JP6557066B2

JP6557066B2 - サーマルプリントヘッドの製造方法およびサーマルプリントヘッド

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Publication number: JP6557066B2
Application number: JP2015124784A
Authority: JP
Inventors: 章治郎大長
Original assignee: Rohm Co Ltd
Current assignee: Rohm Co Ltd
Priority date: 2015-06-22
Filing date: 2015-06-22
Publication date: 2019-08-07
Anticipated expiration: 2035-06-22
Also published as: JP2017007203A

Description

本発明は、サーマルプリントヘッドの製造方法およびサーマルプリントヘッドに関する。

従来から知られているサーマルプリントヘッドは、基板と、グレーズ層と、発熱抵抗体と、電極と、を備える。このようなサーマルプリントヘッドは、たとえば特許文献１に開示されている。同文献に開示のサーマルプリントヘッドにおいて、グレーズ層は基板に形成されている。グレーズ層は、発熱抵抗体にて発生した熱を蓄熱する役割を果たす。発熱抵抗体は、グレーズ層に形成されている。電極は、互いに離間した２つの部分を有する。これらの２つの部分に跨るように、発熱抵抗体には、発熱部が形成されている。

印刷の品位を高める手法の一つとして、高精細化が挙げられる。高精細化を図るには、前記発熱部をより小さくし、且つ隣り合う前記発熱部同士の隙間を縮小することが必要である。しかしながら、前記発熱抵抗体および前記電極をより正確に形成することは容易ではない。

特開２０１２−５１３１９号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高精細化を図ることが可能なサーマルプリントヘッドの製造方法およびサーマルプリントヘッドを提供することをその主たる課題とする。

本発明の第１の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドの製造方法は、基材と、前記基材に形成された抵抗体層と、前記基材に形成され且つ前記抵抗体層と導通する電極層と、絶縁層と、を備え、前記電極層は、互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に重なる部分を有する発熱部を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、前記基材に前記抵抗体層となる抵抗体材料層および前記電極層となる電極材料層を形成する工程と、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を覆うレジスト材料層を形成する工程と、フォトリソグラフィマスクに形成されたパターンを前記レジスト材料層に縮小投影露光する露光工程と、前記レジスト材料層のうち前記露光工程の後に除去容易となっている部分を除去することによりレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層を用いたエッチングによって前記抵抗体材料層および前記電極材料層の少なくともいずれかをパターニングする工程と、を備える。

好ましい実施の形態においては、前記露光工程においては、前記フォトリソグラフィマスクの反復露光部を用いて縮小投影露光する処理と、前記フォトリソグラフィマスクの前記反復露光部を前記基材の主走査方向に沿って相対的に移動させる処理と、を繰り返す。

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部は、複数の前記発熱部に相当する部位を含む。

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部は、複数の前記第１導電部に相当する部位を含む。

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部は、複数の前記第２導電部に相当する部位を含む。

好ましい実施の形態においては、前記反復露光部の光透過部分のうち前記主走査方向端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた縮小部を有する。

好ましい実施の形態においては、前記フォトリソグラフィマスクは、前記反復露光部によって縮小投影露光される領域に対して前記主走査方向一方側の領域を縮小投影露光するための第１端部を有する。

好ましい実施の形態においては、前記第１端部の光透過部分のうち前記主走査方向において前記反復露光部寄り端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた第１縮小部を有する。

好ましい実施の形態においては、前記第１縮小部は、副走査方向において前記発熱部を露光する部分と重なる。

好ましい実施の形態においては、前記フォトリソグラフィマスクは、前記反復露光部によって縮小投影露光される領域に対して前記主走査方向他方側の領域を縮小投影露光するための第２端部を有する。

好ましい実施の形態においては、前記第２端部の光透過部分のうち前記主走査方向において前記反復露光部寄り端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた第２縮小部を有する。

好ましい実施の形態においては、前記第２縮小部は、副走査方向において前記発熱部を露光する部分と重なる。

好ましい実施の形態においては、前記パターニングする工程においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層の双方を一括してパターニングする。

好ましい実施の形態においては、前記基材は、半導体材料よりなる。

好ましい実施の形態においては、前記基材は、Ｓｉよりなる。

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程の前に、前記基材に積層された蓄熱層を形成する工程を更に備える。

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程においては、前記蓄熱層上に前記抵抗体材料層を積層させた後に、前記電極材料層を形成する。

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う。

好ましい実施の形態においては、前記電極材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う。

好ましい実施の形態においては、前記絶縁層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う。

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ2、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる。

好ましい実施の形態においては、前記電極材料層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる。

好ましい実施の形態においては、前記絶縁層は、ＳｉＯ2またはＳｉＡｌＯ2よりなる。

好ましい実施の形態においては、前記基材は、セラミックスよりなる。

好ましい実施の形態においては、前記基材は、Ａｌ２Ｏ３よりなる。

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程の前に、前記基材に積層されたグレーズ層を形成する工程を更に備える。

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程においては、前記グレーズ層上に前記抵抗体材料層を積層させた後に、前記電極材料層を形成する。

好ましい実施の形態においては、前記抵抗体材料層は、ＴａＳｉＯ２またはＴａＮよりなる。

好ましい実施の形態においては、前記電極材料層は、Ａｌ、Ｃｕ、および、Ａｕの少なくともいずれかよりなる。

好ましい実施の形態においては、前記グレーズ層は、ガラスよりなる。

本発明の第２の側面によって提供されるサーマルプリントヘッドは、基材と、前記基材に形成された抵抗体層と、前記基材に形成され且つ前記抵抗体層と導通する電極層と、絶縁層と、を備え、前記電極層は、互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、前記抵抗体層は、各々が前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に重なる部分を有する主走査方向に配列された複数の発熱部を含む、サーマルプリントヘッドであって、前記複数の発熱部の少なくともいずれかは、該発熱部が重なる前記第１導電部および前記第２導電部に対して前記主走査方向において内方に凹む縮小部を有する。

好ましい実施の形態においては、前記縮小部を有する２つの前記発熱部が、前記縮小部を有さない一定個数の前記発熱部を挟んで配置されている。

好ましい実施の形態においては、前記複数の発熱部は、互いに隣り合う２つの前記発熱部であって、互いに対面する側に各々前記縮小部が形成されているものを含む。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図１に示したサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの製造工程の一工程を示す断面図である。図５に続く一工程を示す断面図である。図６に続く一工程を示す断面図である。図７に続く一工程を示す断面図である。図８に続く一工程を示す断面図である。図８に続く一工程を示す要部平面図である。図９に続く一工程を示す断面図である。図１１に続く一工程を示す断面図である。図１１に続く一工程を示す要部平面図である。図１２に続く一工程を示す断面図である。図１２に続く一工程を示す要部平面図である。図１４に続く一工程を示す断面図である。図１６に続く一工程を示す断面図である。図１６に続く一工程を示す要部平面図である。本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの製造工程に用いられるフォトリソグラフィマスクを示す要部平面図である。図１７に続く一工程を示す断面図である。図２０に続く一工程を示す断面図である。図２１に続く一工程を示す断面図である。図２２に続く一工程を示す断面図である。図２３に続く一工程を示す断面図である。図２４に続く一工程を示す要部平面図である。図２５に続く一工程を示す要部平面図である。図２６に続く一工程を示す断面図である。図２７続く一工程を示す断面図である。本発明の第２施形態のサーマルプリントヘッドの製造工程の一工程を示す断面図である。図２９に続く一工程を示す断面図である。図３０に続く一工程を示す断面図である。図３１に続く一工程を示す断面図である。本発明の第２実施形態のサーマルプリントヘッドの断面である。

以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

＜第１実施形態＞
図１〜図２８を用いて、本発明の第１実施形態について説明する。

図１は、本発明の第１実施形態のサーマルプリントヘッドの平面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、図１に示したサーマルプリントヘッドの要部拡大平面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部拡大断面図である。

これらの図に示すサーマルプリントヘッド１０１は、基材１１と、配線基板１２と、放熱板１３と、蓄熱層２と、電極層３と、抵抗体層４と、絶縁層５と、保護層６（図１では省略）と、駆動ＩＣ７と、複数のワイヤ８１と、封止樹脂８２と、コネクタ８３とを備える。サーマルプリントヘッド１０１は、印刷媒体８０１に印刷を施すプリンタに組み込まれるものである。このような印刷媒体８０１としては、たとえばバーコードシートやレシートを作成するための感熱紙が挙げられる。

図２に示す放熱板１３は、基材１１からの熱を放散させるためのものである。放熱板１３は、たとえばＡｌなどの金属よりなる。放熱板１３には基材１１および配線基板１２が取り付けられている。

基材１１は板状を呈している。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなる。基材１１を構成する半導体材料としては、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、およびＧａＮが挙げられる。本実施形態においては、基材１１は半導体材料よりなるが、基材１１は半導体材料からなっていなくてもよい。たとえば、基材１１は、後述するように、セラミックなどの絶縁材料よりなっていてもよい。基材１１の厚さはたとえば０．６２５〜０．７２０ｍｍである。図１に示すように、基材１１は、方向Ｙに長く延びる平板状である。基材１１の幅（基材１１の方向Ｘにおける寸法）は、たとえば、３〜２０ｍｍである。基材１１の方向Ｙにおける寸法は、たとえば、１０〜３００ｍｍである。

図４に示すように、基材１１は基材表面１１１を有する。基材表面１１１は、方向Ｘと方向Ｙとに広がる平面状である。基材表面１１１は、方向Ｙに沿って長手状に延びる。基材表面１１１は、基材１１の厚さ方向Ｚの一方（以下、方向Ｚａと言う。図４では上方）を向く。すなわち、基材表面１１１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。

図２および図４に示すように、蓄熱層２は基材１１に形成されている。蓄熱層２は、基材１１の基材表面１１１の全体を覆っている。蓄熱層２は、発熱部４１（後述）にて発生した熱を蓄えるためのものである。蓄熱層２の厚さは、たとえば、３μｍ以上である。図４に示すように、蓄熱層２は蓄熱層表面２１を有する。蓄熱層表面２１は方向Ｚａを向く。すなわち、蓄熱層表面２１は、抵抗体層４の位置する側を向く面である。本実施形態では、蓄熱層表面２１は全体にわたって平坦である。蓄熱層表面２１が平坦であると、半導体プロセスによって抵抗体層４や絶縁層５を形成しやすい。

図２および図４に示すように、本実施形態では、蓄熱層２は、第１層２６と第２層２７とを含む。第１層２６は、第２層２７と基材１１との間に位置している。第１層２６は、基材１１を構成する半導体材料を酸化した材料よりなる層である。たとえば、基材１１を構成する半導体材料がＳｉである場合には、第１層２６はＳｉＯ₂よりなる層である。第２層２７は、絶縁材料よりなる層である。第２層２７を構成する材料は、特に限定されないが、本実施形態においては、第１層２６を構成する材料と同一の材料よりなる。本実施形態とは異なり、蓄熱層２が二層構造ではなく、一層構造であってもよい。また、蓄熱層２を備えない構成であってもよい。

図２〜図４に示す電極層３は基材１１に形成されている。図３における電極層３には、理解の便宜上、ハッチを付している。具体的には、電極層３は蓄熱層２に積層されている。また、電極層３は抵抗体層４に積層されている。本実施形態においては、電極層３と蓄熱層２との間に、抵抗体層４が介在している。電極層３は、抵抗体層４に導通している。電極層３は、抵抗体層４に通電するための経路を構成している。電極層３を構成する材料としては、たとえば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉが挙げられる。本実施形態とは異なり、電極層３は、蓄熱層２と抵抗体層４との間に介在していてもよい。

図４に示すように、電極層３は、第１導電部３１と第２導電部３２とを含む。第１導電部３１および第２導電部３２は、互いに離間している。

本実施形態においては、電極層３は、複数の個別電極３３（同図には６つ示す）と、一つの共通電極３５とを含む。

複数の個別電極３３は、互いに導通していない。そのため、各個別電極３３には、サーマルプリントヘッド１０１の組み込まれたプリンタが使用される際に、個別に、互いに異なる電位が付与されうる。各個別電極３３は、屈曲部３３３と、直行部３３４と、斜行部３３５と、ボンディング部３３６とを有する。直行部３３４は、電極層３における第１導電部３１を構成しており、方向Ｘに沿って延びる帯状である。直行部３３４は、抵抗体層４に積層されている。屈曲部３３３は、直行部３３４につながり、方向Ｙおよび方向Ｘの屈曲形状である。斜行部３３５は、方向Ｙおよび方向Ｘのいずれに対しても傾斜した方向に延びている。ボンディング部３３６は、ワイヤ８１がボンディングされる部分である。

共通電極３５は、サーマルプリントヘッド１０１の組み込まれたプリンタが使用される際に複数の個別電極３３に対して電気的に逆極性となる部位である。共通電極３５は、複数の共通電極帯状部３５１と、横行部３５２と、を有する。各共通電極帯状部３５１は、方向Ｘに延びる帯状である。共通電極３５において、複数の共通電極帯状部３５１は、電極層３における第２導電部３２を構成しており、第１導電部３１に対して方向Ｙに離間している。共通電極帯状部３５１は、抵抗体層４に積層されている。複数の共通電極帯状部３５１、および複数の個別電極帯状部３３１は、方向Ｙに沿って配列されている。横行部３５２は、方向Ｙに長く延びる帯状であり、複数の共通電極帯状部３５１がつながっている。

抵抗体層４は基材１１に形成されている。本実施形態では、抵抗体層４は、蓄熱層２に直接形成されている。本実施形態においては、抵抗体層４は、複数の矩形状の部分を有する。抵抗体層４は、電極層３からの電流が流れた部分が発熱する。このように発熱することによって印字ドットが形成される。抵抗体層４は、電極層３を構成する材料よりも抵抗率が高い材料よりなる。抵抗体層４を構成する材料としては、たとえば、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ₂、および、ＴｉＯＮが挙げられる。本実施形態においては、抵抗体層４には、抵抗値の調整のため、イオン（たとえば、ホウ素）がドーピングされている。抵抗体層４の厚さは、たとえば、０．２μｍ〜１μｍである。

図４に示すように、抵抗体層４は、第１端面４１６と、第２端面４１７とを有する。

第１端面４１６は、第２導電部３２（共通電極帯状部３５１）の位置する側とは反対側（すなわち、図４の右方向）を向いている。第２端面４１７は、第１導電部３１（個別電極帯状部３３１）の位置する側とは反対側（すなわち、図４の左方向）を向いている。

抵抗体層４は、サーマルプリントヘッド１０１の使用時に発熱する発熱部４１を含む。発熱部４１は、基材１１の厚さ方向視において、第１導電部３１および第２導電部３２に重なっている。各発熱部４１は蓄熱層２に積層されている。複数の発熱部４１は、方向Ｙに沿って配列されている。

発熱部４１は、第１当接部４１１および第２当接部４１２を含んでいる。第１当接部４１１は、電極層３における第１導電部３１に当接している。第２当接部４１２は、電極層３における第２導電部３２に当接している。

複数の発熱部４１は、縮小部４１９を有するものを含んでいる。縮小部４１９は、方向Ｙにおける寸法が小とされた部位であり、第１導電部３１および第２導電部３２に対して方向Ｙに凹んでいる。本実施形態においては、縮小部４１９を有する２つの発熱部４１が、縮小部４１９を有さない一定数の発熱部４１を挟んで配置されている。なお、図示された例においては、縮小部４１９を有する２つの発熱部４１が、縮小部４１９を有さない２つの発熱部４１を挟んで配置されている。また、本実施形態においては、複数の発熱部４１は、互いに隣り合う２つの発熱部４１であって、互いに対面する側に各々縮小部４１９が形成されているものを含む。すなわち、隣り合う発熱部４１のそれぞれに形成された縮小部４１９が、互いに対面するように配置されている。

絶縁層５は、発熱部４１および電極層３の間に介在している部分を有する。絶縁層５を構成する材料としては、たとえば、ＳｉＯ₂、および、ＳｉＡｌＯ₂が挙げられる。絶縁層５は、第１介在部５１と、第２介在部５２と、中間部５３とを含む。第１介在部５１は、第１導電部３１および発熱部４１の間に介在している部位である。第２介在部５２は、第２導電部３２および発熱部４１の間に介在している。中間部５３は、基材１１の厚さ方向Ｚ視において、第１介在部５１と第２介在部５２とに挟まれている。中間部５３は、第１介在部５１および第２介在部５２につながっている。

本実施形態において、第１介在部５１には、少なくとも１以上の第１開口５１１が形成されている。第１開口５１１は、たとえば円形状である。第１開口５１１の個数は、複数でも１つであってもよい。第１開口５１１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第１当接部４１１が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第１開口５１１内に、第１導電部３１の一部が形成されている。

本実施形態において、第２介在部５２には、少なくとも１以上の第２開口５２１が形成されている。第２開口５２１は、たとえば円形状である。第２開口５２１は、複数でも１つであってもよい。第２開口５２１と重なる位置に、上述の発熱部４１における第２当接部４１２が位置している。図６に示すように、本実施形態においては更に、第２開口５２１内に、第２導電部３２の一部が形成されている。

本実施形態においては、絶縁層５は、部分５８１，５８２を含む。部分５８１は、第１介在部５１につながり且つ第１端面４１６を覆う部分である。部分５８２は、第２介在部５２につながり且つ第２端面４１７を覆う部分である。部分５８１，５８２はそれぞれ、蓄熱層２に直接接している。すなわち、絶縁層５に直接接する部分を、蓄熱層２が有している。本実施形態とは異なり、絶縁層５が部分５８１，５８２を含んでいなくてもよい。

保護層６は、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを覆っており、電極層３と抵抗体層４と絶縁層５とを保護するためのものである。保護層６は、絶縁材料よりなる。保護層６を構成する絶縁材料としては、たとえば、ＳｉＮおよびＳｉＯ₂が挙げられる。本実施形態においては、保護層６は、電極層３および絶縁層５に直接接している。

保護層６には、複数の貫通窓６１（図２には１つ示す）が形成されている。各貫通窓６１からは、ボンディング部３３６が露出している。

図２に示す配線基板１２は、たとえば、プリント配線基板である。配線基板１２は、基材層と図示しない配線層とが積層された構造を有する。基材層は、たとえばガラスエポキシ樹脂よりなる。配線層は、たとえばＣｕよりなる。

図２、図３に示す駆動ＩＣ７は、各個別電極３３にそれぞれ電位を付与し、各発熱部４１に流す電流を制御するものである。各個別電極３３にそれぞれ電位が付与されることにより、共通電極３５と各個別電極３３との間に電圧が印加され、各発熱部４１に選択的に電流が流れる。駆動ＩＣ７は、配線基板１２に搭載されている。図３に示すように、駆動ＩＣ７は、複数のパッド７１を含む。複数のパッド７１は、たとえば、２列に形成されている。

図２、図３に示す複数のワイヤ８１は、たとえば、Ａｕなどの導体よりなる。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１１はそれぞれ、駆動ＩＣ７にボンディングされ、且つ、電極層３にボンディングされている。より具体的には、各ワイヤ８１１は、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、ボンディング部３３６にボンディングされている。これにより、駆動ＩＣ７と各個別電極３３とが導通している。複数のワイヤ８１のうちワイヤ８１２は、それぞれ、駆動ＩＣ７におけるパッド７１にボンディングされ、且つ、配線基板１２における配線層にボンディングされている。これにより、当該配線層を介して、駆動ＩＣ７とコネクタ８３とが導通している。

図２に示す封止樹脂８２は、たとえば、黒色の樹脂よりなる。封止樹脂８２は、駆動ＩＣ７、複数のワイヤ８１、および、保護層６を覆っており、駆動ＩＣ７および複数のワイヤ８１を保護している。封止樹脂８２は保護層６に直接接する。コネクタ８３は、配線基板１２に固定されている。コネクタ８３は、サーマルプリントヘッド１０１の外部からサーマルプリントヘッド１０１へ電力を供給し、駆動ＩＣ７を制御するためのものである。

次に、サーマルプリントヘッド１０１の使用方法の一例について簡単に説明する。

サーマルプリントヘッド１０１は、プリンタに組み込まれた状態で使用される。図２に示したように、当該プリンタ内において、サーマルプリントヘッド１０１の各発熱部４１はプラテンローラ８０２に対向している。当該プリンタの使用時には、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿ってプラテンローラ８０２と各発熱部４１との間に一定速度で送給される。印刷媒体８０１は、プラテンローラ８０２によって保護層６のうち各発熱部４１を覆う部分に押しあてられる。一方、図３に示した各個別電極３３には、駆動ＩＣ７によって選択的に電位が付与される。これにより、共通電極３５と複数の個別電極３３の各々との間に電圧が印加される。そして、複数の発熱部４１には選択的に電流が流れ、熱が発生する。そして、各発熱部４１にて発生した熱は、保護層６を介して印刷媒体８０１に伝わる。そして、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる第１ライン領域に、複数のドットが印刷される。また、各発熱部４１にて発生した熱は、蓄熱層２にも伝わり、蓄熱層２にて蓄えられる。

更に、プラテンローラ８０２が回転することにより、印刷媒体８０１が、方向Ｘに沿って一定速度で引き続き送給される。そして、上述の第１ライン領域への印刷と同様に、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びる、第１ライン領域に隣接する第２ライン領域への印刷が行われる。第２ライン領域への印刷の際、印刷媒体８０１には、各発熱部４１にて発生した熱に加え、第１ライン領域への印刷時に蓄熱層２にて蓄えられた熱が伝わる。このようにして、第２ライン領域への印刷が行われる。以上のように、印刷媒体８０１上の方向Ｙに線状に延びるライン領域ごとに、複数のドットを印刷することにより、印刷媒体８０１への印刷が行われる。

次に、サーマルプリントヘッド１０１の製造方法の一例について簡単に説明する。本実施形態においてサーマルプリントヘッド１０１を製造するには、半導体プロセスを用いる。

まず、図５に示すように、半導体基板１９を用意する。本実施形態において半導体基板１９はＳｉよりなる。次に、図６に示すように、半導体基板１９の表面を熱酸化する。これにより、基材１１と、基材１１に積層された第１層２６とが形成される。本実施形態においては、第１層２６は、ＳｉＯ₂よりなる。次に、図７に示すように、ＣＶＤもしくはスパッタによって、第１層２６上に第２層２７を形成する。これにより、基材１１に積層された蓄熱層２が形成される。図示することは省略するが、基材１１の裏面にもＳｉＯ₂
層が形成される。なお、本実施形態とは異なり、半導体基板１９の表面を熱酸化する必要は必ずしもなく、ＣＶＤもしくはスパッタによって、直接、蓄熱層２を形成してもよい。

次に、図８に示すように、抵抗体材料層４’を形成する。抵抗体材料層４’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。抵抗体材料層４’は、基材１１の表面の全面に形成する。次に、図９、図１０に示すように、抵抗体材料層４’をエッチングすることにより、抵抗体材料層４’’を形成する。抵抗体材料層４’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。図１０に示すように、本実施形態では、抵抗体材料層４’’は、一方向に沿って帯状に延びる形状である。次に、抵抗体層４が所望の抵抗値になるように、抵抗体材料層４’’にイオンを打ち込む（図示略）。

次に、図１１に示すように、絶縁材料層５’を形成する。絶縁材料層５’の形成は、たとえば、ＣＶＤもしくはスパッタにより行う。次に、図１２、図１３に示すように、絶縁材料層５’をエッチングすることにより、上述の絶縁層５を形成する。絶縁材料層５’をエッチングする当該工程を経ることにより、上述の第１開口５１１および第２開口５２１が形成される。

次に、図１４、図１５に示すように、電極材料層３’を形成する。電極材料層３’の形成は、たとえば、スパッタもしくはＣＶＤにより行う。次に、図１６に示すように、電極材料層３’のうち方向Ｙに長く延びる領域をエッチングによって除去する。これにより、絶縁層５の一部が、電極材料層３’から露出する。

次に、図１７および図１８に示すように、蓄熱層２、電極材料層３’、抵抗体材料層４’および絶縁層５を覆うように、レジスト材料層６０’を形成する。レジスト材料層６０’の形成は、たとえば感光性樹脂材料を含む液体またはペーストを塗布することによって行う。

次に、図１９に示すフォトリソグラフィマスク８５を用いて縮小投影露光を行う。フォトリソグラフィマスク８５は、縮小投影露光において、レジスト材料層６０’に部分的且つ選択的に光を当てるためのものである。本実施形態においては、レジスト材料層６０’のうち露光された部分が残存する、いわゆるネガ型である場合を例に説明するが、これとは異なり、レジスト材料層６０’がいわゆるポジ型である場合であっても、本発明は適用可能である。

フォトリソグラフィマスク８５は、電極層３および抵抗体層４として残存させるべき部分の形状が除去された板状部材である。本実施形態においては、フォトリソグラフィマスク８５を用いた縮小投影露光を行うため、フォトリソグラフィマスク８５の各部のサイズは、電極層３および抵抗体層４の対応する各部のサイズよりも大である。

本実施形態においては、フォトリソグラフィマスク８５は、反復露光部８６０、第１端部８７０、および第２端部８８０を有する。反復露光部８６０は、電極層３および抵抗体層４の大部分を形成するための縮小投影露光に用いられる。本実施形態においては、は、反復露光部８６０は、電極層３および抵抗体層４の一部に相当する。第１端部８７０は、反復露光部８６０によって形成される電極層３および抵抗体層４の部分に対して、方向Ｙ一端側に隣接する部分を形成するための部位である。第２端部８８０は、反復露光部８６０によって形成される電極層３および抵抗体層４の部分に対して、方向Ｙ他端側に隣接する部分を形成するための部位である。

本実施形態においては、反復露光部８６０は、第１導電部３１、第２導電部３２および発熱部４１を形成するための部分を有しており、さらに個別電極３３および共通電極３５を形成するための部位を有する。第１端部８７０は、第１導電部３１、第２導電部３２および発熱部４１を形成するための部分を有しており、さらに個別電極３３および共通電極３５を形成するための部位を有する。第２端部８８０は、第１導電部３１、第２導電部３２および発熱部４１を形成するための部分を有しており、さらに個別電極３３および共通電極３５を形成するための部位を有する。

反復露光部８６０は、２つの縮小部８６１を有している。縮小部８６１は、方向Ｙ端部領域において方向Ｙ寸法が小とされた部位である。反復露光部８６０においては、方向Ｙ両端に２つの縮小部８６１が設けられている。また、縮小部８６１は、方向Ｘにおいて、発熱部４１を露光する部分と重なっている。

第１端部８７０は、第１縮小部８７１を有している。第１縮小部８７１は、方向Ｙ端部領域（図中右端領域）において方向Ｙ寸法が小とされた部位である。第１縮小部８７１は、方向Ｘにおいて、発熱部４１を露光する部分と重なっている。

第２端部８８０は、第２縮小部８８１を有している。第２縮小部８８１は、方向Ｙ端部領域（図中左端領域）において方向Ｙ寸法が小とされた部位である。第２縮小部８８１は、方向Ｘにおいて、発熱部４１を露光する部分と重なっている。

図２０〜図２４は、露光工程を示している。これらの図においては理解の便宜上、フォトリソグラフィマスク８５と基材１１およびレジスト材料層６０'とを模式的に示している。

図２０は、フォトリソグラフィマスク８５の第１端部８７０を用いた縮小投影露光を示している。図中の一点鎖線は、集光された光を模式的に示す。フォトリソグラフィマスク８５のうち第１端部８７０以外の部分を遮光した状態で、第１端部８７０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。図中においては、レジスト材料層６０’のうち露光された部分に、相対的に細かいハッチングが施されている。これにより、フォトリソグラフィマスク８５の第１端部８７０が、集光度合いに応じて縮小され、レジスト材料層６０’に露光される。レジスト材料層６０’がネガ型であるため、この露光部分は、除去液などに対して残存する部位となる。

次いで、図２１に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この相対的な移動は、フォトリソグラフィマスク８５を動かすことによって実現してもよいし、基材１１を動かすことによって実現してもよい。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の反復露光部８６０以外の部分を遮光した状態で、反復露光部８６０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、図２０に示した第１端部８７０によって露光された部分と隣接している。

次いで、図２２に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の反復露光部８６０以外の部分を遮光した状態で、反復露光部８６０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、図２１に示した反復露光部８６０によって露光された部分と隣接している。

次いで、図２３に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の反復露光部８６０以外の部分を遮光した状態で、反復露光部８６０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、図２２に示した反復露光部８６０によって露光された部分と隣接している。この反復露光部８６０を用いた縮小投影露光とフォトリソグラフィマスク８５および基材１１の相対的な移動とを繰り返す。繰り返し回数は、サーマルプリントヘッド１０１を構成するのに必要とされる電極層３および抵抗体層４を構築可能な回数が選択される。

次いで、図２４に示すように、フォトリソグラフィマスク８５を基材１１に対して方向Ｙに相対的に移動させる。この移動を経て、フォトリソグラフィマスク８５の第２端部８８０以外の部分を遮光した状態で、第２端部８８０を透してレジスト材料層６０’に向けて集光される光をレジスト材料層６０’に集光投影露光する。この際の露光位置は、反復露光部８６０によって露光された部分の図中右端と隣接している。

このような複数回の縮小投影露光を終えた後に、未露光のレジスト材料層６０’を除去し、露光されたレジスト材料層６０’を残存させうる除去液を用いてレジスト材料層６０’を部分的に除去する。これにより、図２５に示すようにレジスト層６０が得られる。レジスト層６０は、個別電極３３、共通電極３５および発熱部４１となるべき部分を覆う形状とされている。また、本実施形態においては、レジスト層６０は、複数の縮小部６９を有している。複数の縮小部６９は、図１９に示したように、フォトリソグラフィマスク８５に縮小部８６１，８７１，８８１が形成されていたことから、レジスト材料層６０’のうち露光された領域が方向Ｙに部分的に縮小された部位を有することに起因して形成されている。このレジスト層６０をマスクとして用いたエッチングによって電極材料層３’をエッチングすることにより、電極層３が得られる。また、抵抗体材料層４’’をエッチングすることにより、抵抗体層４が得られる。なお、電極材料層３’および抵抗体材料層４’’のエッチングは、一括して行ってもよいし、各々を選択的に除去可能なエッチング液を使い分けることにより、別々のタイミングで行ってもよい。この後は、レジスト層６０を除去することにより、図２６に示す電極層３および抵抗体層４が得られる。また、複数の縮小部６９に対応する部位に、複数の縮小部４１９が形成される。

次に、図２７に示すように、保護材料層６’を形成する。保護材料層６’の形成は、たとえば、ＣＶＤにより行う。次に、図２８に示すように、保護材料層６’をエッチングすることにより、複数の貫通窓６１を形成する。保護材料層６’のエッチングは、フォトリソグラフィーにより行う。

次に、図示は省略するが、基材１１の裏面を研磨することにより、基材１１の厚みを低減させる。次に、抵抗体層４の抵抗値の測定、および、基材１１のダイシングを行ったのち、ダイシング後の製品と、配線基板１２とを放熱板１３に配置する。次に、図２に示した、駆動ＩＣ７を配線基板１２に搭載し、ワイヤ８１を所望の箇所にボンディングし、封止樹脂８２を形成する。これらの工程を経るなどして、図２に示したサーマルプリントヘッド１０１が製造される。

以上の工程を経て得られたサーマルプリントヘッド１０１においては、複数の発熱部４１の方向Ｙピッチが、たとえば４３．２μｍである。また、隣り合う発熱部４１同士の隙間は、たとえば０．１μｍ程度に設定可能である。

次に、本実施形態の作用効果について説明する。

本実施形態においては、フォトリソグラフィマスク８５を用いた縮小投影露光によってレジスト材料層６０’を露光する。これにより、フォトリソグラフィマスク８５に形成されたパターンが、正確な形状を維持しつつ集光度合いに応じた縮小を受けて、レジスト層６０に写像される。このため、フォトリソグラフィマスク８５の製作精度を過度に精密にすることなく、レジスト層６０を微細に形成することが可能である。したがって、サーマルプリントヘッド１０１の印刷の高精細化を図ることが可能であり、印刷品位を向上させることができる。

また、フォトリソグラフィマスク８５は、反復露光部８６０、第１端部８７０および第２端部８８０を有している。電極層３および抵抗体層４のうち方向Ｙ両端付近を除く部分は、一定の部分パターンが繰り返されたパターンとなっている。この部分を、反復露光部８６０を用いた縮小投影露光を繰り返して形成することにより、フォトリソグラフィマスク８５が不当に大型となってしまうことを防止することができる。また、反復露光部８６０を複数回用いることにより、電極層３および抵抗体層４の形状が方向Ｙの一端側、中央側および他端側などにおいて不揃いとなってしまうことを回避することができる。第１端部８７０および第２端部８８０を有する事により、電極層３および抵抗体層４のうち方向Ｙ端部において、中央寄りの定常部分とはことなるパターンとすることも可能である。

縮小部８６１、第１縮小部８７１および第２縮小部８８１を有することにより、反復露光部８６０、第１端部８７０および第２端部８８０によって露光させたい領域に隣接する領域に、意図せず光を当ててしまうことを防止することができる。これは、いわゆる光の回折を考慮した方策である。また、縮小部８６１、第１縮小部８７１および第２縮小部８８１を、方向Ｘにおいて発熱部４１と重なるものとすることにより、印刷品位の向上に大きく影響する複数の発熱部４１をより正確に形成することができる。複数の発熱部４１が、縮小部４１９を有するものを含むことにより、隣接する発熱部４１が意図せず接触してしまうなどの事態を適切に回避することができる。

以下の説明では、上記と同一もしくは類似の構成については上記と同一の符号を付し、説明を適宜省略する。

＜第２実施形態＞
図２９〜個別電極３３を用いて、本発明の第２実施形態について説明する。

図２９に示す基材１１は、セラミックスよりなり、たとえばＡｌ₂Ｏ₃よりなる。基材１１上に、グレーズ層２０を形成する。グレーズ層２０は、電極層３および抵抗体層４を形成しうる平坦度を担保するためのものであり、たとえばガラスよりなる。

次に、図３０に示すように、グレーズ層２０上に抵抗体材料層４’を形成する。抵抗体材料層４’は、たとえばＴａＳｉＯ₂またはＴａＮよりなる。抵抗体材料層４’の形成は、たとえばＣＶＤまたはスパッタにより行う。抵抗体材料層４’は、グレーズ層２０の全面を覆っている。

次に、図３１に示すように、電極材料層３’を形成する。電極材料層３’は、たとえばＡｌ、Ｃｕ、および、Ａｕの少なくともいずれかよりなる。電極材料層３’の形成は、たとえばＣＶＤまたはスパッタにより行う。電極材料層３’は、抵抗体材料層４’全体を覆うように形成されてもよいし、抵抗体材料層４’のうち発熱部４１となるべき部分を露出させるように形成してもよい。

次いで、図１７および図１８を参照して説明したレジスト材料層６０'を形成する。続いて、図１９に示すフォトリソグラフィマスク８５を用いた縮小投影露光を行う。この縮小投影露光の手順は、図２０〜図２４を参照して説明した手順と同様である。この露光工程の後にレジスト材料層６０'を部分的且つ選択的に除去することにより、レジスト層６０が得られる。そして、レジスト層６０をマスクとして用いたエッチングにより、図３２に示すように、電極層３および抵抗体層４が得られる。この後は、保護層６の形成等を適宜行うことにより、図３３に示すサーマルプリントヘッド１０２が得られる。サーマルプリントヘッド１０２は、いわゆる薄膜型のサーマルプリントヘッドである。

このような実施形態によっても、サーマルプリントヘッド１０２の印刷の高精細化を図ることができる。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

１０１サーマルプリントヘッド
１０２サーマルプリントヘッド
１１基材
１１１基材表面
１２配線基板
１３放熱板
１９半導体基板
２蓄熱層
２１蓄熱層表面
２６第１層
２７第２層
２０グレーズ層
３電極層
３’ 電極材料層
３１第１導電部
３２第２導電部
３３個別電極
３３１個別電極帯状部
３３３屈曲部
３３４直行部
３３５斜行部
３３６ボンディング部
３５共通電極
３５１共通電極帯状部
３５２横行部
４抵抗体層
４’ 抵抗体材料層
４’’ 抵抗体材料層
４１発熱部
４１１第１当接部
４１２第２当接部
４１６第１端面
４１７第２端面
４１９縮小部
５絶縁層
５’ 絶縁材料層
５１第１介在部
５１１第１開口
５２第２介在部
５２１第２開口
５３中間部
５８１部分
５８２部分
６０レジスト層
６０’ レジスト材料層
６９縮小部
６保護層
６’ 保護材料層
６１貫通窓
７駆動ＩＣ
７１パッド
８１ワイヤ
８１１ワイヤ
８１２ワイヤ
８２封止樹脂
８３コネクタ
８０１印刷媒体
８０２プラテンローラ
８５フォトリソグラフィマスク
８６０反復露光部
８６１縮小部
８７０第１端部
８７１第１縮小部
８８０第２端部
８８１第２縮小部

Claims

基材と、
前記基材に形成された抵抗体層と、
前記基材に形成され且つ前記抵抗体層と導通する電極層と、
絶縁層と、を備え、
前記電極層は、互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、
前記抵抗体層は、前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に重なる部分を有する発熱部を含む、サーマルプリントヘッドの製造方法であって、
前記基材に前記抵抗体層となる抵抗体材料層および前記電極層となる電極材料層を形成する工程と、
前記抵抗体材料層および前記電極材料層を覆うレジスト材料層を形成する工程と、
フォトリソグラフィマスクに形成されたパターンを前記レジスト材料層に縮小投影露光する露光工程と、
前記レジスト材料層のうち前記露光工程の後に除去容易となっている部分を除去することによりレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層を用いたエッチングによって前記抵抗体材料層および前記電極材料層の少なくともいずれかをパターニングする工程と、
を備え、
前記露光工程においては、前記フォトリソグラフィマスクの反復露光部を用いて縮小投影露光する処理と、前記フォトリソグラフィマスクの前記反復露光部を前記基材の主走査方向に沿って相対的に移動させる処理と、を繰り返し、
前記反復露光部は、複数の前記発熱部に相当する部位を含み、
前記反復露光部の光透過部分のうち前記主走査方向端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた縮小部を有する、サーマルプリントヘッドの製造方法。
前記反復露光部は、複数の前記第１導電部に相当する部位を含む、請求項１に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記反復露光部は、複数の前記第２導電部に相当する部位を含む、請求項１または２に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記縮小部は、副走査方向において前記発熱部を露光する部分と重なる、請求項１ないし３のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記フォトリソグラフィマスクは、前記反復露光部によって縮小投影露光される領域に対して前記主走査方向一方側の領域を縮小投影露光するための第１端部を有する、請求項１ないし４のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記第１端部の光透過部分のうち前記主走査方向において前記反復露光部寄り端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた第１縮小部を有する、請求項５に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記第１縮小部は、副走査方向において前記発熱部を露光する部分と重なる、請求項６に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記フォトリソグラフィマスクは、前記反復露光部によって縮小投影露光される領域に対して前記主走査方向他方側の領域を縮小投影露光するための第２端部を有する、請求項１ないし７のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記第２端部の光透過部分のうち前記主走査方向において前記反復露光部寄り端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされた第２縮小部を有する、請求項８に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記第２縮小部は、副走査方向において前記発熱部を露光する部分と重なる、請求項９に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記パターニングする工程においては、前記抵抗体材料層および前記電極材料層の双方を一括してパターニングする、請求項１０に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記基材は、半導体材料よりなる、請求項１ないし１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記基材は、Ｓｉよりなる、請求項１２に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程の前に、前記基材に積層された蓄熱層を形成する工程を更に備える、請求項１２または１３に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程においては、前記蓄熱層上に前記抵抗体材料層を積層させた後に、前記電極材料層を形成する、請求項１４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程においては、前記抵抗体材料層を形成した後であって、前記電極材料層を形成する前に、前記抵抗体材料層に重なる絶縁層を形成する、請求項１５に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う、請求項１６に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記電極材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う、請求項１７に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記絶縁層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う、請求項１８に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層は、ポリシリコン、ＴａＳｉＯ₂、および、ＴｉＯＮの少なくともいずれかよりなる、請求項１９に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記電極材料層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｌ−Ｓｉ、および、Ｔｉの少なくともいずれかよりなる、請求項２０に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記絶縁層は、ＳｉＯ₂またはＳｉＡｌＯ₂よりなる、請求項２１に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記基材は、セラミックスよりなる、請求項１ないし１１のいずれかに記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記基材は、Ａｌ₂Ｏ₃よりなる、請求項２３に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程の前に、前記基材に積層されたグレーズ層を形成する工程を更に備える、請求項２３または２４に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層および前記電極材料層を形成する工程においては、前記グレーズ層上に前記抵抗体材料層を積層させた後に、前記電極材料層を形成する、請求項２５に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層は、ＴａＳｉＯ₂またはＴａＮよりなる、請求項２６に記載のサーマ
ルプリントヘッドの製造方法。
前記電極材料層は、Ａｌ、Ｃｕ、および、Ａｕの少なくともいずれかよりなる、請求項２７に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記グレーズ層は、ガラスよりなる、請求項２８に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記抵抗体材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う、請求項２９に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
前記電極材料層を形成する工程は、ＣＶＤまたはスパッタにより行う、請求項３０に記載のサーマルプリントヘッドの製造方法。
基材と、
前記基材に形成された抵抗体層と、
前記基材に形成され且つ前記抵抗体層と導通する電極層と、
絶縁層と、を備え、
前記電極層は、互いに離間する第１導電部および第２導電部を含み、
前記抵抗体層は、各々が前記基材の厚さ方向視において、前記第１導電部および前記第２導電部に重なる部分を有する、前記基材の主走査方向に配列された複数の発熱部を含む、サーマルプリントヘッドであって、
前記複数の発熱部の少なくともいずれかは、該発熱部が重なる前記第１導電部および前記第２導電部に対して前記主走査方向において内方に凹む縮小部を有し、
前記基材に形成された抵抗体材料層および電極材料層を覆うレジスト材料層に対するフォトリソグラフィマスクのパターンの縮小投影露光と、前記レジスト材料層のうち前記縮小投影露光により除去容易となっている部分を除去することによるレジスト層の形成と、前記レジスト層を用いたエッチングとによって、前記抵抗体材料層がパターニングされて前記抵抗体層が得られること、および、前記電極材料層がパターニングされて前記電極層が得られること、の少なくともいずれかが行われ、
前記縮小投影露光は、前記フォトリソグラフィマスクの反復露光部を用いて縮小投影露光する処理と、前記フォトリソグラフィマスクの前記反復露光部を前記主走査方向に沿って相対的に移動させる処理と、を繰り返すことによって行われ、
前記反復露光部は、複数の前記発熱部に相当する部位を含み、
前記反復露光部の光透過部分のうち前記主走査方向端に位置する部位は、前記主走査方向寸法が小とされ前記縮小部に対応する、サーマルプリントヘッド。
前記縮小部を有する２つの前記発熱部が、前記縮小部を有さない一定個数の前記発熱部を挟んで配置されている、請求項３２に記載のサーマルプリントヘッド。
前記複数の発熱部は、互いに隣り合う２つの前記発熱部であって、互いに対面する側に各々前記縮小部が形成されているものを含む、請求項３２または３３に記載のサーマルプリントヘッド。