JP2009194125A - Manufacturing equipment for semiconductor device - Google Patents

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JP2009194125A JP2008032788A JP2008032788A JP2009194125A JP 2009194125 A JP2009194125 A JP 2009194125A JP 2008032788 A JP2008032788 A JP 2008032788A JP 2008032788 A JP2008032788 A JP 2008032788A JP 2009194125 A JP2009194125 A JP 2009194125A
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敏英 宮崎
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To achieve a long-term maintenance cycle for sealing members and reduce the amount of particles generated from the sealing members. <P>SOLUTION: An HDP-CVD equipment 1 in which plasma treatment is performed in a chamber 10 includes a gas feeding hole 40 running through the chamber 10 for feeding gas, a gas nozzle 22 which is inserted into the gas feeding hole 40 so that the gas is fed to a given location in the chamber 10, and an O-ring 45 which is attached to the gas nozzle 22 to seal the gas feeding hole 40 in the chamber 10 and the outer circumferential portion of the gas nozzle 22. A shielding part 30 with an outside dimension larger than the gas feeding hole 40 is formed on the gas nozzle 22. The shielding part 30 is disposed to cover the gas feeding hole 40 from the inner side of the chamber 10 for preventing plasma from going into a gap between the shielding part 30 and the gas feeding hole 40. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体装置の製造装置に関し、特にチャンバー内でプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置に関する。   The present invention relates to a semiconductor device manufacturing apparatus, and more particularly to a semiconductor device manufacturing apparatus in which plasma processing is performed in a chamber.

半導体装置、電気光学装置などの製造において、基板などの清浄化、基板への成膜などにプラズマを発生させる製造装置が多く用いられている。
このプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置の一例を、成膜装置を例にとって説明する。図６はＨＤＰ−ＣＶＤ（High Density Plasma Chemical Vapor Deposition）装置の構成を示す模式説明図である。
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１は円柱状のチャンバー１０と、チャンバー１０内に配置される基板支持用のステージ１１と、チャンバー１０内に原料となるガスなどを供給するガスノズル１２０と、を備えた構成となっている。ステージ１１には基板５を支持する静電チャック１３と、静電チャック１３を上下動させるリフト機構１４が備えられ、静電チャック１３には高周波電源１５からの配線が接続されている。チャンバー１０の天井部１６にはコイル１７が巻かれ、コイル１７には高周波電源１８が接続されている。ガスノズル１２０はチャンバー１０に取り付けられ、その先端はステージ１１に向けられて配置されている。 In the manufacture of semiconductor devices, electro-optical devices, and the like, many manufacturing devices that generate plasma are used for cleaning a substrate and forming a film on the substrate.
An example of a semiconductor device manufacturing apparatus in which this plasma treatment is performed will be described using a film forming apparatus as an example. FIG. 6 is a schematic explanatory view showing the configuration of an HDP-CVD (High Density Plasma Chemical Vapor Deposition) apparatus.
The HDP-CVD apparatus 1 includes a cylindrical chamber 10, a stage 11 for supporting a substrate disposed in the chamber 10, and a gas nozzle 120 that supplies a gas or the like as a raw material into the chamber 10. ing. The stage 11 is provided with an electrostatic chuck 13 that supports the substrate 5 and a lift mechanism 14 that moves the electrostatic chuck 13 up and down. A wiring from a high-frequency power source 15 is connected to the electrostatic chuck 13. A coil 17 is wound around the ceiling 16 of the chamber 10, and a high frequency power source 18 is connected to the coil 17. The gas nozzle 120 is attached to the chamber 10, and the tip thereof is arranged facing the stage 11.

次に、図７（ａ）は図６のＢ−Ｂ断線に沿う模式断面図であり、図７（ｂ）はガスノズルの取り付け部を示す詳細説明図である。
ガスノズル１２０は、チャンバー１０を貫通するガス導入穴４０に挿入されており、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能としている。またガスノズル１２０はガス導入穴４０との隙間にシール部材としてのＯリング４５が装着されて、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル１２０の先端へ導入される構造となっている。 Next, FIG. 7A is a schematic cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 6, and FIG. 7B is a detailed explanatory view showing an attachment part of the gas nozzle.
The gas nozzle 120 is inserted into a gas introduction hole 40 that penetrates the chamber 10, and can introduce gas into the chamber 10 from the outside of the chamber 10. Further, the gas nozzle 120 has a structure in which an O-ring 45 as a seal member is mounted in a gap between the gas introduction hole 40 and the gas supplied from the gas introduction hole 40 is introduced to the tip of the gas nozzle 120.

このような、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置１を用いて、例えばＳｉＯ2膜を基板５上に成膜する際には、まず始めにステージ１１上に基板５を載置する。次にチャンバー１０内を減圧雰囲気にし、ガスノズル１２０からチャンバー１０内にＳｉＨ4、Ｏ2、Ａｒなどのガスを供給する。そして、高周波電源１５、１８のパワーが調整されて、チャンバー１０内にプラズマを発生させる。このプラズマによって原料となるガスが化学反応し、基板５にＳｉＯ2膜が堆積して形成される。 For example, when a SiO 2 film is formed on the substrate 5 using the HDP-CVD apparatus 1, the substrate 5 is first placed on the stage 11. Next, the inside of the chamber 10 is made into a reduced pressure atmosphere, and gas such as SiH 4 , O 2 , Ar is supplied into the chamber 10 from the gas nozzle 120. Then, the power of the high-frequency power sources 15 and 18 is adjusted to generate plasma in the chamber 10. A gas as a raw material chemically reacts with this plasma, and an SiO 2 film is deposited on the substrate 5.

また、ＳｉＯ2膜はチャンバー１０内にも堆積してパーティクルの原因となるため、定期的にチャンバー１０内のクリーニングが行われている。このクリーニングには、成膜時と同様にチャンバー１０内にプラズマを発生させて、原料ガスの代わりにＮＦ3ガスを用いて、チャンバー１０内をドライエッチングしてクリーニングしている。 Further, since the SiO 2 film is deposited also in the chamber 10 and causes particles, the inside of the chamber 10 is periodically cleaned. In this cleaning, plasma is generated in the chamber 10 as in the film formation, and the inside of the chamber 10 is cleaned by dry etching using NF 3 gas instead of the source gas.

このように、チャンバー１０内はプラズマに晒されており、プラズマおよびプラズマで発生したイオン、励起された原子、ラジカル、電子などがシール部材としてのＯリング４５を徐々に劣化、消耗、侵食する。そして、Ｏリング４５でのシール性が保てなくなり、ガスノズル１２０の根元部に導入されたガスがＯリング４５で漏れてガスノズル１２０から基板５上へのガス供給量が充分でなくなる。この状態では、成膜が所定の状態で行われず、成膜プロセスが不安定となる。   As described above, the inside of the chamber 10 is exposed to plasma, and the plasma, ions generated in the plasma, excited atoms, radicals, electrons, and the like gradually deteriorate, wear, and erode the O-ring 45 as a seal member. Then, the sealing performance at the O-ring 45 cannot be maintained, and the gas introduced into the base portion of the gas nozzle 120 leaks through the O-ring 45 and the gas supply amount from the gas nozzle 120 onto the substrate 5 becomes insufficient. In this state, film formation is not performed in a predetermined state, and the film formation process becomes unstable.

この問題を解決する関連技術の一例として、特許文献１には、プラズマ処理装置において、マイクロ波透過窓と真空容器との間のシール部に耐プラズマ性に優れた材質のシール部材と、その外側に面接触性が高くガス透過性が低い材質のシール部材を用いることでプラズマによるシール部材の劣化を抑制する技術が開示されている。   As an example of a related technique for solving this problem, Patent Document 1 discloses that in a plasma processing apparatus, a seal member made of a material excellent in plasma resistance at a seal portion between a microwave transmission window and a vacuum vessel, and an outside thereof. A technique for suppressing deterioration of the seal member due to plasma by using a seal member made of a material having high surface contact and low gas permeability is disclosed.

特開２０００−１０６２９８号公報JP 2000-106298 A

しかしながら、上記特許文献１のように２重にシール部を設けても、シール部の隙間からプラズマが進入してシール部材は劣化、消耗、侵食されていくため、シール部の状況に応じたシール部材のメンテナンスが必要である。また、シール部材が消耗・侵食されていくことは、チャンバー内のパーティクル発生原因となっており、製品の品質に影響を及ぼす問題がある。   However, even if double sealing portions are provided as in Patent Document 1, plasma enters from the gap between the sealing portions and the sealing member is deteriorated, consumed, or eroded. Maintenance of the member is necessary. Further, the consumption and erosion of the seal member is a cause of generation of particles in the chamber, which has a problem of affecting the quality of the product.

本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms or application examples.

［適用例１］本適用例にかかる半導体装置の製造装置は、チャンバー内でプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置であって、前記チャンバーを貫通しガスが導入されるガス導入穴と、前記ガス導入穴に挿入され前記ガスが前記チャンバー内の所定位置に導かれるガスノズルと、前記ガスノズルに装着され前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルの外周部とがシールされる第１のシール部材と、を備え、前記ガスノズルに前記ガス導入穴より外形の大きい遮蔽部が設けられ、前記遮蔽部が前記チャンバー内側から前記ガス導入穴を覆って、前記遮蔽部と前記ガス導入穴との間隙にプラズマが進入しないように配置されていることを特徴とする。   Application Example 1 A semiconductor device manufacturing apparatus according to this application example is a semiconductor device manufacturing apparatus in which plasma processing is performed in a chamber, the gas introduction hole through which the gas is introduced, A gas nozzle that is inserted into the gas introduction hole to guide the gas to a predetermined position in the chamber; and a first seal member that is attached to the gas nozzle and seals the gas introduction hole of the chamber and the outer periphery of the gas nozzle. The gas nozzle is provided with a shielding part having an outer shape larger than the gas introduction hole, the shielding part covers the gas introduction hole from the inside of the chamber, and plasma is formed in a gap between the shielding part and the gas introduction hole. Is arranged so as not to enter.

この構成によれば、ガスノズルにガス導入穴より外形の大きい遮蔽部が設けられ、遮蔽部がチャンバー内側からガス導入穴を覆うように配置されている。このことから、遮蔽部とガス導入穴との間隙に進入するプラズマの大部分がガスノズルの遮蔽部によって遮られ、第１のシール部材の消耗・侵食を抑制することができる。
このようにして、シール部で導入されるガスが漏れることなく、ガスノズルから充分な量のガスを供給でき成膜プロセスの安定化およびメンテナンスサイクルの長期化を図ることができる。
さらに、シール部材の消耗・侵食が少なくなることから、チャンバー内のパーティクル発生を減少させることができる。 According to this configuration, the gas nozzle is provided with the shielding part having a larger outer shape than the gas introduction hole, and the shielding part is disposed so as to cover the gas introduction hole from the inside of the chamber. For this reason, most of the plasma that enters the gap between the shielding portion and the gas introduction hole is shielded by the shielding portion of the gas nozzle, and consumption and erosion of the first seal member can be suppressed.
In this way, a sufficient amount of gas can be supplied from the gas nozzle without leakage of the gas introduced at the seal portion, and the film formation process can be stabilized and the maintenance cycle can be prolonged.
Further, since the consumption and erosion of the seal member are reduced, the generation of particles in the chamber can be reduced.

［適用例２］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記ガスノズルに前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルの間がシールされる第２のシール部材が前記第１のシール部材よりも前記チャンバーの外壁側に設けられていることが望ましい。   Application Example 2 In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the application example described above, a second seal member that seals the gas nozzle between the gas introduction hole of the chamber and the gas nozzle is more than the first seal member. It is desirable to be provided on the outer wall side of the chamber.

この構成によれば、第１のシール部材が消耗・侵食してシールが破れても、第２のシール部材でシール性を保つことができる。このことから、シール部のメンテナンスサイクルを長期化することができる。
また、ガスノズルのガス導入穴への保持は、シール部材の弾性により保持されており、この構成によれば第１、第２のシール部材の２箇所で行われるため、ガスノズルを所定位置に確実に安定して保持することができる。 According to this configuration, even if the first seal member is consumed or eroded and the seal is broken, the sealing performance can be maintained by the second seal member. For this reason, the maintenance cycle of the seal portion can be prolonged.
In addition, the gas nozzle is held in the gas introduction hole by the elasticity of the seal member, and according to this configuration, the gas nozzle is securely placed at a predetermined position because it is performed at two locations of the first and second seal members. It can be held stably.

［適用例３］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記第１のシール部材の外形に対して、前記第２のシール部材の外形が小さいことが望ましい。   Application Example 3 In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the application example, it is preferable that the outer shape of the second seal member is smaller than the outer shape of the first seal member.

この構成によれば、第１のシール部材が消耗・侵食してシールが破れても、第２のシール部材でシール性を保つことができる。そして、第２のシール部材の外形が第１のシール部材の外形よりも小さいため、ガスノズル自体で第２のシール部材をプラズマから遮蔽でき、また、プラズマから生ずるイオン、ラジカルなどが第２のシール部材に到達するのを抑制できる。このことから、シール部材のメンテナンスサイクルをさらに長期化することができる。   According to this configuration, even if the first seal member is consumed or eroded and the seal is broken, the sealing performance can be maintained by the second seal member. Since the outer shape of the second seal member is smaller than the outer shape of the first seal member, the gas nozzle itself can shield the second seal member from the plasma, and ions, radicals, etc. generated from the plasma can be shielded from the second seal. Reaching the member can be suppressed. For this reason, the maintenance cycle of the seal member can be further prolonged.

［適用例４］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記遮蔽部と前記チャンバーの前記ガス導入穴の間に、前記チャンバーの内周を覆うチャンバー壁保護板が設けられ、前記チャンバー壁保護板に穿孔された貫通穴を通して前記ガスノズルが前記チャンバーに取り付けられていることが望ましい。   Application Example 4 In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the application example described above, a chamber wall protection plate that covers an inner periphery of the chamber is provided between the shielding portion and the gas introduction hole of the chamber. It is preferable that the gas nozzle is attached to the chamber through a through hole formed in the protective plate.

この構成によれば、チャンバー壁保護板がガス導入穴を覆う遮蔽板の役目をすることから、チャンバー壁保護板とガスノズルの遮蔽部とで、２重にガス導入穴を覆うことができる。このことから、プラズマがシール部に到達することを抑制でき、シール部材の消耗・侵食を少なくできる。   According to this configuration, since the chamber wall protection plate functions as a shielding plate that covers the gas introduction hole, the chamber introduction plate and the shielding portion of the gas nozzle can cover the gas introduction hole twice. From this, it can suppress that plasma reaches | attains a seal | sticker part, and can reduce consumption and erosion of a sealing member.

［適用例５］上記適用例にかかる半導体装置の製造装置において、前記第１のシール部材の材質がパーフロロエラストマーであることが望ましい。   Application Example 5 In the semiconductor device manufacturing apparatus according to the application example described above, it is preferable that the material of the first seal member is a perfluoroelastomer.

この構成によれば、第１のシール部材の材質が耐プラズマ性のある材料であるパーフロロエラストマーを用いていることから、プラズマによるシール部材の消耗・侵食が少なく、シール部材のメンテナンスサイクルの長期化、およびパーティクルを減少させることが可能である。   According to this configuration, since the first seal member is made of perfluoroelastomer, which is a plasma-resistant material, the seal member is less consumed and eroded by plasma, and the maintenance cycle of the seal member is prolonged. And particle reduction.

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。以降の実施形態では、プラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置の一例として、成膜装置であるＨＤＰ−ＣＶＤ装置を例にとって説明する。
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置は図６で説明した装置であり、装置全体の説明は省略する。以下の実施形態ではガスノズルおよびその取り付け部に特徴を有するため、この部分について詳細な説明をする。
（第１の実施形態） DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, an HDP-CVD apparatus that is a film forming apparatus will be described as an example of a semiconductor device manufacturing apparatus that performs plasma processing.
The HDP-CVD apparatus is the apparatus described with reference to FIG. In the following embodiment, since the gas nozzle and its mounting portion have characteristics, this portion will be described in detail.
(First embodiment)

図１はＨＤＰ−ＣＶＤ装置の天井部を取り除いて内部を見た模式説明図である。図２は図１のＡ−Ａ断線に沿うガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。
ＨＤＰ−ＣＶＤ装置のチャンバー１０は円筒形に形成され、チャンバー１０を貫通するガス導入穴４０が形成され、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能としている。チャンバー１０のガス導入穴４０の内壁側は口径が大きく形成され、フッ素樹脂などで形成された筒状のガスノズル２２が挿入できるように形成されている。
また、チャンバー１０の内壁を取り巻くように、チャンバー１０に生成物が付着するのを防止するチャンバー壁保護板５０が配置されている。チャンバー壁保護板５０はアルミニウムにて形成され、表面にアルマイト処理が施されている。そして、このチャンバー壁保護板５０に穿孔された貫通穴５１を通してガスノズル２２がチャンバー１０のガス導入穴４０に挿入されている。 FIG. 1 is a schematic explanatory view of the inside of the HDP-CVD apparatus with the ceiling removed. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing a gas nozzle mounting portion taken along the line AA in FIG.
The chamber 10 of the HDP-CVD apparatus is formed in a cylindrical shape, and a gas introduction hole 40 penetrating the chamber 10 is formed so that gas can be introduced into the chamber 10 from the outside of the chamber 10. The inner wall side of the gas introduction hole 40 of the chamber 10 has a large diameter so that a cylindrical gas nozzle 22 made of fluororesin or the like can be inserted.
Further, a chamber wall protection plate 50 for preventing the product from adhering to the chamber 10 is disposed so as to surround the inner wall of the chamber 10. The chamber wall protection plate 50 is made of aluminum, and the surface thereof is anodized. The gas nozzle 22 is inserted into the gas introduction hole 40 of the chamber 10 through a through hole 51 formed in the chamber wall protection plate 50.

ガスノズル２２はチャンバー１０の内壁から中心に向かい、先端部がステージ１１の上に向くように複数配置されている。ガスノズル２２には径方向に段となる溝３２が形成され、その溝３２にシール部材としてのＯリング４５が装着されている。このＯリング４５が装着された部分がガス導入穴４０に挿入され、ガスノズル２２とガス導入穴４０との隙間がシールされ、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル２２のノズル穴３１を通ってガスノズル２２先端へ導かれる構造となっている。
Ｏリング４５はパーフロロエラストマーに分類される高分子材料で形成され、耐熱性、耐プラズマ性、耐薬品性を有している。
そして、ガスノズル２２には、溝３２の近傍でガスノズル２２の先端側に遮蔽部３０が設けられている。遮蔽部３０は円柱状に形成され、遮蔽部３０の外形（直径）Ｄ３はガス導入穴４０の内壁側の口径（直径）Ｄ１に対してＤ３＞Ｄ１という関係に設定されている。
ガスノズル２２の遮蔽部３０は、チャンバー１０内側からチャンバー壁保護板５０の貫通穴５１およびガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。
なお遮蔽部３０の平面形状は円形に限らず、ガス導入穴４０を覆う大きさであればどのような形であっても良い。 A plurality of gas nozzles 22 are arranged from the inner wall of the chamber 10 toward the center, and the tip portion thereof faces the stage 11. The gas nozzle 22 is formed with a groove 32 having a step in the radial direction, and an O-ring 45 as a seal member is mounted in the groove 32. The portion where the O-ring 45 is attached is inserted into the gas introduction hole 40, the gap between the gas nozzle 22 and the gas introduction hole 40 is sealed, and the gas supplied from the gas introduction hole 40 passes through the nozzle hole 31 of the gas nozzle 22. Thus, the structure is guided to the tip of the gas nozzle 22.
The O-ring 45 is formed of a polymer material classified as a perfluoroelastomer and has heat resistance, plasma resistance, and chemical resistance.
The gas nozzle 22 is provided with a shielding portion 30 in the vicinity of the groove 32 on the tip side of the gas nozzle 22. The shielding part 30 is formed in a cylindrical shape, and the outer shape (diameter) D3 of the shielding part 30 is set to have a relationship of D3> D1 with respect to the diameter (diameter) D1 on the inner wall side of the gas introduction hole 40.
The shielding part 30 of the gas nozzle 22 covers the through hole 51 and the gas introduction hole 40 of the chamber wall protection plate 50 from the inside of the chamber 10 so that the plasma does not enter the gap between the shielding part 30 and the gas introduction hole 40. ing.
The planar shape of the shielding unit 30 is not limited to a circle, and may be any shape as long as the gas introduction hole 40 is covered.

以上、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置では、ガスノズル２２にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆うように配置されている。
このことから、チャンバー１０内で成膜またはクリーニングにおけるプラズマ処理が行われても遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙に進入するプラズマの大部分がガスノズル２２の遮蔽部３０によって遮られ、Ｏリング４５の消耗・侵食を抑制することができる。
このようにして、Ｏリング４５のシール部分でガスが漏れることなく、ガスノズル２２から充分な量のガスを供給でき成膜プロセスの安定化およびメンテナンスサイクルの長期化を図ることができる。
さらに、Ｏリング４５の消耗・侵食が少なくなることから、チャンバー内のパーティクル発生を減少させることができる。 As described above, in the HDP-CVD apparatus according to this embodiment, the gas nozzle 22 is provided with the shielding part 30 having an outer shape larger than the gas introduction hole 40, and the shielding part 30 is arranged so as to cover the gas introduction hole 40 from the inside of the chamber 10. .
For this reason, even if a plasma treatment for film formation or cleaning is performed in the chamber 10, most of the plasma that enters the gap between the shielding portion 30 and the gas introduction hole 40 is blocked by the shielding portion 30 of the gas nozzle 22. The wear and erosion of the ring 45 can be suppressed.
In this way, a sufficient amount of gas can be supplied from the gas nozzle 22 without gas leaking at the seal portion of the O-ring 45, so that the film forming process can be stabilized and the maintenance cycle can be prolonged.
Further, since the consumption / erosion of the O-ring 45 is reduced, the generation of particles in the chamber can be reduced.

また、チャンバー壁保護板５０がガス導入穴４０を覆う遮蔽板の役目をすることから、チャンバー壁保護板５０とガスノズル２２の遮蔽部３０とで、２重にガス導入穴４０を覆うことができる。このことから、プラズマから生ずるイオン、ラジカルがＯリング４５に到達することを抑制でき、Ｏリング４５の消耗・侵食を少なくできる。
さらに、Ｏリング４５の材質が耐プラズマ性のある材料であるパーフロロエラストマーを用いていることから、プラズマによるシール部材の消耗・侵食が少なく、Ｏリング４５のメンテナンスサイクルの長期化、およびパーティクルを減少させることが可能である。
（変形例） Further, since the chamber wall protection plate 50 serves as a shielding plate that covers the gas introduction hole 40, the chamber introduction plate 40 and the shielding part 30 of the gas nozzle 22 can cover the gas introduction hole 40 twice. . Thus, it is possible to suppress ions and radicals generated from the plasma from reaching the O-ring 45, and to reduce the consumption and erosion of the O-ring 45.
Furthermore, since the O-ring 45 is made of perfluoroelastomer, which is a plasma-resistant material, there is little wear and erosion of the seal member due to plasma, the maintenance cycle of the O-ring 45 is prolonged, and particles are removed. It is possible to reduce.
(Modification)

次に、第１の実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置における変形例について説明する。
図３はガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。本変形例では、第１の実施形態との違いはチャンバー壁保護板を用いない場合の形態である。ガスノズルは第１の実施形態で説明したガスノズルと同様の構成をしている。
チャンバー１０のガス導入穴４０にガスノズル２２が挿入され、ガス導入穴４０との隙間にＯリング４５が溝３２に装着されている。そして、ガスノズル２２に形成された遮蔽部３０がガス導入穴４０の上を覆っている。 Next, a modification of the HDP-CVD apparatus according to the first embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an attachment part of the gas nozzle. In this modification, the difference from the first embodiment is a form in which the chamber wall protection plate is not used. The gas nozzle has the same configuration as the gas nozzle described in the first embodiment.
The gas nozzle 22 is inserted into the gas introduction hole 40 of the chamber 10, and an O-ring 45 is mounted in the groove 32 in a gap with the gas introduction hole 40. A shielding portion 30 formed on the gas nozzle 22 covers the gas introduction hole 40.

このように、本変形例においても第１の実施形態と同様に、チャンバー１０内で発生するプラズマをガスノズル２２の遮蔽部３０で遮ることができ、Ｏリング４５の消耗・侵食を抑制することができる。
このようにして、Ｏリング４５のシール部分で導入されるガスが漏れることなく、ガスノズル２２から充分な量のガスを供給でき成膜プロセスの安定化およびメンテナンスサイクルの長期化を図ることができる。
（第２の実施形態） As described above, also in the present modification, as in the first embodiment, the plasma generated in the chamber 10 can be blocked by the shielding portion 30 of the gas nozzle 22, and consumption / erosion of the O-ring 45 can be suppressed. it can.
In this way, a sufficient amount of gas can be supplied from the gas nozzle 22 without leakage of the gas introduced at the seal portion of the O-ring 45, so that the film forming process can be stabilized and the maintenance cycle can be prolonged.
(Second Embodiment)

次に、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置における第２の実施形態について説明する。本実施形態と第１の実施形態との違いは、シール部材としてのＯリングが２箇所に設けられている点である。
図１に示したのと同様に、ガスノズルはチャンバーの内壁から中心に向かい、先端部がステージの上に向くように複数配置されている。
図４はガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。この断面は図１におけるＡ−Ａ断線に沿う断面に相当する。なお、第１の実施形態と同様な構成については同符号を付し説明を簡略化する。 Next, a second embodiment in the HDP-CVD apparatus will be described. The difference between the present embodiment and the first embodiment is that O-rings as seal members are provided at two locations.
As shown in FIG. 1, a plurality of gas nozzles are arranged from the inner wall of the chamber toward the center and with the tip portion facing above the stage.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a gas nozzle mounting portion. This cross section corresponds to a cross section taken along the line AA in FIG. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is simplified.

ＨＤＰ−ＣＶＤ装置のチャンバー１０にはガス導入穴４０が形成され、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能とし、ガスノズル２４が挿入できるように形成されている。
また、チャンバー１０の内壁を取り巻くようにチャンバー１０にチャンバー壁保護板５０が配置されている。そして、このチャンバー壁保護板５０に穿孔された貫通穴５１を通してガスノズル２４がチャンバー１０のガス導入穴４０に挿入されている。 A gas introduction hole 40 is formed in the chamber 10 of the HDP-CVD apparatus so that gas can be introduced into the chamber 10 from the outside of the chamber 10 and the gas nozzle 24 can be inserted.
A chamber wall protection plate 50 is disposed in the chamber 10 so as to surround the inner wall of the chamber 10. The gas nozzle 24 is inserted into the gas introduction hole 40 of the chamber 10 through the through hole 51 formed in the chamber wall protection plate 50.

ガスノズル２４には径方向に段となる２つの溝３２，３３が形成されている。溝３２に第１のシール部材としてのＯリング４５が装着され、溝３３に第２のシール部材としてのＯリング４６が装着されている。このように、Ｏリング４６は、Ｏリング４５よりもチャンバー１０の外壁側に装着されている。このＯリング４５，４６が装着された部分がガス導入穴４０に挿入され、ガスノズル２４とガス導入穴４０との隙間がシールされ、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル２４のノズル穴３１を通ってガスノズル２４先端へ導かれる構造となっている。
Ｏリング４５，４６はパーフロロエラストマーに分類される高分子材料で形成され、耐熱性、耐プラズマ性、耐薬品性を有している。 The gas nozzle 24 is formed with two grooves 32 and 33 that are stepped in the radial direction. An O-ring 45 as a first seal member is attached to the groove 32, and an O-ring 46 as a second seal member is attached to the groove 33. As described above, the O-ring 46 is attached to the outer wall side of the chamber 10 with respect to the O-ring 45. The portion where the O-rings 45 and 46 are mounted is inserted into the gas introduction hole 40, the gap between the gas nozzle 24 and the gas introduction hole 40 is sealed, and the gas supplied from the gas introduction hole 40 is the nozzle hole 31 of the gas nozzle 24. The structure is such that the gas is guided to the tip of the gas nozzle 24 through the gas.
The O-rings 45 and 46 are made of a polymer material classified as a perfluoroelastomer and have heat resistance, plasma resistance, and chemical resistance.

そして、ガスノズル２４には遮蔽部３０が設けられている。遮蔽部３０は円柱状に形成され、遮蔽部３０の外形（直径）Ｄ３はガス導入穴４０の内壁側の口径（直径）Ｄ１に対してＤ３＞Ｄ１という関係に設定されている。
ガスノズル２４の遮蔽部３０は、チャンバー１０内側からチャンバー壁保護板５０の貫通穴５１およびガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。 The gas nozzle 24 is provided with a shielding part 30. The shielding part 30 is formed in a cylindrical shape, and the outer shape (diameter) D3 of the shielding part 30 is set to have a relationship of D3> D1 with respect to the diameter (diameter) D1 on the inner wall side of the gas introduction hole 40.
The shielding part 30 of the gas nozzle 24 covers the through hole 51 and the gas introduction hole 40 of the chamber wall protection plate 50 from the inside of the chamber 10 so that the plasma does not enter the gap between the shielding part 30 and the gas introduction hole 40. ing.

以上、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置では、ガスノズル２４にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆うように配置されている。そして、２つのＯリング４５，４６が設けられ、ガスノズル２４とガス導入穴４０との隙間がシールされている。   As described above, in the HDP-CVD apparatus according to this embodiment, the gas nozzle 24 is provided with the shielding part 30 having an outer shape larger than the gas introduction hole 40, and the shielding part 30 is disposed so as to cover the gas introduction hole 40 from the inside of the chamber 10. . Two O-rings 45 and 46 are provided, and the gap between the gas nozzle 24 and the gas introduction hole 40 is sealed.

このように、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置は第１の実施形態の効果に加え、Ｏリング４５がプラズマにより消耗・侵食してシールが破れても、Ｏリング４６でシール性を保つことができる。このことから、シール部のメンテナンスサイクルを長期化すること可能である。
また、ガスノズル２４のガス導入穴４０への保持は、Ｏリング４５，４６の弾性により保持されており、Ｏリング４５，４６の２箇所で行われるため、ガスノズル２４を所定位置に確実に安定して保持することができる。
（第３の実施形態） Thus, in addition to the effects of the first embodiment, the HDP-CVD apparatus of the present embodiment can maintain the sealing performance with the O-ring 46 even if the O-ring 45 is consumed or eroded by plasma and the seal is broken. it can. From this, it is possible to prolong the maintenance cycle of the seal portion.
Further, the gas nozzle 24 is held in the gas introduction hole 40 by the elasticity of the O-rings 45 and 46 and is performed at two locations of the O-rings 45 and 46, so that the gas nozzle 24 is reliably stabilized at a predetermined position. Can be held.
(Third embodiment)

次に、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置における第３の実施形態について説明する。本実施形態と第１の実施形態との違いは、シール部材としてのＯリングが２箇所に設けられ、さらに２つのＯリングの外形における大きさが異なる点である。
図１に示したのと同様に、ガスノズルはチャンバーの内壁から中心に向かい、先端部がステージの上に向くように複数配置されている。
図５はガスノズルの取り付け部を示す模式断面図である。この断面は図１におけるＡ−Ａ断線に沿う断面に相当する。なお、第１の実施形態と同様な構成については同符号を付し説明を簡略化する。 Next, a third embodiment in the HDP-CVD apparatus will be described. The difference between the present embodiment and the first embodiment is that O-rings as seal members are provided at two locations, and the sizes of the outer shapes of the two O-rings are different.
As shown in FIG. 1, a plurality of gas nozzles are arranged from the inner wall of the chamber toward the center and with the tip portion facing above the stage.
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing an attachment part of the gas nozzle. This cross section corresponds to a cross section taken along the line AA in FIG. In addition, about the structure similar to 1st Embodiment, the same code | symbol is attached | subjected and description is simplified.

ＨＤＰ−ＣＶＤ装置のチャンバー１０にはガス導入穴４０が形成され、チャンバー１０の外部からチャンバー１０の内部にガスを導入可能とし、ガスノズル２６が挿入できるように形成されている。
また、チャンバー１０の内壁を取り巻くようにチャンバー１０にチャンバー壁保護板５０が配置されている。そして、このチャンバー壁保護板５０に穿孔された貫通穴５１を通してガスノズル２６がチャンバー１０のガス導入穴４０に挿入されている。 A gas introduction hole 40 is formed in the chamber 10 of the HDP-CVD apparatus so that the gas can be introduced into the chamber 10 from the outside of the chamber 10 and the gas nozzle 26 can be inserted.
A chamber wall protection plate 50 is disposed in the chamber 10 so as to surround the inner wall of the chamber 10. The gas nozzle 26 is inserted into the gas introduction hole 40 of the chamber 10 through the through hole 51 formed in the chamber wall protection plate 50.

ガスノズル２６のガス導入穴４０に挿入される部分は根元部の径が細い段付に形成されている。これらの径の太い部分に溝３２が形成され、径の細い部分に溝３４が形成されている。そして、溝３２，３４にシール部材としてのＯリング４５，４７が装着されている。
チャンバー１０のガス導入穴４０の内壁側は口径が大きく形成され、径の大きいＯリング４５でシールされ、ガス導入穴４０の外壁側は口径が小さく形成され、径の小さいＯリング４７でシールされている。
このようにＯリング４５，４７にて、ガスノズル２６とガス導入穴４０との隙間がシールされ、ガス導入穴４０から供給されたガスがガスノズル２６のノズル穴３１を通ってガスノズル２６先端へ導かれる構造となっている。
Ｏリング４５，４７はパーフロロエラストマーに分類される高分子材料で形成され、耐熱性、耐プラズマ性、耐薬品性を有している。 The portion inserted into the gas introduction hole 40 of the gas nozzle 26 is formed in a stepped shape with a narrow root portion. Grooves 32 are formed in these thick portions, and grooves 34 are formed in the thin portions. Then, O-rings 45 and 47 as seal members are mounted in the grooves 32 and 34, respectively.
The inner wall side of the gas introduction hole 40 of the chamber 10 is formed with a large diameter and sealed with an O-ring 45 having a large diameter, and the outer wall side of the gas introduction hole 40 is formed with a small diameter and sealed with an O-ring 47 with a small diameter. ing.
As described above, the gap between the gas nozzle 26 and the gas introduction hole 40 is sealed by the O-rings 45 and 47, and the gas supplied from the gas introduction hole 40 is guided to the tip of the gas nozzle 26 through the nozzle hole 31 of the gas nozzle 26. It has a structure.
The O-rings 45 and 47 are made of a polymer material classified as a perfluoroelastomer and have heat resistance, plasma resistance, and chemical resistance.

そして、ガスノズル２６には遮蔽部３０が設けられている。遮蔽部３０は円柱状に形成され、遮蔽部３０の外形（直径）をＤ３、ガス導入穴４０の内壁側の口径（直径）をＤ１、ガス導入穴４０の外壁側の口径（直径）をＤ２とすると、その大きさはＤ３＞Ｄ１＞Ｄ２という関係に設定されている。
ガスノズル２６の遮蔽部３０は、チャンバー１０内側からチャンバー壁保護板５０の貫通穴５１およびガス導入穴４０を覆って、遮蔽部３０とガス導入穴４０との間隙にプラズマが進入しないように配置されている。 The gas nozzle 26 is provided with a shielding part 30. The shielding part 30 is formed in a columnar shape, the outer diameter (diameter) of the shielding part 30 is D3, the inner wall side diameter (diameter) of the gas introduction hole 40 is D1, and the outer wall side diameter (diameter) of the gas introduction hole 40 is D2. Then, the size is set to a relationship of D3>D1> D2.
The shielding part 30 of the gas nozzle 26 is arranged so as to cover the through hole 51 and the gas introduction hole 40 of the chamber wall protection plate 50 from the inside of the chamber 10 so that the plasma does not enter the gap between the shielding part 30 and the gas introduction hole 40. ing.

以上、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置では、ガスノズル２４にガス導入穴４０より外形の大きい遮蔽部３０が設けられ、遮蔽部３０がチャンバー１０内側からガス導入穴４０を覆うように配置されている。そして、２つのＯリング４５，４７が設けられ、ガスノズル２４とガス導入穴４０との隙間がシールされている。チャンバー１０内壁側のＯリング４５は外壁側のＯリング４７に比べて大きく構成されている。   As described above, in the HDP-CVD apparatus according to this embodiment, the gas nozzle 24 is provided with the shielding part 30 having an outer shape larger than the gas introduction hole 40, and the shielding part 30 is disposed so as to cover the gas introduction hole 40 from the inside of the chamber 10. . Two O-rings 45 and 47 are provided, and the gap between the gas nozzle 24 and the gas introduction hole 40 is sealed. The O-ring 45 on the inner wall side of the chamber 10 is configured larger than the O-ring 47 on the outer wall side.

このように、本実施形態のＨＤＰ−ＣＶＤ装置は第１、第２の実施形態の効果に加え、以下のような効果を得ることができる。本実施形態では、チャンバー１０内壁側のＯリング４５が消耗・侵食してシール性が破れても、Ｏリング４７がシール性を保つことができる。そして、チャンバー１０外壁側のＯリング４７の外形がＯリング４５の外形よりも小さいため、ガスノズル２６自体でＯリング４７を遮蔽でき、プラズマから生ずるイオン、ラジカルなどがＯリング４７に到達するのを抑制できる。
このことから、Ｏリング４５，４７のメンテナンスサイクルをさらに長期化することができる。 As described above, the HDP-CVD apparatus of this embodiment can obtain the following effects in addition to the effects of the first and second embodiments. In this embodiment, even if the O-ring 45 on the inner wall side of the chamber 10 is consumed and eroded and the sealing performance is broken, the O-ring 47 can maintain the sealing performance. Since the outer shape of the O-ring 47 on the outer wall side of the chamber 10 is smaller than the outer shape of the O-ring 45, the O-ring 47 can be shielded by the gas nozzle 26 itself, and ions, radicals, etc. generated from plasma reach the O-ring 47. Can be suppressed.
For this reason, the maintenance cycle of the O-rings 45 and 47 can be further prolonged.

第１の実施形態における、ＨＤＰ−ＣＶＤ装置の天井部を取り除いて内部を見た模式説明図。The schematic explanatory drawing which removed the ceiling part of the HDP-CVD apparatus in 1st Embodiment, and looked at the inside. 第１の実施形態におけるガスノズルの取り付け部を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the attachment part of the gas nozzle in 1st Embodiment. 第１の実施形態の変形例を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the modification of 1st Embodiment. 第２の実施形態におけるガスノズルの取り付け部を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the attachment part of the gas nozzle in 2nd Embodiment. 第３の実施形態におけるガスノズルの取り付け部を示す模式断面図。The schematic cross section which shows the attachment part of the gas nozzle in 3rd Embodiment. ＨＤＰ−ＣＶＤ装置の構成を示す模式説明図。The model explanatory drawing which shows the structure of an HDP-CVD apparatus. （ａ）は図６のＢ−Ｂ断線に沿う模式断面図であり、（ｂ）はガスノズルの取り付け部を示す詳細説明図。FIG. 7A is a schematic cross-sectional view taken along the line B-B in FIG. 6, and FIG. 7B is a detailed explanatory view showing an attachment part of a gas nozzle.

符号の説明Explanation of symbols

１…ＨＤＰ−ＣＶＤ装置、５…基板、１０…チャンバー、１１…ステージ、１３…静電チャック、１４…リフト機構、１５…高周波電源、１６…天井部、１７…コイル、１８…高周波電源、２２，２４，２６…ガスノズル、３０…遮蔽部、３１…ノズル穴、３２，３３，３４…溝、４０…ガス導入穴、４５…第１のシール部材としてのＯリング、４６，４７…第２のシール部材としてのＯリング、５０…チャンバー壁保護板、５１…貫通穴。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... HDP-CVD apparatus, 5 ... Substrate, 10 ... Chamber, 11 ... Stage, 13 ... Electrostatic chuck, 14 ... Lifting mechanism, 15 ... High frequency power source, 16 ... Ceiling part, 17 ... Coil, 18 ... High frequency power source, 22 , 24, 26 ... gas nozzle, 30 ... shielding part, 31 ... nozzle hole, 32, 33, 34 ... groove, 40 ... gas introduction hole, 45 ... O-ring as a first seal member, 46, 47 ... second O-ring as a sealing member, 50 ... chamber wall protection plate, 51 ... through hole.

Claims (5)

チャンバー内でプラズマ処理が行われる半導体装置の製造装置であって、
前記チャンバーを貫通しガスが導入されるガス導入穴と、
前記ガス導入穴に挿入され前記ガスが前記チャンバー内の所定位置に導かれるガスノズルと、
前記ガスノズルに装着され前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルの外周部とがシールされる第１のシール部材と、を備え、
前記ガスノズルに前記ガス導入穴より外形の大きい遮蔽部が設けられ、前記遮蔽部が前記チャンバー内側から前記ガス導入穴を覆って、前記遮蔽部と前記ガス導入穴との間隙にプラズマが進入しないように配置されていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 A semiconductor device manufacturing apparatus in which plasma processing is performed in a chamber,
A gas introduction hole through which the gas is introduced through the chamber;
A gas nozzle that is inserted into the gas introduction hole to guide the gas to a predetermined position in the chamber;
A first seal member attached to the gas nozzle and sealed between the gas introduction hole of the chamber and the outer periphery of the gas nozzle;
The gas nozzle is provided with a shielding part having an outer shape larger than the gas introduction hole, and the shielding part covers the gas introduction hole from the inside of the chamber so that plasma does not enter the gap between the shielding part and the gas introduction hole. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: 請求項１に記載の半導体装置の製造装置において、
前記ガスノズルに前記チャンバーの前記ガス導入穴と前記ガスノズルとの間がシールされる第２のシール部材が前記第１のシール部材よりも前記チャンバーの外壁側に設けられたことを特徴とする半導体装置の製造装置。 In the manufacturing apparatus of the semiconductor device according to claim 1,
A semiconductor device, wherein a second seal member that seals between the gas introduction hole of the chamber and the gas nozzle is provided on the outer wall side of the chamber with respect to the first seal member. Manufacturing equipment. 請求項２に記載の半導体装置の製造装置において、
前記第１のシール部材の外形に対して、前記第２のシール部材の外形が小さいことを特徴とする半導体装置の製造装置。 The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 2,
2. A semiconductor device manufacturing apparatus, wherein an outer shape of the second seal member is smaller than an outer shape of the first seal member. 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置において、
前記遮蔽部と前記チャンバーの前記ガス導入穴との間に、前記チャンバーの内周を覆うチャンバー壁保護板が設けられ、前記チャンバー壁保護板に穿孔された貫通穴を通して前記ガスノズルが前記チャンバーに取り付けられていることを特徴とする半導体装置の製造装置。 In the manufacturing apparatus of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 3,
A chamber wall protection plate is provided between the shielding portion and the gas introduction hole of the chamber to cover the inner periphery of the chamber, and the gas nozzle is attached to the chamber through a through hole drilled in the chamber wall protection plate. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein: 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置の製造装置において、
前記第１のシール部材の材質がパーフロロエラストマーであることを特徴とする半導体装置の製造装置。 In the manufacturing apparatus of the semiconductor device according to any one of claims 1 to 4,
A semiconductor device manufacturing apparatus, wherein the first seal member is made of a perfluoroelastomer.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012070560A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-31 株式会社 アルバック Film-forming apparatus, and method for cleaning film-forming apparatus
JP2015161005A (en) * 2014-02-28 2015-09-07 三菱重工食品包装機械株式会社 Barrier film formation device
KR20150127033A (en) * 2013-03-12 2015-11-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
JP2019517143A (en) * 2016-05-20 2019-06-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Gas distribution showerhead for semiconductor processing
CN112309814A (en) * 2019-07-26 2021-02-02 上海先进半导体制造股份有限公司 Plasma equipment, cavity of plasma equipment and central ring structure of cavity
CN113000233A (en) * 2019-12-18 2021-06-22 中微半导体设备(上海)股份有限公司 Plasma reactor and gas nozzle thereof

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012070560A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-31 株式会社 アルバック Film-forming apparatus, and method for cleaning film-forming apparatus
JP5654613B2 (en) * 2010-11-24 2015-01-14 株式会社アルバック Film forming apparatus and method for cleaning film forming apparatus
US10410841B2 (en) 2013-03-12 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Side gas injection kit for multi-zone gas injection assembly
KR102104018B1 (en) 2013-03-12 2020-04-23 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
JP2016519844A (en) * 2013-03-12 2016-07-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
CN107424901A (en) * 2013-03-12 2017-12-01 应用材料公司 Multizone gas fill assembly with azimuth and radial distribution control
KR20180014258A (en) * 2013-03-12 2018-02-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
US20180269038A1 (en) * 2013-03-12 2018-09-20 Applied Materials, Inc. Multi-Zone Gas Injection Assembly with Azimuthal and Radial Distribution Control
CN107424901B (en) * 2013-03-12 2019-06-11 应用材料公司 Multizone gas fill assembly with azimuth and radial distribution control
US11139150B2 (en) 2013-03-12 2021-10-05 Applied Materials, Inc. Nozzle for multi-zone gas injection assembly
KR102176189B1 (en) * 2013-03-12 2020-11-09 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
KR20150127033A (en) * 2013-03-12 2015-11-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
KR20200043538A (en) * 2013-03-12 2020-04-27 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
KR102152858B1 (en) * 2013-03-12 2020-09-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 Multi-zone gas injection assembly with azimuthal and radial distribution control
JP2015161005A (en) * 2014-02-28 2015-09-07 三菱重工食品包装機械株式会社 Barrier film formation device
US10829855B2 (en) 2016-05-20 2020-11-10 Applied Materials, Inc. Gas distribution showerhead for semiconductor processing
JP2019517143A (en) * 2016-05-20 2019-06-20 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ Gas distribution showerhead for semiconductor processing
CN112309814A (en) * 2019-07-26 2021-02-02 上海先进半导体制造股份有限公司 Plasma equipment, cavity of plasma equipment and central ring structure of cavity
CN113000233A (en) * 2019-12-18 2021-06-22 中微半导体设备(上海)股份有限公司 Plasma reactor and gas nozzle thereof
CN113000233B (en) * 2019-12-18 2022-09-02 中微半导体设备(上海)股份有限公司 Plasma reactor and gas nozzle thereof

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