JP6559965B2 - トラック幅が狭く且つ読み取りギャップが小さい磁気センサ - Google Patents
トラック幅が狭く且つ読み取りギャップが小さい磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6559965B2 JP6559965B2 JP2015016384A JP2015016384A JP6559965B2 JP 6559965 B2 JP6559965 B2 JP 6559965B2 JP 2015016384 A JP2015016384 A JP 2015016384A JP 2015016384 A JP2015016384 A JP 2015016384A JP 6559965 B2 JP6559965 B2 JP 6559965B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- sensor
- antiferromagnetic material
- air bearing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/398—Specially shaped layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3912—Arrangements in which the active read-out elements are transducing in association with active magnetic shields, e.g. magnetically coupled shields
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
100 ディスクドライブ
101 筐体
112 磁気ディスク
113 スライダ
114 スピンドル
115 サスペンション
118 ディスク駆動モーター
119 アクチュエータアーム
121 磁気ヘッドアセンブリ
122 ディスク表面
125 記録チャネル
127 アクチュエータ手段
128 導線
129 制御部
300 センサ
302 センサ積層体
304 下部シールド
306 上部シールド
308 下部センサ積層部分
310 上部センサ積層部分
312 磁気自由層
314 シード層
316 非磁性スペーサ層
318,318a,318b AP1層
320 固定層構造
322 AP2層
324 逆平行結合層
326 AFM層
328 キャッピング層
330,332 バイアス層
402 磁気台座
404 非磁性電気絶縁充填層
502 底部磁気シールド
504 非磁性減結合層
506 反強磁性材料層
508 磁性材料層
510 連続センサ層
512 シード層
514 磁気自由層
516 非磁性スペーサ層
518 第1の磁化固定層の第1の部分
520 マスク
522 後縁
802 非磁性電気絶縁充填層
902 マスク
904 開口部
1202 非磁性電気絶縁層
1402 磁気バイアス材料
1404 CMP停止層/キャッピングバイアス層
1602 連続センサ層
1604 磁性層
1606 逆平行結合層
1608 磁性層
1610 反強磁性材料層
1612 キャッピング層
1702 マスク
2002 電気絶縁非磁性充填層
2101 マスク構造
2102 マスク
2104 開口部
2402 磁性材料
2502 上部磁気シールド
Claims (20)
- 第1の部分及び前記第1の部分の上に形成された第2の部分を有するセンサ積層体を含み、前記第1の部分がセンサトラック幅を画定する幅を有し、前記第1の部分が空気ベアリング面の反対側に後縁を有し、前記センサ積層体が前記空気ベアリング面まで延在し、前記第2の部分がセンサトラック幅を超えて延在する幅を有している磁気センサにおいて、
前記センサ積層体の前記第1の部分が、磁気自由層と、非磁性層と、第1の磁化固定層の第1の部分とを含み、前記非磁性層が、前記磁気自由層と前記第1の磁化固定層の前記第1の部分との間に挟まれていて、
前記センサ積層体の前記第2の部分が、前記第1の磁化固定層の第2の部分と、第2の磁化固定層と、前記第1の磁化固定層と前記第2の磁化固定層との間に挟まれた非磁性逆平行結合層と、前記第2の磁化固定層に交換結合する反強磁性材料層とを含む磁気センサ。 - 前記後縁と前記空気ベアリング面との間の距離がセンサストライプ高を画定し、
前記第2の部分が前記センサストライプ高を超えて延在している、請求項1に記載の磁気センサ。 - 前記反強磁性材料層が前記空気ベアリング面よりも凹んでいる、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記センサ積層体が、第1及び第2の磁気シールドの間に配置されていて、前記反強磁性材料層と前記空気ベアリング面との間に配置された磁気台座を更に含む、請求項3に記載の磁気センサ。
- 前記磁気台座が前記第2の磁気シールドと磁気的に接続されている、請求項4に記載の磁気センサ。
- 前記センサ積層体の前記第2の部分が、前記センサ積層体の前記第1の部分に追随する方向に配置されている、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記反強磁性材料層が、前記磁気自由層の反対側で前記第2の磁化固定層の上に形成されている、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記センサ積層体の前記第1の部分の第1及び第2の側部の各々に隣接して形成された第1及び第2の磁気バイアス構造を更に含み、前記第1及び第2の磁気バイアス構造が磁気的に柔軟な材料で形成されている、請求項1に記載の磁気センサ。
- 前記磁気バイアス構造の各々が反強磁性材料層と交換結合されている、請求項8に記載の磁気センサ。
- 前記磁気バイアス構造の各々が、前記センサ積層体の前記第1の部分の下方及び前記磁気バイアス構造の各々の下方に延在する反強磁性材料層と交換結合されている、請求項8に記載の磁気センサ。
- 磁気バイアス構造を製造する方法であって、
磁気自由層と、前記磁気自由層の上に堆積された非磁性層と、前記非磁性層の上に堆積された第1の磁化固定層の第1の部分とを含む第1のセンサ積層部分を堆積させるステップと、
前記第1のセンサ積層部分のトラック幅及び後縁を画定するステップと、
前記第1のセンサ積層部分の上に第2のセンサ積層部分を堆積させるステップとを含み、前記第2のセンサ積層部分が、第1の磁化固定層の第2の部分と、前記第1の磁化固定層の前記第2の部分の上に堆積された非磁性逆平行結合層と、前記非磁性逆平行結合層の上に堆積された第2の磁化固定層と、前記第2の磁化固定層の上に堆積された反強磁性材料層とを含んでいる方法。 - 前記反強磁性材料層を堆積させた後で、空気ベアリング面の近傍で前記反強磁性材料層の一部を除去するステップを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記反強磁性材料層を堆積させた後で、
空気ベアリング面の近傍で前記反強磁性材料層の一部を除去するステップと、前記反強磁性材料が除去されたスペースを充填すべく磁性材料を堆積させるとをステップを更に含む、請求項11に記載の方法。 - 前記反強磁性材料層を堆積させた後で、空気ベアリングの面から所望の距離に前縁が位置するマスクを形成するステップと、イオンミリングを実行して、前記反強磁性材料層の一部を除去するステップと、化学機械研磨を実行するステップとを更に含む、請求項11に記載の方法。
- 前記第1のセンサ積層部分のトラック幅及び後部を前記画定するステップが、
トラック幅を画定する幅が構成された第1のマスクを形成するステップと、
第1のイオンミリングを実行して、前記第1のマスクにより保護されていない前記第1のセンサ積層部分の一部分を除去するステップと、
空気ベアリング面の反対側に後縁を画定すべく構成された第2のマスクを形成するステップと、
第2のイオンミリングを実行して、前記第2のマスクにより保護されていない前記第1のセンサ積層部分の一部分を除去するステップとを更に含む、請求項11に記載の方法。 - 前記第1のイオンミリングを実行した後で、磁気バイアス層を堆積させるステップを更に含む、請求項15に記載の方法。
- 筐体と、
前記筐体内に移動可能に搭載された磁気媒体と、
磁気センサを載置する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気媒体の表面に相対的に移動させるアクチュエータ機構とを含む磁気データ記録システムにおいて、
前記磁気センサが更に、
第1の部分と、前記第1の部分の上に形成される第2の部分とを有するセンサ積層体を更に含み、前記第1の部分がセンサトラック幅を画定する幅を有し、前記第1の部分が空気ベアリング面の反対側に後縁を有し、前記センサ積層体が前記空気ベアリング面まで延在し、前記第2の部分が前記センサトラック幅を超えて延在する幅を有し、
前記センサ積層体の前記第1の部分が、磁気自由層と、非磁性層と、第1の磁化固定層の第1の部分とを含み、前記非磁性層が前記磁気自由層と前記第1の磁化固定層の第1の部分との間に挟まれ、
前記センサ積層体の前記第2の部分が、
前記第1の磁化固定層の第2の部分と、第2の磁化固定層と、前記第1の磁化固定層と前記第2の磁化固定層との間に挟まれた非磁性逆平行結合層と、前記第2の磁化固定層と交換結合された反強磁性材料層とを含む、磁気データ記録システム。 - 前記後縁と前記空気ベアリング面の間の距離がセンサストライプ高を画定し、
前記第2の部分が前記センサストライプ高を超えて延在する、請求項17に記載の磁気データ記録システム。 - 前記反強磁性材料層が前記空気ベアリング面よりも凹んでいる、請求項17に記載の磁気データ記録システム。
- 前記センサ積層体が第1及び第2の磁気シールドの間に配置されていて、前記反強磁性材料層及び前記空気ベアリング面の間に配置された磁気台座を更に含む、請求項19に記載の磁気データ記録システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/170,487 US9047893B1 (en) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | Magnetic sensor having narrow trackwidth and small read gap |
US14/170,487 | 2014-01-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015146224A JP2015146224A (ja) | 2015-08-13 |
JP2015146224A5 JP2015146224A5 (ja) | 2018-03-15 |
JP6559965B2 true JP6559965B2 (ja) | 2019-08-14 |
Family
ID=53190727
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015016384A Active JP6559965B2 (ja) | 2014-01-31 | 2015-01-30 | トラック幅が狭く且つ読み取りギャップが小さい磁気センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9047893B1 (ja) |
JP (1) | JP6559965B2 (ja) |
CN (1) | CN104821171B (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9269383B1 (en) * | 2015-01-23 | 2016-02-23 | HGST Netherlands B.V. | Multi-sensor (MIMO) head having a back side antiferromagnetic middle shield |
US9747933B1 (en) * | 2016-02-16 | 2017-08-29 | Tdk Corporation | Magneto-resistive effect element having side shield integrated with upper shield |
US11170808B1 (en) * | 2021-01-14 | 2021-11-09 | Western Digital Technologies, Inc. | Dual free layer reader head with magnetic seed layer decoupled from shield |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3959881B2 (ja) * | 1999-02-08 | 2007-08-15 | Tdk株式会社 | 磁気抵抗効果センサの製造方法 |
JP2000331316A (ja) * | 1999-05-20 | 2000-11-30 | Tdk Corp | 磁気抵抗効果型ヘッド |
JP2003158311A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Sony Corp | 磁気抵抗効果素子、磁気抵抗効果型磁気ヘッド、およびこれらの製造方法 |
US6865062B2 (en) | 2002-03-21 | 2005-03-08 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor with exchange biased free layer and antiparallel (AP) pinned layer pinned without a pinning layer |
JP2003318460A (ja) * | 2002-04-24 | 2003-11-07 | Alps Electric Co Ltd | 磁気検出素子及びその製造方法 |
US7040005B2 (en) * | 2003-03-19 | 2006-05-09 | Headway Technologies, Inc. | Process of making a GMR improvement in CPP spin valve head by inserting a current channeling layer (CCL) |
US7265946B2 (en) * | 2003-04-30 | 2007-09-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Multilayer self-pinned structure for CPP GMR |
US7171741B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-02-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for extended self-pinned layer for a current perpendicular to plane head |
US7245463B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-07-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Apparatus for extended self-pinned layer for a current perpendicular to plane head |
US7099123B2 (en) * | 2003-07-29 | 2006-08-29 | Hitachi Global Storage Technologies | Self-pinned abutted junction heads having an arrangement of a second hard bias layer and a free layer for providing a net net longitudinal bias on the free layer |
US7092220B2 (en) * | 2003-07-29 | 2006-08-15 | Hitachi Global Storage Technologies | Apparatus for enhancing thermal stability, improving biasing and reducing damage from electrostatic discharge in self-pinned abutted junction heads having a first self-pinned layer extending under the hard bias layers |
US6980406B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-12-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic bias pinning layer for GMR sensor of a magnetic head for a hard disk drive |
US7092221B2 (en) | 2003-12-12 | 2006-08-15 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Top CPP GMR/TV with back end of stripe pinned by insulating AFM |
US7280325B1 (en) * | 2004-03-31 | 2007-10-09 | Western Digital (Fremont), Llc | Ferromagnetic structure including a first section separated from a ferromagnetic layer by an electrically conductive nonmagnetic spacer and a second section elongated relative to the first section in at least one dimension |
US7268981B2 (en) * | 2004-04-30 | 2007-09-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Spin valve sensor having antiferromagnetic (AFM) pinning layer structures formed in the end regions |
JP4002909B2 (ja) * | 2004-06-04 | 2007-11-07 | アルプス電気株式会社 | Cpp型巨大磁気抵抗効果ヘッド |
US7342753B2 (en) * | 2005-01-20 | 2008-03-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | In-stack biasing of the free layer of a magnetoresistive read element |
US8068317B2 (en) * | 2005-07-22 | 2011-11-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic tunnel transistor with high magnetocurrent |
US7472469B2 (en) | 2005-09-20 | 2009-01-06 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for fabricating a magnetic head having a sensor stack and two lateral stack |
US7525775B2 (en) * | 2005-11-17 | 2009-04-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Oblique angle etched underlayers for improved exchange biased structures in a magnetoresitive sensor |
JP2007164831A (ja) * | 2005-12-09 | 2007-06-28 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
US7522391B2 (en) * | 2005-12-14 | 2009-04-21 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current perpendicular to plane magnetoresistive sensor having a shape enhanced pinned layer and an in stack bias structure |
US7524381B2 (en) * | 2005-12-22 | 2009-04-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for controlling magnetostriction in a free layer of a magnetoresistive sensor |
JP2008153295A (ja) * | 2006-12-14 | 2008-07-03 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッドおよび磁気記憶装置 |
US7869166B2 (en) * | 2007-02-20 | 2011-01-11 | Tdk Corporation | Thin film magnetic head having a bias magnetic layer provided with antiferromagnetic layer and a pinned layer provided with hard magnetic layer |
US7961440B2 (en) | 2007-09-27 | 2011-06-14 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Current perpendicular to plane magnetoresistive sensor with reduced read gap |
US8305715B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-11-06 | HGST Netherlands, B.V. | Magnetoresistance (MR) read elements having an active shield |
US20090168235A1 (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Kochan Ju | Enhanced cpp read sensors with lateral spin transport |
US8953285B2 (en) | 2010-05-05 | 2015-02-10 | Headway Technologies, Inc. | Side shielded magnetoresistive (MR) read head with perpendicular magnetic free layer |
US8582249B2 (en) | 2011-04-26 | 2013-11-12 | Seagate Technology Llc | Magnetic element with reduced shield-to-shield spacing |
US8320080B1 (en) * | 2011-05-31 | 2012-11-27 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Three-terminal spin-torque oscillator (STO) |
US8570690B2 (en) | 2011-06-20 | 2013-10-29 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor having a hard bias seed structure |
US20120327537A1 (en) * | 2011-06-23 | 2012-12-27 | Seagate Technology Llc | Shield Stabilization Configuration With Applied Bias |
US8711528B1 (en) * | 2012-06-29 | 2014-04-29 | Western Digital (Fremont), Llc | Tunnel magnetoresistance read head with narrow shield-to-shield spacing |
US8842395B2 (en) * | 2012-12-19 | 2014-09-23 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor having an extended pinned layer and shape enhanced bias structure |
US8941954B2 (en) * | 2012-12-19 | 2015-01-27 | HGST Netherlands B.V. | Magnetic sensor with extended pinned layer and partial wrap around shield |
-
2014
- 2014-01-31 US US14/170,487 patent/US9047893B1/en active Active
-
2015
- 2015-01-30 JP JP2015016384A patent/JP6559965B2/ja active Active
- 2015-01-30 CN CN201510178423.7A patent/CN104821171B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104821171A (zh) | 2015-08-05 |
JP2015146224A (ja) | 2015-08-13 |
US9047893B1 (en) | 2015-06-02 |
CN104821171B (zh) | 2019-03-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8066892B2 (en) | Method for manufacturing a perpendicular magnetic write head with a wrap around shield | |
US9047894B2 (en) | Magnetic write head having spin torque oscillator that is self aligned with write pole | |
US7467461B2 (en) | Additive gap process to define trailing and side shield gap for a perpendicular write head | |
US7712206B2 (en) | Method for manufacturing a magnetic write head having a trailing shield with an accurately controlled trailing shield gap thickness | |
JP5914283B2 (ja) | シザーズ構造を有する磁気抵抗センサの磁気バイアス構造 | |
US8941954B2 (en) | Magnetic sensor with extended pinned layer and partial wrap around shield | |
US8842395B2 (en) | Magnetic sensor having an extended pinned layer and shape enhanced bias structure | |
US7793406B2 (en) | Method for manufacturing a magnetic write head | |
US7324310B2 (en) | Self-pinned dual CPP sensor exchange pinned at stripe back-end to avoid amplitude flipping | |
EP1720155A2 (en) | Perpendicular magnetic write head | |
US8472146B2 (en) | Current perpendicular magnetoresistive sensor with a dummy shield for capacitance balancing | |
GB2531896A (en) | Scissor reader with side shield decoupled from bias material | |
US9202482B2 (en) | Magnetic sensor having an extended pinned layer with stitched antiferromagnetic pinning layer | |
JP5852541B2 (ja) | 磁気抵抗センサーのための磁気バイアス構造 | |
US20150221328A1 (en) | Magnetic read sensor with bar shaped afm and pinned layer structure and soft magnetic bias aligned with free layer | |
US8953284B1 (en) | Multi-read sensor having a narrow read gap structure | |
JP6559965B2 (ja) | トラック幅が狭く且つ読み取りギャップが小さい磁気センサ | |
US9053721B1 (en) | Magnetic read sensor with independently extended pinned layer and seed layer | |
US8976493B1 (en) | Magnetic read sensor with novel pinned layer and side shield design for improved data track resolution and magnetic pinning robustness | |
JP5980672B2 (ja) | ハードバイアス磁界およびハードバイアスの保磁力の最適化に向けたハードバイアス構造を有する磁気センサ | |
US8615868B2 (en) | Method for manufacturing a magnetic sensor using two step ion milling | |
US9542962B2 (en) | Multi-sensor reader structure having a current path with increased size to reduce noise | |
US10008224B2 (en) | Magnetic read head with floating trailing shield | |
US20140293472A1 (en) | Read head sensor with a tantalum oxide refill layer | |
US20130163124A1 (en) | Magnetic read sensor having flat shield profile |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180129 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190206 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190312 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190604 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190718 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6559965 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |