JP6548542B2 - Sem画像取得装置およびsem画像取得方法 - Google Patents

Sem画像取得装置およびsem画像取得方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6548542B2
JP6548542B2 JP2015191857A JP2015191857A JP6548542B2 JP 6548542 B2 JP6548542 B2 JP 6548542B2 JP 2015191857 A JP2015191857 A JP 2015191857A JP 2015191857 A JP2015191857 A JP 2015191857A JP 6548542 B2 JP6548542 B2 JP 6548542B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sample
scanning
signal
same
pixel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015191857A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017068985A (ja
Inventor
泉 山藤
泉 山藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Holon Co Ltd
Original Assignee
Holon Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Holon Co Ltd filed Critical Holon Co Ltd
Priority to JP2015191857A priority Critical patent/JP6548542B2/ja
Priority to TW105128141A priority patent/TWI687682B/zh
Priority to CN201680052728.6A priority patent/CN108352283B/zh
Priority to DE112016004422.4T priority patent/DE112016004422T5/de
Priority to US15/764,297 priority patent/US10553391B2/en
Priority to PCT/JP2016/076631 priority patent/WO2017056924A1/ja
Priority to KR1020187007966A priority patent/KR101993618B1/ko
Publication of JP2017068985A publication Critical patent/JP2017068985A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6548542B2 publication Critical patent/JP6548542B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/147Arrangements for directing or deflecting the discharge along a desired path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/22Optical, image processing or photographic arrangements associated with the tube
    • H01J37/222Image processing arrangements associated with the tube
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/244Detectors; Associated components or circuits therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/15Means for deflecting or directing discharge
    • H01J2237/1505Rotating beam around optical axis
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22Treatment of data
    • H01J2237/221Image processing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22Treatment of data
    • H01J2237/226Image reconstruction
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2809Scanning microscopes characterised by the imaging problems involved
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28Scanning microscopes
    • H01J2237/2813Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817Pattern inspection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)

Description

本発明は、電子ビームを試料に照射して試料から放出あるいは反射あるいは吸収された電子を検出して画像を取得するSEM画像取得装置およびSEM画像取得方法に関するものである。
近年、半導体デバイスの微細化が進み、LSI露光用のマスクのパターンサイズが小さくなると共に、近接効果補正(OPC)が行われるため、マスクのパターンの形状がきわめて複雑なものになっている。
そのため、従来のような、マスク上のパターン線幅の測定や穴径の測定のような特定方向に1次元の寸法検査では不十分であり、2次元方向の寸法検査や面積更に露光シミュレーションを行うための輪郭抽出が必要とされている。
そのため、2次元の測定をする場合、例えば円形のパターンや矩形の角が丸い傾いたパターンなどのさまざまな角度方向のパターンエッジ(以降「エッジ」という)が存在し、そのエッジが細く絞った電子ビームのスキャン方向に平行であると、そのパターンの端でのチャージなどの影響により信号が低減したり、黒い線(尾引き)が現れたりする問題があった。
これらの問題を解決するため、マスク上で、所定角度回転した方向から電子ビームを走査した画像の取得手法として、試料を回転させて電子ビームを走査して回転画像を取得したり、あるいは電子ビームの走査方向を単に回転させて回転画像を取得したりする手法が考えられる。
これらの手法では、取得した回転画像から回転前の画像とその走査範囲を一致させるために回転後の画像から回転前の画像を切り出してその視野を一致させ、その後に合成などしないと、視野が異なり合成できない。
また、回転前のマスク上の電子ビームで走査する範囲と、回転後のマスク上の電子ビームで走査する範囲とが回転分だけ異なり、マスクへの照射条件を厳密に一致させることが不可で、照射条件(照射範囲)が変動してしまう。
更に、異なるスキャン方向(電子ビームの走査方向)で画像をそれぞれ取得する場合、電子ビームで走査した範囲(領域)を切り出したりなどして同じにしても、それぞれの画像を構成する各画素のマスク上での位置がそれぞれ異なり、マスク上での位置を一致させることが不可、あるいは極めて困難であり、マスク上の同一位置からのそれぞれの画素信号をそれぞれ取得不可であるという基本的な問題があった。
本発明は、従来の上述した問題を解決したものであり、異なるスキャン方向(電子ビームの走査方向)の画像を取得する場合、画素対応で電子ビームを走査して画像を取得して合成することにより、マスク上の同一位置からの画素信号の画像を取得して合成することを可能にした。
そのため、本発明は、電子ビームを試料に照射して試料から放出あるいは反射あるいは吸収された電子を検出して画像を取得するSEM画像取得装置において、試料上を走査する電子ビームの走査方向を回転させ、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した試料上の位置に照射する走査信号を発生する走査信号発生手段と、走査信号発生手段によって発生させた走査信号をもとに、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置に電子ビームを照射する偏向装置と、偏向装置で偏向して電子ビームを照射した試料上の同一領域かつ同一画素に対応した試料上の位置からの信号を検出・増幅する検出・増幅手段と、検出・増幅手段で検出・増幅した信号をもとに、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した試料上の位置を照射したときの画像を生成する画像生成手段とを備える。
この際、検出・増幅手段で検出・増幅した信号をもとに、異なる回転方向から電子ビームで試料を走査したときの試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置の複数画像を合成する合成手段とを備えるようにしている。
また、合成手段は、同じ回転方向の複数の画像および異なる複数の回転方向の複数の画像をそれぞれ合成するようにしている。
また、合成手段は、複数の取得した画像について、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置の信号(画素信号)毎に合成するようにしている。
また、信号(画素信号)毎の合成は、信号(画素信号)毎に積算あるいは平均するようにしている。
また、走査信号発生手段は、走査信号として、クロックの周期を同一、あるいはクロックの周期を増大、あるいはクロックの周期を減少させ、試料上の同一領域内の全画素に対応した位置を所定回転方向に順次走査する信号を生成し、全走査時間を同一、あるいは全走査時間を増大、あるいは全走査時間を減少させるようにしている。
また、走査信号発生手段は、走査信号として、電子ビームの走査方向を回転する方向が少なくとも0°、(tan-1 1/2)°、45°、(tan-1 2)°,90°の方向と、これらに対して90°の整数倍を加減算した方向とであって、0°から360°範囲内あるいは−180°から+180°範囲のいずれか1つあるいは複数の走査信号を発生するようにしている。
本発明は、異なるスキャン方向(電子ビームの走査方向)の画像取得時に試料上の同一画素の位置からの画素信号の画像を取得して合成することにより、2次元測定する場合などに円形パターンの端でのチャージや形状などの影響により信号が低減したり、黒い線(尾引き)が現れたりする事態を解消することができ、測長精度を向上させることができた。
これらにより、円形パターンや傾いた矩形パターンなどのあらゆる方向のエッジに対しても合成後の画像から精度よくエッジ抽出してパターンの幅測定、面積測定、輪郭抽出などを高精度にできるようになった。
また、合成後の画像は、例えば従来は60枚同一のスキャン方向の画像を合成(S/N比の向上)していたものを、2方向に分割して45°と−45°の方向に30枚づつ、あるいは4方向に分割して0°、−45°、45°、90°の方向に15枚づつの画像を取得後に全部を合成した画像(合成画像)を生成し、2次元パターンのいずれの方向のエッジに対しても高精度にエッジ抽出して、幅測定や面積測定や輪郭抽出などを、従来と同一時間(つまり、ここでは、合計60枚の画像を合成しているので同一時間)で2次元のいずれの方向のエッジも高精度に行うことが可能となった。
また、走査信号のクロックを同一にすることにより、1枚の回転画像を取得する時間を全て同一時間にでき、かつ電子ビームで照射する試料上の範囲を同一範囲かつ同一画素にできるという特徴がある。尚、必要に応じて、走査信号のクロックの間隔を増大、減少させることで、全画像走査時間を増大、減少も容易に変更可能である。
図1は、本発明の1実施例構成図を示す。
図1において、SEM1は、走査型電子顕微鏡であって、所定加速電圧で加速された電子ビームを発生する電子銃、電子銃で発生された電子ビームを偏向して通過あるいは遮断するブランキング電極、電子ビームを収束するコンデンサレンズ、収束された電子ビームを細く絞ってサンプル4に照射する対物レンズなどから構成されるものである。
スキャン回転手段2は、電子ビーム21のサンプル4上での照射方向を回転させるものであって、ここでは、図示外の偏向装置22、走査信号発生手段23などから構成されるものである。
偏向装置22は、対物レンズによって細く絞られた電子ビーム21をサンプル4の表面で走査(X方向、およびY方向の平面走査)するも偏向装置であって、静電偏向電極、あるいは電磁偏向器などから構成されるものである。
走査信号発生手段23は、偏向装置22に対し、電子ビーム21のサンプル4上での照射方向を回転させた走査信号を発生するものであって、試料上の同一領域かつ同一画素を所定回転方向から走査する信号を発生するものである(図2から図8を用いて後述する)。
試料室3は、サンプル4などを収納する真空排気可能は容器である。
サンプル4は、電子ビーム21を照射する試料の例であって、例えばパターンの測長対象のマスク、ウェハ等である。
ステージ5は、サンプル(マスク)4を搭載して固定し、図示外のレーザー干渉計で精密に位置をリアルタイム計測しながら移動(X方向、Y方向、更に、Z方向)可能な移動台である。
信号取得手段6は、電子ビーム21をサンプル4の表面に走査したときに放出された2次電子、反射電子、更にサンプル4に吸収された電子を検出・増幅して取り出すものであって、MCPなどである。
コンピュータ7は、パソコンであって、プログラムに従い各種制御、処理を行うものであって、ここでは、画像生成手段8、画像合成手段9、輪郭抽出手段10、測定手段11、表示装置12、画像データテーブル13などから構成されるものである。
画像生成手段8は、信号取得手段6から取得した、電子ビーム21をサンプル4上に所定回転方向に走査したときの、サンプル4上の同一領域かつ同一画素に対応する位置から信号(1次元の信号)を、当該走査方向の画像の画素の信号(2次元の信号)に順次対応づけ、画像を生成(復元)するものである(図3を用いて後述する)。
画像合成手段9は、画像生成手段8で生成(復元)した所定回転方向にスキャンした複数の画像、即ち同一回転方向の複数の画像、および異なる回転方向の複数の画像について画素単位に積算、平均化して合成するものである(図2から図8を用いて後述する)。
輪郭抽出手段10は、画像合成手段9で合成した後の画像(例えば後述する図8の8b),(c)参照)をもとに、パターンの輪郭(エッジ)を抽出する公知の手段である。
測定手段(測長手段)11は、パターン幅、面積などを測定する公知の手段である。
表示装置12は、画像等を表示するものであって、ディスプレイである。
画像データテーブル13は、本発明の画像情報、画像などを保存するものである(図5参照)。
次に、図2のフローチャートの順番に図1の構成の動作を詳細に説明する。
図2は、本発明の画像取得フローチャートを示す。
図2において、S1は、スキャンの回転角度変更回数nを設定する。右側に記載したように、n=2回 or 4回 or その他のいずれかと設定する。ここでは、n=4回と設定する。詳細に説明すれば、図1で電子ビーム21をサンプル4の上でスキャン(走査)する方向(回転角度)を変更する回数nを設定、例えば後述する図8の(b)の場合にはn=2(45°と−45°のスキャン回転角度の変更回数であるから、ここではn=2回),図8の(c)の場合にはn=4(45°、−45°、0°、90°のスキャン回転角度の変更回数であるから、ここではn=4回)と設定する。
S2は、スキャンを設定角度に回転させる。ここでは、S1でn=4と設定したので、右側に記載したように、45°、−45°、0°、90°のいずれか1つに、繰り返す毎に順次設定する。
S3は、データを取得する。これは、S2で設定した例えば1回目の設定角度=45°の場合には、後述する図3の左上の(b)45度スキャンの点線矢印に示す方向(45°右上方向)をスキャン方向として、画素を順次走査する信号(走査信号)を生成し、当該走査信号をもとに、図1の電子ビーム21をサンプル4上で走査して図3の(b)45度スキャンの点線矢印のように右上45°の方向に走査することを、サンプル4上の矩形領域内の全画素について繰り返し、そのときに放出された2次電子(反射電子、吸収電子)を検出・増幅して取得する(図1の信号取得手段6)。
S4は、コンピュータで画像を取得する。これは、S3で取得したサンプル4上の矩形領域内の全画素について45°スキャン方向の信号を、図3の該当する画素の位置の信号として位置付けることを順次行い、画像を生成(元の画像に復元)する(1次元の信号を、2次元の画像の画素の信号に対応づけて画像を生成(復元)する)。
S5は、n回処理を行ったか判別する。これは、S1で設定したn回(ここでは、4回)の処理を終了したか判別する。NOの場合には、次の処理を行うために、S2に戻り繰り返す。一方、YESの場合には、n回(ここでは、n=4回)の全ての処理を終了したので、S6に進む。
S6は、全画像を積算する。これは、S1で設定した例えばn=4の場合には、S2からS4を4回繰り返して、45度、−45度、0度、90度の方向からスキャンした画像を取得したので、更に、ここでは、4組の画像を画素対応で積算し(平均でも良い)、1つの合成後の画像を生成する。尚、実験では、合計60枚の画像を合成したので、
・45度:15枚
・−45度:15枚
・0度:15枚
・90度:15枚
をS6で画素対応の積算を行い、後述する図8の(c)の画像(合成画像)を生成した(尚、画素対応の積算処理で諧調数がオーバーする場合には、積算後の上位の所望ビット数を抽出して使用すればよい。下位ビットは破棄されることとなる)。
S7は、測定を行う。これは、S6で全画素の積算後の合成画像を用いて測定(例えば矩形の幅サイズ、面積などを測定)する。
以上のように、スキャンの回転角度変更回数nを任意に設定することにより、スキャン回転角度を順次変更してスキャンして画像を取得し、これら画像を合成して複数スキャン方向の画像を取得することが可能となる。
これにより、
・例えばスキャン方向が一方向の場合には、後述する図8の(a)の画像に示す、スキャン方向と平行なパターンのラインがチャージやエッジ形状などの影響により細くなったり、黒くなったりするが、
・例えば上述した45度、−45度、0度、90度の4方向にスキャンして合成した後の図8の(c)の画像では、図8の(a)のような横方向のパターンのラインのかすれがなくなり、エッジが全方位で鮮明となり、高精度にパターンのエッジの幅、間隔などを全方向に測長したり、面積を算出したり、露光シミュレーションのための輪郭抽出することが可能となった。
図3は、本発明の電子ビームスキャン方向とデータ抽出画素の説明図を示す。
図3において、
・(a)は「0度スキャン」
・(b)は「45度スキャン」
・(c)は「−45度スキャン」
・(d)は「90度スキャン」
・(e)は「−90度スキャン」
・(f)は「135度スキャン」
・(g)は「−135度スキャン」
の例を模式的に示す。尚、電子ビーム走査領域は、図示の矩形(正方形)ですべて同一領域(同一範囲)とし、画素は各マス目が画素に対応し、電子ビーム21は各マス目の中心位置を順次走査(デジタル走査)する。
以上のように同一領域かつ同一画素を、全てのスキャン方向について定義し、図示のスキャン方向の各画素を順次同一クロックで走査するように走査信号を発生する。そして、発生した走査信号で電子ビーム21をサンプル4の上で走査するように偏向装置で偏向することにより、図3のスキャン方向にサンプル4上での画素(位置)を順次走査することが可能となる。
尚、上述した図3の(a)から(g)のスキャンの場合は、0度スキャン、45度スキャンの整数倍であって、−180°から180°の範囲内(あるいは0°から360°の範囲内)のものとして表される。簡単に説明すると下記のようになる。
(1)x,yのいずれか一方が0画素、他方が1画素の方向の回転の場合には、0°、45°の整数倍であって、ー180°(0°)から180°(360°)の範囲内:−180°、−135°、−90°、−45°、0°、45°、90°、135°、180°(0°、45°、90°、135°、180°、225°、270°、315°、360°)
(2)x,yのいずれか一方が1画素、他方が2画素の方向の回転の場合には、約26°(正確にはtan-1 1/2)、約63°(正確にはtan-1 2)に90°の整数倍を加減算した方向であって、ー180°から180°(0°から360°)の範囲内:・・・−63°−26°、26°、63°、・・・(26°、63°・・・)
(3)以下同様に例えばx,yのいずれか一方が(n−1)画素、他方がn画素の方向の回転の場合には、tan−1(n−1)/n、tan−1n/(n−1)に90°の整数倍を加減算した方向であって、ー180°(0°)から180°(360°)の範囲内の角度:具体値は省略
図4は、本発明の45°回転画素走査の説明図を示す。これは、既述した図3の(b)の「45度スキャン」の様子を詳細に模式的に示したものである。
図4において、(a)0°回転画素走査は、図3の(a)0度スキャンに対応するものであって、各画素を右方向かつ水平に順次走査するものであり、
・1画素走査間隔:1(各画素間隔を横、縦ともに1と定義している)
・1ライン間隔 :1
である。
したがって、1画素走査間隔×1ライン間隔=1となる。
(b)45度回転画素走査は、図3の(b)45度スキャンに対応するものであって、各画素を右上45度方向に順次走査するものであり、
・1画素走査間隔:√2=1,4
・1ライン間隔 :1/√2=0.7
である。
したがって、1画素走査間隔×1ライン間隔=√2×1/√2=1と、0°回転画素走査と同じ走査時間となり、結果として、1画像を取得する全時間は同一となる。
以上のように設定し、同一クロック間隔で走査信号をそれぞれ生成し、サンプル4上の画素対応の位置を順次走査して取得した信号を、元の画素の位置の信号にそれぞれ設定(復元)すると、0°回転画像、45°回転画像をそれぞれ同一時間で生成することが可能となる。そして、生成した両者の画像を画素対応で合成(例えば積算、図2のS6)すると、合成画像を生成することができる。
尚、所定回転方向のスキャン時に、終点の画素から始点の画素に移動するときは、ブランキング電極にパルス電圧を印加してこの移動の間は電子ビームがサンプル4の終点の位置(画素)から始点の位置(画素)に移動するパス(軌道)に電子ビームが照射されないように、公知のいわゆるブランキング(帰線消去)を行う。
図5は、本発明の画像データテーブル例を示す。これは、既述した図2のフローチャートで設定、および予め設定した各種情報である下記の情報を保存するものである。
・回転角度:図2のS1で設定したnで決まる回転角度,
・画像データ:回転角度で取得した画像データであって、例えば下段に記載したように、
・(8ビットの1ピクセル(画素)のデータ)をm回
・60回/4=15回積算:全体の画像の枚数を60枚とし、0°、ー45°、45°、90°の4方向スキャンとし、各方向スキャンが15枚(回)として、これら全部の画像(60枚)を積算して合成することを表す。
・データ群:上記例では、60枚の画像群
・撮影条件:画像を撮影する撮影条件であって、加速電圧、電流、倍率、試料名などの情報
・補正係数:高さ補正、倍率間差などの補正係数
・その他:
以上のように、複数スキャン方向で取得した画像あるいは合成画像とその回転角度、撮影条件、補正係数等をまとめて画像データテーブル13に登録して保存することにより、当該画像データテーブル13を参照して任意のサンプルの画像中のパターンの測定(寸法、面積など)を容易に行うことが可能となる。
図6は、本発明の回転画素走査フローチャートを示す。これは、既述した同一領域かつ同一画素を所定スキャン方向で走査するときの詳細説明フローチャートである。
図6において、S11は、0度方向の画像をピクセル毎(画素毎)に取得する。これは、既述した図3において、(a)0度スキャンの方向(左端から右端の方向)に上から下方向に向かって順次走査し、そのときの画素の信号をそれぞれ検出・増幅して取得し、図示の各対応する位置(画素)の信号(輝度信号、通常8ビット)としてメモリ上に設定し、(a)0度スキャンの1枚(1フレーム)の画像を取得する。通常は、合計60枚であるので、ここでは、後述する(b)45度スキャンと2種類の走査方向の画像を取得するので、2分割して(a)0度スキャンの30枚の画像を取得する。
次に、S12からS17により、(b)45度スキャンの画像を1枚取得する。
S12は、始点と終点を算出する。これは、1番目のライン1として、走査範囲の始点と終点を、
・走査範囲の始点(x0、y0)、終点(x0,y0)
と設定する。尚、ここでは、説明を判り易くするために、
・図3の各矩形で表される画素の中心の座標(xn+Δx/2、yn+Δy/2)(n=0〜n)を(xn、yn)
で以下表記する。ここで、Δx、Δyは矩形で表される画素のx方向、y方向のサイズ(幅)である。
このS12の例は、始点と終点とが同一で、1点を走査する。
S13は、スキャンして画像を取得する。これは、S12で設定した始点から終点までを画素単位にスキャンして各画素の信号(通常は、検出・増幅した8ビットの輝度信号)を取得する。
以上のS12、S13で、(b)45度スキャンのライン1の始点と終点とで決まる画素(ここでは、1つの画素)の信号を取得できたこととなる。
同様に、S14、S15で、(b)45度スキャンのライン2の始点と終点とで決まる画素(ここでは、2つの画素)の信号を取得する。
同様にして(b)45度スキャンのライン3からライン(n−1)の始点と終点とで決まる画素(ここでは、3つの画素・・・・)の信号を取得する。
S16は、S17は、同様に、(b)45度スキャンのラインnの始点と終点とで決まる画素(ここでは、最終の1つの画素)の信号を取得する。
以上のS12からS17によって、(b)45度スキャンのライン1からラインnの画素をそれぞれ取得して1枚の画像を生成し、上述したように、ここでは、30枚の(b)45度スキャンの画像を取得することを繰り返す。
以上のS11によって(a)0度スキャンの30枚の画像、S12からS17によって(b)45度スキャンの30枚の画像を取得し、これら全部を画素同士に積算(あるいは平均)し、1枚の合成画像を生成することが可能となる。
尚、スキャン速度には下記があるが、いずれを選択してもよい。通常は、等時間スキャン(同一時間間隔クロックを使ったスキャン)を用い、いずれの回転方向にスキャンしても1枚の画像を取得する全時間を同一にしている。
・等時間スキャン(同一時間間隔のクロックでスキャン):例えばS12からS17で上述した(b)45度スキャンの場合には√2倍の速度でスキャンし、スキャンするスキャンライン間隔は1/√2倍となるので、全画素時間が同じである。
・定速スキャン(同一スキャン速度でスキャン):積算時間を増減する。例えばS12からS17で上述した(b)45度スキャンの場合には√2倍に積算時間を増大する(クロック間隔を√2倍に増大する)。
図7は、本発明の画像合成フローチャートを示す。
図7において、S21は、1回目(2回目以降も)の画像データを取り込む。
S22は、合成OKか判別する。これは、S21で取り込んだ画像のノイズが閾値よりも小さいか、画像(他の画像、他の全画像)との相関があるかなどを判別する。YESの場合には、S23に進む。NOの場合には、合成NGと判断して破棄し、S21に戻り、次の画像データを取り込む。
S23は、合成(加算及び補正)する。これは、S21、S22のYESで取り込んだ画像を合成、即ち、画素毎にその輝度を積算、あるいは平均化する。例えば前述の60枚を合成する場合には、1枚の画像が8ビット表現とときは、8ビットが60枚積算してもオーバーフローしない領域を確保(14ビット以上、通常2バイト領域を確保)し、積算する(平均するときは上位の所定ビット目から必要ビット数(例えば8ビット)を抽出して処理時間の増大を防ぐ)。
S24は、終わりか判別する。全ての合成する画像(例えば上述した例では、60枚の画像)についてS23の合成を終わったか判別する。YESの場合には、S25で画像合成完了する。これにより、1枚の合成画像を生成できたこととなる(図8の(b)、(c)参照)。
以上によって、複数方向にスキャンした画像を順次全て画素毎に積算した1枚の合成画像を生成することが可能となる。
図8は、本発明の取得画像例を示す。
図8の(a)は0度スキャンの1方向スキャンの合成画像例を示し、図8の(b)は45度スキャンと−45度スキャンの2方向スキャンの合成画像例を示し、図8の(c)は45度スキャン、−45度スキャン、0度スキャン、90度スキャンの4方向スキャンの合成画像例を示す。全ての合成画像は、60枚の合成画像であって、図8の(a)は60枚の0度スキャン画像を合成したもの、図8の(b)は45度スキャン、−45度スキャンの各30枚の画像、合計60枚の画像を合成したもの、図8の(c)は45度スキャン、−45度スキャン、0度スキャン、90度スキャンの各15枚の画像、合計60枚の画像を合成したものである。
図8の(a)の0度スキャンの合成画像では、1方向スキャンであるので、サンプル上で0度スキャンの方向とほぼ平行な矩形パターンの上辺、下辺のラインがチャージやライン端の形状などの影響を受けて細くなったり、黒い線(尾引き)が現れたりなどの影響をうけ、不鮮明になっている様子が判明する。
一方、図8の(b)の45度スキャンと−45度スキャンでは、2方向スキャンであって、ここでは、左下から右上への45度スキャンと、左上から右下へのー45度スキャンとの各30枚の画像を合成したものであるので、図8の(a)の矩形パターンの上辺、下辺のラインが不鮮明であったものが、当該図8の(b)では鮮明になっている様子が判明する。
更に、図8の(c)の45度スキャンと−45度スキャンと0度スキャンと90度スキャンでは、4方向スキャンであって、ここでは、
・左下から右上への45度スキャン
・左上から右下へのー45度スキャン
の2つの方向のスキャンでは図8の(b)と同じ合成画像(積算画像)が得られ、更に、
・左から右への0度スキャン
・下から上への90度スキャン
の2つの方向のスキャンを合わせることにより、
・図8の(a)の矩形パターンの上辺、下辺のラインが不鮮明であったものが、当該図8の(c)では鮮明になっている様子が判明し、
・更に、図8の(c)では、表示されていないが、矩形パターンが45度傾いた画像を観察したところ、矩形パターンの上辺、下辺の不鮮明がなくなり、きわめて鮮明な画像が得られた。
以上のように、画面上で矩形パターンの辺が水平、垂直の場合には図8の(b)、(c)の2方向スキャン、4方向スキャンが鮮明な画像が得られ、画面上で矩形パターンの辺が水平、垂直、更に、45度傾いた矩形パターンが混在(あるいは円形、楕円などのパターンが存在)する場合には図8の(c)の4方向スキャンが鮮明な画像が得られることが判明した。
本発明の1実施例構成図である。 本発明の画像取得フローチャートである。 本発明の電子ビームスキャン方向とデータ抽出画素の説明図である。 本発明の45°回転画素走査の説明図である。 本発明の画像データテーブル例である。 本発明の回転画素走査フローチャートである。 本発明の画像合成フローチャートである。 本発明の合成画像例である。
1:SEM(走査型電子顕微鏡)
2:スキャン回転手段
21:電子ビーム
3:試料室
4:サンプル
5:ステージ
6:信号取得手段
7:コンピュータ(PC)
8:画像生成手段
9:画像合成手段
10:輪郭抽出手段
11:測定手段
12:表示装置
13:画像データテーブル

Claims (9)

  1. 電子ビームを試料に照射して試料から放出あるいは反射あるいは吸収された電子を検出して画像を取得するSEM画像取得装置において、
    前記試料上を走査する前記電子ビームの走査方向を回転させ、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した該試料上の位置に照射する走査信号を発生する走査信号発生手段と、
    前記走査信号発生手段によって発生させた走査信号をもとに、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置に電子ビームを照射する偏向装置と、
    前記偏向装置で偏向して電子ビームを照射した試料上の同一領域かつ同一画素に対応した該試料上の位置からの信号を検出・増幅する検出・増幅手段と、
    前記検出・増幅手段で検出・増幅した信号をもとに、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した該試料上の位置を照射したときの画像を生成する画像生成手段と
    を備えたことを特徴とするSEM画像取得装置。
  2. 前記検出・増幅手段で検出・増幅した信号をもとに、異なる回転方向から電子ビームで試料を走査したときの当該試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置の複数画像を合成する合成手段と
    を備えたことを特徴とする請求項1記載のSEM画像取得装置。
  3. 請求項2において、前記合成手段は、同じ回転方向の複数の画像および異なる複数の回転方向の複数の画像をそれぞれ合成したことを特徴とするSEM画像取得装置。
  4. 前記合成手段は、複数の取得した画像について、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置の信号(画素信号)毎に合成することを特徴とする請求項1から請求項の3のいずれかに記載のSEM画像取得装置。
  5. 請求項4において前記信号(画素信号)毎の合成は、信号(画素信号)毎に積算あるいは平均することを特徴とするSEM画像取得装置。
  6. 前記走査信号発生手段は、前記走査信号として、クロックの周期を同一、あるいはクロックの周期を増大、あるいはクロックの周期を減少させ、試料上の同一領域内の全画素に対応した位置を所定回転方向に順次走査する信号を生成し、全走査時間を同一、あるいは全走査時間を増大、あるいは全走査時間を減少させることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のSEM画像取得装置。
  7. 前記走査信号発生手段は、走査信号として、電子ビームの走査方向を回転する方向が少なくとも0°、(tan-1 1/2)°、45°、(tan-1 2)°,90°の方向と、これらに対して90°の整数倍を加減算した方向とであって、0°から360°範囲内あるいは−180°から+180°範囲のいずれか1つあるいは複数の走査信号を発生することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載のSEM画像取得装置。
  8. 電子ビームを試料に照射して試料から放出あるいは反射あるいは吸収された電子を検出して画像を取得するSEM画像取得方法において、
    前記試料上を走査する前記電子ビームの走査方向を回転させ、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した該試料上の位置に照射する走査信号を発生する走査信号発生ステップと、
    前記走査信号発生手段によって発生させた走査信号をもとに、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置に電子ビームを照射する偏向ステップと、
    前記偏向装置で偏向して電子ビームを照射した試料上の同一領域かつ同一画素に対応した該試料上の位置からの信号を検出・増幅する検出・増幅ステップと、
    前記検出・増幅手段で検出・増幅した信号をもとに、試料上の同一領域かつ同一画素に対応した該試料上の位置を照射したときの画像を生成する画像生成ステップと
    を有することを特徴とするSEM画像取得方法。
  9. 前記検出・増幅ステップで検出・増幅した信号をもとに、異なる回転方向から電子ビームで試料を走査したときの当該試料上の同一領域かつ同一画素に対応した位置の複数画像を合成する合成ステップと
    を有することを特徴とする請求項8記載のSEM画像取得方法。
JP2015191857A 2015-09-29 2015-09-29 Sem画像取得装置およびsem画像取得方法 Active JP6548542B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015191857A JP6548542B2 (ja) 2015-09-29 2015-09-29 Sem画像取得装置およびsem画像取得方法
TW105128141A TWI687682B (zh) 2015-09-29 2016-08-31 Sem影像取得裝置及sem影像取得方法
DE112016004422.4T DE112016004422T5 (de) 2015-09-29 2016-09-09 REM-Bilderfassungsvorrichtung und REM-Bilderfassungsverfahren
US15/764,297 US10553391B2 (en) 2015-09-29 2016-09-09 SEM image acquisition device and SEM image acquisition method
CN201680052728.6A CN108352283B (zh) 2015-09-29 2016-09-09 Sem影像取得装置及sem影像取得方法
PCT/JP2016/076631 WO2017056924A1 (ja) 2015-09-29 2016-09-09 Sem画像取得装置およびsem画像取得方法
KR1020187007966A KR101993618B1 (ko) 2015-09-29 2016-09-09 Sem 화상 취득장치 및 sem 화상 취득방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015191857A JP6548542B2 (ja) 2015-09-29 2015-09-29 Sem画像取得装置およびsem画像取得方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017068985A JP2017068985A (ja) 2017-04-06
JP6548542B2 true JP6548542B2 (ja) 2019-07-24

Family

ID=58424080

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015191857A Active JP6548542B2 (ja) 2015-09-29 2015-09-29 Sem画像取得装置およびsem画像取得方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10553391B2 (ja)
JP (1) JP6548542B2 (ja)
KR (1) KR101993618B1 (ja)
CN (1) CN108352283B (ja)
DE (1) DE112016004422T5 (ja)
TW (1) TWI687682B (ja)
WO (1) WO2017056924A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10354836B2 (en) * 2014-03-09 2019-07-16 Ib Labs, Inc. Methods, apparatuses, systems and software for treatment of a specimen by ion-milling
JP6548542B2 (ja) * 2015-09-29 2019-07-24 株式会社ホロン Sem画像取得装置およびsem画像取得方法
JP6698883B2 (ja) * 2017-01-27 2020-05-27 株式会社日立ハイテク 荷電粒子線装置
JP7201523B2 (ja) * 2018-06-07 2023-01-10 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ電子ビーム偏向器及びマルチビーム画像取得装置
JP7271099B2 (ja) * 2018-07-19 2023-05-11 キヤノン株式会社 ファイルの生成装置およびファイルに基づく映像の生成装置
DE102019107566A1 (de) * 2019-03-25 2020-10-01 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Erzeugen eines Ergebnisbilds
CN110967254B (zh) * 2019-12-25 2021-01-08 哈尔滨工业大学 一种研究金属基体与陶瓷膜层界面断裂行为的sem原位拉伸测试方法

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR850700273A (ko) * 1984-03-20 1985-12-26 닉슨, 래리 셀돈 정밀 주사형 전자 현미경 측정을 위한 방법 및 장치
US4845362A (en) * 1988-02-02 1989-07-04 North American Philips Corporation In situ differential imaging and method utilizing a scanning electron microscope
JP3730263B2 (ja) * 1992-05-27 2005-12-21 ケーエルエー・インストルメンツ・コーポレーション 荷電粒子ビームを用いた自動基板検査の装置及び方法
US6172363B1 (en) * 1996-03-05 2001-01-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for inspecting integrated circuit pattern
US6426501B1 (en) * 1998-05-27 2002-07-30 Jeol Ltd. Defect-review SEM, reference sample for adjustment thereof, method for adjustment thereof, and method of inspecting contact holes
US6194718B1 (en) * 1998-09-23 2001-02-27 Applied Materials, Inc. Method for reducing aliasing effects in scanning beam microscopy
US6727911B1 (en) * 1999-04-28 2004-04-27 Jeol Ltd. Method and apparatus for observing specimen image on scanning charged-particle beam instrument
US7817844B2 (en) * 1999-08-26 2010-10-19 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US7796801B2 (en) * 1999-08-26 2010-09-14 Nanogeometry Research Inc. Pattern inspection apparatus and method
US20040081350A1 (en) * 1999-08-26 2004-04-29 Tadashi Kitamura Pattern inspection apparatus and method
DE60144249D1 (de) * 2000-12-15 2011-04-28 Kla Tencor Corp Verfahren und vorrichtung zum untersuchen eines substrats
JP4472305B2 (ja) * 2002-10-22 2010-06-02 株式会社ナノジオメトリ研究所 パターン検査装置および方法
JP4133458B2 (ja) * 2003-03-06 2008-08-13 株式会社トプコン パターン検査方法及びパターン検査装置
US7420164B2 (en) * 2004-05-26 2008-09-02 Ebara Corporation Objective lens, electron beam system and method of inspecting defect
US7230240B2 (en) * 2004-08-31 2007-06-12 Credence Systems Corporation Enhanced scanning control of charged particle beam systems
JP4916116B2 (ja) * 2005-02-01 2012-04-11 株式会社ホロン パターン特定方法およびパターン特定装置
JP4504946B2 (ja) * 2006-05-16 2010-07-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
JP4881677B2 (ja) * 2006-08-31 2012-02-22 株式会社日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線走査方法及び荷電粒子線装置
JP5530601B2 (ja) 2008-03-31 2014-06-25 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査型電子顕微鏡を用いた回路パターンの寸法計測装置およびその方法
JP5174844B2 (ja) * 2010-03-05 2013-04-03 株式会社日立ハイテクノロジーズ 回路パターン検査装置およびその検査方法
WO2013183573A1 (ja) * 2012-06-08 2013-12-12 株式会社 日立ハイテクノロジーズ 荷電粒子線装置
US8933401B1 (en) * 2013-10-25 2015-01-13 Lawrence Livermore National Security, Llc System and method for compressive scanning electron microscopy
JP5795822B2 (ja) * 2014-12-08 2015-10-14 カルソニックカンセイ株式会社 温水加熱装置
JP6548542B2 (ja) * 2015-09-29 2019-07-24 株式会社ホロン Sem画像取得装置およびsem画像取得方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101993618B1 (ko) 2019-06-27
TW201712328A (zh) 2017-04-01
TWI687682B (zh) 2020-03-11
JP2017068985A (ja) 2017-04-06
CN108352283B (zh) 2020-06-19
WO2017056924A1 (ja) 2017-04-06
DE112016004422T5 (de) 2018-06-28
US20180286626A1 (en) 2018-10-04
US10553391B2 (en) 2020-02-04
CN108352283A (zh) 2018-07-31
KR20180042365A (ko) 2018-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6548542B2 (ja) Sem画像取得装置およびsem画像取得方法
US8330104B2 (en) Pattern measurement apparatus and pattern measurement method
JP4982544B2 (ja) 合成画像形成方法及び画像形成装置
US10732512B2 (en) Image processor, method for generating pattern using self-organizing lithographic techniques and computer program
KR20140119097A (ko) 화상 형성 장치 및 치수 측정 장치
JP5777967B2 (ja) 荷電粒子線装置及び計測方法
JP2009252959A (ja) パターン検査装置、パターン検査方法および半導体装置の製造方法
US10037866B2 (en) Charged particle beam apparatus
WO2011152303A1 (ja) 自動収差補正法を備えた荷電粒子線装置
JP4194526B2 (ja) 荷電粒子線の調整方法、及び荷電粒子線装置
JP5222994B2 (ja) 試料観察方法および走査電子顕微鏡
JP5576469B2 (ja) パターン検査装置及びパターン検査方法
JP2018056143A (ja) 露光条件評価装置
JP2018195545A (ja) 荷電粒子線装置および走査像の歪み補正方法
JP6207893B2 (ja) 試料観察装置用のテンプレート作成装置
JP2017199453A (ja) 荷電粒子線装置
US20190267210A1 (en) Method of Aberration Measurement and Electron Microscope
JP6662654B2 (ja) 画像取得方法及び電子ビーム検査・測長装置
JP5411866B2 (ja) パターン計測装置及びパターン計測方法
JP4431624B2 (ja) 荷電粒子線調整方法、及び荷電粒子線装置
JP6078356B2 (ja) テンプレートマッチング条件設定装置、及び荷電粒子線装置
JP2012142299A (ja) 走査型荷電粒子顕微鏡装置および走査型荷電粒子顕微鏡装置で取得した画像の処理方法
JP4231891B2 (ja) 荷電粒子線の調整方法、及び荷電粒子線装置
JP2004333355A (ja) 線幅の計測方法
JP2010016007A (ja) 荷電粒子線調整方法及び荷電粒子線装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190528

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190625

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6548542

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250