JP6549112B2 - 物理的気相堆積チャンバで利用される双極性コリメータ - Google Patents
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Description
次世代デバイスでは回路密度が増加するので、ビア、トレンチ、コンタクト、ゲート構造、および他のフィーチャなどの相互接続、ならびにそれらの間の誘電体材料の幅は、45nmおよび32nmの寸法に減少するが、一方、誘電体層の厚さは実質的に一定のままであり、フィーチャのアスペクト比の増加という結果を伴う。
物理的気相堆積プロセスは、最近になって、基板に形成された高アスペクト比をもつトレンチおよびビアに材料を堆積させるように適応されている。誘電体層は、一般に、導電層またはフィーチャの上に形成され、ビアまたはトレンチの底部の導電性フィーチャを露出するためにパターン化される。バリア層が、一般に、層間の相互拡散を防止するために堆積され、次に、金属がトレンチにスパッタされる。
従来、基板表面に達するイオン分率またはイオン密度を所望の範囲で制御して、金属層堆積プロセス中の底部および側壁カバレッジを改善することができている。1つの例では、ターゲットから叩き出された粒子をイオン化し、基板に印加された電気バイアスの下で加速して、トレンチが早めに閉じる前に粒子がトレンチの中に下方に進むように助成することができる。基板表面に達するイオン分率/イオン密度を制御することによって、トレンチの底部まで降りて達するイオン軌道が効率的に促進され得ると考えられる。加速されたイオンは、基板の表面に対して垂直な方向に、より均一に進むことができる。加速されたイオンが基板表面に接近するとき、加速されたイオンによって運ばれる運動量は、トレンチの中に下方に深く達することができ、そこで、加速されたイオンは、電気バイアスの影響の下でトレンチ側壁の方に向きがそれる。それにもかかわらず、トレンチ中により深く侵入するために、側壁の上部の近くのオーバーハングの影響は低減される。しかしながら、トレンチのアスペクト比が高くなるにつれて、および基板サイズが大きくなるにつれて、トレンチ底部まで降りて達するイオン分率/イオン密度を制御することと、さらに、基板表面の端から端まで均一に分配することとが困難になってきている。したがって、物理的気相堆積プロセスには、オーバーハング管理のますます厄介になっている問題を克服するという難題が残っている。
別の実施形態では、装置は、チャンバ本体、およびチャンバ本体の中に処理領域を画定するチャンバ本体に配設されたチャンバリッドと、チャンバリッドの下に配設されたターゲットと、処理領域においてリッドの下に配設されたコリメータと、コリメータに結合された電源とを含む。
本発明の上述で列記した特徴が達成され、詳細に理解されるように、上述で簡単に要約された本発明のより特定の説明を、添付図面に示されている本発明の実施形態を参照して行うことができる。
しかしながら、添付図面は本発明の例示的な実施形態しか示しておらず、それゆえに、本発明は他の等しく効果的な実施形態を認めることができるので添付図面は本発明の範囲を限定すると見なされるべきでないことに留意されたい。
本発明は、物理的気相堆積チャンバを通過する異なる方向性をもつイオンを加速させるのに利用することができる物理的気相堆積チャンバに配設された双極性コリメータを有する装置を提供する。1つの実施形態では、物理的気相堆積プロセスの間イオン軌道挙動を効率的に制御し、ボトムアップ充填能力を支援するようにイオン/ニュートラルフィルタ処理効果を効率的に制御するために、物理的気相堆積チャンバに配設されたコリメータに双極性DCバイアス電源を結合することができる。
堆積チャンバ100は、堆積チャンバ100の内部容積部106を密閉する本体105を画定する上部側壁102、下部側壁103、およびリッド部分104を有する。上部側壁102と下部側壁103との間に、アダプタプレート107を配設することができる。ペデスタル108などの基板支持体が、堆積チャンバ100の内部容積部106に配設される。基板移送ポート109が、基板を内部容積部106の中におよび内部容積部から移送するために下部側壁103に形成される。
ガス源110が、プロセスガスを内部容積部106に供給するために堆積チャンバ100に結合される。1つの実施形態では、プロセスガスは、不活性ガスと、非反応性ガスと、必要ならば反応性ガスとを含むことができる。ガス源110で供給することができるプロセスガスの例には、限定はしないが、数ある中で、アルゴンガス(Ar)、ヘリウム(He)、ネオンガス(Ne)、窒素ガス(N2)、酸素ガス(O2)、およびH2Oが含まれる。
リッド部分104は、ターゲットなどのスパッタリング源114を支持することができる。1つの実施形態では、スパッタリング源114は、チタン(Ti)金属、タンタル金属(Ta)、タングステン(W)金属、コバルト(Co)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、それらの合金、それらの組合せなどを含む材料から製造することができる。本明細書に示されている例示的な実施形態では、スパッタリング源114は、チタン(Ti)金属、タンタル金属(Ta)、またはアルミニウム(Al)で製造することができる。
スパッタリング源114は、スパッタリング源114のための電力供給装置117を含む電源アセンブリ116に結合することができる。磁石の組を含むマグネトロンアセンブリ119がスパッタリング源114に隣接して結合され、それにより、処理の間スパッタリング源114から材料を効率的にスパッタするのを強化することができる。マグネトロンアセンブリの例には、数ある中で、電磁気直線的マグネトロン、サーペンタインマグネトロン、螺旋マグネトロン、二重指状突起(double−digitated)マグネトロン、長方形螺旋マグネトロンが含まれる。
必要に応じてスパッタリング源114とペデスタル108との間にバイアス電力を供給するために、追加のRF電源180をペデスタル108を通して堆積チャンバ100に結合することもできる。1つの実施形態では、RF電源180は、約400Hzと約60MHzとの間、例えば、約13.56MHzなどの周波数を有することができる。
1つの実施形態では、コリメータ118は、アルミニウムの単一の塊から機械加工することができる。コリメータ118は、オプションとして、被覆するかまたは陽極処理することができる。代替として、コリメータ118は、処理環境に適合する他の材料から製作することができ、さらに、1つまたは複数のセクションで構成することができる。代替として、シールド部分892および一体化流束オプティマイザ210は、別個の部片として形成され、溶接などの好適な取付け手段を使用して一緒に結合される。
Claims (13)
- コリメータであって、それを通って延びる複数の開孔を備えたコリメータを備え、
前記コリメータは双極子であり、前記コリメータは、第1の周辺領域と第2の周辺領域の間に形成される中心領域を有しており、
前記第1及び第2の周辺領域はそれぞれ、前記コリメータの最外エッジ周辺部を含んでおり、
前記コリメータは、前記コリメータの全体にわたって形成されるハニカム構造を含んでおり、
前記ハニカム構造は、前記コリメータに形成される前記開孔を画定しており、
前記開孔は、前記中心領域から前記第2の周辺領域へ高さが低くなっており、
前記第1の周辺領域のアスペクト比の部分は、前記中心領域のアスペクト比の部分と同じであり、
前記第1の周辺領域の前記開孔は、前記中心領域の前記開孔と同じ高さを有しており、
前記第1及び第2の周辺領域と前記中心領域は、前記第1の周辺領域と前記中心領域の第1の下面に平行な上面を共有しており、
前記第2の周辺領域の第2の下面は、前記上面と前記第1の下面を横切る面内にある、装置。 - 前記コリメータに接続されたDC電源を更に備えている、請求項1に記載の装置。
- 前記コリメータに接続された極性電力供給装置を更に備えている、請求項1に記載の装置。
- 前記電源が双極性パルスDC電源である、請求項2に記載の装置。
- 前記コリメータが双極性モードで構成される、請求項1に記載の装置。
- チャンバ本体と、前記チャンバ本体の中に処理領域を画定する前記チャンバ本体に配置されるチャンバリッドと、前記チャンバリッドの下に配設されたターゲットと
をさらに含む、請求項1に記載の装置。 - 前記ターゲットが、Al、Ti、Ta、W、Cr、Ni、Cu、Co、それらの合金、またはそれらの組合せのうちの少なくとも1つから製造される、請求項6に記載の装置。
- 前記ターゲットが銅から製造される、請求項6に記載の装置。
- 前記コリメータの上方の前記チャンバ本体のまわりに配設された第1の磁石
をさらに含む、請求項6に記載の装置。 - 前記コリメータより下方の前記チャンバ本体のまわりに配設された第2の磁石
をさらに含む、請求項9に記載の装置。 - 前記チャンバリッドの上方に配設されたマグネトロンアセンブリ
をさらに含む、請求項10に記載の装置。 - 前記処理チャンバに配設された基板支持体に結合されたRFバイアス電力
をさらに含む、請求項6に記載の装置。 - チャンバ本体、および前記チャンバ本体の中に処理領域を画定する前記チャンバ本体に配設されたチャンバリッドと、
前記チャンバリッドの下に配設されたターゲットと、
前記処理領域において前記リッドの下に配設されたコリメータを備え、
前記コリメータは双極子であり、前記コリメータは、それを通って延びる複数の開孔を備え、
前記コリメータは、第1の周辺領域と第2の周辺領域の間に形成される中心領域を有しており、
前記第1及び第2の周辺領域はそれぞれ、前記コリメータの最外エッジ周辺部を含んでおり、
前記第1及び第2の周辺領域は、そこに形成される高さが異なる前記開孔を有しており、
前記コリメータは、前記コリメータの全体にわたって形成されるハニカム構造を含んでおり、
前記ハニカム構造は、前記コリメータに形成される前記開孔を画定しており、
前記開孔は、前記中心領域から前記第2の周辺領域へ高さが低くなっており、
前記第1の周辺領域のアスペクト比の部分は、前記中心領域のアスペクト比の部分と同じであり、
前記第1の周辺領域の前記開孔は、前記中心領域の前記開孔と同じ高さを有しており、
前記第1及び第2の周辺領域と前記中心領域は、前記第1の周辺領域と前記中心領域の第1の下面に平行な上面を共有しており、
前記第2の周辺領域の第2の下面は、前記上面と前記第1の下面を横切る面内にあり、
更に、前記コリメータに接続されるDC電源
を備える装置。
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