JP2015146224A5

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Publication number: JP2015146224A5
Application number: JP2015016384A
Authority: JP
Filing date: 2015-01-30
Publication date: 2018-03-15
Anticipated expiration: 2035-01-30

Claims

第１の部分及び前記第１の部分の上に形成された第２の部分を有するセンサ積層体を含み、前記第１の部分がセンサトラック幅を画定する幅を有し、前記第２の部分がセンサトラック幅を超えて延在する幅を有している磁気センサにおいて、
前記センサ積層体の前記第１の部分が、磁気自由層と、非磁性層と、第１の磁化固定層の第１の部分とを含み、前記非磁性層が、前記磁気自由層と前記第１の磁化固定層の前記第１の部分との間に挟まれていて、
前記センサ積層体の前記第２の部分が、前記第１の磁化固定層の第２の部分と、第２の磁化固定層と、前記第１の磁化固定層と前記第２の磁化固定層との間に挟まれた非磁性逆平行結合層と、前記第２の磁化固定層に交換結合する反強磁性材料層とを含む磁気センサ。
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、
前記センサ積層体の前記第１の部分が前記空気ベアリング面の反対側に後縁を有し、前記後縁と前記空気ベアリング面との間の距離がセンサストライプ高を画定し、
前記第２の部分が前記センサストライプ高を超えて延在している、請求項１に記載の磁気センサ。
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、前記反強磁性材料層が前記空気ベアリング面よりも凹んでいる、請求項１に記載の磁気センサ。
前記センサ積層体が、第１及び第２の磁気シールドの間に配置されていて、前記反強磁性材料層と前記空気ベアリング面との間に配置された磁気台座を更に含む、請求項３に記載の磁気センサ。
前記磁気台座が前記第２の磁気シールドと磁気的に接続されている、請求項４に記載の磁気センサ。
前記センサ積層体の前記第２の部分が、前記センサ積層体の前記第１の部分に追随する方向に配置されている、請求項１に記載の磁気センサ。
前記反強磁性材料層が、前記磁気自由層の反対側で前記第２の磁化固定層の上に形成されている、請求項１に記載の磁気センサ。
前記センサ積層体の前記第１の部分の第１及び第２の側部の各々に隣接して形成された第１及び第２の磁気バイアス構造を更に含み、前記第１及び第２の磁気バイアス構造が磁気的に柔軟な材料で形成されている、請求項１に記載の磁気センサ。
前記磁気バイアス構造の各々が反強磁性材料層と交換結合されている、請求項８に記載の磁気センサ。
前記磁気バイアス構造の各々が、前記センサ積層体の前記第１の部分の下方及び前記磁気バイアス構造の各々の下方に延在する反強磁性材料層と交換結合されている、請求項８に記載の磁気センサ。
磁気バイアス構造を製造する方法であって、
磁気自由層と、前記磁気自由層の上に堆積された非磁性層と、前記非磁性層の上に堆積された第１の磁化固定層の第１の部分とを含む第１のセンサ積層部分を堆積させるステップと、
前記第１のセンサ積層部分のトラック幅及び後縁を画定するステップと、
前記第１のセンサ積層部分の上に第２のセンサ積層部分を堆積させるステップとを含み、前記第２のセンサ積層部分が、第１の磁化固定層の第２の部分と、前記第１の磁化固定層の前記第２の部分の上に堆積された非磁性逆平行結合層と、前記非磁性逆平行結合層の上に堆積された第２の磁化固定層と、前記第２の磁化固定層の上に堆積された反強磁性材料層とを含んでいる方法。
前記反強磁性材料層を堆積させた後で、空気ベアリング面の近傍で前記反強磁性材料層の一部を除去するステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
前記反強磁性材料層を堆積させた後で、
空気ベアリング面の近傍で前記反強磁性材料層の一部を除去するステップと、前記反強磁性材料が除去されたスペースを充填すべく磁性材料を堆積させるとをステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
前記反強磁性材料層を堆積させた後で、空気ベアリングの面から所望の距離に前縁が位置するマスクを形成するステップと、イオンミリングを実行して、前記反強磁性材料層の一部を除去するステップと、化学機械研磨を実行するステップとを更に含む、請求項１１に記載の方法。
前記第１のセンサ積層部分のトラック幅及び後部を前記画定するステップが、
トラック幅を画定する幅が構成された第１のマスクを形成するステップと、
第１のイオンミリングを実行して、前記第１のマスクにより保護されていない前記第１のセンサ積層部分の一部分を除去するステップと、
空気ベアリング面の反対側に後縁を画定すべく構成された第２のマスクを形成するステップと、
第２のイオンミリングを実行して、前記第２のマスクにより保護されていない前記第１のセンサ積層部分の一部分を除去するステップとを更に含む、請求項１１に記載の方法。
前記第１のイオンミリングを実行した後で、磁気バイアス層を堆積させるステップを更に含む、請求項１５に記載の方法。
筐体と、
前記筐体内に移動可能に搭載された磁気媒体と、
磁気センサを載置する磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを前記磁気媒体の表面に相対的に移動させるアクチュエータ機構とを含む磁気データ記録システムにおいて、
前記磁気センサが更に、
第１の部分と、前記第１の部分の上に形成される第２の部分とを有するセンサ積層体を更に含み、前記第１の部分がセンサトラック幅を画定する幅を有し、前記第２の部分が前記センサトラック幅を超えて延在する幅を有し、
前記センサ積層体の前記第１の部分が、磁気自由層と、非磁性層と、第１の磁化固定層の第１の部分とを含み、前記非磁性層が前記磁気自由層と前記第１の磁化固定層の第１の部分との間に挟まれ、
前記センサ積層体の前記第２の部分が、
前記第１の磁化固定層の第２の部分と、第２の磁化固定層と、前記第１の磁化固定層と前記第２の磁化固定層との間に挟まれた非磁性逆平行結合層と、前記第２の磁化固定層と交換結合された反強磁性材料層とを含む、磁気データ記録システム。
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、
前記センサ積層体の前記第１の部分が、空気ベアリング面の反対側に後縁を有し、前記後縁と前記空気ベアリング面の間の距離がセンサストライプ高を画定し、
前記第２の部分が前記センサストライプ高を超えて延在する、請求項１７に記載の磁気データ記録システム。
前記センサ積層体が空気ベアリング面まで延在し、前記反強磁性材料層が前記空気ベアリング面よりも凹んでいる、請求項１７に記載の磁気データ記録システム。
前記センサ積層体が第１及び第２の磁気シールドの間に配置されていて、前記反強磁性材料層及び前記空気ベアリング面の間に配置された磁気台座を更に含む、請求項１９に記載の磁気データ記録システム。