JP6546839B2 - 水素濃度計測装置 - Google Patents
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- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 136
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 title claims description 136
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 title claims description 136
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 86
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 64
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 64
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 62
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 35
- 239000007784 solid electrolyte Substances 0.000 claims description 35
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 34
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 30
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 claims description 24
- 230000001629 suppression Effects 0.000 claims description 20
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 14
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- -1 Platinum group metals Chemical class 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 5
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003353 gold alloy Substances 0.000 description 4
- JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N gold platinum Chemical compound [Pt].[Au] JUWSSMXCCAMYGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 3
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150058765 BACE1 gene Proteins 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N Decamethylcyclopentasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 XMSXQFUHVRWGNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007084 catalytic combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229920001973 fluoroelastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N hexamethylcyclotrisiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HTDJPCNNEPUOOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N octamethylcyclotetrasiloxane Chemical compound C[Si]1(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 HMMGMWAXVFQUOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
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Description
本発明は、酸素を含む水素ガス中の水素濃度を検出する水素濃度計測装置に関するものである。
水素ガスは、例えばメタンガスのような可燃性ガスと比較した場合、その比重は軽く、漏洩し易く、仮に漏洩した場合には、危険性が高いガスである。よって、従来より、水素ガスの濃度を計測する水素濃度計測装置として、例えば、熱伝導式、接触燃焼式、及び固体電解質型水素濃度計等の提案がある。
この固体電解質型水素濃度計として、プロトン伝導体を用いた水素濃度の測定方法が提案されている（特許文献１等）。この特許文献１に開示された水素センサーは、プロトン導電性固体電解質に測定極と参照極とを一対設け、測定極の水素分圧と、水素ガス分圧が既知であって標準極物質となる水素含有ガス体の水素分圧との間の分圧差により起電力が生じることを利用し、水素濃淡電池により水素含有量を求めるものである。
しかしながら、特許文献１に開示する水素センサーは、一般に電極に白金等の白金族の金属を用いているので、酸素フリーの状態の被計測ガス中の水素濃度の検出に限定されており、例えば酸素、空気、又は酸素が共存する雰囲気中に含まれる水素の濃度を直接計測することはできない、という問題がある。これは、被計測ガス中に、酸素が含有するような場合には、該酸素が白金電極上で水素と反応し、真の水素濃度を精度良く求めることができないことによる。
よって、例えば酸素を含むガス中の水素濃度を精度良く求めることができる水素濃度計測装置の出現が切望されている。
本発明は、前記問題に鑑み、被計測ガス中の水素濃度を計測する際、例えば酸素、空気、又は酸素が共存する雰囲気中においても、水素濃度を精度良く求めることができる水素濃度計測装置を提供することを課題とする。
上述した課題を解決するための本発明の第１の発明は、プロトン導電性を有するセラミックスからなるプロトン導電体固体電解質と、前記プロトン導電体固体電解質を挟持する一対の第１電極及び第２電極と、前記第１電極側を密閉された空間とし、既知の水素濃度の水素を導入又は封入する第１水素室と、前記第２電極側に、酸素と水素を含む被計測ガスの雰囲気とする第２水素室と、前記第１電極と前記第２電極とに接続され、両者の電位差を検出する電圧計と、を具備すると共に、第２電極の表面に、酸素吸着抑制処理層を有することを特徴とする水素濃度計測装置にある。
本発明によれば、酸素吸着抑制処理層の形成により酸素の影響を抑制し、水素選択性が向上して、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより精度良く計測することができる。
第２の発明は、第１の発明において、前記酸素吸着抑制処理層が、フッ素を含む層であることを特徴とする水素濃度計測装置にある。
本発明によれば、酸素吸着抑制処理層がフッ素を含む層とすることにより、フッ素により酸素の影響を抑制し、水素選択性が向上して、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより精度良く計測することができる。
第３の発明は、第１の発明において、前記酸素吸着抑制処理層が、ケイ素を含む層であることを特徴とする水素濃度計測装置にある。
本発明によれば、酸素吸着抑制処理層がケイ素を含む層とすることにより、酸素の影響を抑制し、水素選択性が向上して、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより精度良く計測することができる。
第４の発明は、第１乃至３のいずれか一つにおいて、前記第２電極が、白金又はパラジウムの単体電極、白金又はパラジウムの少なくとも一つを含む合金電極のいずれかからなることを特徴とする水素濃度計測装置にある。
本発明によれば、第２電極に、白金又はパラジウムの単体電極、白金又はパラジウムの少なくとも一つを含む合金電極を用いる場合でも、酸素吸着抑制処理層により、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度を精度良く計測することができる。
第５の発明は、第１乃至４のいずれか一つの発明において、前記プロトン導電体固体電解質を所定温度に加熱するヒータを有することを特徴とする水素濃度計測装置にある。
ヒータにより所定の温度雰囲気とし、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度を精度良く計測することができる。
本発明の水素濃度計測装置によれば、被計測ガス中において、例えば酸素等を含有する場合においても、水素濃度を精度良く求めることができる。
以下に添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。なお、この実施形態により本発明が限定されるものではなく、また、実施形態が複数ある場合には、各実施形態を組み合わせて構成するものも含むものである。
＜実施形態１＞
図１は、実施形態１に係る水素濃度計測装置の概略図である。図１に示すように、本実施形態に係る水素濃度計測装置１０は、プロトン導電性を有するセラミックスからなるプロトン導電体固体電解質１１と、プロトン導電体固体電解質１１を挟持する一対の第１電極１２及び第２電極１３と、第１電極１２側を密閉された空間とし、既知の水素濃度の水素（標準ガス）を導入又は封入する第１水素室１４と、第２電極１３側に、酸素と水素を含む被計測ガス１５を導入する第２水素室１６と、第１電極１２と第２電極１３とに接続され、両者の電位差を検出する電圧計１９と、を具備している。なお、本実施形態では、第２水素室１６には被計測ガス１５を導入排出する導入部１７及び排出部１８が設けられている。なお、第２水素室１６を解放状態として、被計測ガス１５の雰囲気に曝すようにしてもよい。その場合には、第２水素室１６は被計測ガス１５の例えば大気空間等となる。
図１は、実施形態１に係る水素濃度計測装置の概略図である。図１に示すように、本実施形態に係る水素濃度計測装置１０は、プロトン導電性を有するセラミックスからなるプロトン導電体固体電解質１１と、プロトン導電体固体電解質１１を挟持する一対の第１電極１２及び第２電極１３と、第１電極１２側を密閉された空間とし、既知の水素濃度の水素（標準ガス）を導入又は封入する第１水素室１４と、第２電極１３側に、酸素と水素を含む被計測ガス１５を導入する第２水素室１６と、第１電極１２と第２電極１３とに接続され、両者の電位差を検出する電圧計１９と、を具備している。なお、本実施形態では、第２水素室１６には被計測ガス１５を導入排出する導入部１７及び排出部１８が設けられている。なお、第２水素室１６を解放状態として、被計測ガス１５の雰囲気に曝すようにしてもよい。その場合には、第２水素室１６は被計測ガス１５の例えば大気空間等となる。
ここで、プロトン導電体固体電解質１１は、水素濃度に応じて起電力を発生させる。プロトン導電体固体電解質１１は、プロトン導電性を有するセラミックスである。このプロトン導電性を有するセラミックスとしては、例えばＣａＺｒ1-ｘ（Ｍ）xＯ3、ＳｒＺｒ1-ｘ（Ｍ）xＯ3、ＢａＣｅ1-ｘ（Ｍ）xＯ3等を挙げることができる。ここで、Ｍ＝Ｙ、Ｙｂ、Ｎｄであり、ｘ＝０．０５−０．１が代表的であるが、プロトン導電性を備えるセラミックスであれば、本発明はこれらに限定されるものではない。
第１水素室１４は、プロトン導電体固体電解質１１の表面との間に密閉された空間を形成する。第１水素室１４およびプロトン導電体固体電解質１１の表面によって形成される空間には、プロトン導電体固体電解質１１が起電力を発生させるための基準となる水素（既知濃度の水素（標準ガス））を含む不活性ガスの流体が封入される。なお、封入以外に基準流体を連続して流入するようにしてもよい。
第１電極１２は、プロトン導電体固体電解質１１の第１水素室１４側の表面に設けられる。第１電極１２は、封入された流体がプロトン導電体固体電解質１１の表面に容易に到達できる構造であることが好ましい。第２電極１３は、プロトン導電体固体電解質１１の反対側の表面に設けられる。第２電極１３は、例えば導入部１７から導入される被計測ガス１５がプロトン導電体固体電解質１１の表面に容易に到達できる構造であることが好ましい。電圧計１９は、第１電極１２と第２電極１３の電位差を検出する。電圧計１９が出力する電位差は、第２水素室１６内の雰囲気の水素濃度を表す。
ヒータ２１は、プロトン導電体固体電解質１１及び第１電極１２及び第２電極１３を加熱する。なお、図示しない温度計を設けて、プロトン導電体固体電解質１１が一定の温度を保つようにヒータ２１を制御するようにしてもよい。
具体的には、ヒータ２１による加熱温度の下限値は、第１電極１２及び第２電極１３の抵抗値により応答性の低下がみられる温度以上（例えば２００℃以上）とし、加熱温度の上限値は、水素燃焼により水素濃度計測が適切にできなくなる温度（例えば５００℃）よりも低い温度範囲内、例えば２００℃〜５００℃に保つようにしている。なお、温度が低い場合には、電解質を薄くすることにより応答性の向上を図ることができる。
このような構成の水素濃度計測装置１０によって、以下の様に水素濃度が計測される。ヒータ２１の加熱によって、プロトン導電体固体電解質１１は、水素濃度に応じて起電力を発生させるのに十分に加熱される。プロトン導電体固体電解質１１は、第１水素室１４内の水素の濃度（分圧）と第２水素室１６の雰囲気の水素の濃度（分圧）の差に応じて起電力を発生する。起電力の大きさは、電圧計１９によって検出され、雰囲気の水素濃度を示す値として、例えば表示部等により表示される。
図２は、水素測定の原理説明に係る模式図である。雰囲気の水素濃度（水素ガス分圧）は、以下の数式（１）に示すネルンストの式から算出することができる。片側の第１水素室１４内の水素濃度が既知であれば、水素濃度差による起電力Ｅを測定することで、第２水素室１６内の検出されるべき水素濃度もわかることとなる。
ここで、Ｅは、起電力（単位：Ｖ）である。Ｒは、ガス定数（８．３１４Ｊ／Ｋ・ｍｏｌ）である。Ｔは、絶対温度（単位：Ｋ）である。Ｆは、ファラデー定数（９６４８５Ｃ／ｍｏｌ）である。ＰＨ2（１）は、第２水素室１６内の被計測ガス１５中の水素ガス分圧（単位：Ｐａ）である。ＰＨ2（２）は、第１水素室１４の標準ガス中の既知の水素ガス分圧（単位：Ｐａ）である。
ここで、水素を含む被計測ガス１５中に酸素(又は空気)が含まれる場合には、第２電極１３上への酸素の解離吸着が問題となる。これは、酸素が解離吸着された電極表面上の吸着酸素と、吸着水素との反応により、水が生成し、水素選択性が低下されるからである。
次に、図３の模式図を用いて、被計測ガス１５中に酸素が存在する場合における水素濃度検出の問題を説明する。
図３は、酸素が含まれるガス中の水素検知の電極反応経路の模式図である。
図３に示すように、プロトン導電体固体電解質１１の一方の表面には、第２電極１３が形成されている。そして、水素と酸素とを含む被計測ガス１５中の水素濃度を計測する場合、水素と酸素とは以下の反応挙動を呈する。なお、図３に記載の数値は下記に示す挙動に対応する。
（１）先ず、第２電極１３上への水素の解離・吸着がなされる。
（２）この吸着した水素の表面拡散が行われ、アノード反応が起こる。
（３）気相／電極相／電解質相からなる三相界面で電子の授受が行われる。
（４）さらに、第２電極１３上への酸素の解離・吸着がなされる。
（５）この吸着した酸素と吸着した水素とのカソード反応により、水素選択性の低下が発生する。
図３は、酸素が含まれるガス中の水素検知の電極反応経路の模式図である。
図３に示すように、プロトン導電体固体電解質１１の一方の表面には、第２電極１３が形成されている。そして、水素と酸素とを含む被計測ガス１５中の水素濃度を計測する場合、水素と酸素とは以下の反応挙動を呈する。なお、図３に記載の数値は下記に示す挙動に対応する。
（１）先ず、第２電極１３上への水素の解離・吸着がなされる。
（２）この吸着した水素の表面拡散が行われ、アノード反応が起こる。
（３）気相／電極相／電解質相からなる三相界面で電子の授受が行われる。
（４）さらに、第２電極１３上への酸素の解離・吸着がなされる。
（５）この吸着した酸素と吸着した水素とのカソード反応により、水素選択性の低下が発生する。
すなわち、被計測ガス１５中に、水素以外に酸素が存在する場合、第２電極１３表面では、下記式（Ｉ）に示すアノード反応と、下記式（II）に示すカソード反応との競争反応が生じており、実際の起電力は、その混成電位として現れるものと推察される。
Ｈ2⇔２Ｈ+＋２ｅ- （アノード反応）・・・（Ｉ）
２Ｈ+＋１／２Ｏ2＋ｅ-⇔Ｈ2Ｏ （カソード反応)・・・（II）
Ｈ2⇔２Ｈ+＋２ｅ- （アノード反応）・・・（Ｉ）
２Ｈ+＋１／２Ｏ2＋ｅ-⇔Ｈ2Ｏ （カソード反応)・・・（II）
ここで、従来のように、例えば白金のみの白金電極を第２電極１３に用いた場合には、反応速度は、（Ｉ）＜（II）となり、式（Ｉ）の反応よりも、式（II）の反応の影響を受けやすくなる。この結果、白金電極を第２電極１３に用いた場合には、後述する比較例に示すように、水素濃度が理論値よりも解離したものとなり、精度の高い水素濃度の計測が困難になると考えられる。
そこで、本実施形態においては、第２電極１３の表面に、酸素吸着抑制処理層を有するようにしている。この酸素吸着抑制処理層を第２電極１３の表面に形成することにより、被計測ガス１５中に含まれる酸素の影響を抑制し、水素選択性を向上させることが可能である。これにより、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより正確に計測することができる。また、第２電極１３のみならず、プロトン導電体固体電解質１１に対しても酸素吸着抑制処理層を形成するようにしても良い。
ここで、酸素吸着抑制処理層としては、フッ素を含む層であることが好ましい。
酸素吸着抑制処理層として、フッ素を含む層とすることにより、フッ素により酸素の影響を抑制し、水素選択性が向上して、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより正確に計測することができる。
酸素吸着抑制処理層として、フッ素を含む層とすることにより、フッ素により酸素の影響を抑制し、水素選択性が向上して、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより正確に計測することができる。
また、第２電極１３を構成する金属としては、白金又はパラジウムの単体電極としている。また単体電極のみならず、例えば白金又はパラジウムの少なくとも一つを含み、他の金属を配合した合金からなる白金合金電極又はパラジウム合金電極としてもよい。
白金又はパラジウムの少なくとも一つを含む合金としては、白金及びパラジウムからなる白金・パラジウム合金を挙げることができる。また、白金又はパラジウムに対して配合して合金とする他の金属としては、例えば周期律表の第５周期、第６周期で、第８属〜第１０属に属する金属、例えばルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）の白金族金属や、周期律表の第５周期、第６周期で、第１１属に属する銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の金属を挙げることができる。よって、これらの金属と、白金又はパラジウムとの合金により、第２電極１３を構成することができる。配合する金属としては、２成分又はそれ以上としてもよい。
白金又はパラジウムの少なくとも一つを含む合金としては、白金及びパラジウムからなる白金・パラジウム合金を挙げることができる。また、白金又はパラジウムに対して配合して合金とする他の金属としては、例えば周期律表の第５周期、第６周期で、第８属〜第１０属に属する金属、例えばルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）の白金族金属や、周期律表の第５周期、第６周期で、第１１属に属する銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等の金属を挙げることができる。よって、これらの金属と、白金又はパラジウムとの合金により、第２電極１３を構成することができる。配合する金属としては、２成分又はそれ以上としてもよい。
白金又はパラジウムに対する他の金属成分の配合は、少なくとも他の金属成分が白金又はパラジウムに含まれていればよい。
[試験例１]
次に、試験例１を用いて、本発明の優位な効果を説明する。
試験には、プロトン導電体固体電解質１１として、厚さ１ｍｍのＳｒＺｒ0.9Ｙｂ0.1Ｏ3を用いた。また、試験例１の第２水素室１６内の第２電極として、白金のみの白金単体電極としては、１００％白金電極(試験例１−１〜１−３)を用いた。
次に、試験例１を用いて、本発明の優位な効果を説明する。
試験には、プロトン導電体固体電解質１１として、厚さ１ｍｍのＳｒＺｒ0.9Ｙｂ0.1Ｏ3を用いた。また、試験例１の第２水素室１６内の第２電極として、白金のみの白金単体電極としては、１００％白金電極(試験例１−１〜１−３)を用いた。
試験は、第１水素室１４内には、常圧で水素（４Ｖｏｌ％）を含む不活性ガス（窒素（Ｎ2）又はヘリウム（Ｈｅ）等）を基準ガスとして封入した。また、被計測ガス１５として、常圧で空気中に所定濃度の水素を含有させた。所定濃度の水素は、０．３Ｖｏｌ％、１Ｖｏｌ％、３．５Ｖｏｌ％とした。
試験の動作温度は、３００℃、３５０℃、４００℃で各々行った。なお、第１水素室１４内の第１電極１２としては１００％白金電極を用いた。
なお、処理を施さない１００％白金電極を比較例とした（比較例１−１〜１−３）。この計測結果を図に示す。
なお、処理を施さない１００％白金電極を比較例とした（比較例１−１〜１−３）。この計測結果を図に示す。
この得られた第２電極の表面に、フッ素化処理を行った。このフッ素化処理は、乾燥空気中にフッ化水素（ＨＦ）を導入して濃度２０ｐｐｍとなるように調整してフッ素化処理剤を得た。この得られたフッ素化処理剤を第２水素室１６内に導入し、第２電極１３及びプロトン導電体固体電解質１１に対して３００℃で３２時間フッ素化処理をした。
図４−１〜図４−３は、試験例１−１〜１−３の１００％白金電極の試験結果であり、図４−１は、試験例１−１の白金電極に対してフッ素化処理後の３００℃の計測結果図であり、図４−２は、試験例１−２の白金電極に対してフッ素化処理後の３５０℃の計測結果図であり、図４−３は、試験例１−３の白金電極に対してフッ素化処理後の４００℃の計測結果図である。ここで、図中の実線は、ネルンストの式より導かれる理論起電力を示す。
図５−１〜図５−３は、比較例１−１〜１−３の１００％白金電極未処理の試験結果であり、図５−１は、比較例１−１の白金電極未処理の３００℃の計測結果図であり、図５−２は、比較例１−２の白金電極未処理の３５０℃の計測結果図であり、図５−３は、比較例１−３の白金電極未処理の４００℃の計測結果図である。ここで、図中の実線は、ネルンストの式より導かれる理論起電力を示す。
試験結果を検討すると、図４−１〜図４−３に示すように、白金電極にフッ素化処理を施して第２電極に用いる場合、図５−１〜図５−３の比較例１−１〜１−３で示した未処理のものに比べて、理論起電力に近づく傾向が認められた。
この作用・効果は、電極反応が起こる気相／電極／固体電解質の三相界面近傍の電極表面及び／または固体電解質表面に、予めフッ素イオンを吸着・固定化することにより、酸素を吸着反応や表面拡散を阻害して水素との反応を抑制するものと推察される。
この酸素抑制作用は、例えば、市販のフッ素系ゴムを例えば１００〜２００℃加熱した際の揮発成分で処理した場合も同様な作用効果があり、酸素吸着抑制処理層として適用することができる。また、フッ素の代わりに同じハロゲン族である臭素、ヨウ素についても、同様な酸素吸着抑制処理層として適用することができる。
＜実施形態２＞
次に、本発明の実施形態２に係る水素濃度計測装置について説明する。
本実施形態においては、第２電極１３の表面に、酸素吸着抑制処理層としてケイ素を含有するようにしている。
酸素吸着抑制処理層として、ケイ素を含む層とすることにより、ケイ素により酸素の影響を抑制し、水素選択性が向上して、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより正確に計測することができる。
次に、本発明の実施形態２に係る水素濃度計測装置について説明する。
本実施形態においては、第２電極１３の表面に、酸素吸着抑制処理層としてケイ素を含有するようにしている。
酸素吸着抑制処理層として、ケイ素を含む層とすることにより、ケイ素により酸素の影響を抑制し、水素選択性が向上して、例えば酸素を含む水素ガス中の水素濃度をより正確に計測することができる。
ここで、ケイ素を含む酸素吸着抑制処理層を形成するための原料としては、シロキサンを用いるのが好ましい。シロキサンは、メチル基(−ＣＨ3)など有機基を持つケイ素（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）とが交互に結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合）したポリマーの総称である。特に、環状分子構造骨格を有する環状シロキサンを用いるのが好ましい。
シロキサン類(Ｒ−Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ−Ｒ)としては、低分子化合物からＲがアルキル基などで置換された有機シロキサン、及び環状シロキサン等にあるが、後者の二つが比較的安定な化合物である。
中でも下記のＤ３（三量体）、Ｄ４（四量体）、Ｄ５（五量体）の環状シロキサンを用いることが電極処理剤として好ましい。
Ｄ３: ヘキサメチルシクロトリシロキサン（hexamethyl cyclotrisiloxane）Ｃ6Ｈ18Ｏ3Ｓｉ3 、融点６４℃、沸点１３４℃の固体
Ｄ４: オクタメチルシクロテトラシロキサン（octamethyl cyclotetrasiloxane）Ｃ8Ｈ24Ｏ4Ｓｉ4 、融点１８℃、沸点１７５℃の半固体
Ｄ５: デカメチルシクロペンタシロキサン（decamethyl cyclopentasiloxane）Ｃ10Ｈ30Ｏ5Ｓｉ5 、融点−３０℃、沸点2１０℃の液体
Ｄ３: ヘキサメチルシクロトリシロキサン（hexamethyl cyclotrisiloxane）Ｃ6Ｈ18Ｏ3Ｓｉ3 、融点６４℃、沸点１３４℃の固体
Ｄ４: オクタメチルシクロテトラシロキサン（octamethyl cyclotetrasiloxane）Ｃ8Ｈ24Ｏ4Ｓｉ4 、融点１８℃、沸点１７５℃の半固体
Ｄ５: デカメチルシクロペンタシロキサン（decamethyl cyclopentasiloxane）Ｃ10Ｈ30Ｏ5Ｓｉ5 、融点−３０℃、沸点2１０℃の液体
[試験例２]
次に、試験例２を用いて、本発明の優位な効果を説明する。
試験には、プロトン導電体固体電解質１１として、厚さ１ｍｍのＳｒＺｒ0.9Ｙｂ0.1Ｏ3を用いた。また、試験例３の第２水素室１６内の第２電極として、白金・金合金（Ｐｔ（９９ｗｔ％）−Ａｕ(１ｗｔ％)の白金・金合金電極を用いた。
この得られた第２電極の表面に、シロキサン処理を行った。このシロキサン処理は、乾燥空気中に環状シロキサン（Ｄ４）を導入して濃度２０ｐｐｍとなるように調整してシロキサン処理剤を得た。この得られたシロキサン処理剤を第２水素室１６内に導入し、第２電極１３及びプロトン導電体固体電解質１１に対して３５０℃で３時間シロキサンを処理した。シロキサン処理後のケイ素は第２電極１３及びプロトン導電体固体電解質１１に一様に付着していることを電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ：Electron Probe MicroAnalyser）分析により確認した。
次に、試験例２を用いて、本発明の優位な効果を説明する。
試験には、プロトン導電体固体電解質１１として、厚さ１ｍｍのＳｒＺｒ0.9Ｙｂ0.1Ｏ3を用いた。また、試験例３の第２水素室１６内の第２電極として、白金・金合金（Ｐｔ（９９ｗｔ％）−Ａｕ(１ｗｔ％)の白金・金合金電極を用いた。
この得られた第２電極の表面に、シロキサン処理を行った。このシロキサン処理は、乾燥空気中に環状シロキサン（Ｄ４）を導入して濃度２０ｐｐｍとなるように調整してシロキサン処理剤を得た。この得られたシロキサン処理剤を第２水素室１６内に導入し、第２電極１３及びプロトン導電体固体電解質１１に対して３５０℃で３時間シロキサンを処理した。シロキサン処理後のケイ素は第２電極１３及びプロトン導電体固体電解質１１に一様に付着していることを電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ：Electron Probe MicroAnalyser）分析により確認した。
図６は、試験例２のシロキサン処理後の計測結果図である。図６中、○印は、シロキサン処理後の３５０℃の白金・金合金電極の計測結果図であり、□印は、シロキサン処理後の３５０℃の白金電極の計測結果図である。ここで、図中の実線は、ネルンストの式より導かれる理論起電力を示す。
なお、比較例の未処理の場合としては、白金電極の場合は図５−２に示す比較例１−２の３５０℃の計測結果である。
図６に示すように、図５−２で示した未処理のものに比べて更に理論起電力に近づく傾向が認められた。また、白金・金合金電極を用いる場合でも、白金電極と同様に大気中の水素濃度計として検出精度を更に向上させることが可能となる。
なお、比較例の未処理の場合としては、白金電極の場合は図５−２に示す比較例１−２の３５０℃の計測結果である。
図６に示すように、図５−２で示した未処理のものに比べて更に理論起電力に近づく傾向が認められた。また、白金・金合金電極を用いる場合でも、白金電極と同様に大気中の水素濃度計として検出精度を更に向上させることが可能となる。
このように、シロキサン処理によっても酸素抑制の作用効果をもたらすが、その効果はフッ素化処理よりも著しく良好であった。
また、シロキサン処理とすることで、試験範囲内において、更に理論起電力に漸近させることができ、精度の高い水素濃度の計測を行うことができることが判明した。
また、シロキサン処理とすることで、試験範囲内において、更に理論起電力に漸近させることができ、精度の高い水素濃度の計測を行うことができることが判明した。
以上、本発明の固体電解質型水素濃度計は、被計測ガス中において、酸素を含有する場合においても、水素濃度を精度良く求めることができ、例えばロケット液体水素の宇宙航空分野、燃料電池、及び水素製造・貯蔵・輸送等水素エネルギーに関する各種インフラ設備において用いることができる。
１０ 水素濃度計測装置
１１ プロトン導電体固体電解質
１２ 第１電極
１３ 第２電極
１４ 第１水素室
１５ 被計測ガス
１６ 第２水素室
１９ 電圧計
２１ ヒータ
１１ プロトン導電体固体電解質
１２ 第１電極
１３ 第２電極
１４ 第１水素室
１５ 被計測ガス
１６ 第２水素室
１９ 電圧計
２１ ヒータ
Claims (5)
- プロトン導電性を有するセラミックスからなるプロトン導電体固体電解質と、
前記プロトン導電体固体電解質を挟持する一対の第１電極及び第２電極と、
前記第１電極側を密閉された空間とし、既知の水素濃度の水素を導入又は封入する第１水素室と、
前記第２電極側に、酸素と水素を含む被計測ガスの雰囲気とする第２水素室と、
前記第１電極と前記第２電極とに接続され、両者の電位差を検出する電圧計と、を具備すると共に、
第２電極の表面に、酸素の吸着を抑制しつつ水素選択性を有する酸素吸着抑制処理層を有することを特徴とする水素濃度計測装置。 - 請求項１において、
前記酸素吸着抑制処理層が、前記第２電極の表面にフッ素を吸着・固定化したフッ素を含む層であることを特徴とする水素濃度計測装置。 - 請求項１において、
前記酸素吸着抑制処理層が、ケイ素を含む層であることを特徴とする水素濃度計測装置。 - 請求項１乃至３のいずれか一つにおいて、
前記第２電極が、白金又はパラジウムの単体電極、白金又はパラジウムの少なくとも一つを含む合金電極のいずれかからなることを特徴とする水素濃度計測装置。 - 請求項１乃至４のいずれか一つにおいて、
前記プロトン導電体固体電解質を所定温度に加熱するヒータを有することを特徴とする水素濃度計測装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015226103A JP6546839B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 水素濃度計測装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015226103A JP6546839B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 水素濃度計測装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017096659A JP2017096659A (ja) | 2017-06-01 |
| JP6546839B2 true JP6546839B2 (ja) | 2019-07-17 |
Family
ID=58804719
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015226103A Expired - Fee Related JP6546839B2 (ja) | 2015-11-18 | 2015-11-18 | 水素濃度計測装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6546839B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2024064282A (ja) * | 2022-10-27 | 2024-05-14 | 株式会社新潟Tlo | 水素ガス濃度センサ |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS612064A (ja) * | 1984-06-14 | 1986-01-08 | Tokyo Yogyo Co Ltd | ガス中の水素または水蒸気濃度検出器 |
| JPH01291155A (ja) * | 1988-05-18 | 1989-11-22 | Norihiko Taketsu | 水素濃度の測定方法 |
| JPH07167829A (ja) * | 1993-12-16 | 1995-07-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ガスセンサ |
| DE112005000200T5 (de) * | 2004-01-15 | 2006-11-30 | SFC Co., Ltd., Yokohama | Wasserstoff- oder Helium-Permeationsmembran und Speichermembran und Verfahren zur Herstellung derselben |
| JP4477413B2 (ja) * | 2004-05-18 | 2010-06-09 | 明智セラミックス株式会社 | プロトン導電材料、その製造方法、水素濃淡電池、水素センサ、燃料電池 |
| JP2006221828A (ja) * | 2005-02-08 | 2006-08-24 | Sony Corp | 燃料電池システム |
| JP4035848B2 (ja) * | 2005-08-12 | 2008-01-23 | 株式会社新潟Ｔｌｏ | 水素ガス漏洩警報システム |
| US9977006B2 (en) * | 2013-09-12 | 2018-05-22 | Korea Advanced Institute Of Science And Technology | Hydrogen sensor element for measuring concentration of hydrogen gas dissolved in liquid and method for measuring concentration of hydrogen gas using same |
-
2015
- 2015-11-18 JP JP2015226103A patent/JP6546839B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017096659A (ja) | 2017-06-01 |
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