JP2013004164A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. シングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）装置であって、
   （ａ）基体上に設けられ、エアベアリング面（ＡＢＳ）において、リーディングエッジおよびトレーリングエッジと、前記トレーリングエッジと第１および第２のコーナーでそれぞれ交差する第１および第２の側面とを含むライトポールと、
   （ｂ）前記トレーリングエッジと接するように設けられ、平坦な上面を有するライトギャップと、
   （ｃ）前記ライトポールの側面とそれぞれ接し、実質的に一定の厚さを有する一対のサイドギャップと、
   （ｄ）前記一対のサイドギャップを挟んで前記ライトポールと対向する一対のサイドシールドと、
   （ｅ）前記一対のサイドシールドの上面と接し、前記ライトギャップを覆うトレーリングシールドと
   を備え、
   前記トレーリングエッジは、
   （１）前記基体の上面と平行であり、前記第１のコーナーで終端する第１の端部と、
   （２）前記基体の上面と平行であり、前記第２のコーナーで終端する第２の端部と、
   （３）前記第１および第２の端部を繋ぎ、かつ、それらより前記基体と近づくようにリセスした中央部と
   を含み、
   前記ライトギャップは、前記トレーリングエッジの第１および第２の端部を覆う部分よりも前記トレーリングエッジの中央部を覆う部分において大きな厚さを有する
   ＰＭＲ装置。
2. 前記ライトギャップのうち、前記トレーリングエッジの第１および第２の端部を覆う部分の厚さは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である
   請求項１記載のＰＭＲ装置。
3. 前記トレーリングエッジの中央部は、クロストラック方向において２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の幅を有し、ダウントラック方向において１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の深さを有する
   請求項１記載のＰＭＲ装置。
4. 前記トレーリングエッジの第１および第２の端部におけるクロストラック方向の幅は２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
   請求項１記載のＰＭＲ装置。
5. 前記トレーリングエッジの中央部は、半円形状を有している
   請求項１記載のＰＭＲ装置。
6. 前記トレーリングエッジの幅は、クロストラック方向において、前記リーディングエッジの幅よりも大きい
   請求項１記載のＰＭＲ装置。
7. シングルライト方式の垂直磁気記録（ＰＭＲ）装置であって、
   （ａ）基体上に設けられ、エアベアリング面（ＡＢＳ）において、リーディングエッジおよびトレーリングエッジと、前記トレーリングエッジと第１および第２のコーナーでそれぞれ交差する第１および第２の側面とを含むライトポールと、
   （ｂ）前記トレーリングエッジと接するように設けられ、凹凸状の上面を有するライトギャップと、
   （ｃ）前記ライトポールの側面とそれぞれ接し、実質的に一定の厚さを有する一対のサイドギャップと、
   （ｄ）前記一対のサイドギャップを挟んで前記ライトポールと対向する一対のサイドシールドと、
   （ｅ）前記一対のサイドシールドの上面と接し、前記ライトギャップを覆うトレーリングシールドと
   を備え、
   前記ライトギャップは、
   （１）前記トレーリングエッジと平行であり、前記ライトポールの前記第１のコーナーと対向する第１の端部と、
   （２）前記トレーリングエッジと平行であり、前記ライトポールの前記第２のコーナーと対向する第２の端部と、
   （３）前記第１および第２の端部を繋ぎ、かつ、それらよりも大きな厚さを有し、前記トレーリングエッジから離れるように突出した凸面を有する中央部と
   を含む
   ＰＭＲ装置。
8. 前記ライトギャップにおける前記中央部の厚さは１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である
   請求項７記載のＰＭＲ装置。
9. 前記ライトギャップの中央部は、
   クロストラック方向において２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の幅を有し、
   ダウントラック方向において前記第１および第２の端部よりも１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲で大きな厚さを有する
   請求項８記載のＰＭＲ装置。
10. 前記ライトギャップの第１および第２の端部におけるクロストラック方向の幅は２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である
    請求項７記載のＰＭＲ装置。
11. 前記ライトギャップの中央部は、半円形状を有している
    請求項７記載のＰＭＲ装置。
12. シングルライト方式に適した垂直磁気記録（ＰＭＲ）装置であって、
    （ａ）基体上に設けられ、エアベアリング面（ＡＢＳ）において、リーディングエッジおよびトレーリングエッジと、前記トレーリングエッジと第１および第２のコーナーでそれぞれ交差する第１および第２の側面とを含むライトポールと、
    （ｂ）前記トレーリングエッジと接するように設けられ、凹凸状の上面を有するライトギャップと、
    （ｃ）前記ライトポールの側面とそれぞれ接し、実質的に一定の厚さを有する一対のサイドギャップと、
    （ｄ）前記一対のサイドギャップを挟んで前記ライトポールと対向する一対のサイドシールドと、
    （ｅ）前記一対のサイドシールドの上面と接し、前記ライトギャップを覆うトレーリングシールドと
    を備え、
    前記トレーリングエッジは、
    （１）前記基体の上面と平行であり、前記第１のコーナーで終端する第１の端部と、
    （２）前記基体の上面と平行であり、前記第２のコーナーで終端する第２の端部と、
    （３）前記第１および第２の端部を繋ぎ、かつ、それらより前記基体と近づくようにリセスした中央部と
    を含み、
    前記ライトギャップは、
    （１）前記トレーリングエッジと平行であり、前記ライトポールの前記第１のコーナーと対向する第１のライトギャップ端部と、
    （２）前記トレーリングエッジと平行であり、前記ライトポールの前記第２のコーナーと対向する第２のライトギャップ端部と、
    （３）前記第１および第２のライトギャップ端部を繋ぎ、かつ、それらよりも大きな厚さを有し、前記トレーリングエッジから離れるように突出した凸面を有するライトギャップ中央部と
    を含む
    ＰＭＲ装置。
13. 前記ライトギャップにおける第１および第２のライトギャップ端部の厚さは、１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下である
    請求項１２記載のＰＭＲ装置。
14. 前記トレーリングエッジの中央部は、クロストラック方向において２０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の幅を有する
    請求項１２記載のＰＭＲ装置。
15. 前記ライトギャップ中央部は、前記第１および第２のライトギャップ端部よりも１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の範囲で大きな厚さを有する
    請求項１３記載のＰＭＲ装置。
16. 前記第１および第２のライトギャップ端部、ならびに前記トレーリングエッジの第１および第２の端部は、クロストラック方向において２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下の幅を有する
    請求項１２記載のＰＭＲ装置。
17. 前記ライトギャップ中央部および前記トレーリングエッジの中央部は、半円形状を有している
    請求項１２記載のＰＭＲ装置。