Since the film can be prevented from being eroded by the plasma, impurities can be prevented from floating in the chamber due to the erosion and deteriorating the film quality. Note that it is desirable that the inorganic film has an insulating property that does not easily affect the plasma discharge.

本発明の薄膜形成装置によれば、プラズマクリーニングを行うことなく電極ユニットをクリーニングできることにより、装置のコストを低減し、装置の稼働率を向上させることができる。   According to the thin film forming apparatus of the present invention, since the electrode unit can be cleaned without performing plasma cleaning, the cost of the apparatus can be reduced and the operating rate of the apparatus can be improved.

本発明の一実施形態における薄膜形成装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the thin film formation apparatus in one Embodiment of this invention. 上記薄膜形成装置の電極ユニットを上方から見た概略図である。It is the schematic which looked at the electrode unit of the said thin film forming apparatus from upper direction. 電極ユニットの断面を示す図であり、（ａ）は剥離膜を形成していない状態を示す図であり、（ｂ）は剥離膜を形成した状態を示す図である。It is a figure which shows the cross section of an electrode unit, (a) is a figure which shows the state which has not formed the peeling film, (b) is a figure which shows the state in which the peeling film was formed. 他の実施形態における電極ユニットを示す図である。It is a figure which shows the electrode unit in other embodiment.

図１は、本発明の一実施形態における薄膜形成装置を示す概略的な正面図であり、図２は、電極ユニットを上方から見た概略図である。   FIG. 1 is a schematic front view showing a thin film forming apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view of an electrode unit as viewed from above.

図１、図２に示すように、薄膜形成装置１は、基板Ｗを収容するチャンバ２とそのチャンバ２内に設けられる電極ユニット３とを有しており、電極ユニット３によりプラズマを発生させた状態でチャンバ２内に原料ガスが供給されと、原料ガスが励起され製膜粒子が生成される。そして、製膜粒子が基板Ｗに堆積することにより、水分、酸などの侵入を防止する封止膜等の薄膜が形成される。   As shown in FIGS. 1 and 2, the thin film forming apparatus 1 includes a chamber 2 that accommodates a substrate W and an electrode unit 3 provided in the chamber 2, and plasma is generated by the electrode unit 3. When the source gas is supplied into the chamber 2 in this state, the source gas is excited and film-forming particles are generated. Then, when the film forming particles are deposited on the substrate W, a thin film such as a sealing film that prevents intrusion of moisture, acid, or the like is formed.

チャンバ２は、その内部で製膜粒子を発生させて基板Ｗ上に薄膜を形成させる容器である。このチャンバ２には、原料ガス供給口２１と排出口２２とが設けられている。原料ガス供給口２１は、原料ガスタンクと配管で接続されており、チャンバ２内に原料ガスを供給するものである。また、排出口２２は、真空ポンプと配管で接続されており、真空ポンプを作動させることによりチャンバ２内を所定の真空度に調節できると共に、チャンバ２内の不要なガスを排出することができる。   The chamber 2 is a container that generates film-forming particles therein to form a thin film on the substrate W. The chamber 2 is provided with a source gas supply port 21 and a discharge port 22. The source gas supply port 21 is connected to the source gas tank by piping, and supplies source gas into the chamber 2. The discharge port 22 is connected to the vacuum pump by piping, and the inside of the chamber 2 can be adjusted to a predetermined degree of vacuum by operating the vacuum pump, and unnecessary gas in the chamber 2 can be discharged. .

本実施形態では、原料ガス供給口２１から原料ガスが供給されるようになっている。具体的には、ＨＭＤＳガス（ヘキサメチルジシラザンガス）及びアルゴンガス、水素ガスが供給されることにより、Ｓｉ化合物（第１薄膜を形成する製膜粒子）が生成され、ＨＭＤＳ及び酸素ガスが供給されることにより、ＳｉＯ２（第２薄膜を形成する製膜粒子）が生成される。これを交互に繰り返すことにより、基板Ｗ上（電子デバイス上）には第１薄膜、第２薄膜を複数層備える封止膜を形成することができる。 In the present embodiment, the source gas is supplied from the source gas supply port 21. Specifically, by supplying HMDS gas (hexamethyldisilazane gas), argon gas, and hydrogen gas, Si compounds (film-forming particles forming the first thin film) are generated, and HMDS and oxygen gas are supplied. As a result, SiO 2 (film-forming particles forming the second thin film) is generated. By repeating this alternately, a sealing film including a plurality of first and second thin films can be formed on the substrate W (on the electronic device).

また、このチャンバ２は、メッシュ部材４により２槽に分かれており、電極ユニット３が設けられる電極側チャンバ２３と、基板Ｗが保持される基板側チャンバ２４とが形成されている。基板側チャンバ２４は、薄膜を形成する対象である基板Ｗを保持する側のチャンバ２であり、この基板側チャンバ２４に上述の原料ガス供給口２１、排出口２２が形成されている。また、電極側チャンバ２３は、電極ユニット３が設けられる側のチャンバであり、水素ガスや酸素ガス等のプラズマガスを供給するプラズマガス供給口２５が設けられている。すなわち、このプラズマガス供給口２５からプラズマガスが供給されると、プラズマガスは、電極ユニット３で発生したプラズマに曝されることにより反応ガスになる。そして、この反応ガスと原料ガスが反応することにより、製膜粒子が形成される。   The chamber 2 is divided into two tanks by the mesh member 4, and an electrode side chamber 23 in which the electrode unit 3 is provided and a substrate side chamber 24 in which the substrate W is held are formed. The substrate-side chamber 24 is the chamber 2 on the side that holds the substrate W, on which a thin film is to be formed, and the source gas supply port 21 and the discharge port 22 described above are formed in the substrate-side chamber 24. The electrode side chamber 23 is a chamber on the side where the electrode unit 3 is provided, and is provided with a plasma gas supply port 25 for supplying a plasma gas such as hydrogen gas or oxygen gas. That is, when a plasma gas is supplied from the plasma gas supply port 25, the plasma gas becomes a reaction gas by being exposed to the plasma generated in the electrode unit 3. And this reaction gas and raw material gas react, and film-forming particle | grains are formed.

このメッシュ部材４は、アースされた網目状に形成された仕切り部材であり、電極側チャンバ２３で生成された反応ガスに含まれる膜質を低下させるイオンが通過しにくいようになっている。したがって、基板側チャンバ２４と電極側チャンバ２３とをメッシュ部材４で仕切ることにより、膜質を低下させるイオンを極力少なくした状態で製膜粒子を基板Ｗ上に堆積させることができ、膜質のよい薄膜を形成することができる。   The mesh member 4 is a partition member formed in a grounded mesh shape, so that ions that lower the film quality contained in the reaction gas generated in the electrode-side chamber 23 are difficult to pass through. Therefore, by partitioning the substrate side chamber 24 and the electrode side chamber 23 with the mesh member 4, it is possible to deposit film forming particles on the substrate W in a state where the number of ions that lower the film quality is reduced as much as possible. Can be formed.

このチャンバ２の壁面には、防着板５が設けられている。すなわち、基板側チャンバ２４及び電極側チャンバ２３の壁面それぞれに防着板５が設けられている。この防着板５は、製膜粒子の通過を抑えるものであり、チャンバ２壁面全体を覆うように設けられている。これにより、チャンバ２内に浮遊する製膜粒子は、チャンバ２の壁面に到達する前に防着板５に付着させることができる。そして、この防着板５が定期的に交換されることにより、製膜粒子がチャンバ２壁面に付着するのを防止し、さらに、防着板５に付着した製膜粒子が剥がれ落ちて基板Ｗ上に堆積することで膜質が低下するのを抑えることができるようになっている。   An adhesion prevention plate 5 is provided on the wall surface of the chamber 2. That is, the adhesion preventing plate 5 is provided on each of the wall surfaces of the substrate side chamber 24 and the electrode side chamber 23. The deposition preventing plate 5 suppresses the passage of the film-forming particles and is provided so as to cover the entire wall surface of the chamber 2. Thereby, the film-forming particles floating in the chamber 2 can be attached to the deposition preventing plate 5 before reaching the wall surface of the chamber 2. Then, the deposition plate 5 is periodically replaced to prevent the deposition particles from adhering to the wall surface of the chamber 2, and the deposition particles adhered to the deposition plate 5 are peeled off to form the substrate W. It is possible to suppress the deterioration of the film quality due to the deposition on the top.

また、電極ユニット３は、プラズマを発生するものであり、電極チャンバ２に設けられている。本実施形態の電極ユニット３は、誘導結合型の電極であり、図２、図３に示すように、電極部３１と誘電体部３２とを有している。電極部３１は導体で形成されており、本実施形態ではＣｕで形成されている。また、誘電体部３２は、本実施形態ではガラスで形成されており、電極部３１全体を覆うように形成されている。具体的には、誘電体部３２は、図３に示すように、電極部３１の外周を所定の隙間ｔが形成されるように設けられており、この電極部３１と誘電体部３２とで形成される隙間ｔには、冷却水が流れることにより、電極部３１に通電した際に発生する熱を抑えることができるようになっている。   The electrode unit 3 generates plasma and is provided in the electrode chamber 2. The electrode unit 3 of this embodiment is an inductive coupling type electrode, and has an electrode part 31 and a dielectric part 32 as shown in FIGS. The electrode part 31 is formed of a conductor, and is formed of Cu in this embodiment. Moreover, the dielectric part 32 is formed with glass in this embodiment, and is formed so that the electrode part 31 whole may be covered. Specifically, as shown in FIG. 3, the dielectric portion 32 is provided on the outer periphery of the electrode portion 31 so as to form a predetermined gap t. The electrode portion 31 and the dielectric portion 32 The cooling water flows through the formed gap t so that heat generated when the electrode portion 31 is energized can be suppressed.

また、この電極ユニット３は、Ｕ字状に形成されている。具体的には、図２に示すように、外側からチャンバ２の壁面を貫通してチャンバ２内部（電極側チャンバ２３）に侵入し、貫通したチャンバ２の壁面に対面するチャンバ２の壁面を貫通するように延びている。そして、チャンバ２の外側で１８０°向きを変えて、さらにチャンバ２壁を貫通してチャンバ２内部に入り、再度チャンバ２壁を貫通して設けられている。すなわち、電極ユニット３は、直線状に形成される部分が電極側チャンバ２３内で同じ高さ位置に位置した状態で設けられている。言い換えれば、電極ユニット３は、直線状に延びる部分（直線状部分３４）がほぼ平行な状態で電極側チャンバ２３に位置しており、その他の部分がチャンバ２の外側に位置するように設けられている。   The electrode unit 3 is formed in a U shape. Specifically, as shown in FIG. 2, it penetrates the wall surface of the chamber 2 from the outside and enters the inside of the chamber 2 (electrode side chamber 23) and penetrates the wall surface of the chamber 2 facing the wall surface of the penetrated chamber 2. It extends to do. Then, the direction is changed by 180 ° outside the chamber 2, and further penetrates the chamber 2 wall to enter the chamber 2, and again penetrates the chamber 2 wall. In other words, the electrode unit 3 is provided in a state where the linearly formed portion is located at the same height in the electrode side chamber 23. In other words, the electrode unit 3 is provided such that the linearly extending portion (the linear portion 34) is positioned in the electrode-side chamber 23 in a substantially parallel state, and the other portion is positioned outside the chamber 2. ing.

また、電極ユニット３の端部に位置する電極部３１は、高周波電源６と接続されており、高周波電源６のスイッチが入れられることにより、電極側チャンバ２３内に位置する電極ユニット３の平行な直線状部分３４にプラズマが発生するようになっている。したがって、この電極ユニット３で形成されたプラズマ環境にプラズマガスが曝されることにより、プラズマガスが分解され反応ガスになる。   Moreover, the electrode part 31 located at the end of the electrode unit 3 is connected to the high frequency power source 6, and when the high frequency power source 6 is switched on, the electrode unit 3 located in the electrode side chamber 23 is turned on in parallel. Plasma is generated in the linear portion 34. Therefore, when the plasma gas is exposed to the plasma environment formed by the electrode unit 3, the plasma gas is decomposed into a reaction gas.

また、電極ユニット３の誘電体部３２には、剥離膜７が形成されている。剥離膜７は、電極ユニット３に付着する製膜粒子を容易に除去するために設けられている。すなわち、この剥離膜７は、少なくともチャンバ２内に位置する電極ユニット３の誘電体部３２全体（図２におけるハッチング部分）に設けられており、拭き取ることにより容易に剥離膜７が電極ユニット３の誘電体部３２から除去することができるようになっている。なお、この剥離膜７は、本実施形態ではチャンバ２内に位置する誘電体部３２に設けられているが、チャンバ２内外を問わず、誘電体部３２全てを被覆するように設けてもよい。   A release film 7 is formed on the dielectric portion 32 of the electrode unit 3. The release film 7 is provided in order to easily remove the film-forming particles attached to the electrode unit 3. That is, the release film 7 is provided at least on the entire dielectric portion 32 (hatched portion in FIG. 2) of the electrode unit 3 located in the chamber 2, and the release film 7 can be easily removed by wiping. The dielectric part 32 can be removed. In this embodiment, the release film 7 is provided on the dielectric part 32 located in the chamber 2. However, the release film 7 may be provided so as to cover the entire dielectric part 32 regardless of the inside or outside of the chamber 2. .

また、剥離膜７は、離型膜７１及び無機膜７２の２層で形成されており、誘電体部３２側から順に離型膜７１、無機物の順に形成されている。すなわち、誘電体部３２の表面に離型膜７１が形成されており、その離型膜７１を覆うように無機膜７２が形成されている。   The release film 7 is formed of two layers of a release film 71 and an inorganic film 72, and is formed in the order of the release film 71 and the inorganic material in this order from the dielectric part 32 side. That is, a release film 71 is formed on the surface of the dielectric portion 32, and an inorganic film 72 is formed so as to cover the release film 71.

離型膜７１は、誘電体部３２上に形成されており、拭取りにより除去できる性質を有している。すなわち、離型膜７１は、誘電体部３２には完全に固着されることなく付着する材料で形成されている。具体的には、離型膜７１は、ガラスで形成される誘電体部３２から剥離しやすい材料として、フッ素樹脂又はシリコーン樹脂等で形成されている。また、無機膜７２は、無機物で形成されており、仮に離型膜７１がプラズマ雰囲気でエッチングされるとガスが発生することにより薄膜に不純物が取り込まれるのを防止するために設けられている。本実施形態では、離型膜７１としてフッ素樹脂又はシリコーン樹脂等の有機物が使用されておりプラズマ雰囲気に曝されるとガスを発生するため、プラズマ雰囲気でもガスを発生しない酸化珪素等の無機膜７２が設けられている。   The release film 71 is formed on the dielectric portion 32 and has a property that can be removed by wiping. That is, the release film 71 is formed of a material that adheres to the dielectric portion 32 without being completely fixed. Specifically, the release film 71 is formed of a fluororesin, a silicone resin, or the like as a material that is easily peeled off from the dielectric portion 32 formed of glass. The inorganic film 72 is made of an inorganic material and is provided to prevent impurities from being taken into the thin film due to gas generation if the release film 71 is etched in a plasma atmosphere. In this embodiment, an organic substance such as a fluororesin or a silicone resin is used as the release film 71 and generates gas when exposed to a plasma atmosphere. Therefore, an inorganic film 72 such as silicon oxide that does not generate gas even in the plasma atmosphere. Is provided.

このような剥離膜７は、拭取りにより容易に除去することができる。上述したように、誘電体部３２上に形成される離型膜７１が除去可能な材料で形成されているため、エタノールなどの溶剤を含ませた布材料で拭き取ることにより、溶剤が離型膜７１に浸透することで剥離膜７全体を誘電体部３２から容易に除去することができる。すなわち、電極ユニット３に製膜粒子が付着した場合でも、プラズマクリーニングを行うことなく、拭取り作業だけで容易に電極ユニット３に付着した製膜粒子を除去することができる。これにより、プラズマクリーニングを行うための除害設備が不要になり、プラズマクリーニングに伴う様々な処理が不要になるため、従来に比べて薄膜形成装置１のコストを低減できるとともに、薄膜形成装置１の稼働率を向上させることができる。   Such a release film 7 can be easily removed by wiping. As described above, since the release film 71 formed on the dielectric part 32 is formed of a removable material, the solvent is removed by wiping with a cloth material containing a solvent such as ethanol. The entire peeling film 7 can be easily removed from the dielectric portion 32 by permeating into the 71. That is, even when the film forming particles adhere to the electrode unit 3, the film forming particles attached to the electrode unit 3 can be easily removed only by wiping without performing plasma cleaning. This eliminates the need for an abatement facility for performing plasma cleaning, and eliminates the need for various treatments associated with plasma cleaning. This makes it possible to reduce the cost of the thin film forming apparatus 1 as compared with the prior art, and The operating rate can be improved.

上記実施形態では、電極ユニット３の電極部３１が誘電体部３２で覆われている構成について説明したが、管状の誘電体部３２の外周を電極部３１が巻回する電極ユニット３であってもよい。具体的には、図４に示すように、チャンバ２の上部に管状の誘電体部３２が備えられており、その外周部分に線状の電極部３１が巻回されている。そして、電極部３１は高周波電源６に接続されており、高周波電源６をＯＮにすることにより、電極部３１に電流が流れ誘電体部３２の内周側、すなわち、チャンバ２内部と連通する部分にプラズマが発生するようになっている。このような構成の電極ユニット３であっても、誘電体部３２の少なくともチャンバ２内部に位置する部分（チャンバ２内部に連通する部分）に剥離膜７を形成しておくことにより、容易にクリーニングすることができる。すなわち、チャンバ２内部に連通する部分に製膜粒子が付着した場合でも、剥離膜７を拭き取ることにより、製膜粒子を剥離膜７といっしょに拭取り除去することができる。   In the embodiment described above, the configuration in which the electrode portion 31 of the electrode unit 3 is covered with the dielectric portion 32 has been described. However, the electrode unit 3 has the electrode portion 31 wound around the outer periphery of the tubular dielectric portion 32. Also good. Specifically, as shown in FIG. 4, a tubular dielectric portion 32 is provided at the upper portion of the chamber 2, and a linear electrode portion 31 is wound around the outer peripheral portion thereof. The electrode unit 31 is connected to the high frequency power source 6, and when the high frequency power source 6 is turned on, a current flows through the electrode unit 31 and communicates with the inner peripheral side of the dielectric unit 32, that is, the interior of the chamber 2. Plasma is generated. Even the electrode unit 3 having such a configuration can be easily cleaned by forming the release film 7 on at least a portion of the dielectric portion 32 located inside the chamber 2 (a portion communicating with the inside of the chamber 2). can do. That is, even when the film-forming particles adhere to the portion communicating with the inside of the chamber 2, the film-forming particles can be wiped and removed together with the release film 7 by wiping the release film 7.

また、上記実施形態では、剥離膜７が離型膜７１と無機膜７２とで形成される２層構造のものについて説明したが、離型膜７１上に性質の異なる無機膜７２を複数層設けた剥離膜７にしてもよい。また、誘電体部３２から拭取り除去できるものであって、プラズマ環境により分解されない材料を用いて１層構造の剥離膜７にしてもよい。もしくは、誘電体部３２の上に離型膜７１と無機膜７２を形成しているが、誘電体部３２と離型膜７１の間に、別の機能膜（例えば平坦化目的の膜など）を入れた３層以上の膜構成としても良い。   In the above embodiment, the two-layer structure in which the release film 7 is formed of the release film 71 and the inorganic film 72 has been described. However, a plurality of inorganic films 72 having different properties are provided on the release film 71. Alternatively, the release film 7 may be used. Alternatively, the release film 7 having a single-layer structure may be formed using a material that can be wiped off from the dielectric portion 32 and is not decomposed by the plasma environment. Alternatively, although the release film 71 and the inorganic film 72 are formed on the dielectric part 32, another functional film (for example, a film for planarization) is provided between the dielectric part 32 and the release film 71. It is good also as a film | membrane structure of 3 layers or more which put in.

１ 薄膜形成装置
２ チャンバ
３ 電極ユニット
５ 基板
７ 剥離膜
３１ 電極部
３２ 誘電体部
７１ 離型膜
７２ 無機膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Thin film forming apparatus 2 Chamber 3 Electrode unit 5 Substrate 7 Peeling film 31 Electrode part 32 Dielectric part 71 Release film 72 Inorganic film

Claims (3)

基板とプラズマ発生させる電極ユニットとを収容するチャンバ内に原料ガスを供給し、チャンバ内に形成されたプラズマ環境に原料ガスを曝して、基板上に薄膜を形成する薄膜形成装置であって、
前記電極ユニットは、導体で形成される電極部と、チャンバ内に位置する誘電体部とを有しており、少なくとも前記チャンバ内に位置する前記誘電体部の表面に、拭取りにより剥離可能な剥離膜が形成されていることを特徴とする薄膜形成装置。 A thin film forming apparatus for forming a thin film on a substrate by supplying a raw material gas into a chamber containing a substrate and an electrode unit for generating plasma, exposing the raw material gas to a plasma environment formed in the chamber,
Peeling the electrode unit includes an electrode section formed of a conductor, has a dielectric portion located within the chamber, the dielectric portion surface located least the chamber also, by wiping A thin film forming apparatus characterized in that a possible release film is formed. 前記電極ユニットは、前記電極部が前記誘電体部で被覆されており、少なくとも前記チャンバ内に位置する誘電体部の表面に剥離膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜形成装置。 2. The electrode unit according to claim 1, wherein the electrode unit is covered with the dielectric unit, and a release film is formed on a surface of at least the dielectric unit located in the chamber. Thin film forming equipment. 前記誘電体部はガラスで形成されており、前記剥離膜は、フッ素樹脂又はシリコーン樹脂で形成される離型膜と無機物で形成される無機膜との２層で形成されており、前記誘電体部側から前記離型膜、前記無機物の順に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄膜形成装置。 The dielectric part is formed of glass, and the release film is formed of two layers of a release film formed of a fluororesin or a silicone resin and an inorganic film formed of an inorganic substance, The thin film forming apparatus according to claim 1, wherein the release film and the inorganic material are formed in this order from a part side.
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