JPH0770733A - Semiconductor producing device and vacuum evacuating method - Google Patents
Semiconductor producing device and vacuum evacuating methodInfo
- Publication number
- JPH0770733A JPH0770733A JP21765393A JP21765393A JPH0770733A JP H0770733 A JPH0770733 A JP H0770733A JP 21765393 A JP21765393 A JP 21765393A JP 21765393 A JP21765393 A JP 21765393A JP H0770733 A JPH0770733 A JP H0770733A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- valve
- vacuum
- vacuum chamber
- gas
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
- F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Compressors, Vaccum Pumps And Other Relevant Systems (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は真空チャンバーを有する
半導体製造装置及びその真空排気方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus having a vacuum chamber and a method for evacuating the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造装置、例えばスパッタ
リング、イオン注入、イオンエッチング等の装置におい
ては、半導体素子の高精細化に伴い、真空チャンバーの
高真空度、高清浄性が要求される。この要求に適する真
空ポンプの１つとしてクライオポンプ（Ｃｒｙｏ Ｐｕ
ｍｐ）が用いられている。2. Description of the Related Art In a semiconductor device manufacturing apparatus such as a sputtering apparatus, an ion implantation apparatus, an ion etching apparatus and the like, a high vacuum degree and a high cleanliness of a vacuum chamber are required as a semiconductor element becomes finer. One of the vacuum pumps suitable for this requirement is a Cryo Pu (Cryo Pu).
mp) is used.
【０００３】クライオポンプは排気する気体を極低温に
冷却して除去するものである。一般に気体を極低温に冷
却してゆくと、やがて液化し、さらに冷却すると平衝蒸
気圧は次第に低下してゆく。液体水素温度（２０．４°
Ｋ）あるいは液体ヘリウム温度（４．２°Ｋ）では主な
気体の平衝蒸気圧は表１の如くである。The cryopump cools the exhaust gas to an extremely low temperature and removes it. Generally, when a gas is cooled to an extremely low temperature, it is liquefied in time, and when it is further cooled, the equilibrium vapor pressure gradually decreases. Liquid hydrogen temperature (20.4 °
K) or liquid helium temperature (4.2 ° K), the equilibrium vapor pressures of the main gases are as shown in Table 1.
【０００４】[0004]
【表１】 [Table 1]
【０００５】クライオポンプはこの現象を利用したもの
で超高真空が得られる。この形式のポンプにおいて、実
際に気体を凝縮させるための極低温の板をクライオパネ
ルと云い、クライオパネルでの気体の凝縮確率は、ほと
んどの気体に対して１で、排気速度としてはきわめて大
きい値が得られる。また、拡散ポンプの様に油又は水銀
等を用いないので高清浄が得られる。The cryopump utilizes this phenomenon, and an ultrahigh vacuum can be obtained. In this type of pump, the cryogenic plate that actually condenses the gas is called the cryopanel. The condensation probability of the gas on the cryopanel is 1 for most gases, and the value for the exhaust speed is extremely large. Is obtained. Further, unlike the diffusion pump, high cleanliness can be obtained because oil or mercury is not used.
【０００６】図２は上記クライオポンプを用いた従来の
半導体製造装置を示す図である。同図において、１は半
導体製造装置の真空チャンバー、２はクライオポンプで
ある。３は真空チャンバーとクライオポンプ間に設けら
れたゲートバルブで弁４と弁座５とよりなり、該ゲート
バルブは真空チャンバー側に設けられている。なお６は
クライオポンプへのＮ2 ガス導入弁、７はＮ2 ガス排出
弁である。FIG. 2 is a view showing a conventional semiconductor manufacturing apparatus using the cryopump. In the figure, 1 is a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus, and 2 is a cryopump. Reference numeral 3 denotes a gate valve provided between the vacuum chamber and the cryopump, which includes a valve 4 and a valve seat 5, and the gate valve is provided on the vacuum chamber side. Reference numeral 6 is an N 2 gas introduction valve to the cryopump, and 7 is an N 2 gas discharge valve.
【０００７】そして、同図（ａ）は真空チャンバー１を
排気している状態であり、クライオポンプ２はＮ2 ガス
導入弁６及び排出弁７を閉じて内部の図示なきクライオ
パネルを圧縮されたＨｅガスの膨張を利用して冷却し、
開放されたゲートバルブ３から真空チャンバー１内の気
体を吸着している。クライオパネルは大量に気体を吸着
すると排気能力が低下するので、適時吸着した気体を除
く必要があり、この操作を再生という。FIG. 1A shows a state in which the vacuum chamber 1 is evacuated, and the cryopump 2 closes the N 2 gas introduction valve 6 and the discharge valve 7 to compress a cryopanel (not shown) inside. Cooling by utilizing the expansion of He gas,
The gas in the vacuum chamber 1 is adsorbed from the opened gate valve 3. When a large amount of gas is adsorbed on a cryopanel, the exhaust capacity decreases, so it is necessary to remove the adsorbed gas at appropriate times, and this operation is called regeneration.
【０００８】クライオパネルの再生は、図２（ｂ）の如
くゲートバルブ３を閉じ、図２（ｃ）の如くＮ2 ガス導
入弁６及び排出弁７を開いてクライオポンプ２内にＮ2
ガスを導入し、該Ｎ2 ガスでクライオパネルを暖めて液
化又は固体化している気体を蒸発させ、Ｎ2 ガスと共に
排出弁７から排出するのである。[0008] reproduction of the cryopanel, closes the gate valve 3 as shown in FIG. 2 (b), N 2 into cryopump 2 Open N 2 gas introduction valve 6 and the discharge valve 7 as shown in FIG. 2 (c)
Introducing a gas to evaporate the gas is liquefied or solidified warm cryopanel in the N 2 gas is to exhaust from the exhaust valve 7 with N 2 gas.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体製造
装置では、再生時にポンプ側の気体が排気される真空チ
ャンバー１側に逆流しないようにしなければならない。
ところが従来のゲートバルブ３は真空チャンバー１側に
設けられ、弁４は弁座５に真空チャンバー側から押えら
れており、且つクライオポンプ２側が再生用Ｎ2 ガスで
陽圧となるため、Ｎ2 ガスがゲートバルブ３の弁４を押
し上げるように作用する。このため図２（ｃ）の如く弁
４と弁座５とのすきまからＮ2 ガスが真空チャンバー１
側に漏れ易く、漏れたガスが真空チャンバー内を汚染す
るため、チャンバーのクリーニングや製品条件での膜質
の再確認をしなければならないという問題を生じてい
た。In the above-mentioned conventional semiconductor manufacturing apparatus, it is necessary to prevent the gas on the pump side from flowing back to the vacuum chamber 1 side, which is exhausted during regeneration.
However the conventional gate valve 3 provided in the vacuum chamber 1 side, the valve 4 is pressed from the vacuum chamber side valve seat 5, and since the cryopump 2 side becomes positive pressure with N 2 gas for regeneration, N 2 The gas acts to push up the valve 4 of the gate valve 3. Therefore, as shown in FIG. 2 (c), N 2 gas flows from the clearance between the valve 4 and the valve seat 5 into the vacuum chamber 1.
Since the leaked gas easily leaks to the side and the leaked gas contaminates the inside of the vacuum chamber, there is a problem that cleaning of the chamber and reconfirmation of the film quality under the product conditions must be performed.
【００１０】本発明は、真空排気ポンプの再生時に再生
用ガスが真空チャンバーの方へ漏れないようにした半導
体製造装置及びその真空排気方法を実現しようとする。The present invention is intended to realize a semiconductor manufacturing apparatus and a vacuum exhaust method thereof in which a regeneration gas is prevented from leaking into a vacuum chamber during regeneration of a vacuum exhaust pump.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体製造装置
に於いては、少なくとも真空チャンバー１と、該真空チ
ャンバー１内を排気する真空排気ポンプ２と、上記真空
チャンバー１と真空排気ポンプ２との間に設けられたゲ
ートバルブ３とを具備した半導体製造装置において、上
記ゲートバルブ３は、真空チャンバー１と真空排気ポン
プ２との間に弁室８を有し、該弁室８内には真空チャン
バー側及び真空排気ポンプ側にそれぞれ弁座５，５′が
設けられ、さらに該弁座５，５′間に弁４が何れの弁座
５，５′にも密着できるように設けられて成ることを特
徴とする。In the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention, at least a vacuum chamber 1, a vacuum exhaust pump 2 for exhausting the inside of the vacuum chamber 1, the vacuum chamber 1 and the vacuum exhaust pump 2 are provided. In the semiconductor manufacturing apparatus including the gate valve 3 provided between the vacuum chamber 1 and the vacuum exhaust pump 2, the gate valve 3 has a valve chamber 8 between the vacuum chamber 1 and the vacuum exhaust pump 2. Valve seats 5 and 5'are provided on the vacuum chamber side and the vacuum exhaust pump side, respectively, and a valve 4 is provided between the valve seats 5 and 5'so that it can be in close contact with any of the valve seats 5 and 5 '. It is characterized by being formed.
【００１２】また、本発明の半導体製造装置の真空排気
方法に於いては、上記半導体装置において、真空チャン
バー１の真空排気時にはゲートバルブ３の弁４を２つの
弁座５，５′の中間に位置させて何れの弁座にも着座さ
せず、真空排気ポンプ２の再生時にはゲートバルブ３の
弁４を真空チャンバー１側の弁座５に密着させることを
特徴とする。Further, in the method of evacuating the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention, in the above semiconductor device, when the vacuum chamber 1 is evacuated, the valve 4 of the gate valve 3 is placed between the two valve seats 5 and 5 '. When the vacuum exhaust pump 2 is regenerated, the valve 4 of the gate valve 3 is brought into close contact with the valve seat 5 on the vacuum chamber 1 side when the vacuum exhaust pump 2 is regenerated.
【００１３】この構成を採ることにより、真空排気ポン
プの再生時に再生用ガスが真空チャンバーの方へ漏れな
いようにした半導体製造装置及びその真空排気方法が得
られる。By adopting this structure, it is possible to obtain the semiconductor manufacturing apparatus and the vacuum exhaust method thereof in which the regeneration gas is prevented from leaking to the vacuum chamber during the regeneration of the vacuum exhaust pump.
【００１４】[0014]
【作用】本発明では、真空チャンバーと真空排気ポンプ
との間に設けられたゲートバルブを図１（ａ）に示すよ
うに、真空チャンバー１側にも、真空排気ポンプ２側に
もそれぞれ弁座５，５′を設け、弁４は何れの弁座５，
５′にも密着できるようにしたことにより、真空排気ポ
ンプ２の再生時には、図１（ｃ）の如くゲートバルブ３
の弁４を真空チャンバー１側の弁座５に密着させること
により、真空排気ポンプ２側が陽圧となっても、その陽
圧が弁４を弁座５に押し付けるように作用するため、弁
４は弁座５に密着してすきまを生じないため、真空排気
ポンプ２側の再生用ガスが真空チャンバー１側に漏れる
のを防止することができる。In the present invention, the gate valve provided between the vacuum chamber and the vacuum exhaust pump is seated on both the vacuum chamber 1 side and the vacuum exhaust pump 2 side as shown in FIG. 1 (a). 5, 5'are provided, and the valve 4 has any valve seat 5,
Since the vacuum exhaust pump 2 is regenerated, the gate valve 3 as shown in FIG.
By closely contacting the valve 4 with the valve seat 5 on the vacuum chamber 1 side, the positive pressure acts to press the valve 4 against the valve seat 5 even when the vacuum exhaust pump 2 side has a positive pressure. Does not produce a clearance due to the close contact with the valve seat 5, it is possible to prevent the regeneration gas on the vacuum exhaust pump 2 side from leaking to the vacuum chamber 1 side.
【００１５】[0015]
【実施例】図１は本発明の半導体製造装置の実施例及び
その真空排気方法を説明するための図である。本発明の
半導体製造装置の実施例は、図１（ａ）に示すように、
半導体の処理を行う真空チャンバー１と、該真空チャン
バーを真空排気する真空排気ポンプとしてのクライオポ
ンプ２とがゲートバルブ３を介して接続されていること
は図２で説明した従来例と同様であり、本発明の要点は
このゲートバルブ３にある。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention and a vacuum exhaust method thereof. The embodiment of the semiconductor manufacturing apparatus of the present invention is, as shown in FIG.
A vacuum chamber 1 for processing semiconductors and a cryopump 2 as a vacuum exhaust pump for evacuating the vacuum chamber are connected via a gate valve 3 as in the conventional example described in FIG. The point of the present invention lies in this gate valve 3.
【００１６】このゲートバルブ３は真空チャンバー１と
クライオポンプ２との間に、それぞれに開口した弁室８
を設け、該弁室８の真空チャンバー側の開口に弁座５
を、クライオポンプ側の開口に弁座５′をそれぞれ設
け、さらに、対向する２つの弁座５，５′の中間に、そ
の何れの弁座５，５′にも密着できる（但し２つの弁座
５，５′に同時には密着できない）ようにした弁４を設
けたものである。なお符号６はクライオポンプの再生時
にクライオパネルを加熱するためのＮ2 ガスを導入する
ためのＮ2 ガス導入弁であり、７はその排出弁である。The gate valve 3 has a valve chamber 8 opened between the vacuum chamber 1 and the cryopump 2 respectively.
And a valve seat 5 at the opening of the valve chamber 8 on the vacuum chamber side.
Is provided in the opening on the side of the cryopump, and further, in the middle of the two valve seats 5 and 5'which face each other, it is possible to make close contact with any of the valve seats 5 and 5 ' The valve 4 is provided so that the seats 5 and 5'cannot be in close contact at the same time. Reference numeral 6 is an N 2 gas introduction valve for introducing N 2 gas for heating the cryopanel at the time of regeneration of the cryopump, and 7 is its discharge valve.
【００１７】このように構成された半導体製造装置の作
用を図１により説明する。先ず、真空チャンバー１を真
空排気する場合は、図１（ａ）に示すように、ゲートバ
ルブ３の弁４を上下の弁座５，５′の中間位置に置き、
クライオポンプ２を作動させることにより、クライオポ
ンプ２は真空チャンバー１内の気体を矢印の如き経路で
取り込み、真空チャンバー１内を真空排気することがで
きる。The operation of the semiconductor manufacturing apparatus thus constructed will be described with reference to FIG. First, when evacuating the vacuum chamber 1, the valve 4 of the gate valve 3 is placed at an intermediate position between the upper and lower valve seats 5 and 5 ', as shown in FIG.
By operating the cryopump 2, the cryopump 2 can take in the gas in the vacuum chamber 1 through the path indicated by the arrow and evacuate the vacuum chamber 1.
【００１８】次に、クライオポンプ２の再生を行う場合
は、図１（ｃ）に示すように、ゲートバルブ３の弁４を
上方に移動して真空チャンバー側の弁座５に密着させ
る。次いでＮ2 ガス導入弁６及びＮ2 ガス排出弁７を開
いてクライオポンプ２内にＮ2ガスを導入する。このＮ
2 ガスで暖められたクライオパネルは液化して吸着して
いる気体を気化して放出する。放出された気体はＮ2 ガ
スと共にＮ2 ガス排出弁７から排出される。このように
してクライオポンプの再生が行われる。Next, when the cryopump 2 is regenerated, as shown in FIG. 1C, the valve 4 of the gate valve 3 is moved upward and brought into close contact with the valve seat 5 on the vacuum chamber side. Next, the N 2 gas introduction valve 6 and the N 2 gas discharge valve 7 are opened to introduce the N 2 gas into the cryopump 2. This N
The cryopanel heated by 2 gas liquefies and vaporizes and releases the adsorbed gas. Released gas is discharged from the N 2 gas exhaust valve 7 with N 2 gas. In this way, the cryopump is regenerated.
【００１９】この場合、クライオポンプ２内は導入され
たＮ2 ガスにより真空状態の真空チャンバー１よりも陽
圧となるが、この陽圧は弁４を弁座５に押圧するように
作用するため、弁４は弁座５に密着してＮ2 ガスが真空
チャンバー１内に漏れ出るのを防止することができる。In this case, the inside of the cryopump 2 has a positive pressure higher than that of the vacuum chamber 1 in a vacuum state due to the introduced N 2 gas, but this positive pressure acts to press the valve 4 against the valve seat 5. The valve 4 can be in close contact with the valve seat 5 to prevent N 2 gas from leaking into the vacuum chamber 1.
【００２０】また、クライオポンプ２を真空状態にした
まま真空チャンバー１を陽圧とするときは、（ｂ）図の
如く弁４を下降させてクライオポンプ側の弁座５′に密
着させておけば、真空チャンバー１側の陽圧は弁４を押
圧して弁座５′に密着させるため、真空チャンバー側の
気体がクライオポンプ側に漏れるのを防止することがで
きる。以上の実施例は真空排気ポンプとしてクライオポ
ンプについて説明したが、本発明は他の低温吸着型の真
空排気ポンプにも適用できることは勿論である。Further, when the vacuum chamber 1 is made to have a positive pressure while the cryopump 2 is kept in a vacuum state, the valve 4 should be lowered as shown in FIG. For example, the positive pressure on the vacuum chamber 1 side presses the valve 4 to bring it into close contact with the valve seat 5 ', so that the gas on the vacuum chamber side can be prevented from leaking to the cryopump side. Although the cryopump is used as the vacuum exhaust pump in the above embodiments, the present invention can be applied to other low temperature adsorption type vacuum exhaust pumps.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明に依れば、半導体製造装置におい
て、真空チャンバーと真空排気ポンプとの間のゲートバ
ルブを、それぞれの外側から閉止できるようにしたこと
により、真空排気ポンプの再生時に再生用ガスが真空チ
ャンバー側に混入することがなくなり、真空チャンバー
の真空が保持される。また真空チャンバーの汚染、製品
の汚染がなくなり、その確認を行う必要がなくなるた
め、生産性の向上、製品品質の向上が得られる。According to the present invention, in the semiconductor manufacturing apparatus, the gate valve between the vacuum chamber and the vacuum exhaust pump can be closed from the outside thereof, so that the vacuum exhaust pump can be regenerated at the time of regeneration. The working gas is prevented from entering the vacuum chamber side, and the vacuum in the vacuum chamber is maintained. Further, the contamination of the vacuum chamber and the contamination of the product are eliminated, and it is not necessary to confirm the contamination, so that the productivity and the product quality can be improved.
【図１】本発明の半導体製造装置の実施例及びその真空
排気方法を説明するための図である。FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of a semiconductor manufacturing apparatus of the present invention and a vacuum exhaust method thereof.
【図２】従来のクライオポンプ及びその作用を説明する
ための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a conventional cryopump and its operation.
１…真空チャンバー ２…クライオポンプ（真空排気ポンプ） ３…ゲートバルブ ４…弁 ５，５′…弁座 ６…Ｎ2 ガス導入弁 ７…Ｎ2 ガス排出弁 ８…弁室1 ... vacuum chamber 2 ... cryopump (vacuum pump) 3 ... gate valve 4 ... valve 5,5 '... valve seat 6 ... N 2 gas introduction valve 7 ... N 2 gas exhaust valve 8 ... valve chamber
Claims (2)
真空チャンバー（１）内を排気する真空排気ポンプ
（２）と、上記真空チャンバー（１）と真空排気ポンプ
（２）との間に設けられたゲートバルブ（３）とを具備
した半導体製造装置において、 上記ゲートバルブ（３）は、真空チャンバー（１）と真
空排気ポンプ（２）との間に弁室（８）を有し、該弁室
（８）内には真空チャンバー側及び真空排気ポンプ側に
それぞれ弁座（５，５′）が設けられ、さらに該弁座
（５，５′）間に弁（４）が何れの弁座（５，５′）に
も密着できるように設けられて成ることを特徴とする半
導体製造装置。1. A vacuum chamber (1), a vacuum exhaust pump (2) for exhausting the inside of the vacuum chamber (1), and a vacuum exhaust pump (2) provided between the vacuum chamber (1) and the vacuum exhaust pump (2). In the semiconductor manufacturing apparatus including the gate valve (3), the gate valve (3) has a valve chamber (8) between the vacuum chamber (1) and the vacuum exhaust pump (2). In the chamber (8), valve seats (5, 5 ') are provided on the vacuum chamber side and the vacuum exhaust pump side, respectively, and the valve (4) is provided between the valve seats (5, 5'). A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that it is provided so as to be in close contact with (5, 5 ').
空チャンバー（１）の真空排気時にはゲートバルブ
（３）の弁（４）を２つの弁座（５，５′）の中間に位
置させて何れの弁座にも着座させず、真空排気ポンプ
（２）の再生時にはゲートバルブ（３）の弁（４）を真
空チャンバー（１）側の弁座（５）に密着させることを
特徴とする半導体製造装置の真空排気方法。2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein when the vacuum chamber (1) is evacuated, the valve (4) of the gate valve (3) is positioned in the middle of the two valve seats (5, 5 ′). It is characterized in that the valve (4) of the gate valve (3) is brought into close contact with the valve seat (5) on the vacuum chamber (1) side when the vacuum exhaust pump (2) is regenerated without being seated on any valve seat. Vacuum evacuation method for semiconductor manufacturing equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21765393A JPH0770733A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Semiconductor producing device and vacuum evacuating method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21765393A JPH0770733A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Semiconductor producing device and vacuum evacuating method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0770733A true JPH0770733A (en) | 1995-03-14 |
Family
ID=16707626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21765393A Pending JPH0770733A (en) | 1993-09-01 | 1993-09-01 | Semiconductor producing device and vacuum evacuating method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0770733A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001338891A (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nec Kyushu Ltd | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| JP2019073753A (en) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | キヤノントッキ株式会社 | Vacuum device device, vapour deposition device and gate valve |
| US20220384255A1 (en) * | 2020-01-10 | 2022-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interconnect Structures and Methods and Apparatuses for Forming the Same |
-
1993
- 1993-09-01 JP JP21765393A patent/JPH0770733A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001338891A (en) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Nec Kyushu Ltd | Apparatus for manufacturing semiconductor device |
| JP2019073753A (en) * | 2017-10-13 | 2019-05-16 | キヤノントッキ株式会社 | Vacuum device device, vapour deposition device and gate valve |
| US20220384255A1 (en) * | 2020-01-10 | 2022-12-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interconnect Structures and Methods and Apparatuses for Forming the Same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0510656B1 (en) | Evacuation system and method therefor | |
| JP2574586B2 (en) | Method for regenerating a cryopump and a cryopump suitable for performing the method | |
| US6183564B1 (en) | Buffer chamber for integrating physical and chemical vapor deposition chambers together in a processing system | |
| US5855118A (en) | Combination cryopump/getter pump and method for regenerating same | |
| US4577465A (en) | Oil free vacuum system | |
| JP2631827B2 (en) | Steam cryopump | |
| JPH0216377A (en) | Cryopump | |
| JPH0770733A (en) | Semiconductor producing device and vacuum evacuating method | |
| JP3862263B2 (en) | Vacuum processing apparatus and operation method thereof | |
| JPH06346848A (en) | Regenerating cryopump method and evacuation system thereof | |
| JPH1047245A (en) | Evacuating device | |
| TW406162B (en) | Combination cryopump/getter pump and method for regenerating same, and method for manufacturing integrated circuits using same | |
| JP3200668B2 (en) | Exhaust method in cryopump and micromachining equipment | |
| JPH11230034A (en) | Evacuating system and its operating method | |
| JP7011384B2 (en) | Vacuum processing equipment and rare gas recovery equipment | |
| JPH0774635B2 (en) | Vacuum exhaust device | |
| JP2946733B2 (en) | Vacuum exhaust device | |
| US3258193A (en) | Vacuum method | |
| JPH05195952A (en) | Cryopanel device | |
| JP4434327B2 (en) | Extreme vacuum environment equipment | |
| JPH04314981A (en) | Cryopump | |
| JP2000114186A (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and wafer- processing method | |
| JPH0533767A (en) | Cryopump | |
| JPS5811074B2 (en) | Exhaust system in vacuum equipment | |
| JP2674591B2 (en) | Operating method of vacuum processing equipment |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031007 |