JP6556802B2 - Vacuum equipment, vapor deposition equipment and gate valve - Google Patents

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Description

本発明は、真空装置、蒸着装置及びゲートバルブに関する。   The present invention relates to a vacuum apparatus, a vapor deposition apparatus, and a gate valve.

電子デバイスに用いられる表示パネルや半導体、電子部品等の製造工程が行われる真空装置では、真空装置内を減圧雰囲気にする真空排気ポンプが使用されている。高真空状態を求められる真空装置では、大気圧から減圧する真空排気ポンプと、ある程度減圧された状態から、低温を利用して高真空状態にする真空排気ポンプが使い分けられている。   In a vacuum apparatus in which a manufacturing process of a display panel, a semiconductor, an electronic component or the like used for an electronic device is performed, a vacuum exhaust pump that makes the inside of the vacuum apparatus a reduced pressure atmosphere is used. In vacuum devices that require a high vacuum state, a vacuum exhaust pump that reduces pressure from atmospheric pressure and a vacuum exhaust pump that uses a low temperature to change to a high vacuum state from a state where pressure is reduced to a certain level are used.

低温を利用する真空排気ポンプは、真空装置を構成しているチャンバに設けられた開口を塞ぐように配置されたゲートバルブのチャンバ外部側に設けられ、ゲートバルブの開閉に合わせて、大気の排気を制御している（特許文献１）。   A vacuum exhaust pump that uses a low temperature is provided on the outside of the chamber of the gate valve disposed so as to close the opening provided in the chamber constituting the vacuum apparatus, and is adapted to exhaust the atmosphere in accordance with the opening and closing of the gate valve. (Patent Document 1).

国際公開第２０１０／０３８４１６号International Publication No. 2010/038416

従来の構成では、ゲートバルブ側に低温を利用する真空排気ポンプが配置されるため、ゲートバルブは放射冷却によって低温になっていた。そのため、チャンバ内を大気開放した場合、ゲートバルブが結露していた場合がある。   In the conventional configuration, an evacuation pump that uses a low temperature is arranged on the gate valve side, so that the gate valve is cooled by radiation cooling. Therefore, when the inside of the chamber is opened to the atmosphere, the gate valve may have condensed.

本発明は、ゲートバルブ側に低温を利用する真空排気ポンプが配置される真空装置において、ゲートバルブの結露を効果的に抑制することができる真空装置を提供することを目的とする。   It is an object of the present invention to provide a vacuum apparatus that can effectively suppress dew condensation on the gate valve in a vacuum apparatus in which a vacuum exhaust pump that uses low temperature is disposed on the gate valve side.

上記目的のため、本発明は以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの第１の面は、前記ゲートバルブよりも温度の高い第１の部材に対向し、
前記ゲートバルブの第２の面は、前記ゲートバルブよりも温度の低い第２の部材に対向し、
前記第１の面の放射率は、前記第２の面の放射率より高いことを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブは前記ゲートバルブより低温の部材と対向し、
前記ゲートバルブと前記低温の部材との間に反射板を有することを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを回転させる回転機構を有し、
前記ゲートバルブは、開時に前記回転機構によって回転することにより、前記開口に対向する面積が閉時に対して少なくなることを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手段と、を有しており、
前記熱供給手段は、前記ゲートバルブが開時にゲートバルブに接し、閉時に離間する部材であることを特徴とする真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手段と、を有しており、
前記熱供給手段は、前記チャンバの内部空間に対して区分けされた空間でゲートバルブに接する流体であることを特徴とする記載の真空装置である。
本発明は、また、以下の構成を採用する。すなわち、
開口を覆うように設置され、前記開口を形成する壁に対して交差する方向に開閉するゲートバルブであって、
前記ゲートバルブは、前記方向とそれぞれ交差する第１の面と第２の面とを有し、
前記第１の面の放射率は、前記第２の面の放射率より高く、
前記第２の面と対向するように配置された反射板を有することを特徴とするゲートバルブである。 For the above purpose, the present invention adopts the following configuration. That is,
A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening,
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
The first surface of the gate valve faces the first member having a temperature higher than that of the gate valve,
The second surface of the gate valve faces the second member having a temperature lower than that of the gate valve,
In the vacuum apparatus, the emissivity of the first surface is higher than the emissivity of the second surface.
The present invention also employs the following configuration. That is,
A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
The gate valve faces a member having a lower temperature than the gate valve,
A vacuum apparatus comprising a reflector between the gate valve and the low temperature member .
The present invention also employs the following configuration. That is,
A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
A rotation mechanism for rotating the gate valve;
The gate valve is a vacuum apparatus characterized in that when the gate valve is rotated by the rotating mechanism, an area facing the opening is smaller than that when the gate valve is closed.
The present invention also employs the following configuration. That is,
A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
Support means for driving the gate valve;
And have a, a heat supply means for supplying heat by thermal conduction to said gate valve in a path different from said support means,
The heat supply means is a vacuum device that is a member that contacts the gate valve when the gate valve is opened and separates when the gate valve is closed .
The present invention also employs the following configuration. That is,
A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
Support means for driving the gate valve;
Heat supply means for supplying heat to the gate valve by heat conduction through a path different from the support means,
The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the heat supply means is a fluid in contact with the gate valve in a space separated from the internal space of the chamber.
The present invention also employs the following configuration. That is,
A gate valve installed so as to cover the opening and opening and closing in a direction crossing the wall forming the opening,
The gate valve has a first surface and a second surface that intersect the direction, respectively.
Emissivity of the first surface is higher than the emissivity of the second surface,
It is a gate valve characterized by having the reflecting plate arrange | positioned so that the said 2nd surface may be opposed .

本発明によれば、ゲートバルブの結露を効果的に抑制することができる。   According to the present invention, condensation of the gate valve can be effectively suppressed.

真空装置の模式的断面図Schematic cross section of vacuum equipment ゲートバルブ温度変化のグラフGraph of gate valve temperature change 実施例１の真空装置の模式図Schematic diagram of vacuum device of Example 1 実施例２の真空装置の模式図Schematic diagram of vacuum device of Example 2 実施例３の真空装置の模式図Schematic diagram of vacuum device of Example 3 実施例４の真空装置の模式図Schematic diagram of vacuum device of Example 4 実施例４の真空装置の別の模式図Another schematic diagram of the vacuum apparatus of Example 4 実施例５の真空装置の模式図Schematic diagram of vacuum device of Example 5 有機ＥＬ表示装置の説明図Illustration of organic EL display device

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を、実施例に基づいて例示的に詳しく説明する。ただし、この実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状それらの相対配置などは、発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるべきものである。すなわち、この発明の範囲を以下の実施の形態に限定する趣旨のものではない。   DESCRIPTION OF EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be exemplarily described in detail with reference to the drawings. However, the dimensions, materials, shapes, and relative arrangements of the components described in this embodiment should be appropriately changed according to the configuration of the apparatus to which the invention is applied and various conditions. That is, it is not intended to limit the scope of the present invention to the following embodiments.

［実施例１］
＜真空装置の概略構成＞
図１（ａ）は、真空装置の構成を示す模式図である。真空装置は、チャンバ２００を有する。チャンバ２００の内部は、減圧雰囲気に維持される。本実施例では、チャンバ２００内部に、蒸発原装置が配置された例を記載するが、作製するデバイスに応じて、露光装置やスパッタリング装置等を配置することができる。 [Example 1]
<Schematic configuration of vacuum device>
FIG. 1A is a schematic diagram showing a configuration of a vacuum apparatus. The vacuum apparatus has a chamber 200. The interior of the chamber 200 is maintained in a reduced pressure atmosphere. In this embodiment, an example in which an evaporation source apparatus is disposed inside the chamber 200 is described, but an exposure apparatus, a sputtering apparatus, and the like can be disposed in accordance with a device to be manufactured.

チャンバ２００は、チャンバ２００を構成する第１のチャンバ壁４０４と第２のチャンバ壁４０５を含む。第１のチャンバ壁４０４は、開口を有し、開口を覆うように、ゲートバルブ４０１が設置される。ゲートバルブ４０１は、ゲートバルブ４０１を駆動させるた
めの支持手段４０３と接続される。ゲートバルブは第１のチャンバ壁４０４に対して交差する方向に開閉することで、チャンバ２００の内部空間と外部空間を隔てる機能を有する。図１（ａ）では、ゲートバルブは第１のチャンバ壁４０４に対して直交する方向に開閉している。 The chamber 200 includes a first chamber wall 404 and a second chamber wall 405 that constitute the chamber 200. The first chamber wall 404 has an opening, and the gate valve 401 is installed so as to cover the opening. The gate valve 401 is connected to support means 403 for driving the gate valve 401. The gate valve has a function of separating the internal space and the external space of the chamber 200 by opening and closing in a direction intersecting the first chamber wall 404. In FIG. 1A, the gate valve is opened and closed in a direction orthogonal to the first chamber wall 404.

支持手段４０３は、第１のチャンバ壁４０４に対向する第２のチャンバ壁４０５に設けられた開口を通して、チャンバ２００の外部に配置された駆動手段４０７に接続される。駆動手段４０７は、駆動手段４０７内に配置されるシリンダ（不図示）によって、支持手段４０３を駆動する。第２のチャンバ壁４０５に設けられた開口は、支持手段４０３と接続されたベローズ４０６との接続により、チャンバの内部空間と外部空間を隔てている。   The support means 403 is connected to a driving means 407 disposed outside the chamber 200 through an opening provided in the second chamber wall 405 facing the first chamber wall 404. The drive unit 407 drives the support unit 403 by a cylinder (not shown) disposed in the drive unit 407. The opening provided in the second chamber wall 405 separates the internal space and the external space of the chamber by connection with the bellows 406 connected to the support means 403.

ゲートバルブ４０１と支持手段４０３の接続は、図１（ｂ）の形状になっている。ゲートバルブ４０１は、支持手段と接続する接続部４０１（ａ）と、封止部４０１（ｂ）から構成されている。支持手段４０３は、ベローズと接続する第１の領域４０３（ａ）、接続部４０１（ａ）と接続する第２の領域４０３（ｂ）、ゲートバルブ４０１を閉状態にする場合に封止部４０１（ｂ）と接触する第３の領域４０３（ｃ）とから構成されている。第２の領域４０３（ｂ）は、接触する第３の領域４０３（ｃ）より径が小さく形成されている。ゲートバルブ４０１が開状態になる場合、接続部４０１（ａ）が、第３の領域４０３（ｃ）に接触してゲートバルブ４０１が持ち上げられる構成となっている。ゲートバルブ４０１を閉状態にする場合、第３の領域４０３（ｃ）が封止部４０１（ｂ）に接触して押し込むことにより、ゲートバルブ４０１が第１のチャンバ壁４０４と密着して固定される。第３の領域４０３（ｃ）の封止部４０１（ｂ）との接触面は、球面で形成され、ゲートバルブ４０１が傾いて配置された場合でも、第１のチャンバ壁４０４と密着して固定するように押し込むことができる。   The connection between the gate valve 401 and the support means 403 has the shape shown in FIG. The gate valve 401 includes a connection portion 401 (a) connected to the support means and a sealing portion 401 (b). The support means 403 includes a first region 403 (a) connected to the bellows, a second region 403 (b) connected to the connection portion 401 (a), and the sealing portion 401 when the gate valve 401 is closed. It is comprised from 3rd area | region 403 (c) which contacts (b). The second region 403 (b) is formed to have a smaller diameter than the third region 403 (c) in contact therewith. When the gate valve 401 is in an open state, the connecting portion 401 (a) comes into contact with the third region 403 (c) to lift the gate valve 401. When the gate valve 401 is closed, the third region 403 (c) is pressed in contact with the sealing portion 401 (b), so that the gate valve 401 is fixed in close contact with the first chamber wall 404. The The contact surface of the third region 403 (c) with the sealing portion 401 (b) is formed as a spherical surface, and is fixed in close contact with the first chamber wall 404 even when the gate valve 401 is inclined. Can be pushed in.

クライオポンプ４０２は、第１のチャンバ壁４０４が有する開口を覆うように、チャンバ２００外部側に配置される。チャンバ２００内部は、大気圧から減圧する真空ポンプ（不図示）により、ある程度減圧状態にされる。その後、駆動手段４０７は、支持手段４０３をチャンバ２００の外部方向に動かすことで、ゲートバルブ４０１を開状態にする。チャンバ２００内部は、すでに稼動されているクライオポンプ４０２によって、高真空状態にされる。クライオポンプ４０２は、低温を利用して排気する真空排気ポンプであれば良く、クライオトラップが含まれた真空排気ポンプでも良い。   The cryopump 402 is disposed outside the chamber 200 so as to cover the opening of the first chamber wall 404. The interior of the chamber 200 is decompressed to some extent by a vacuum pump (not shown) that decompresses from the atmospheric pressure. Thereafter, the driving unit 407 moves the support unit 403 toward the outside of the chamber 200 to open the gate valve 401. The inside of the chamber 200 is brought into a high vacuum state by the already operated cryopump 402. The cryopump 402 may be an evacuation pump that evacuates using a low temperature, and may be an evacuation pump including a cryotrap.

チャンバ２００内部が、ある規定よりも低い圧力になった後、被蒸着体である基板１０は、搬送ロボット（不図示）によってチャンバ２００内部に搬送される。基板１０は、チャンバ２００内に設けられた基板保持ユニット（不図示）によって保持される。成膜時において、基板１０は、マスク２２０上面に載置される。マスク２２０は、基板１０上に形成する薄膜パターンに対応する開口パターン２２１を有するメタルマスクであり、チャンバ２００内部において水平面に平行に設置されている。基板１０は、基板保持ユニットによってマスク２２０の上面に載置されことで、チャンバ２００内部において、水平面と平行に、かつ、下面がマスク２２０で覆われる態様で設置される。   After the inside of the chamber 200 is at a pressure lower than a certain level, the substrate 10 as the deposition target is transported into the chamber 200 by a transport robot (not shown). The substrate 10 is held by a substrate holding unit (not shown) provided in the chamber 200. At the time of film formation, the substrate 10 is placed on the upper surface of the mask 220. The mask 220 is a metal mask having an opening pattern 221 corresponding to a thin film pattern formed on the substrate 10, and is installed in the chamber 200 in parallel to the horizontal plane. The substrate 10 is placed on the upper surface of the mask 220 by the substrate holding unit, so that the substrate 10 is installed in a state in which the lower surface is covered with the mask 220 in parallel with the horizontal plane inside the chamber 200.

チャンバ２００内部におけるマスク２２０の下方には、蒸発源装置３００が設けられている。蒸発源装置３００は、概略、蒸着材料を収容する蒸発源容器（坩堝）３０１（以下、容器３０１）と、容器３０１に収容された蒸発材料を加熱する加熱手段としてのヒータ３０２と、を備える。容器３０１内の蒸着材料は、ヒータ３０２の加熱によって容器３０１内で蒸発し、容器３０１上部に設けられたノズル３０３を介して容器３０１外へ噴出する。容器３０１外へ噴出した蒸着材料は、装置３００上方に設置された基板１０の表面に、マスク２２０に設けられた開口パターン２２１に対応して、膜を形成する。また、蒸着中に容器３０１に収容された蒸発材料が、メインバルブ４０１、支持手段４０３、ベロー
ズ４０６等に付着しないように、防着板２３１が設けられている。 An evaporation source device 300 is provided below the mask 220 inside the chamber 200. The evaporation source device 300 generally includes an evaporation source container (crucible) 301 (hereinafter referred to as a container 301) that stores a vapor deposition material, and a heater 302 as a heating unit that heats the evaporation material stored in the container 301. The vapor deposition material in the container 301 evaporates in the container 301 by the heating of the heater 302 and is ejected out of the container 301 through the nozzle 303 provided on the upper part of the container 301. The vapor deposition material ejected out of the container 301 forms a film on the surface of the substrate 10 installed above the apparatus 300 corresponding to the opening pattern 221 provided in the mask 220. Further, a deposition preventing plate 231 is provided so that the evaporation material accommodated in the container 301 does not adhere to the main valve 401, the support means 403, the bellows 406, and the like during the vapor deposition.

蒸発源装置３００には、その他、図示は省略しているが、ヒータ３０２による加熱効率を高めるためのリフレクタや伝熱部材、それらを含む蒸発源装置３００の各構成全体を収容する枠体、シャッタ、蒸発レートモニタなどが備えられる場合がある。また、成膜を基板１０全体に一様に行うために、蒸発源装置３００は、チャンバ２００内部において、固定載置された基板１０に対して相対移動可能に構成される場合がある。なお、真空装置と蒸発源を合わせて蒸着装置とも呼ぶ。   Although not shown in the drawings, the evaporation source device 300 includes a reflector and a heat transfer member for increasing the heating efficiency of the heater 302, a frame body that houses the entire components of the evaporation source device 300 including them, and a shutter. In some cases, an evaporation rate monitor or the like is provided. Further, in order to uniformly form the film on the entire substrate 10, the evaporation source apparatus 300 may be configured to be relatively movable with respect to the substrate 10 fixedly placed inside the chamber 200. Note that the vacuum apparatus and the evaporation source are collectively referred to as a vapor deposition apparatus.

蒸着終了後、基板１０は、基板保持ユニットによってマスク２２０上面から離間され、搬送ロボットによってチャンバ２００外部に搬送される。その後、次の基板１０が、搬送ロボットによってチャンバ２００内部に搬送され蒸着工程が繰り返される。蒸着工程が繰り返されている間、ゲートバルブ４０１が開状態であり、高真空を保つために常にクライオポンプ４０２が稼働している状態が継続している。   After the deposition is completed, the substrate 10 is separated from the upper surface of the mask 220 by the substrate holding unit, and is transferred to the outside of the chamber 200 by the transfer robot. Thereafter, the next substrate 10 is transferred into the chamber 200 by the transfer robot, and the deposition process is repeated. While the vapor deposition process is repeated, the gate valve 401 is in an open state, and the state where the cryopump 402 is always operating to maintain a high vacuum continues.

メンテナンス等により、真空装置を停止する場合、クライオポンプ４０２は稼動したまま、ゲートバルブ４０１を閉状態にする。チャンバ２００に設けられたベント用パイプ（不図示）から大気や窒素ガス等を流入することで、チャンバ２００内部の圧力を大気圧状態にする。   When the vacuum apparatus is stopped due to maintenance or the like, the gate valve 401 is closed while the cryopump 402 is operating. By flowing air, nitrogen gas, or the like from a vent pipe (not shown) provided in the chamber 200, the pressure inside the chamber 200 is changed to an atmospheric pressure state.

＜ゲートバルブの温度低下の原因＞
図２（ａ）は、ゲートバルブの温度低下の原因を説明するための図であり、従来のゲートバルブの構成におけるゲートバルブの温度変化とクライオポンプの動作との関係を示したグラフである。図２（ｂ）、図２（ｃ）は、クライオポンプの動作に対応したゲートバルブの位置を示した図である。 <Cause of gate valve temperature drop>
FIG. 2A is a diagram for explaining the cause of the temperature drop of the gate valve, and is a graph showing the relationship between the temperature change of the gate valve and the operation of the cryopump in the configuration of the conventional gate valve. FIGS. 2B and 2C are views showing the position of the gate valve corresponding to the operation of the cryopump.

図２（ａ）では、実線はゲートバルブの温度変化を示しており、点線がゲートバルブ付近のチャンバの温度変化を示している。グラフ下部の（Ａ）には、チャンバ内の圧力状態が示されており、大気圧と減圧の状態を示している。グラフ下部（Ｂ）は、ゲートバルブの開状態と閉状態を示している。図２（ｂ）は、ゲートバルブが開状態、図２（ｃ）は、ゲートバルブが閉状態のゲートバルブとチャンバ、クライオポンプの位置関係の模式図を示している。図２（ａ）に示すように、ゲートバルブの温度は、チャンバ内の圧力には左右されず、ゲートバルブの開閉により変化していることがわかる。具体的には、ゲートバルブは開いている場合に温度が低下し、閉じている場合に温度が上昇していることが分かる。以上のことから、ゲートバルブは、チャンバと直接接触している場合には、チャンバから熱伝導が行われ温度が上昇している。しかし、ゲートバルブがチャンバとは接触していない開時には、熱伝導が低下している。そのため、ゲートバルブの開時でも温度を低下させないための構成が必要であることがわかった。   In FIG. 2A, the solid line shows the temperature change of the gate valve, and the dotted line shows the temperature change of the chamber near the gate valve. (A) at the bottom of the graph shows the pressure state in the chamber, and shows the atmospheric pressure and the reduced pressure state. The lower part (B) of the graph shows the open state and the closed state of the gate valve. 2B is a schematic diagram showing the positional relationship between the gate valve, the chamber, and the cryopump when the gate valve is in an open state, and FIG. 2C is a state where the gate valve is in a closed state. As shown in FIG. 2A, it can be seen that the temperature of the gate valve does not depend on the pressure in the chamber, but changes as the gate valve opens and closes. Specifically, it can be seen that the temperature decreases when the gate valve is open, and the temperature increases when the gate valve is closed. From the above, when the gate valve is in direct contact with the chamber, heat conduction is performed from the chamber and the temperature rises. However, when the gate valve is open and not in contact with the chamber, the heat conduction is reduced. Therefore, it has been found that a configuration for preventing the temperature from being lowered even when the gate valve is opened is necessary.

＜ゲートバルブの詳細構成＞
図３は、本実施例のゲートバルブ５０１の構成を説明するために、真空装置２００のうち排気システムに関連する構成要素を示した概略断面図である。図１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。本実施例のゲートバルブ５０１において、第２のチャンバ壁４０５に対向する第１の面５０１（ａ）は、フッ素樹脂でコーティングされており、クライオポンプ４０２に対向する第２の面５０１（ｂ）は、ゲートバルブ５０１を形成するステンレスが露出している。 <Detailed configuration of gate valve>
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing components related to the exhaust system in the vacuum apparatus 200 in order to explain the configuration of the gate valve 501 of the present embodiment. Components that are the same as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is simplified. In the gate valve 501 of the present embodiment, the first surface 501 (a) facing the second chamber wall 405 is coated with a fluororesin, and the second surface 501 (b) facing the cryopump 402. The stainless steel forming the gate valve 501 is exposed.

上記構成とすることで、第１の面５０１（ａ）の放射率は、第２の面５０１（ｂ）の放射率より高い構成となる。このことによりゲートバルブ５０１に比べて温度の高い第２のチャンバ壁４０５に対して、高い放射率の面を形成することで、効率的に第２のチャンバ
壁４０５の輻射熱をゲートバルブ５０１に集めることができる。また、ゲートバルブ５０１に比べて温度の低いクライオポンプ４０２に対して、低い放射率の面を形成することで、ゲートバルブ５０１からクライオポンプ４０２への輻射熱を低減することができる。 By setting it as the said structure, the emissivity of 1st surface 501 (a) becomes a structure higher than the emissivity of 2nd surface 501 (b). As a result, a surface having a high emissivity is formed on the second chamber wall 405 having a higher temperature than that of the gate valve 501, thereby efficiently collecting the radiant heat of the second chamber wall 405 to the gate valve 501. be able to. In addition, by forming a surface with a low emissivity for the cryopump 402 having a lower temperature than that of the gate valve 501, radiant heat from the gate valve 501 to the cryopump 402 can be reduced.

第１の面５０１（ａ）は、第２の面５０１（ｂ）に対して、放射率が高ければ良い。また、第１の面５０１（ａ）の放射率は、０．８以上であると望ましい。第１の面５０１（ａ）を形成するための具体的な材料は、フッ素樹脂コーティングだけでなく、クロム化合物の電気メッキや、アルマイト処理等でも良い。   The first surface 501 (a) only needs to have a higher emissivity than the second surface 501 (b). The emissivity of the first surface 501 (a) is preferably 0.8 or more. A specific material for forming the first surface 501 (a) is not limited to the fluororesin coating, but may be electroplating of a chromium compound, anodizing, or the like.

第２の面５０１（ｂ）は、第１の面５０１（ａ）に対して、放射率が低ければ良い。また、第２の面５０１（ｂ）の放射率は、０．４以下であることが望ましい。第２の面５０１（ｂ）の具体的な材料は、ステンレスだけでなく、アルミ等でも良い。また、第１の面５０１（ａ）が対向する部材は、第２のチャンバ壁４０５に限らず、ゲートバルブ５０１より温度が高いものに対向していれば良く、真空装置内に設けられた処理用の装置であってもよい。   The second surface 501 (b) only needs to have a lower emissivity than the first surface 501 (a). The emissivity of the second surface 501 (b) is desirably 0.4 or less. The specific material of the second surface 501 (b) is not limited to stainless steel but may be aluminum or the like. In addition, the member facing the first surface 501 (a) is not limited to the second chamber wall 405, and may be any member that faces a higher temperature than the gate valve 501, and is a process provided in the vacuum apparatus. It may be a device for use.

また、第２のチャンバ壁４０５は、第１の面５０１（ａ）に対向する面の放射率が高く設定されることで、第１の面５０１（ａ）の温度を効率よく上げることができる。第２のチャンバ壁４０５の第１の面５０１（ａ）に対向する面の放射率は、０．４以上であると望ましい。第２のチャンバ壁４０５の第１の面５０１（ａ）に対向する面を形成するための具体的な材料は、フッ素樹脂コーティング、クロム化合物の電気メッキ、アルマイト処理等が上げられる。   In addition, the second chamber wall 405 can efficiently raise the temperature of the first surface 501 (a) by setting the emissivity of the surface facing the first surface 501 (a) to be high. . The emissivity of the surface facing the first surface 501 (a) of the second chamber wall 405 is preferably 0.4 or more. Specific materials for forming the surface facing the first surface 501 (a) of the second chamber wall 405 include fluororesin coating, chromium compound electroplating, alumite treatment, and the like.

［実施例２］
本実施例では、ゲートバルブ４０１の放熱量を低下させる保温手段である反射板５０２を設ける構成について示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。図１と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。保温手段は、ゲートバルブ４０１の面に設けられ、ゲートバルブ４０１より温度の低いものと、ゲートバルブ４０１との間に配置される。図４（ａ）では、ゲートバルブ４０１の一方の面と、ゲートバルブ４０１より低温であるクライオポンプ４０２との間に、保温手段である反射板５０２を設ける構成としている。上記構成とすることで、ゲートバルブ４０１から、ゲートバルブ４０１より温度が低いクライオポンプ４０２への放熱量を低減させることができる。 [Example 2]
In this embodiment, a configuration is shown in which a reflector 502 which is a heat retaining means for reducing the heat radiation amount of the gate valve 401 is provided. Constituent elements common to the other embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description is simplified. Components that are the same as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is simplified. The heat retaining means is provided on the surface of the gate valve 401 and is disposed between the gate valve 401 and the one having a temperature lower than that of the gate valve 401. In FIG. 4A, a reflection plate 502 serving as a heat retaining unit is provided between one surface of the gate valve 401 and a cryopump 402 having a temperature lower than that of the gate valve 401. With the above structure, the amount of heat released from the gate valve 401 to the cryopump 402 having a temperature lower than that of the gate valve 401 can be reduced.

反射板５０２の詳細構成を図４（ｂ）に示す。反射板５０２は、ゲートバルブ４０１からクライオポンプ４０２の方向に重ねて設けられた、反射板５０２（ａ）〜５０２（ｃ）により構成される。反射板５０２（ａ）〜５０２（ｃ）のゲートバルブ４０１に対する固定には、ねじ５０３（ａ）〜５０３（ｆ）が使用されている。反射板５０２（ａ）〜５０２（ｃ）は、複数枚重ねて配置されるほど、効果の向上が期待でき、枚数はこれに限定されない。   A detailed configuration of the reflecting plate 502 is shown in FIG. The reflection plate 502 is configured by reflection plates 502 (a) to 502 (c) provided so as to overlap in the direction from the gate valve 401 to the cryopump 402. Screws 503 (a) to 503 (f) are used for fixing the reflectors 502 (a) to 502 (c) to the gate valve 401. The more the reflectors 502 (a) to 502 (c) are arranged, the more the effect can be expected, and the number of the reflectors is not limited to this.

ゲートバルブ４０１及び反射板５０２（ａ）〜５０２（ｃ）は、隙間を設けて配置されている。そのため、チャンバ２００内が真空になった場合にゲートバルブ４０１からの熱を伝えるのは、輻射熱と、ねじ５０３（ａ）〜（ｆ）になるため、放熱量を極力減らすことができる。また、ねじ５０３（ａ）〜（ｆ）は、一つのねじで固定する部材の数は２つにとどめている。すなわち、一つのねじでゲートバルブ４０１及び反射板５０３（ａ）〜５０３（ｃ）全てを貫通することがない。このことにより、ゲートバルブ４０１からの熱がねじを伝ってクライオポンプ４０２側に直接放出されないような構成となっている。   The gate valve 401 and the reflectors 502 (a) to 502 (c) are arranged with a gap. Therefore, when the inside of the chamber 200 is evacuated, the heat from the gate valve 401 is transmitted by the radiant heat and the screws 503 (a) to (f), so that the heat radiation amount can be reduced as much as possible. The screws 503 (a) to (f) have only two members fixed with one screw. In other words, the gate valve 401 and the reflection plates 503 (a) to 503 (c) do not penetrate all with one screw. Accordingly, the heat from the gate valve 401 is not released directly to the cryopump 402 side through the screw.

［実施例３］
本実施例では、ゲートバルブ４０１の放熱量を低下させる保温手段である回転機構５０３、回転補助機構５０４を設ける構成について示す。図５（ａ）、（ｂ）では、ゲートバルブ４０１を保温手段である回転機構５０３、回転補助機構５０４により傾ける構成としている。これにより、クライオポンプ４０２に対向するゲートバルブ４０１の面積を小さくし、より温度が低いクライオポンプ４０２への放熱量を低減させることができる。 [Example 3]
In this embodiment, a configuration is shown in which a rotation mechanism 503 and a rotation assist mechanism 504, which are heat retaining means for reducing the heat radiation amount of the gate valve 401, are provided. 5A and 5B, the gate valve 401 is inclined by a rotation mechanism 503 and a rotation assist mechanism 504 that are heat retaining means. Thereby, the area of the gate valve 401 facing the cryopump 402 can be reduced, and the amount of heat released to the cryopump 402 having a lower temperature can be reduced.

ゲートバルブ４０１は、回転機構５０３を介して支持手段４０３に接続されており、ゲートバルブ４０１が支持手段４０３に対して自由に向きが変えられる機構になっている。回転補助機構５０４は、チャンバ２００の側面等に固定されている。ゲートバルブ４０１が、支持手段４０３によって持ち上げられ、ゲートバルブ４０１の第２のチャンバ壁４０５に対向する面が、回転補助機構５０４と接触する。そして、ゲートバルブ４０１が更に高く持ち上げられることにより、ゲートバルブ４０１が傾く（図５（ｂ））。このことにより、クライオポンプ４０２に対向するゲートバルブ４０１の面積が小さくなり、クライオポンプ４０２への放熱量が低下する。また、ゲートバルブ４０１は、ゲートバルブ４０１よりも温度の高い、第２のチャンバ壁４０５と同等の温度である他のチャンバ壁と対向する面積が大きくなっている。このことにより、ゲートバルブ４０１の温度を更に上げることができる。   The gate valve 401 is connected to the support means 403 via the rotation mechanism 503, and the gate valve 401 is a mechanism that can freely change the direction with respect to the support means 403. The rotation assist mechanism 504 is fixed to the side surface of the chamber 200 or the like. The gate valve 401 is lifted by the support means 403, and the surface of the gate valve 401 that faces the second chamber wall 405 contacts the rotation assist mechanism 504. Then, when the gate valve 401 is lifted higher, the gate valve 401 is tilted (FIG. 5B). As a result, the area of the gate valve 401 facing the cryopump 402 is reduced, and the amount of heat released to the cryopump 402 is reduced. Further, the gate valve 401 has a larger area facing the other chamber wall, which is higher in temperature than the gate valve 401 and has the same temperature as the second chamber wall 405. As a result, the temperature of the gate valve 401 can be further increased.

また、回転補助機構５０４は、発熱する構成としても良い。これにより、ゲートバルブ４０１との接触時に、回転補助機構５０４からの熱が伝わりゲートバルブ４０１の温度を上げることができる。   Further, the rotation assist mechanism 504 may be configured to generate heat. Thereby, at the time of contact with the gate valve 401, heat from the rotation assist mechanism 504 is transmitted and the temperature of the gate valve 401 can be raised.

［実施例４］
本実施例では、ゲートバルブ４０１に対して、支持手段４０３とは異なる経路で熱伝導により熱を供給する熱供給手段を設ける構成について示す。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、説明を簡略化する。 [Example 4]
In this embodiment, a configuration in which heat supply means for supplying heat by heat conduction through a path different from the support means 403 is provided for the gate valve 401 is shown. Constituent elements common to the other embodiments are denoted by the same reference numerals, and the description is simplified.

図６では、第２のチャンバ壁４０５に熱供給手段６０１が設けられ、ゲートバルブ４０１が開時にゲートバルブ４０１に接し、閉時に離間する構成としている。熱供給手段６０１としては、熱伝導が高いアルミ等で形成されたブロックが用いられる。   In FIG. 6, heat supply means 601 is provided on the second chamber wall 405 so that the gate valve 401 is in contact with the gate valve 401 when it is opened and is separated when it is closed. As the heat supply means 601, a block formed of aluminum or the like having high heat conduction is used.

図７では、チャンバ２００の内部空間に対して、ベローズ６０２によって区分けされた空間を設け、区分けされた空間はゲートバルブと接する構成とする。区分けされた空間内には、大気等の流体である熱供給手段６０３を流入させて、ゲートバルブ４０１に熱を伝える。   In FIG. 7, a space partitioned by a bellows 602 is provided with respect to the internal space of the chamber 200, and the partitioned space is in contact with the gate valve. Heat is supplied to the gate valve 401 by flowing heat supply means 603 that is a fluid such as air into the partitioned space.

本実施例での熱供給手段は、支持手段４０３とは異なる経路で設けられる。このような構成とすることで、支持手段４０３の構成を図１（ｂ）で示した様な、ゲートバルブ４０１との接触面積が小さい場合でも、ゲートバルブ４０１に熱を供給することができる。   The heat supply means in this embodiment is provided by a route different from that of the support means 403. By adopting such a configuration, heat can be supplied to the gate valve 401 even when the structure of the support means 403 has a small contact area with the gate valve 401 as shown in FIG.

［実施例５］
上記各実施例は、それぞれの構成を可能な限り互いに組み合わせることができる。図８は、その一例である。本実施例では、ゲートバルブ５０１が、第１の面５０１（ａ）と第２の面５０１（ｂ）を有する構成としている。更に、ゲートバルブ５０１の放熱量を低下させる保温手段である反射板５０２を設ける構成としている。上記構成とすることで、ゲートバルブ５０１の温度を、より効率的に高める構成としている。他の実施例と共通する構成については同じ符号を付し、本実施例で特に説明しない事項は、上記実施例と同様である。 [Example 5]
The above embodiments can be combined with each other as much as possible. FIG. 8 shows an example. In this embodiment, the gate valve 501 has a first surface 501 (a) and a second surface 501 (b). Furthermore, a configuration is provided in which a reflection plate 502 serving as a heat retaining means for reducing the heat radiation amount of the gate valve 501 is provided. By setting it as the said structure, it is set as the structure which raises the temperature of the gate valve 501 more efficiently. Components common to the other embodiments are denoted by the same reference numerals, and items not particularly described in the present embodiment are the same as those in the above embodiment.

［実施例６］
＜有機電子デバイスの製造方法の具体例＞
上記各実施例における真空装置を、有機電子デバイスの製造に用いた場合の一具体例を、実施例６として説明する。以下、有機電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図９（ａ）は有機ＥＬ表示装置６０の全体図、図９（ｂ）は１画素の断面構造を表している。 [Example 6]
<Specific Example of Manufacturing Method of Organic Electronic Device>
A specific example when the vacuum apparatus in each of the above embodiments is used for manufacturing an organic electronic device will be described as a sixth embodiment. Hereinafter, the structure and manufacturing method of an organic EL display device will be exemplified as an example of the organic electronic device. First, an organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 9A shows an overall view of the organic EL display device 60, and FIG. 9B shows a cross-sectional structure of one pixel.

図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置６０の表示領域６１には、発光素子を複数備える画素６２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。なお、ここでいう画素とは、表示領域６１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。本実施例にかかる有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子６２Ｒ、第２発光素子６２Ｇ、第３発光素子６２Ｂの組合せにより画素６２が構成されている。画素６２は、赤色発光素子と緑色発光素子と青色発光素子の組合せで構成されることが多いが、黄色発光素子とシアン発光素子と白色発光素子の組み合わせでもよく、少なくとも１色以上であれば特に制限されるものではない。   As shown in FIG. 9A, in the display area 61 of the organic EL display device 60, a plurality of pixels 62 each including a plurality of light emitting elements are arranged in a matrix. Although details will be described later, each of the light-emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. Here, the pixel refers to a minimum unit that enables display of a desired color in the display area 61. In the case of the organic EL display device according to this example, the pixel 62 is configured by a combination of the first light emitting element 62R, the second light emitting element 62G, and the third light emitting element 62B that emit different light. The pixel 62 is often composed of a combination of a red light emitting element, a green light emitting element, and a blue light emitting element, but may be a combination of a yellow light emitting element, a cyan light emitting element, and a white light emitting element. It is not limited.

図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ｂ線における部分断面模式図である。画素６２は、基板６３上に、第１電極（陽極）６４と、正孔輸送層６５と、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂのいずれかと、電子輸送層６７と、第２電極（陰極）６８と、を備える有機ＥＬ素子を有している。これらのうち、正孔輸送層６５、発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂ、電子輸送層６７が有機層に当たる。また、本実施形態では、発光層６６Ｒは赤色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｇは緑色を発する有機ＥＬ層、発光層６６Ｂは青色を発する有機ＥＬ層である。発光層６６Ｒ，６６Ｇ，６６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。また、第１電極６４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層６５と電子輸送層６７と第２電極６８は、複数の発光素子６２Ｒ，６２Ｇ，６２Ｂと共通で形成されていてもよいし、発光素子毎に形成されていてもよい。なお、第１電極６４と第２電極６８とが異物によってショートするのを防ぐために、第１電極６４間に絶縁層６９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層７０が設けられている。   FIG. 9B is a partial schematic cross-sectional view taken along the line AB of FIG. The pixel 62 includes a first electrode (anode) 64, a hole transport layer 65, one of the light emitting layers 66 </ b> R, 66 </ b> G, and 66 </ b> B, an electron transport layer 67, and a second electrode (cathode) 68 on a substrate 63. And an organic EL element. Among these, the hole transport layer 65, the light emitting layers 66R, 66G, and 66B, and the electron transport layer 67 correspond to the organic layer. In the present embodiment, the light emitting layer 66R is an organic EL layer that emits red, the light emitting layer 66G is an organic EL layer that emits green, and the light emitting layer 66B is an organic EL layer that emits blue. The light emitting layers 66R, 66G, and 66B are formed in patterns corresponding to light emitting elements that emit red, green, and blue (sometimes referred to as organic EL elements). The first electrode 64 is formed separately for each light emitting element. The hole transport layer 65, the electron transport layer 67, and the second electrode 68 may be formed in common with the plurality of light emitting elements 62R, 62G, and 62B, or may be formed for each light emitting element. Note that an insulating layer 69 is provided between the first electrodes 64 in order to prevent the first electrode 64 and the second electrode 68 from being short-circuited by foreign matter. Furthermore, since the organic EL layer is deteriorated by moisture and oxygen, a protective layer 70 for protecting the organic EL element from moisture and oxygen is provided.

次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）および第１電極６４が形成された基板６３を準備する。
第１電極６４が形成された基板６３の上にアクリル樹脂をスピンコートで形成し、アクリル樹脂をリソグラフィ法により、第１電極６４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層６９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。
絶縁層６９がパターニングされた基板６３を第１の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて基板を保持し、正孔輸送層６５を、表示領域の第１電極６４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層６５は真空蒸着により成膜される。実際には正孔輸送層６５は表示領域６１よりも大きなサイズに形成されるため、高精細なマスクは不要である。 Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described.
First, a circuit (not shown) for driving the organic EL display device and a substrate 63 on which the first electrode 64 is formed are prepared.
An acrylic resin is formed by spin coating on the substrate 63 on which the first electrode 64 is formed, and the acrylic resin is patterned by a lithography method so that an opening is formed in a portion where the first electrode 64 is formed. 69 is formed. This opening corresponds to a light emitting region where the light emitting element actually emits light.
The substrate 63 patterned with the insulating layer 69 is carried into the first film formation apparatus, the substrate is held by the substrate holding unit, and the hole transport layer 65 is a common layer on the first electrode 64 in the display region. As a film formation. The hole transport layer 65 is formed by vacuum deposition. Actually, since the hole transport layer 65 is formed in a size larger than the display region 61, a high-definition mask is not necessary.

次に、正孔輸送層６５までが形成された基板６３を第２の成膜装置に搬入し、基板保持ユニットにて保持する。基板とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、基板６３の赤色を発する素子を配置する部分に、赤色を発する発光層６６Ｒを成膜する。
発光層６６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置により緑色を発する発光層６６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置により青色を発する発光層６６Ｂを成膜する。発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置により表示領域６１の全体に電子輸
送層６７を成膜する。電子輸送層６７は、３色の発光層６６Ｒ、６６Ｇ、６６Ｂに共通の層として形成される。
電子輸送層６７までが形成された基板に、第２電極６８を形成し、その後保護層７０を形成して、有機ＥＬ表示装置６０が完成する。 Next, the substrate 63 on which the hole transport layer 65 is formed is carried into the second film forming apparatus and held by the substrate holding unit. The substrate and the mask are aligned, the substrate is placed on the mask, and the light emitting layer 66R that emits red is formed on the portion of the substrate 63 where the element that emits red is disposed.
Similarly to the formation of the light emitting layer 66R, the light emitting layer 66G that emits green is formed by the third film forming apparatus, and the light emitting layer 66B that emits blue is formed by the fourth film forming apparatus. After the formation of the light emitting layers 66R, 66G, and 66B is completed, the electron transport layer 67 is formed on the entire display region 61 by the fifth film formation apparatus. The electron transport layer 67 is formed as a layer common to the three-color light emitting layers 66R, 66G, and 66B.
The second electrode 68 is formed on the substrate on which the electron transport layer 67 is formed, and then the protective layer 70 is formed, whereby the organic EL display device 60 is completed.

絶縁層６９がパターニングされた基板６３を成膜装置に搬入してから保護層７０の成膜が完了するまでは、水分や酸素を含む雰囲気にさらしてしまうと、有機層や電極が水分や酸素によって劣化してしまうおそれがある。従って、本例において、成膜装置間の基板の搬入搬出は、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気の下で行われる。
このようにして得られた有機ＥＬ表示装置は、発光素子ごとに発光層が精度よく形成される。 If the substrate 63 on which the insulating layer 69 is patterned is carried into the film formation apparatus and the film formation of the protective layer 70 is completed, exposure to an atmosphere containing moisture or oxygen causes the organic layer or electrode to become moisture or oxygen. May deteriorate. Therefore, in this example, the carrying-in / out of the substrate between the film forming apparatuses is performed in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.
In the organic EL display device thus obtained, a light emitting layer is accurately formed for each light emitting element.

２００：チャンバ、４０４：第１のチャンバ壁、４０５：第２のチャンバ壁（第１の部材）、４０２：クライオポンプ（第２の部材）
５０１：ゲートバルブ、５０１（ａ）：第１の面、５０１（ｂ）：第２の面 200: chamber, 404: first chamber wall, 405: second chamber wall (first member), 402: cryopump (second member)
501: Gate valve, 501 (a): first surface, 501 (b): second surface

Claims (23)

内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブの第１の面は、前記ゲートバルブよりも温度の高い第１の部材に対向し、
前記ゲートバルブの第２の面は、前記ゲートバルブよりも温度の低い第２の部材に対向し、
前記第１の面の放射率は、前記第２の面の放射率より高いことを特徴とする真空装置。 A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening,
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
The first surface of the gate valve faces the first member having a temperature higher than that of the gate valve,
The second surface of the gate valve faces the second member having a temperature lower than that of the gate valve,
The vacuum apparatus according to claim 1, wherein an emissivity of the first surface is higher than an emissivity of the second surface. 前記第１の面は、フッ素樹脂、クロム化合物、及びアルマイトの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１に記載の真空装置。  The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the first surface includes at least one of a fluororesin, a chromium compound, and an alumite. 前記第１の面は、フッ素樹脂で形成されることを特徴とする請求項１に記載の真空装置。   The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the first surface is made of a fluororesin. 前記第２の面と、前記第２の部材との間に反射板を設けることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の真空装置。 Wherein the second surface, the vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 3, characterized by providing a reflecting plate between said second member. 前記チャンバは、前記第１のチャンバ壁に対向する第２のチャンバ壁を有し、
前記第１の部材は、前記第２のチャンバ壁であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の真空装置。 The chamber has a second chamber wall facing the first chamber wall,
It said first member, a vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 4, characterized in that said second chamber walls. 前記第１の面の放射率は、０．８以上であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の真空装置。   The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the emissivity of the first surface is 0.8 or more. 前記第２の部材は、クライオポンプまたはクライオトラップを含む真空排気ポンプであ  The second member is a vacuum pump including a cryopump or a cryotrap.
ることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の真空装置。The vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブは前記ゲートバルブより低温の部材と対向し、
前記ゲートバルブと前記低温の部材との間に反射板を有することを特徴とする真空装置。 A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
The gate valve faces a member having a lower temperature than the gate valve,
A vacuum apparatus comprising a reflector between the gate valve and the low temperature member . 前記反射板は、複数枚重ねて配置され、複数枚の前記反射板は隙間を設けて配置されていることを特徴とする請求項８に記載の真空装置。   The vacuum apparatus according to claim 8, wherein a plurality of the reflection plates are arranged so as to overlap each other, and the plurality of reflection plates are arranged with a gap. 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを回転させる回転機構を有し、
前記ゲートバルブは、開時に前記回転機構によって回転することにより、前記開口に対向する面積が閉時に対して少なくなることを特徴とする真空装置。 A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
Has a rotation mechanism for rotating the pre-Symbol gate valve,
The gate valve, by rotating by the rotation mechanism to open up, vacuum apparatus, characterized in that the area which faces the opening is reduced relative to closed. 前記真空装置は、前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段を有し、
前記支持手段は、前記ゲートバルブと接触する接触面が球面で形成されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の真空装置。 The vacuum apparatus has support means for driving the gate valve,
11. The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the support means has a spherical contact surface that contacts the gate valve. 11. 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手段と、を有しており、
前記熱供給手段は、前記ゲートバルブが開時にゲートバルブに接し、閉時に離間する部材である
ことを特徴とする真空装置。 A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
Support means for driving the gate valve;
And have a, a heat supply means for supplying heat by thermal conduction to said gate valve in a path different from said support means,
The vacuum apparatus , wherein the heat supply means is a member that contacts the gate valve when the gate valve is open and separates when the gate valve is closed . 内部空間が減圧雰囲気にされるチャンバと、
前記チャンバの前記内部空間と、外部空間を隔てるゲートバルブを有する真空装置であって、
前記チャンバは、開口を有する第１のチャンバ壁を有し、
前記ゲートバルブは、前記開口を覆うように設置され、前記第１のチャンバ壁に対して交差する方向に開閉し、
前記ゲートバルブを駆動させるための支持手段と、
前記支持手段とは異なる経路で前記ゲートバルブに熱伝導により熱を供給する熱供給手
段と、を有しており、
前記熱供給手段は、前記チャンバの内部空間に対して区分けされた空間でゲートバルブに接する流体であることを特徴とする真空装置。 A chamber in which the internal space is evacuated, and
A vacuum apparatus having a gate valve separating the internal space of the chamber from the external space,
The chamber has a first chamber wall having an opening;
The gate valve is installed so as to cover the opening, and opens and closes in a direction intersecting the first chamber wall;
Support means for driving the gate valve;
A heat supply means for supplying heat to the gate valve by heat conduction through a path different from the support means.
And having a stage
The vacuum apparatus according to claim 1, wherein the heat supply means is a fluid in contact with the gate valve in a space separated from the internal space of the chamber. 前記チャンバの内部空間と、前記区分けされた空間とは、ベローズにより区分けされていることを特徴とする請求項１３に記載の真空装置。 The interior space of the chamber, the A divided space, the vacuum apparatus according to claim 1 3, characterized in that it is divided by a bellows. 前記熱供給手段は、前記支持手段に対して、前記ゲートバルブへの熱伝導が高いことを特徴とする請求項１２乃至１４のいずれか一項に記載の真空装置。 It said heat supplying means, the relative support means, vacuum device according to any one of claims 12 to 1 4, wherein the thermal conductivity is high to the gate valve. 前記支持手段は、前記ゲートバルブと接触する接触面が球面で形成されていることを特徴とする請求項１２乃至１５のいずれか一項に記載の真空装置。 Said supporting means, a vacuum apparatus according to any one of claims 12 to 1 5 contact surface in contact with the gate valve is characterized in that it is formed by a spherical surface. 前記チャンバの前記開口には、クライオポンプまたはクライオトラップを含む真空排気ポンプが接続されていることを特徴とする請求項１２乃至１６のいずれか一項に記載の真空装置。  17. The vacuum apparatus according to claim 12, wherein a vacuum pump including a cryopump or a cryotrap is connected to the opening of the chamber. 請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の真空装置と、
前記真空装置内に設置される蒸発源と、を有することを特徴とする蒸着装置。 A vacuum apparatus according to any one of claims 1 to 17,
Vapor deposition apparatus characterized that you have a, an evaporation source installed in the vacuum apparatus. 請求項７又は１７に記載の真空装置と、
前記真空装置内に設置される蒸発源と、を有し、
前記真空装置内に搬入される被蒸着体に対し、前記蒸発源に収容された蒸発材料を蒸着する蒸着工程を行う蒸着装置であって、
前記ゲートバルブは開であり、かつ、前記クライオポンプが稼働している状態が継続している間に、前記蒸着工程は、前記被蒸着体の蒸着終了後に、異なる被蒸着体が搬入されることで繰り返される、
ことを特徴とする蒸着装置。 A vacuum apparatus according to claim 7 or 17 ,
An evaporation source installed in the vacuum device,
A vapor deposition apparatus that performs a vapor deposition step of vapor depositing an evaporation material accommodated in the evaporation source, on an object to be deposited carried into the vacuum apparatus,
Before Symbol gate valve is opened, and the while the cryopump continues the state running, the deposition process, the after completion deposition of the deposition object, is different deposition object is carried Is repeated,
The vapor deposition apparatus characterized by the above-mentioned. 開口を覆うように設置され、前記開口を形成する壁に対して交差する方向に開閉するゲートバルブであって、
前記ゲートバルブは、前記方向とそれぞれ交差する第１の面と第２の面とを有し、
前記第１の面の放射率は、前記第２の面の放射率より高く、
前記第２の面と対向するように配置された反射板を有することを特徴とするゲートバルブ。 A gate valve installed so as to cover the opening and opening and closing in a direction crossing the wall forming the opening,
The gate valve has a first surface and a second surface that intersect the direction, respectively.
Emissivity of the first surface is higher than the emissivity of the second surface,
Gate valve and having a arranged reflector so as to face the second surface. 前記第１の面は、フッ素樹脂、クロム化合物、及びアルマイトの少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項２０に記載のゲートバルブ。 The gate valve according to claim 20, wherein the first surface includes at least one of a fluororesin , a chromium compound, and an alumite . 前記第１の面の放射率は、０．８以上であることを特徴とする請求項２０又は２１に記載のゲートバルブ。   The gate valve according to claim 20 or 21, wherein the emissivity of the first surface is 0.8 or more. 前記反射板は、前記ゲートバルブと、前記ゲートバルブより温度の低い部材と、の間に配置されることを特徴とする請求項２０乃至２２のいずれか一項に記載のゲートバルブ。   23. The gate valve according to claim 20, wherein the reflecting plate is disposed between the gate valve and a member having a temperature lower than that of the gate valve.
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