JP6552590B2 - スパッタ装置及びその使用方法 - Google Patents
スパッタ装置及びその使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6552590B2 JP6552590B2 JP2017244219A JP2017244219A JP6552590B2 JP 6552590 B2 JP6552590 B2 JP 6552590B2 JP 2017244219 A JP2017244219 A JP 2017244219A JP 2017244219 A JP2017244219 A JP 2017244219A JP 6552590 B2 JP6552590 B2 JP 6552590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coolant
- target
- magnet
- cooling liquid
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/345—Magnet arrangements in particular for cathodic sputtering apparatus
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
基板に対向する位置に設けられ、かつスパッタリングの際に回転する円筒状のターゲットと前記基板との間に磁場を形成させた状態でスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング方式のスパッタ装置において、
前記磁場を形成させる磁石と、該磁石を支持する支持部材とを有し、前記ターゲットの内部に着脱自在に設けられるマグネットユニットと、
前記ターゲットと前記マグネットユニットとの間に形成され、前記ターゲットを冷却する冷却液が流れる環状の第1冷却液流路と、
前記マグネットユニットの内部に設けられ、前記冷却液が流れる第2冷却液流路と、
前記第1冷却液流路から前記第2冷却液流路に向けて、前記冷却液を排出させる気体を送り込む排液装置と、
を備えると共に、
前記排液装置が前記第1冷却液流路から前記第2冷却液流路に向けて前記気体を送り込んでいる間、前記第1冷却液流路と前記第2冷却液流路との接続部位は、環状の前記第1冷却液流路における鉛直方向下方に偏った位置に維持されることを特徴とする。
図1〜図6を参照して、本発明の実施例1に係るマグネトロンスパッタリング方式のスパッタ装置について説明する。
図1及び図2を参照して、本実施例に係るスパッタ装置1の全体構成について説明する。図1は本発明の実施例1に係るスパッタ装置の概略構成図であり、スパッタ装置全体を断面的に見た場合の概略構成を示している。なお、図1中の上方は、スパッタ装置1が使用される際の鉛直方向の上方に相当し、図1中の下方は、スパッタ装置1が使用される際の鉛直方向下方に相当する。図2は磁石の配置構成を示す概略図である。
い磁場)が形成される。
特に、図3及び図4を参照して、本実施例に係るロータリーカソード10について、より詳細に説明する。図3及び図4は本発明の実施例1に係るロータリーカソード10の概略構成図であり、ロータリーカソード10を断面的に見た場合の概略構成を示している。また、図3はスパッタリングの際の様子を示し、図4は冷却液を排出する際の様子を示している。なお、図3及び図4においては、ターゲットの回転中心軸線に平行な面で、ロータリーカソード10を切断した断面図を概略的に示しているが、説明の便宜上、特徴的な構成を示すために、切断面の位置は必ずしも同一面ではない。
ロータリーカソード装置本体100は、ターゲット110と、ターゲット110の内部に着脱自在に設けられるマグネットユニット130とを備えている。また、ロータリーカソード装置本体100は、ターゲット110に固定され、かつサポートブロック300に回転自在に支持されるサポートブロック側環状部材120も備えている。
エンドブロック200は、支持部材400に対して固定されるケース210と、ケース210内に設けられる軸状部材220と、軸状部材220に対して回転自在に設けられるエンドブロック側環状部材230とを備えている。また、軸状部材220とエンドブロック側環状部材230との間には一対の軸受Bが設けられている。これにより、軸状部材220に対して、エンドブロック側環状部材230は回転することができる。また、軸状部材220とエンドブロック側環状部材230との間の環状隙間を封止する密封装置Sも設けられている。また、マグネットユニット130と軸状部材220は、ピンなどの連結部材270によって連結されている。従って、マグネットユニット130が軸状部材220に対して回転することはない。
510により第1プーリ520が回転すると、回転動力が第1ベルト530によって第2プーリ240に伝達されて、エンドブロック側環状部材230が回転する。そして、このエンドブロック側環状部材230に固定されたターゲット110もサポートブロック側環状部材120と共に回転する。
スパッタ装置1によりスパッタリングが行われる際には、磁石134が鉛直方向下方に向き、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJが磁石134よりも鉛直方向上方に配されるようにマグネットユニット130の回転方向の位置が定められる。なお、図1及び図3はスパッタリングが行われる際の様子を示している。スパッタリングが行われている最中においては、マグネットユニット130は固定され、かつターゲット110は回転し続けている。また、スパッタリングが行われている最中においては、ターゲット110の内部に冷却液が流されている。すなわち、冷却液を供給する冷却液ポンプP1によって、供給管261に冷却液が供給される。供給管261に供給された冷却液は、軸状部材220の内部に設けられた第1流路221からロータリーカソード装置本体100に設けられた第1冷却液流路R1へと流れていく。その後、冷却液は、第2冷却液流路R2から軸状部材220の内部に設けられた第2流路222を通って、排出管262から装置の外部に排出されていく(冷却液の流れ方については、図3中の矢印参照)。なお、冷却液を流す方向は、図3中の矢印とは反対方向となるようにしてもよい。この場合には、図中の排出管262を供給管として、供給管261を排出管とすればよい。
メンテナンス時においては、マグネットユニット130をターゲット110から取り出すに先立って、ターゲット110内の冷却液を排出させる作業が行われる。この作業が行われる際においては、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJが磁石134よりも鉛直方向下方に配されるようにマグネットユニット130の回転方向の位置が定められる(図4参照)。これにより、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJは、環状の第1冷却液流路R1における鉛直方向下方に偏った位置に配置される。ここで、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位は、環状の第1冷却液流路R1における鉛直方向の真下の位置から±45°の範囲内に配置されると好適である。
以上のように構成された本実施例に係るスパッタ装置1によれば、排液装置P2によって気体を送り込むことで、冷却液流路内の冷却液の液面を、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJまで下げることができる。そして、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJは、環状の第1冷却液流路R1における鉛直方向下方に偏った位置に配置されるため、冷却液を十分に排出させることができる。この点について、図5及び図6を参照して、より詳細に説明する。図5及び図6は本実施例に係るスパッタ装置1における冷却液Wの排出メカニズムの説明図であり、ターゲット110の内部の冷却液流路の概略構成を示している。
面を、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJまで下げることができる。これにより、マグネットユニット130の内部の冷却液Wを殆ど排出させることが可能となる。従って、冷却液Wがメンテナンス時に支障となってしまうことを抑制することができる。
上記の通り、実施例1に係るスパッタ装置1によれば、冷却液の液面が、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJに至るまで冷却液を排出させることができる。従って、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJは、極力、鉛直方向下方に設定するのが望ましい。
接続部位RJを、いずれもケース131における鉛直方向の最下部の位置に配することを可能とするマグネットユニット130について説明する。
上記実施例においては、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJが、磁石134に対して、ターゲット110の回転中心軸線を挟んで反対側に配置される場合の構成を示した。このような構成を採用した理由は、通常、マグネットユニット130
の内部に配置される磁石134が大きな領域を占めることと、冷却液を排出させる際には、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJを極力鉛直方向の下方に配置させたいことに起因する。しかしながら、第1冷却液流路R1と第2冷却液流路R2との接続部位RJと、磁石134とを、ターゲット110の回転中心軸線を含む面によって分けられる2つの領域のうち同じ領域側に配置させることに支障がない場合には、そのような配置構成を採用してもよい。この構成を採用した場合には、マグネットユニットの回転方向の位置は、スパッタリングを行う場合と冷却液を排出させる場合とで変更する必要はない。
Claims (9)
- 基板に対向する位置に設けられ、かつスパッタリングの際に回転する円筒状のターゲットと前記基板との間に磁場を形成させた状態でスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング方式のスパッタ装置において、
前記磁場を形成させる磁石と、該磁石を支持する支持部材とを有し、前記ターゲットの内部に着脱自在に設けられるマグネットユニットと、
前記ターゲットと前記マグネットユニットとの間に形成され、前記ターゲットを冷却する冷却液が流れる環状の第1冷却液流路と、
前記マグネットユニットの内部に設けられ、前記冷却液が流れる第2冷却液流路と、
前記第1冷却液流路から前記第2冷却液流路に向けて、前記冷却液を排出させる気体を送り込む排液装置と、
を備えると共に、
前記排液装置が前記第1冷却液流路から前記第2冷却液流路に向けて前記気体を送り込んでいる間、前記第1冷却液流路と前記第2冷却液流路との接続部位は、環状の前記第1冷却液流路における鉛直方向下方に偏った位置に維持されることを特徴とするスパッタ装置。 - 前記接続部位は、前記磁石に対して、前記ターゲットの回転中心軸線を挟んで反対側に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のスパッタ装置。
- ターゲットと、該ターゲットの構成原子による薄膜を形成させる基板との間に磁場を形成させた状態でスパッタリングを行うマグネトロンスパッタリング方式のスパッタ装置において、
前記基板に対向する位置に設けられ、かつスパッタリングの際に回転する円筒状の前記ターゲットと、
前記磁場を形成させる磁石と、該磁石を支持する支持部材とを有し、前記ターゲットの内部に着脱自在に設けられるマグネットユニットと、
前記ターゲットと前記マグネットユニットとの間に形成され、前記ターゲットを冷却する冷却液が流れる環状の第1冷却液流路と、
前記マグネットユニットの内部に設けられ、前記冷却液が流れる第2冷却液流路と、
前記第1冷却液流路から前記第2冷却液流路に向けて、前記冷却液を排出させる気体を送り込む排液装置と、
を備えると共に、
前記第1冷却液流路と前記第2冷却液流路との接続部位は、環状の前記第1冷却液流路における鉛直方向下方に偏った位置に配置可能に構成されており、
前記接続部位は、前記磁石に対して、前記ターゲットの回転中心軸線を挟んで反対側に配置されていることを特徴とするスパッタ装置。 - 前記接続部位は、環状の前記第1冷却液流路における鉛直方向の真下の位置から±45°の範囲内に配置可能に構成されていることを特徴とする請求項1,2または3に記載のスパッタ装置。
- 前記ターゲットの回転中心軸線に平行に伸びる一対の第1配管と、
これら一対の配管から前記第1冷却液流路に向かってそれぞれ伸びる一対の第2配管と、
を備え、
前記第1配管の内部空間と前記第2配管の内部空間によって、前記第2冷却液流路が形成されると共に、
一対の前記第2配管は前記回転中心軸線方向の異なる位置で、一対の前記第1配管に対してそれぞれ接続されており、かつ、一対の前記第2配管が前記第1冷却液流路と接続される位置は、前記回転中心軸線方向に向かって見た場合に重なっていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載のスパッタ装置。 - 前記排液装置によって気体が送り込まれる際に、前記接続部位は、環状の前記第1冷却液流路における鉛直方向下方に偏った位置に配置されることを特徴とする請求項3〜5のいずれか一つに記載のスパッタ装置。
- 前記ターゲットの内周面と前記マグネットユニットの外周面との間に形成される円筒状の空間により前記第1冷却液流路が構成されると共に、
前記接続部位は、前記マグネットユニットの外周面に形成され、該マグネットユニットの内部に連通する開口部であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載のスパッタ装置。 - 前記排液装置が前記第1冷却液流路から前記第2冷却液流路に向けて前記気体を送り込んでいる間、前記マグネットユニットの回転方向の位置は定められていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一つに記載のスパッタ装置。
- 請求項1〜8のいずれか一つに記載のスパッタ装置の使用方法において、
スパッタリングを行う際には、前記磁石を鉛直方向下方に向けて、前記接続部位を前記磁石よりも鉛直方向上方に配置させ、
前記排液装置によって気体を送り込む際には、前記接続部位を前記磁石よりも鉛直方向下方に配置させることを特徴とするスパッタ装置の使用方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017244219A JP6552590B2 (ja) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | スパッタ装置及びその使用方法 |
KR1020180086276A KR102354877B1 (ko) | 2017-12-20 | 2018-07-24 | 스퍼터 장치 및 그 사용 방법 |
CN201811070875.3A CN109943817B (zh) | 2017-12-20 | 2018-09-14 | 溅射装置及其使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017244219A JP6552590B2 (ja) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | スパッタ装置及びその使用方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019108602A JP2019108602A (ja) | 2019-07-04 |
JP6552590B2 true JP6552590B2 (ja) | 2019-07-31 |
Family
ID=67005831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017244219A Active JP6552590B2 (ja) | 2017-12-20 | 2017-12-20 | スパッタ装置及びその使用方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6552590B2 (ja) |
KR (1) | KR102354877B1 (ja) |
CN (1) | CN109943817B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110344014B (zh) * | 2019-08-20 | 2021-07-23 | 贵州商学院 | 一种磁控溅射镀膜机的旋转靶 |
KR20220139382A (ko) * | 2020-09-16 | 2022-10-14 | 가부시키가이샤 알박 | 회전식 캐소드 유닛용 구동 블록 |
CN112899627B (zh) * | 2021-01-16 | 2022-09-27 | 重庆电子工程职业学院 | 一种靶材安装结构、磁控溅射设备及磁控溅射方法 |
WO2022268311A1 (en) * | 2021-06-23 | 2022-12-29 | Applied Materials, Inc. | Cathode assembly, deposition apparatus, and method for deinstalling a cathode assembly |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0565634A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Rohm Co Ltd | スパツタ装置 |
PL1609880T3 (pl) * | 2004-06-22 | 2008-10-31 | Applied Mat Gmbh & Co Kg | Katoda do rozpylania jonowego do procesów nakładania powłok |
US8182662B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-05-22 | Sputtering Components, Inc. | Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus |
JP5764467B2 (ja) | 2011-11-07 | 2015-08-19 | 株式会社アルバック | スパッタ装置、ターゲット装置 |
KR101385589B1 (ko) * | 2012-04-02 | 2014-04-29 | 주식회사 에스에프에이 | 스퍼터 장치 |
CN107210571B (zh) * | 2015-02-16 | 2018-08-07 | 株式会社爱发科 | 接触式供电装置 |
WO2016185714A1 (ja) * | 2015-05-19 | 2016-11-24 | 株式会社アルバック | マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット |
-
2017
- 2017-12-20 JP JP2017244219A patent/JP6552590B2/ja active Active
-
2018
- 2018-07-24 KR KR1020180086276A patent/KR102354877B1/ko active IP Right Grant
- 2018-09-14 CN CN201811070875.3A patent/CN109943817B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190074934A (ko) | 2019-06-28 |
CN109943817B (zh) | 2023-04-11 |
KR102354877B1 (ko) | 2022-01-21 |
JP2019108602A (ja) | 2019-07-04 |
CN109943817A (zh) | 2019-06-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6552590B2 (ja) | スパッタ装置及びその使用方法 | |
US8182662B2 (en) | Rotary cathode for magnetron sputtering apparatus | |
US7338049B2 (en) | Self-cooling ferrfluid seal | |
US20120097526A1 (en) | Rotary magnetron | |
US20050178662A1 (en) | Rotating tubular cathode | |
JP6205520B2 (ja) | マグネトロンスパッタリング装置用の回転式カソードユニット | |
TWI634223B (zh) | Rotary cathode unit for magnetron sputtering device | |
CN102108489A (zh) | 真空镀膜磁控溅射磁流体密封旋转靶 | |
JPWO2019021519A1 (ja) | スパッタリング装置用のカソードユニット | |
CN201614407U (zh) | 真空镀膜磁控溅射磁流体密封旋转靶 | |
WO2017077813A1 (ja) | アキシャルギャップ型回転電機 | |
CN113366605B (zh) | 沉积设备和用于监测沉积设备的方法 | |
KR102655778B1 (ko) | 스퍼터 장치 | |
JP5558035B2 (ja) | プラズマ処理装置及び方法 | |
JP2017002348A (ja) | スパッタリング装置用の回転式カソードユニット | |
JP5806338B2 (ja) | 少なくとも1つの超電導巻線を備え固定子に対し回転可能な回転子を有する超電導同期機 | |
JP7362431B2 (ja) | 成膜装置、ターゲットユニットの取り外し方法、及びターゲットユニットの取り付け方法 | |
CN212388105U (zh) | 阴极驱动单元和用于在基板上沉积材料的沉积设备 | |
JP2000150986A (ja) | エキシマレーザ装置 | |
JP3564038B2 (ja) | 軸封装置 | |
JP2006028559A (ja) | マグネトロンスパッタリング装置 | |
JP2004307978A (ja) | 成膜装置の蒸発源 | |
KR20170096407A (ko) | 스퍼터링 타겟 교체방법 및 스퍼터링 장치 | |
JPH0560138A (ja) | 磁性流体軸受装置 | |
JPH0434216A (ja) | 水冷式回転軸の軸受装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180831 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180911 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180911 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190121 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20190205 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190404 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190604 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6552590 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |