JP6538067B2 - 光コネクタの製造方法、及びその方法により製造された光コネクタを含む光デバイス - Google Patents

Description

本発明は、概して、光コネクタの製造方法、及びその方法により製造された光コネクタに関する。

光ファイバーデバイス及びポリマー光導波路デバイスなど光相互接続する光デバイスには様々な技術が使用されている。例えば、ある種のシステムでは、光ファイバーを適切な場所に保持するよう精密マイクロモールドを作製し、次にこのファイバーを切断し、接着し、設置し、及び研磨し、相互接続に十分なインターフェースを作製する。同様にして、レーザーアブレーション及び精密アライメントなどの類似する技術を用いポリマー光導波路接続システムが作製されている。しかしながら、このようなシステムでは、光ファイバー及びポリマー光導波路の相互接続のため２つの光システムを精密アライメントする必要がある。

より最近では、光デバイスの精密アライメントを必要としない光接続システム（すなわち、光コネクタ）を作製する代替法が示されている。例えば、最近では、ポリマーブリッジの自己形成重合を使用して、精密アライメントを必要とすることなく光デバイス間にポリマー架橋を作製する。しかしながら、自己形成重合型のポリマーブリッジは、単一の屈折率を有する単一の硬化型高分子材料によるものである。このような材料の屈折率と比較せずとも、それぞれの自己形成ポリマーブリッジを介した電磁放射線（すなわち、１つ以上の電磁波）の伝播は非効率的なものであり、したがって電磁波伝播の効率を増大させるためには、自己形成ポリマーブリッジよりも屈折率の低い、別のクラッド材料を、自己形成ポリマーブリッジ周りに導入することが必要とされ得る。電磁波伝播の効率を増大させるべくクラッド材料を導入すると、更に製造に時間がかかり、光接続デバイスの製造プロセスの費用がかさむことになる。

本発明は、光デバイスを接続させるのがより容易なアライメント、及び単純な製造技術を提供しつつ、光相互接続システムを介する電磁波の伝播効率も解決する。

本発明は、第１の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素のそれぞれを、第２の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素の対応するものに対し接続するのに使用するための光コネクタの製造方法を提供し、１つ以上の電磁波が、第１の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素のそれぞれと、第２の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素の対応するものとの間に導かれ得る。

光コネクタは、第１の光アセンブリ及び第２の光アセンブリ間の間隙内に配置されており、かつ、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分と少なくとも１つの未硬化部分とを有するコントラスト層を含み、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分の各々は、第１の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素の１つの端部から、第２の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素のそれぞれの対応する端部へと連続的に延在する。更に、コントラスト層は、第一の屈折率（ＲＩ^１）を有する第１の組成物から形成される。

本発明の方法は、第２の屈折率（ＲＩ^２）を有する第２の組成物をコントラスト層上に適用して、第２の層を形成すること、並びに第２の層の少なくとも部分を、コントラスト層の少なくとも１つの未硬化部分と混合して、コントラスト層において第３の屈折率（ＲＩ^３）を有する少なくとも１つの内部混合部分を形成すること、を含む。この方法では、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分の各々は、第１の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素の１つの端部と、第２の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素のそれぞれの対応する端部との間の少なくとも１つの内部混合部分により少なくとも部分的に囲まれている。

本方法は、少なくとも１つの内部混合部分を硬化する第２の硬化条件を適用することを更に含む。

この方法では、第１の組成物及び第２の組成物、並びに少なくとも１つの内部混合部分は互いに異なる。更に、第１の組成物及び第２の組成物の屈折率、並びに少なくとも１つの内部混合部分は互いに異なっており、同波長及び同温度下で測定したとき、ＲＩ^１＞ＲＩ^３＞ＲＩ^２である。

本発明は、本発明に関し製造された光コネクタを含む光デバイスにも関する。

本発明の方法による光コネクタ、及び本発明によるこのように製造された光コネクタを含む関連する光デバイス、を製造する利点は多岐にわたる。事実、硬化したブリッジ部分のインターフェースの寸法及び形状が、かかるインターフェースがアライメントされる光要素のそれぞれの端部の寸法及び形状と一致することから、システムはミスアライメント耐性となり、光コネクタに必要とされるアライメントの精密さは緩くなる。更に、光要素のうちの１つのなめらかで拡散させない表面は、硬化したブリッジ部分に対しテンプレート化され、又は成形され、ひいては切断時になめらかで拡散させない表面を残すことから、恐らく研磨は必要とされない。更に、高屈折率の硬化したブリッジ部分と、低屈折率の硬化内部混合層との間のコントラストにより、周囲にある硬化内部混合層への拡散を最小限に抑えつつ、硬化したブリッジ部分の長さに沿って電磁放射線を誘導することが可能である。これに加え、光コネクタを形成するための製造方法は、多様な光デバイスを接続する光コネクタを製造するにあたって、単純であり、かつ再現性のあるものである。

本発明の他の利点及び態様は、添付の図面に関連して、以下の詳細な説明に記載されている。

本発明の一実施形態による、光コネクタを含む光デバイスの断面図（ｐｅｒｓｐｅｃｔｉｖｅ ｖｉｅｗ）を示す。 本発明の一実施形態による図１の光コネクタ及び関連する光デバイスを形成する方法の異なる段階での断面図を示す。 本発明の一実施形態による図１の光コネクタ及び関連する光デバイスを形成する方法の異なる段階での断面図を示す。 本発明の一実施形態による図１の光コネクタ及び関連する光デバイスを形成する方法の異なる段階での断面図を示す。 本発明の一実施形態による図１の光コネクタ及び関連する光デバイスを形成する方法の異なる段階での断面図を示す。 本発明の一実施形態による図１の光コネクタ及び関連する光デバイスを形成する方法の異なる段階での断面図を示す。 本発明の一実施形態による光コネクタを含む第１の光デバイスから第２の光デバイスを形成する方法の、異なる段階での断面図を示す。 本発明の一実施形態による光コネクタを含む第１の光デバイスから第２の光デバイスを形成する方法の、異なる段階での断面図を示す。 本発明の一実施形態による光コネクタを含む第１の光デバイスから第２の光デバイスを形成する方法の、異なる段階での断面図を示す。 本発明の別の実施形態による、複数の硬化したブリッジ部分を有する光コネクタを含む光デバイスの断面図を示す。 本発明の更に別の実施形態による、複数の硬化したブリッジ部分を有する光コネクタを含む光デバイスの断面図を示す。 本発明の別の実施形態による、角度をつけた第１の光要素及び角度をつけた光コネクタを含む光デバイスの断面図を示す。 本発明の別の実施形態による、湾曲した端部を有する第１の光要素を備える光デバイスの断面図を示す。 本発明の別の実施形態による、整列していない光要素を有する光デバイス間に形成された光コネクタを含む、光デバイスの断面図を示す。 図１３の光コネクタの硬化したブリッジ部分を形成する方法の一段階についての断面図を示す。 本発明の一実施形態により形成した、ポリマー光導波路に接続した１本の硬化したブリッジ部分についての位相差顕微鏡画像である。 本発明の一実施形態により形成した、対応するポリマー光導波路に接続している、複数の硬化したブリッジ部分についての位相差顕微鏡画像である。 本発明の一実施形態による、硬化した内部混合部分に含有される、硬化したブリッジ部分のうちの１本の端面についての位相差顕微鏡画像である。

本発明は、光デバイスを形成するために、第１の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素のそれぞれを、第２の光アセンブリのうち少なくとも１つの対応する光要素の対応するものに接続するのに使用するための光コネクタの製造方法を提供する。本発明は、製造された光コネクタを含む第１の光デバイスから、第２の光デバイスを形成するための方法も提供する。

本発明の方法及び光コネクタは、パッシブシステム要素（ｐａｓｓｉｖｅ−ｓｙｓｔｅｍ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）及びアクティブシステム要素（ａｃｔｉｖｅ−ｓｙｓｔｅｍ ｅｌｅｍｅｎｔｓ）の両方における使用に応用可能である。このようなパッシブシステム要素及びアクティブシステム要素の例には、非分岐型光導波路、波長分割多重変換装置［ＷＤＭ］、分岐型光導波路、光学接着剤又は類似の受動的光透過素子、光導波路スイッチ、光減衰器、及び光増幅器又は類似の能動的光透過素子が挙げられる。本方法及び物品が使用できる好適な物品及び用途のその他の例としては、体積位相格子、ブラッグ格子、マッハツェンダー干渉計（Ｍａｃｈ Ｚｈｅｎｄｅｒ ｉｎｔｅｒｆｅｒｏｍｅｔｅｒｓ）、レンズ、増幅器、レーザーキャビティ、音響光学デバイス、変調器及び誘電体鏡が挙げられる。

図１を参照すると、本発明の方法により形成した光デバイス１５は、筐体２５内に配置されたクラッド２３内に配置された、少なくとも１つの光要素２２（図１において、１つの光要素２２として示す）を有する第１の光アセンブリ２０を含む。図２に最良に示すとおり、少なくとも１つの光要素２２のそれぞれは、第１の光インターフェース２６にて終端する端部２４を含む。

再度図１において、光デバイス１５は、筐体４５内に配置されたクラッド４４内に配置された、少なくとも１つの光要素４２（図１において、１つの光要素４２として示す）を有する第２の光アセンブリ４０を含む。図２に最良に示すとおり、少なくとも１つの光要素４２のそれぞれは、第２の光インターフェース５０にて終端する端部４８を含む。好ましくは、第１の光アセンブリ２０の筐体２５は、第２の光アセンブリ４０の筐体４５に対し接続されている、又は別の方法で締結されているか若しくは固定されている。

同様に図１に示すとおり、ある種の実施形態では、第２の光アセンブリ４０は、筐体４５内に配置された基材４７も含む。

図１中、光要素２２又は光要素４２などの用語「光要素」は、それぞれの長さに沿って１つ以上の電磁波（例えば、紫外スペクトルにおける１つ以上の光波、又は可視スペクトルにおける１つ以上の光波）を導くことのできる任意のデバイス又は材料を指す。少なくとも１つの光要素２２及び／又は少なくとも１つの光要素４２を含み得る光要素の好適な例としては、限定するものではないが、光ファイバー、ポリマー光導波路、レンズ、送信モジュール、受信モジュール、送受信機（送信モジュール及び受信モジュールの両方を含むモジュール）が挙げられる。

したがって、光要素２２又は光要素４２を含む、図１中の第１の光アセンブリ２０又は第２の光アセンブリ４０などの対応する光アセンブリは、多くの商業的に利用可能な形態を含み、多岐にわたり得る。光ファイバーを光要素２２又は光要素４２として含み、例えば、光アセンブリ２０又は光アセンブリ４０を含み得る、好適な商業的に利用可能な光アセンブリとしては、限定するものではないが、Ａｖｉｏ、ＡＤＴ−ＵＮＩ、ＤＭＩ、Ｅ−２０００（ＡＫＡ ＬＳＨ）、ＥＣ、Ｆ０７、Ｆ−３０００、ＦＣ、Ｆｉｂｅｒｇａｔｅ、ＦＳＭＡ、ＬＣ、ＥＬＩＯ、ＬＸ−５、ＭＩＣ、ＭＰＯ／ＭＴＰ、ＭＴ、ＭＴ−ＲＪ、ＭＵ、Ｏｐｔｉ−Ｊａｃｋ、ＳＣ、ＳＭＡ ９０５、ＳＭＡ ９０６、ＳＭＣ、ＳＴ／ＢＦＯＣ、ＴＯＳＬＩＮＫ、ＶＦ−４５、１０５３ ＨＤＴＶ、及びＶ−ＰＩＮなどの光コネクタが挙げられる。

多くの図において、１つの光要素２２と、１つの光要素４２とが示されるものの、図１０に示すとおり、第１の光アセンブリ２０内には１つ以上の光要素２２を包含させ得ること、並びに第２の光アセンブリ４０内には１つ以上の光要素４２を包含させ得ることが認識される。１つ以上の光要素２２又は光要素４２が利用される場合、かかる光要素２２又は光要素４２は、すべて同種のものであってもよく（すなわち、一非限定例では、少なくとも１つの光要素２２のうちすべてを光ファイバーとすることができる）あるいは別種のものであってもよい（すなわち、一非限定例では、１つの光要素２２は光ファイバーであり、かつ別の光要素２２はポリマー光導波路である）。

ある種の実施形態では、第１の光アセンブリ２０における光要素２２の数は、第２の光アセンブリ４０における光要素４２の数と一致する。しかしながら、他の配置では、第１の光アセンブリ２０における光要素２２の数は、第２の光アセンブリ４０における光要素４２の数とは異なっていてもよく、但し、図１１に示すとおり、並びに以下に更に示すとおり、硬化したブリッジ部分６２により対応する光要素４２と接続している少なくとも１つの光要素２２を更に含む。

ある種の実施形態では、光要素２２は光要素４２と同じものである一方、他の実施形態では光要素２２は光要素４２とは異なる。そのため、例えば、ただ１つの光要素２２と、ただ１つの光要素４２とがある場合、光要素２２及び光要素４２の両方が光ファイバーであってよく、あるいは光要素２２が光ファイバーであるのに対し、光要素４２が、ポリマー光導波路、レンズ、送信モジュール、受信モジュール、又は送受信機であってもよい。同様にして、ただ１つの光要素２２と、ただ１つの光要素４２とがある場合、光要素４２が、光ファイバーであってよく、光要素２２が、ポリマー光導波路、レンズ、送信モジュール、受信モジュール、又は送受信機であってもよい。同様にして、光要素２２及び光要素４２の数が２つ以上であり、少なくとも２つの光要素２２又は光要素４２のそれぞれが同じであっても異なっていてもよく、少なくとも２つの光要素２２のそれぞれが、少なくとも２つの光要素４２のそれぞれと同じであっても異なっていてもよい。

更に、ある種の実施形態では、少なくとも１つの光要素２２は光ファイバーを含み、光ファイバーの数は、１本〜１４４本以上、例えば、１本〜７２本に変更してもよい。

以上の光要素２２又は１つ以上の光要素４２を含む実施形態において、１つ以上の光要素２２又は光要素４２の相対寸法及び相対形状は、長さ及び断面形状の両方において同じであっても又は異なっていてもよいことも認識されたい。更に、このような光要素２２又は光要素４２の寸法及び形状は、図に示す寸法及び形状に限定されない。したがって、例えば、光要素２２は、円筒形状を有し、かつ実質的に丸い断面を有する光ファイバーであってよい一方で、光要素４２は断面が矩形のポリマー光導波路であってもよい。

光要素２２及び光要素４２は、概してそれぞれの長さに沿ってまっすぐであるものであり、かつ光インターフェース２６及び５０のそれぞれに対し垂直に延在するものとして示されているものの、光要素２２及び光要素４２の構成は、図１に示すとおりの配置に限定されない。例えば、少なくとも１つの光要素２２又は光要素４２のうち１つ以上は、例えば、図１２Ａに示すとおり、それぞれの光インターフェース２６又は光インターフェース５０に対し垂直以外の角度で、それぞれの光インターフェース２６又は光インターフェース５０に向かって延在し得る（硬化したブリッジ部分６２も、角度付けられた光要素２２を光要素４２に接続するよう角度付けられる）。第１の光要素２２及びブリッジ部分６２の角度は、概して図１２Ａに示すとおり水平からわずかに角度をつけて下方に向かって（左から右に）延在するものとして示されているものの、この角度は、他の実施形態ではわずかに上向いていてもよく、すなわちこの角度は水平よりも下方又は上方に向かうものであってもよく（図において左から右に示すとおり）、このようなものも尚も本発明の範囲内のものである。

光要素２２又は光要素４２のそれぞれの端部２４又は４８は、図１〜１１に示すとおり概して平坦であり、かつ垂直である一方、ある種の実施形態では、端部２４又は端部４８の一方又は両方は、任意の様々な形状を取り得る。例えば、図１２Ｂに示すとおり、第１の光要素２２の端部２４Ｂが、湾曲しており、かつ対応する第１の端部６４Ｂが、湾曲している端部２４Ｂに対応する形状であってよい。図示はしないものの、第２の光要素４２の端部４８（及びブリッジ部分６２の対応する端部６８）も湾曲していてもよい（又は図１２Ｂに示すとおり平坦であってもよい）。図１２Ｂに示すとおり湾曲している端部２４Ｂの曲率の相対量は、例示するとおりのものであってもよく、あるいは図１２Ｂに例示するものよりもわずかに深いものであっても浅いものであってもよく、このようなものも尚も本発明の範囲内のものである。更に、光要素２２若しくは４２の１つ以上は、両方とも角度がつけられていてよく、かつ弧を描いていても又は他の形状の端部２２若しくは４２であってもよく、これも本発明の範囲内のものである。

図１に戻ると、光デバイス１５は、光コネクタ３０も含む。光コネクタ３０は、少なくとも１つのブリッジ部分６２を含み、それぞれのブリッジ部分６２は、光要素２２の端部２４に接続した第１の端部６４を有し、かつ光要素４２のうち対応する１つの端部４８に接続した第２の端部６６を有する。それぞれのブリッジ部分６２は、光コネクタ３０が第１の光アセンブリ２０及び第２の光アセンブリ４０の両方に接続されたときに、第１の光アセンブリ２０の少なくとも１つの光要素２２のそれぞれと、第２の光アセンブリ４０の少なくとも１つの光要素４２の対応するものとの間に１つ以上の電磁波を導く。

光コネクタ３０は、ブリッジ部分６２のそれぞれの第１の端部６４から第２の端部６６まで（すなわち、光要素２２の端部２４から対応する光要素４４の端部４８まで）、それぞれの各ブリッジ部分６２の長さを部分的に取り囲むものの、第１の端部６４及び第２の端部６６は取り囲まない（すなわち、内部混合部分７０は、ブリッジ部分６２のそれぞれの端部６４、端部６６のいずれについても接触するようには配置されない）、少なくとも１つの内部混合部分７０も含む。いくつかの実施形態では、第２の部分７２が存在し、このような実施形態では、内部混合部分７０に加え、第２の部分７２が、内部混合部分７０及び第２の部分がそれぞれのブリッジ部分を完全に取り囲むよう少なくとも１つのブリッジ部分６２の１つ以上の長さを部分的に取り囲み得る。本明細書で使用するとき、用語「長さを少なくとも部分的に取り囲む」は、それぞれの組成物が、それぞれのブリッジ部分６２の第１の端部６４と第２の端部との間の全外面に沿ってかかるそれぞれのブリッジ部分６２上に配置されているわけではなく、それぞれのブリッジ部分６２に接触しているわけではないものとして定義する。したがって、いくつかの実施形態では、内部混合部分７０は、第１の端部６４と第２の端部６６との間のブリッジ部分６２の外面の０．１％〜９９．９％の上に配置されており、かかる外面の０．１％〜９９．９％に接触していてもよく、これがそれぞれのブリッジ部分６２を「部分的に取り囲む」ものとしてみなされる。

いくつかの実施形態では、第２の部分７２は存在せず、少なくとも１つの内部混合部分７０のうち１つは、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までのブリッジ部分６２のそれぞれの長さを完全に取り囲む（すなわち、ブリッジ部分６２の、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までの長さの９９．９％超を取り囲む）。あるいは集合的に、少なくとも１つの内部混合部分７０及び任意選択的な第２の部分７２は、少なくともブリッジ部分６２のそれぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までの各々を取り囲むことから、本明細書においてクラッド部と呼ばれる。

光コネクタ３０の形成方法に関し以下に更に展開するとおり、ブリッジ部分６２は、第１の屈折率（ＲＩ^１）を有する第１の組成物を硬化させることにより形成される。第１の組成物は、硬化性組成物であり、下記のとおり、所望の第１の屈折率及びその他の要因、例えば、所望の硬化機構に基づいて選択されてもよい。以下に更に展開するとおり、少なくとも１つの内部混合部分７０は、第１の組成物と第２の組成物とのブレンドを硬化することにより形成される。以下に更に展開するとおり、任意選択的な第２の部分７２は、第１の組成物と内部混合させていない第２の組成物の部分を硬化させることにより形成される。第２の組成物は第２の屈折率（ＲＩ^２）を有し、硬化前の少なくとも１つの内部混合部分７０は第３の屈折率（ＲＩ^３）を有する。

ＲＩ^３は、概して、ＲＩ^１（第１の組成物の屈折率）とＲＩ^２（第２の組成物の屈折率）とを合わせて平均したものから導かれ、ＲＩ^１、ＲＩ^２、及びＲＩ^３は、互いに異なる。本発明では、第１の組成物及び第２の組成物は、ＲＩ^１＞ＲＩ^２となる、したがってブレンドの屈折率ＲＩ^３がＲＩ^２とＲＩ^１との間（すなわちＲＩ^１＞ＲＩ^３＞ＲＩ^２）となるよう選択される。

特に、屈折率は一般的に、特定の組成物内の置換の関数であるだけでなく、硬化生成物の架橋密度の関数でもある。この目的で、硬化したブリッジ部分６２の屈折率は、概してＲＩ^１よりも大きく、あるいは硬化したブリッジ部分６２の形成に利用される第１の組成物の屈折率よりも大きい。しかしながら、それぞれの組成物の屈折率の勾配は、概して硬化前後で維持される。言い換えれば、ブリッジ部分６２の硬化部分には、屈折率ＲＩ^１’をもたせることができ、少なくとも１つの内部混合部分７０の硬化部分には、屈折率ＲＩ^３’をもたせることができ、並びに第２の部分７２の硬化部分には、屈折率ＲＩ^２’をもたせることができるものの、ＲＩ^１’及びＲＩ^２’及びＲＩ^３’は、ＲＩ^１及びＲＩ^２及びＲＩ^３が互いに異なっているように、互いに異なる。例えば、第１の組成物は屈折率ＲＩ^１を有しており、第１の組成物から形成された硬化したブリッジ部分６２は屈折率ＲＩ^１’を有しており、第１の組成物と比較して硬化したブリッジ部分６２の架橋密度が高いことに起因して、ＲＩ^１’＞ＲＩ^１である。同様にして、第２の組成物は屈折率ＲＩ^２を有しており、第２の組成物から形成された硬化した第２の部分７２は屈折率ＲＩ^２’を有しており、第２の組成物と比較して第２の層の架橋密度が高いことに起因して、ＲＩ^２’＞ＲＩ^２である。同様にして、未硬化の内部混合部分を形成する第１の組成物及び第２の組成物のブレンドは屈折率ＲＩ^２を有しており、硬化した内部混合部分７０は屈折率ＲＩ^３’を有しており、未硬化の内部混合部分を形成する第１の組成物及び第２の組成物のブレンドと比較して、硬化した内部混合部分７０における架橋密度が高いことに起因して、ＲＩ^３’＞ＲＩ^３である。この目的で、ＲＩ^１＞ＲＩ^３＞ＲＩ^２であるとき、ＲＩ^１’＞ＲＩ^３’＞ＲＩ^２’である。ＲＩ^１’／ＲＩ^１比はＲＩ^２’／Ｒ_Ｉ ^２比と同じであっても異なってもよく、ＲＩ^３’／ＲＩ^３比と同じであっても異なってもよい。

特定の実施形態において、第１の組成物及び第２の組成物はそれぞれ、少なくとも１つのカチオン重合性基を含むカチオン重合性材料を含む。カチオン重合性材料は、典型的には、活性エネルギー線に曝露したときにカチオン反応機構により硬化できる。カチオン重合性基は、天然部分であってもよい。すなわち、用語「カチオン（の）」は、基よりもむしろ重合性を修飾する。カチオン重合性基は、カチオン重合性材料の任意の位置（複数可）にあってもよい。例えば、カチオン重合性基は、カチオン重合性化合物の側鎖又は置換基であってもよい。少なくとも１つのカチオン重合性基は、本明細書で単に「カチオン重合性基」と呼ばれ、これは、単数形であるが、カチオン重合性基が１つを超えるカチオン重合性基、すなわち２つ以上のカチオン重合性基を含む実施形態を包含する。典型的には、カチオン重合性材料は２つ以上のカチオン重合性基を含み、それらは独立して選択される。

ある種の実施形態では、カチオン重合性基は、Ｓ、Ｎ、Ｏ、及び／又はＰ、あるいはＳ、Ｎ、及び／又はＯなどの少なくとも１つのヘテロ原子を含む環状の有機官能基として定義される、複素環基を含む。例えば、複素環基としては、ラクトン基、ラクタム基、環状エーテル、及び環状アミンが挙げられるがこれらに限定されない。ラクトン基は一般的に環状エステルであり、例えば、アセトラクトン、プロピオラクトン、ブチロラクトン、及びバレロラクトンから選択されてもよい。ラクタム基は一般的に環状アミドであり、例えば、β−ラクタム、γ−ラクタム、δ−ラクタム、及びε−ラクタムから選択されてもよい。環状エーテルの具体例としては、オキシラン、オキセタン、テトラヒドロフラン、及びジオキセパン（例えば、１，３−ジオキセパン）が挙げられる。複素環式官能基のその他の例としては、チエタン及びオキサゾリンが挙げられる。特に、上記の複素環式官能基はモノマーとして存在してもよい。但し、カチオン重合性基の文脈において、上記の複素環式官能基は、より大きな分子の置換基であって、別個のモノマーではない。更に、これらの基は二価結合基を介してカチオン重合性材料に結合又は接続していてもよい。

別の実施形態において、カチオン重合性基は、複素環式官能基以外のカチオン重合性基を含んでもよい。例えば、カチオン重合性基は、あるいはエチレン性不飽和基、例えば、ビニル、ビニルエーテル、ジビニルエーテル、ビニルエステル、ジエン、第三級ビニル、スチレン、又はスチレン誘導体基から選択されてもよい。

異なる複素環式官能基の組み合わせ、又は複素環式官能基以外のカチオン重合性基の組み合わせ、又は複素環式官能基と複素環式官能基以外のカチオン重合性基との組み合わせが、カチオン重合性材料に含まれ得る。

カチオン重合性材料が有機物である特定の実施形態において、第１の組成物及び／又は第２の組成物は独立してオレフィン性材料又はポリオレフィン性材料を含む。別の実施形態において、第１の組成物及び／又は第２の組成物は、有機エポキシ官能性材料、例えば、エポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＡＤ型、ビスフェノールＳ型、及び水素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂などのビスフェノール型エポキシ樹脂；ナフタレン型エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂；ビフェニル型エポキシ樹脂；グリシジルアミン型エポキシ樹脂；脂環型エポキシ樹脂；又はジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂が挙げられる。上記のエポキシ樹脂は、２つ以上の組み合わせで第１の組成物及び／又は第２の組成物のそれぞれに使用できる。あるいは更に、第１及び／若しくは第２の組成物は、ポリアクリル酸、ポリアミド、ポリエステル等、又はその他のカチオン重合性基を含む有機高分子材料を独立して含んでもよい。これらの実施形態において、第１の組成物及び／又は第２の組成物は、それぞれ独立して有機組成物を含む。「有機材料」は、本明細書で使用するとき、シリコーン材料と区別され、シリコーン材料はシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）を含む主鎖を有し、有機材料は炭素系主鎖を有し、シロキサン結合がない。

別の実施形態において、混和性を増大するために、第１の組成物及び第２の組成物はそれぞれ独立してシリコーン組成物を含む。所望される場合、第１の組成物はシリコーン組成物を含んでもよく、第２の組成物は有機組成物を含んでもよく、逆もまた同様である。当業者は組成物の屈折率を容易に決定することができ、２つの組成物間の混和性を決定することができるであろう。

第１の組成物及び／又は第２の組成物がシリコーン組成物を含む場合、第１の組成物及び／又は第２の組成物はシリコーン材料を含む。シリコーン組成物及びシリコーン材料は、オルガノポリシロキサン巨大分子を含み、各巨大分子は独立して直鎖状でも分枝状でもよい。シリコーン材料は、シロキサン単位の任意の組み合わせを含んでよく、すなわちシリコーン材料は、Ｒ_３ＳｉＯ_１／２単位、すなわちＭ単位、Ｒ_２ＳｉＯ_２／２単位、すなわちＤ単位、ＲＳｉＯ_３／２単位、すなわちＴ単位、並びにＳｉＯ_４／２単位、すなわちＱ単位の任意の組み合わせを含み、式中、Ｒは典型的には独立して、置換又は非置換のヒドロカルビル基又はカチオン重合性基から選択される。例えば、Ｒは、脂肪族、芳香族、環式、脂環式等であってもよい。更に、Ｒはエチレン性不飽和を含んでもよい。「置換」により、ヒドロカルビルの１個以上の水素原子が水素以外の原子（例えば、塩素、フッ素、臭素等のようなハロゲン原子）で置き換えられている、あるいは、Ｒ鎖内の炭素原子が炭素以外の原子で置き換えられている、すなわち、Ｒが鎖内に酸素、イオウ、窒素等のようなヘテロ原子を１個以上含む場合があることを意味する。Ｒは、典型的には１〜１０個の炭素原子を有してもよい。例えば、Ｒは、脂肪族の場合には１〜６個の炭素原子を有してもよく、芳香族の場合には６〜１０個の炭素原子を有してもよい。少なくとも３個の炭素原子を含有する置換又は非置換のヒドロカルビル基は、分枝鎖又は非分枝鎖構造を有し得る。Ｒにより表されるヒドロカルビル基の例としては、限定するものではないが、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、及びかかる基の異性体などのアルキル；ビニル、アリル、及びヘキセニルなどのアルケニル；シクロペンチル、シクロヘキシル、及びメチルシクロヘキシルなどのシクロアルキル；フェニル及びナフチルなどのアリール；トリル、及びキシリルなどのアルカリル；並びにベンジル及びフェネチルなどのアラルキルが挙げられる。Ｒにより表されるハロゲン置換ヒドロカルビル基の例としては、３，３，３−トリフルオロプロピル、３−クロロプロピル、クロロフェニル、ジクロロフェニル、２，２，２−トリフルオロエチル、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル、及び２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロペンチルが挙げられる。Ｒで表されるカチオン重合性基の例は、上記されている。

シリコーン樹脂が樹脂性である実施形態において、シリコーン材料は、ＤＴ樹脂、ＭＴ樹脂、ＭＤＴ樹脂、ＤＴＱ樹脂、ＭＴＱ樹脂、ＭＤＴＱ樹脂、ＤＱ樹脂、ＭＱ樹脂、ＤＴＱ樹脂、ＭＴＱ樹脂、又はＭＤＱ樹脂を含んでもよい。シリコーン材料中に、異なる樹脂の組み合わせが存在してもよい。更に、シリコーン材料は、樹脂をポリマーとの組み合わせで含んでもよい。

１つの具体的な実施形態では、シリコーン材料は、オルガノポリシロキサン樹脂を含み、又はこれから構成される。オルガノポリシロキサン樹脂は、以下のシロキサン単位式によって表すことができる：
（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）ｂ（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｃ（ＳｉＯ_４／２）_ｄ、
式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、及びＲ^６は独立して、上記のとおり定義されたＲから選択され；ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１であり；「ａ」は、平均して次の条件：０≦ａ＜０．４を満たし；「ｂ」は、平均して次の条件：０＜ｂ＜１を満たし；「ｃ」は、平均して次の条件：０＜ｃ＜１を満たし；「ｄ」は、平均して次の条件：０≦ｄ＜０．４を満たし；かつ「ｂ」及び「ｃ」は、次の条件：０．０１≦ｂ／ｃ≦０．３により固定される。下付き文字ａ、ｂ、ｃ、及びｄは、各シロキサン単位の平均モル数を示す。言い換えると、これらの下付き文字は、オルガノポリシロキサン樹脂の１分子中の各シロキサン単位の平均モル％又は割合を表す。Ｒ^１〜６が、独立してＲから選択されることから、上記のシロキサン単位の式は、改めて、
（Ｒ_３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ_２ＳｉＯ_２／２）_ｂ（ＲＳｉＯ_３／２）_ｃ（ＳｉＯ_４／２）_ｄと記載することもでき、
式中、Ｒは独立して選択され、上に定義されており、ａ〜ｄは上に定義されている。

典型的には、オルガノポリシロキサン樹脂一分子において、カチオン重合性基を含むシロキサン単位は、総シロキサン単位の２〜５０モル％を構成する。更に、これらの実施形態において、すべてのケイ素結合有機基の少なくとも１５モル％が６〜１０個の炭素原子を有する一価の芳香族炭化水素基（例えば、アリール基）を含む。

オルガノポリシロキサン樹脂は、必須単位として（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）及び（Ｒ^６ＳｉＯ^３／２）を含有する。しかしながら、オルガノポリシロキサンは、構造単位（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２）及び（ＳｉＯ_４／２）を更に含み得る。つまり、エポキシ含有オルガノポリシロキサン樹脂は、次式：
（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｃ；
（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｃ；
（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）_ｃ（ＳｉＯ_４／２）_ｄ；又は
（（Ｒ_１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２）_ａ（Ｒ_４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）_ｂ（Ｒ_６ＳｉＯ_３／２）_ｃ（ＳｉＯ_４／２）_ｄで示す単位から構成され得る。

（Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３ＳｉＯ_１／２）単位の含有量が高すぎる場合、オルガノポリシロキサン樹脂の分子量は減少し、次の条件：０≦ａ＜０．４が展開される。この条件下で（ＳｉＯ_４／２）単位が導入される場合、オルガノポリシロキサン樹脂の硬化生成物は、好ましくない硬く脆性なものとなり得る。したがって、ある種の実施形態では、次の条件：０≦ｄ＜０．４；あるいは０≦ｄ＜０．２；あるいはｄ＝０が満たされる。必須構造単位（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）及び（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）のモル比ｂ／ｃは、０．０１〜０．３、あるいは０．０１〜０．２５、あるいは０．０２〜０．２５とすべきである。オルガノポリシロキサン樹脂は、必須単位として（Ｒ^４Ｒ^５ＳｉＯ_２／２）及び（Ｒ^６ＳｉＯ_３／２）を含有することから、分子構造は主に分岐したネット様の三次元構造として変更され得る。

第１の組成物及び第２の組成物の屈折率は、第１の組成物及び第２の組成物がそれぞれオルガノポリシロキサン樹脂を含む場合に、それぞれのオルガノポリシロキサン樹脂のＲを変えることによって選択的に変えることができる。例えば、オルガノポリシロキサン樹脂中のＲの大部分が、メチル基などの一価の脂肪族炭化水素基である場合、オルガノポリシロキサン樹脂の屈折率は１．５未満であってもよい。あるいは、オルガノポリシロキサン樹脂中のＲの大部分が、フェニル基などの一価の芳香族炭化水素基である場合、屈折率は１．５を超えてもよい。この値は、下記のとおり、オルガノポリシロキサン樹脂の置換によって、又は第１及び／若しくは第２の組成物に追加成分を含めることによって、容易に制御できる。したがって、特定の実施形態において、第１の組成物は一価の芳香族炭化水素基を含むオルガノポリシロキサン樹脂を含むのに対し、第２の組成物は、一価の脂肪族炭化水素基を含むオルガノポリシロキサン樹脂を含む。

オルガノポリシロキサン樹脂の様々な実施形態において、カチオン重合性基を有するシロキサン単位は、すべてのシロキサン単位の２〜７０モル％、あるいは１０〜４０モル％、あるいは１５〜４０モル％を構成する。かかるシロキサン単位が、オルガノポリシロキサン樹脂中に２モル％未満の量で存在する場合、硬化中の架橋度合いの低下につながり、これは形成される硬化生成物の硬度を低下させる。一方で、オルガノポリシロキサン樹脂におけるこれらのシロキサン単位の含有率が７０モル％を超過する場合、硬化生成物の可視光透過率は減少し、熱耐性は低下し、脆性は増大する。典型的には、カチオン重合性基はオルガノポリシロキサン樹脂のケイ素原子に直接結合しない。代わりに、カチオン重合性基は、一般的に、ヒドロカルビレン、ヘテロヒドロカルビレン、又は有機ヘテリレン基などの二価接続基を介してケイ素原子に結合している。

例えば、カチオン重合性基が環状エーテル基、例えば、エポキシ基の場合にオルガノポリシロキサン樹脂に好適なカチオン重合性基の具体例を直下に示す：
３−（グリシドキシ）プロピル基：

２−（グリシドキシカルボニル）プロピル基：

２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基：

及び
２−（４−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基：

カチオン重合性基に好適な環状エーテル基の追加の例としては、次の：２−グリシドキシエチル、４−グリシドキシブチル、又は同様のグリシドキシアルキル基；３−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル、又は同様の３，４−エポキシシクロヘキシルアルキル基；４−オキシラニルブチル、８−オキシラニルオクチル、又は同様のオキシラニルアルキル基が挙げられる。これらの実施形態において、カチオン重合性材料はエポキシ官能性シリコーン材料と呼ばれる場合もある。

上記のエポキシ基以外のカチオン重合性基の具体例としては、限定するものではないが、以下の基が挙げられる（一番左の部分が特定のカチオン重合性基をオルガノポリシロキサン樹脂に接続する結合を表す）：

カチオン重合性基が環状エーテル基、例えば、エポキシ基であるとき、オルガノポリシロキサン樹脂の具体例としては、次の一連のシロキサン単位：（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_２ＳｉＯ_３／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）、及び（ＳｉＯ_４／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、（ＭｅＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（ＭｅＰｈＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^２ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^４ＳｉＯ_３／２）単位；（ＭｅＶｉＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、（ＭｅＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）、及び（Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＶｉＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、及び（Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、（Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）、及び（ＳｉＯ_２）単位；（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（Ｐｈ_２ＳｉＯ_２／２）、（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）、及び（ＳｉＯ_２）単位；（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、（Ｅ^１ＳｉＯ_３／２）、及び（ＳｉＯ_２）単位；並びに（Ｍｅ_３ＳｉＯ_１／２）、（Ｍｅ_２ＳｉＯ_２／２）、（ＰｈＳｉＯ_３／２）、（Ｅ^３ＳｉＯ_３／２）、及び（ＳｉＯ_２）単位を含む又はこれらから構成されるオルガノポリシロキサン樹脂が挙げられ；式中、Ｍｅはメチル基を表し、Ｖｉはビニル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表し、Ｅ^１は３−（グリシドキシ）プロピル基を表し、Ｅ^２は２−（グリシドキシカルボニル）プロピル基を表し、Ｅ^３は２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基を表し、Ｅ^４は２−（４−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピル基を表す。本明細書の以下の記述にも同じ表記が当てはまる。上記のオルガノポリシロキサン樹脂で例示された一価の炭化水素置換基（例えば、Ｍｅ、Ｐｈ、及びＶｉ）のいずれも、他の一価の炭化水素置換基で置換してよいことが想到される。例えば、エチル基又はその他の置換若しくは非置換ヒドロカルビル基を上記のメチル、フェニル、又はビニル基のいずれかの代わりに使用してもよい。更に、Ｅ^１〜Ｅ^４以外のカチオン重合性基をＥ^１〜Ｅ^４の代わりに又はこれに加えて利用することができる。但し、上記の種類のオルガノポリシロキサン樹脂はその屈折率の値及び物理的特性から特に望ましい。

オルガノポリシロキサン樹脂は、その調製に由来するいくつかの残留ケイ素結合アルコキシ基及び／又はケイ素結合ヒドロキシル基（すなわち、シラノール基）を有する場合がある。これらの基の含有量は、製造方法及び製造条件によって異なる。これらの置換基は、オルガノポリシロキサン樹脂の保存安定性に影響し、オルガノポリシロキサン樹脂から形成された硬化生成物の熱安定性を低下させる場合がある。したがって、特定の実施形態において、かかる基の形成を制限することが望ましい。例えば、ケイ素結合アルコキシ基及びケイ素結合ヒドロキシル基の量は、少量の水酸化カリウムの存在下でオルガノポリシロキサン樹脂を加熱して、脱水及び縮合反応又は脱アルコール及び縮合を引き起こすことによって低減できる。これらの置換基の含有量は、ケイ素原子上の全置換基の２モル％以下、好ましくは１モル％以下であることが推奨される。

オルガノポリシロキサン樹脂の数平均分子量（Ｍ_ｎ）に関し具体的な制限は存在しないものの、オルガノポリシロキサン樹脂は、ある種の実施形態では、１０３ダルトン〜１０６ダルトンのＭ_ｎを有する。

特定の実施形態において、第１の組成物及び／又は第２の組成物は、更に希釈剤成分を含まなくてもよく、あるいは含んでもよい。特定の実施形態において、希釈剤成分は、単一（１つだけ）のケイ素結合カチオン重合性基を有するシラン化合物を含む。

単一のケイ素結合カチオン重合性基は、上記のカチオン重合性基のいずれでもよい。

シラン化合物は、２５セルシウス度（℃）下で、概して、１，０００センチポアズ（ｃＰ）未満、あるいは５００ｃＰ未満、あるいは１００ｃＰ未満、あるいは５０ｃＰ未満、あるいは２５ｃＰ未満、あるいは１０ｃＰ未満の動的粘度を有する。動的粘度は、ブルックフィールド粘度計、ウベローデ管、コーン／プレート流動計、又はその他の装置及び方法を用いて測定できる。使用する計器／装置に基づいて値はわずかに変動する場合があるが、これらの値は一般的に測定の種類に関係なく維持される。これらの実施形態では、シラン化合物は、１３３．３２パスカル（水銀柱１ミリメートル（ｍｍ Ｈｇ））の圧力下で、少なくとも２５℃、あるいは少なくとも５０℃、あるいは少なくとも７５℃、あるいは少なくとも８０℃、あるいは少なくとも８５℃、あるいは少なくとも９０℃の沸点を有する。例えば、ある種の実施形態では、シラン化合物は、１３３．３２パスカル（１ｍｍ Ｈｇ）の圧力下で、８０〜１２０℃、あるいは９０〜１１０℃の沸点を有する。

特定の実施形態において、希釈剤成分のシラン化合物は、潜在的にカチオン重合性基以外のケイ素結合加水分解性基を含まない。例えば、ケイ素結合ハロゲン原子などの特定のケイ素結合加水分解性基は、水と反応してシラノール（ＳｉＯＨ）基を形成し、その際ケイ素−ハロゲン結合は開裂されている。その他のケイ素結合加水分解性基、例えば、カルボキシルエステルは、ケイ素へのいかなる結合も開裂することなく加水分解し得る。この目的で、特定の実施形態において、シラン化合物は、加水分解してシラノール基を形成する可能性のあるケイ素結合加水分解性基を含まない。別の実施形態において、シラン化合物のカチオン重合性基は加水分解性でなく、その結果シラン化合物はケイ素結合加水分解性基をまったく含まない。これらの実施形態において、カチオン重合性基は加水分解性ではなく、例えば、カチオン重合性基は環状エーテルである。加水分解性基の具体例としては、以下のケイ素結合基：ハロゲン化物基、アルコキシ基、アルキルアミノ基、カルボキシ基、アルキルイミノオキシ基、アルケニルオキシ基、及びＮ−アルキルアミド基が挙げられる。例えば、特定の従来のシラン化合物は、１つを超えるカチオン重合性基に加えて、ケイ素結合アルコキシ基を有してもよい。これらの従来のシラン化合物に関し、このようなケイ素結合アルコキシ基は、加水分解及び縮合させて、シロキサン結合を形成させて、硬化生成物の架橋密度を増大させることができる。対照的に、シラン化合物は一般的に硬化生成物の架橋密度を低下させるために使用され、そのためこれらの加水分解性基は特定の実施形態において望ましくない。

種々の実施形態において、希釈剤成分のシラン化合物は、次の一般式を有する：

式中、Ｒは、独立して選択されかつ上記のとおり定義され、Ｙはカチオン重合性基であり、かつＸはＲ及びＳｉＲ_３から選択される。

特定の実施形態において、ＸはＲであり、そのためシラン化合物はモノシラン化合物を含む。これらの実施形態では、シラン化合物は、一般式ＹＳｉＲ_３を有し、式中、Ｙ及びＲは上記に定義されるとおりのものである。Ｙが独立して上記のＥ^１〜Ｅ^４から選択されるとき、シラン化合物は改めて、例えば、Ｅ^１ＳｉＲ_３、Ｅ^２ＳｉＲ_３、Ｅ^３ＳｉＲ_３、及びＥ^４ＳｉＲ_３と表記することもできる。Ｅ^１〜Ｅ^４のうち、Ｅ^３が最も一般的なものである。

他の実施形態では、シラン化合物がジシラン化合物を含むようＸはＳｉＲ_３である。これらの実施形態において、１つのカチオン重合性基はジシランのいずれかのケイ素原子に結合してもよく、このケイ素原子は典型的には互いに直接結合している。Ｒは置換及び非置換ヒドロカルビル基から独立して選択されるが、Ｒは、最も典型的には、屈折率を制御するためにアルキル基及びアリール基から選択される。

シラン化合物及びそれらの調製方法の具体例は、同時係属であり、２０１４年５月１５日に出願したＰＣＴ国際出願番号ＰＣＴ／ＵＳ１４／０３８１４９号（ＤＣ１１７０１ＰＣＴ２）に記載される。

シラン化合物は、カチオン重合性材料、例えば、オルガノポリシロキサン樹脂を効果的に可溶化し、その結果、別の溶媒の必要がなくなる。いくつかの実施形態において、第１の組成物及び／又は第２の組成物はシラン化合物以外の溶媒を含まない。シラン化合物は、第１の組成物及び／又は第２の組成物中に存在する場合、これらの組成物の屈折率を低下させる。したがって、使用するシラン化合物の相対量は、第１の組成物及び／又は第２の組成物の屈折率を選択的に制御するように変更してもよい。例えば、第１の組成物は、第２の組成物よりも少ない量のシラン化合物を使用し、それによって、他（例えば、使用する特定のオルガノポリシロキサン樹脂）についてはすべて等しい第２の組成物に第１の組成物よりも低い屈折率を付与できる。

希釈剤成分は、典型的には、シラン化合物を第１の組成物及び／又は第２の組成物の所望の屈折率及びその他の物理的特性に基づく量で含む。例えば、特定の実施形態において、希釈剤成分は、シラン化合物を、第２の組成物の全重量を基準にして少なくとも３重量％、あるいは少なくとも５重量％、あるいは少なくとも１０重量％、あるいは少なくとも１５重量％、あるいは少なくとも２０重量％、あるいは少なくとも２５重量％、あるいは少なくとも３０重量％のシラン化合物を供給するのに十分な量で含む。シラン化合物は、一般的に、両方の組成物に使用される場合、第１の組成物中に第２の組成物よりも少ない量で存在する。

希釈剤成分は、シラン化合物に加えて、化合物又は成分を含まなくてもよく、含んでもよい。例えば、希釈剤成分は、シラン化合物以外の希釈剤化合物をシラン化合物に加えて含んでもよい。希釈剤化合物は、種々の点でシラン化合物と異なっていてもよい。例えば、希釈剤化合物は、１個を超えるカチオン重合性基を有してもよい。あるいは、希釈剤化合物は単一のカチオン重合性基を有してもよいが、ケイ素を含まなくてもよい。希釈剤成分は１つを超える希釈剤化合物を含んでもよく、すなわち、希釈剤成分は希釈剤化合物の任意の組み合わせを含んでもよい。希釈剤化合物は芳香族、脂環式、脂肪族等であってもよい。

希釈成分に好適な芳香族希釈化合物の具体例としては、各々が少なくとも１つの芳香環を有する多価フェノールのポリグリシジルエーテル、あるいはビスフェノールＡ及びビスフェノールＦのグリシジルエーテルなどフェノールのアルキレンオキシド付加物のポリグリシジルエーテル、又はビスフェノールＡ及びビスフェノールＦに対しアルキレンオキシドを更に付加することにより得られた化合物のポリグリシジルエーテル；並びにエポキシノボラック樹脂が挙げられる。

希釈成分に好適な脂環式希釈化合物の具体例としては、各々少なくとも１つの脂環式環を有する多価アルコールのポリグリシジルエーテル；並びにシクロヘキセン環又はシクロペンテン環含有化合物を酸化剤によりエポキシド化することにより得られるシクロヘキセンオキシド含有化合物又はシクロペンテンオキシド含有化合物が挙げられる。例としては、水素化ビスフェノールＡグリシジルエーテル、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル−５，５−スピロ−３，４−エポキシ）シクロヘキサン−メタジオキサン、ビス（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）アジパート、ビニルシクロヘキセンジオキシド、４−ビニルエポキシシクロヘキサン、ビス（３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルメチル）アジパート、３，４−エポキシ−６−メチルシクロヘキシルカルボキシレート、ジシクロペンタジエンジエポキシド、エチレングリコールジ（３，４−エポキシシクロヘキシルメチル）エーテル、ジオクチルエポキシヘキサヒドロフタレート、及びジ−２−エチルヘキシルエポキシヘキサヒドロフタレートが挙げられる。

希釈成分に好適な脂肪族希釈化合物の具体例としては、脂肪族多価アルコールのポリグリシジルエーテル、及び脂肪族多価アルコールのアルキレンオキシド付加物；脂肪族長鎖多塩基酸のポリグリシジルエステル、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートのビニル重合により合成されたホモポリマー、並びにグリシジルアクリレート及び別のビニルポリマーのビニル重合により合成されたコポリマー、が挙げられる。代表的な化合物としては、多価アルコールのグリシジルエーテル、例えば、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンのトリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのトリグリシジルエーテル、ソルビトールのテトラグリシジルエーテル、ジペンタエリスリトールのヘキサグリシジルエーテル、ポリエチレングリコールのジグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールのジグリシジルエーテル、１種又は２種以上のアルキレンオキシドをプロピレングリコール、トリメチロールプロパン又はグリセリンなどの脂肪族多価アルコールに付加することによって得られるポリエーテルポリオールのポリグリシジルエーテル、及び脂肪族長鎖二塩基酸のジグリシジルエステルが挙げられる。更に、脂肪族高級アルコール、フェノール、クレゾール、ブチルフェノールのモノグリシジルエーテル、これらにアルキレンオキシドを付加することによって得られるポリエーテルアルコールのモノグリシジルエーテル、高級脂肪酸のグリシジルエステル、エポキシ化大豆油、オクチル＝エポキシステアラート、ブチル＝エポキシステアラート、エポキシ化亜麻仁油、エポキシ化ポリブタジエン等が例として挙げられる。

希釈成分に好適な希釈化合物の追加の例としては、トリメチレンオキシド、３，３−ジメチルオキセタン、及び３，３−ジクロロメチルオキセタンなどのオキセタン化合物；テトラヒドロフラン及び２，３−ジメチルテトラヒドロフランなどのトリオキサン；１，３−ジオキソラン及び１，３，６−トリオキサシクロオクタンなどの環式エーテル化合物；プロピオラクトン、ブチロラクトン、及びカプロラクトンなどの環式ラクトン化合物；エチレンスルフィドなどのチイラン化合物；トリメチレンスルフィド及び３，３−ジメチルチエタンなどのチエタン化合物；テトラヒドロチオフェン誘導体などの環式チオエーテル化合物；エポキシ化合物とラクトンとを反応させることにより得られるスピロオルトエステル化合物；並びにエチレングリコールジビニルエーテル、アルキルビニルエーテル、３，４−ジヒドロピラン−２−メチル（３，４−ジヒドロピラン−２−メチル（３，４−ジヒドロピラン−２−カルボキシレート）、及びトリエチレングリコールジビニルエーテルなどのビニルエーテル化合物が挙げられる。

存在する場合、希釈剤成分は、典型的には希釈剤化合物を、それぞれ第１の組成物又は第２の組成物の全重量を基準にして、０超３０重量％、あるいは０超１０重量％、あるいは１〜５重量％の希釈剤化合物を与えるのに十分な量で含む。これらの値は、一般的には、希釈剤成分中のシラン化合物以外の任意のカチオン重合性希釈剤化合物を反映し、すなわち、異なる希釈剤化合物の組み合わせが使用される場合、上記の値はその集合的な量を表す。特定の実施形態において、希釈剤成分はシラン化合物と希釈剤化合物とを含む。

特定の実施形態において、第１の組成物及び第２の組成物のそれぞれは更に触媒を含む。第１の組成物の触媒は、第２の組成物の触媒と同じであっても異なっていてもよい。各触媒は独立してそれぞれの組成物の硬化の増強に効果的である。例えば、第１の組成物及び第２の組成物が活性エネルギー線への曝露時に硬化可能である場合、その触媒は光触媒と呼ばれることもある。但し、光触媒以外の触媒を使用してもよく、その例は、第１の組成物及び／又は第２の組成物が、活性エネルギー線とは対照的に熱への曝露時に硬化される場合である。あるいは、光触媒は、光重合開始剤と呼ばれる場合もあり、一般的に、カチオン重合性材料と希釈剤成分との光重合開始の役割を果たす。特定の実施形態において、第１の組成物及び第２の組成物は、独立して（Ａ）オルガノポリシロキサン樹脂と；（Ｂ）触媒とを含む。オルガノポリシロキサン樹脂は上記されている。触媒は、かかる重合に好適な任意の触媒を含んでもよい。触媒の例としては、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、セレノニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩、パラトルエンスルホナート、トリクロロメチル置換トリアジン、及びトリクロロメチル置換ベンゼンが挙げられる。その他の触媒としては、酸発生剤が挙げられ、これは当該技術分野において既知である。触媒は、組成物の硬化速度の増大、硬化開始時間の短縮、組成物の架橋度の増大、硬化生成物の架橋密度の増大、又はこれらの任意の２つ以上の組み合わせを生じる。典型的には、触媒は、少なくとも組成物の硬化速度を増大させる。

触媒に好適なスルホニウム塩は、次式：Ｒ^７ _３Ｓ^＋Ｘ⁻により表すことができ、式中、Ｒ^７は、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、又は炭素原子を１〜６個有する類似のアルキル基；フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、トリル基、プロピルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基、又は炭素原子を６〜２４個有する同様のアリール基若しくは置換アリール基として指定され得る。上記式中、Ｘ⁻は、ＳｂＦ_６ ⁻、ＡｓＦ_６ ⁻、ＰＦ_６ ⁻、ＢＦ_４ ⁻、Ｂ（Ｃ_６Ｆ_５）_４ ⁻、ＨＳＯ_４ ⁻、ＣｌＯ_４ ⁻、ＣＦ_３ＳＯ_３ ⁻、又は同様の非求核性、非塩基性アニオンを表す。ヨードニウム塩は、次式：Ｒ^７ _２Ｉ^＋Ｘ⁻により表すことができ、式中、Ｒ^７は上記のとおりのＸ⁻と同じである。セレノニウム塩は、次式：Ｒ^７ _３Ｓｅ^＋Ｘ⁻により表すことができ、式中、Ｒ^７、Ｘ⁻は上記のものと同じである。ホスホニウム塩は、次式：Ｒ^７ _４Ｐ^＋Ｘ⁻により表すことができ、式中、Ｒ_７、Ｘ⁻は上記のものと同じである。ジアゾニウム塩は、次式：Ｒ^７Ｎ_２ ^＋Ｘ⁻により表すことができ、式中、Ｒ_７及びＸ⁻は上記のものと同じである。パラ−トルエンスルホナートは、次式：ＣＨ_３Ｃ_６Ｈ_４ＳＯ_３Ｒ^８により表すことができ、式中、Ｒ^８は、ベンゾイルフェニルメチル基又はフタルイミド基などの電子吸引性基を含有する有機基である。トリクロロメチル置換トリアジンは、次式：［ＣＣｌ_３］_２Ｃ_３Ｎ_３Ｒ^９により表すことができ、式中、Ｒ^９はフェニル基、置換又は非置換フェニルエチニル基、置換又は非置換フラニルエチニル基、又は同様の電子吸引性基である。トリクロロメチル置換ベンゼンは、次式：ＣＣｌ_３Ｃ_６Ｈ_３Ｒ^７Ｒ^１０により表すことができ、式中、Ｒ^７は、上記に定義されるとおりのものであり、Ｒ^１０は、ハロゲン基、ハロゲン置換アルキル基、又は同様のハロゲン含有基である。

第１の組成物及び／又は第２の組成物に好適な触媒の具体例としては、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート、トリフェニルスルホニウムトリフラート、トリ（ｐ−トリル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート、ｐ−第三級−ブチルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボラート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、ｐ−第三級−ブチルフェニルビフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、ジ（ｐ−第三級−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、ビス（ドデシルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート、トリフェニルセレノニウムテトラフルオロボラート、テトラフェニルホスホニウムテトラフルオロボラート、テトラフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモナート、ｐ−クロロフェニルジアゾニウムテトラフルオロボラート、ベンゾイルフェニルパラ−トルエンスルホネート、ビス（トリクロロメチル）フェニルトリアジン、ビス（トリクロロメチル）フラニルトリアジン、ｐ−ビス（トリクロロメチル）ベンゼンなどが挙げられる。

触媒は、場合によりキャリア溶媒の存在下で２種以上の異なる種を含んでもよい。

触媒は、第１の組成物及び第２の組成物中に独立して様々な量で存在してもよい。一般的に、触媒は、紫外線などの活性エネルギー線（すなわち、高エネルギー線）に曝露したときに重合及び硬化を開始するのに十分な量で存在する。特定の実施形態において、触媒は、第１の組成物及び第２の組成物のそれぞれに、各組成物の全重量を基準にして０を超え５重量％まで、あるいは０．１〜４重量％の量で存在してもよい。

第１の組成物及び／又は第２の組成物は、無溶媒でもよい。これらの実施形態において、希釈剤成分は一般的に、第１の組成物及び／又は第２の組成物を注入及びウェットコートするのに十分にカチオン重合性材料を可溶化する。しかしながら、望ましい場合には、第１の組成物及び／又は第２の組成物は溶媒、例えば有機溶媒を更に含んでもよい。無溶媒は、本明細書で第１の組成物及び／又は第２の組成物が無溶媒であることを指して使用されるとき、任意のキャリア溶媒を含む全溶媒が、それぞれの組成物中に、それぞれの組成物の全重量を基準にして、５重量％未満、あるいは４重量％未満、あるいは３重量％未満、あるいは２重量％未満、あるいは１重量％未満、あるいは０．１重量％未満の量で存在し得ることを意味する。

溶媒は、使用される場合、一般的にカチオン重合性材料及び希釈剤成分との混和性のために選択される。一般的に、溶媒は大気圧において８０℃〜２００℃の沸点を有し、これにより、溶媒を熱又はその他の方法で容易に除去できる。溶媒の具体例としては、イソプロピルアルコール、第三級−ブチルアルコール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エトキシ−２−プロパノラクテート、メトキシ−２−プロパノラクテート、オクタメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルジシロキサンなどが挙げられる。２種以上の溶媒を併用することもできる。

第１の組成物及び／又は第２の組成物は、任意に及び追加的に、カップリング剤、帯電防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤、レベリング剤、色素、触媒、触媒の阻害物質等の任意の他の好適な成分を含んでもよい。触媒の阻害物質は、（例えば、阻害物質を除去又は失活することによって）触媒が活性化されるまで硬化を防止又は低速化する働きをする。

ある種の実施形態では、第１の組成物及び第２の組成物は、各々、２５℃にて２０〜１０，０００ｍＰａ・ｓの動的粘度を有する液体形態である。動的粘度は、ブルックフィールド粘度計、ウベローデ管、コーン／プレート型粘度、又はその他の装置及び方法により測定することができる。使用する計器／装置に基づいて値はわずかに変動する場合があるが、これらの値は一般的に測定の種類に関係なく維持される。

光コネクタ３０、及び光コネクタ３０から形成される関連する光デバイス２０は、図２〜７において以下に記載のとおりの方法で形成できる。

まず図２を参照すると、方法は、光インターフェース２６及び光導波路インターフェース５０間に間隙８０が存在するよう第１の光アセンブリ２０を第２の光アセンブリ４０に対し位置づけることにより開始される。この位置では、好ましくは少なくとも１つの光要素２２のうち少なくとも１つが、間隙８０をはさんで少なくとも１つの光要素４２のうちの対応するものと整列される。

次に、図３に示すとおり、方法は、第１の層９４が、第１の光インターフェース２６にて少なくとも１つの光要素２２のそれぞれの端部２４と接触するよう、並びに第１の層９４が、第２の光インターフェース５０にて少なくとも１つの光要素４２のそれぞれの端部４８と接触するよう、間隙８０内に第１の屈折率（ＲＩ^１）を有する第１の組成物を適用して、第１の層９４を形成することを更に含む。

ある種の実施形態では、第１の層９４は、第１の光アセンブリ２０及び第２の光アセンブリ４０に収容される第１の基材４７上に適用される。あるいは、第１の層９４は、筐体２５の内側表面９１及び／又は筐体４５の内側表面９３上に適用され、あるいは筐体２５が筐体４５に接続されるとき、内側表面９１及び９３の両面上に適用される。

上記のとおり、第１の組成物は、硬化性組成物であり、所望の第１の屈折率及びその他の要因、例えば、所望の硬化機構に基づき選択されてもよい。

第１の組成物は、種々の方法によって基材４７上又は内側表面９１及び内側表面９３上に適用されてもよい。例えば、特定の実施形態において、第１の組成物を適用する工程は、ウェットコーティング方法を含む。この方法に好適なウェットコーティング方法の具体例としては、ディップコーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、スパッタリング、スロットコーティング、及びこれらの組み合わせが挙げられる。

次に、図４に示すとおり、本方法は更に、第１の層９４の非標的部分に硬化条件を適用することなく、第１の層９４の標的部分に硬化条件を適用して、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２と少なくとも１つの未硬化部分９８とを含むコントラスト層９６を形成する工程を含む。少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２の各々は、少なくとも１つの光要素２２のそれぞれのうち１つの端部２４から、少なくとも１つの光要素４２のそれぞれの対応する整列させた端部４８までの間隙８０内に延在する。

第１の層９４が選択的に硬化され、ひいては硬化条件が利用される方法は、少なくとも第１の組成物をもとに決定される。例えば、特定の実施形態において、第１の組成物及びその組成物から形成された第１層は、活性エネルギー線への曝露時に硬化可能であり、すなわち、第１層に活性エネルギー線を選択的に照射することによって第１層は選択的に硬化される。活性エネルギー線は紫外線、電子ビーム、又はその他の電磁波若しくは放射線を含んでもよい。あるいは、第１層は熱硬化されてもよい。これらの実施形態において、第１の層９４は、第１の層９４を選択的に加熱することによって、例えば、第１の層を加熱素子で選択的に加熱することによって、選択的に硬化される。好適な加熱素子の例としては、抵抗又は誘導加熱素子、赤外線（ＩＲ）熱源（例えば、ＩＲランプ）、及び火炎熱源が挙げられる。誘導加熱素子の一例は、無線周波数（ＲＦ）誘導加熱素子である。

好ましくは、図４に示すとおり、第１の組成物の標的とする部分における屈折率のＲＩ^１からＲＩ^１’までの変化をもたらすのに十分な時間にわたって、紫外光の範囲の第１の所定の波長の光を、少なくとも１つの光要素２２のそれぞれの端部２４から、第１の層９４を含む第１の組成物の標的とする部分内を透過させて、第１の光アセンブリ２０の光要素２２のそれぞれの各端部２４から第２の光アセンブリ４０のそれぞれの光要素４２の対応するものまで延在する、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２を形成することにより、第１の層９４は硬化される。

次に、図５に示すとおり、方法は、第２の屈折率（ＲＩ^２）を有する第２の組成物をコントラスト層９６に対し適用して、第２の層１０２を形成することと、第２の層１０２の少なくとも一部分と、コントラスト層９６の少なくとも１つの未硬化部分９８を混合して、コントラスト層９６において、第３の屈折率（ＲＩ^３）を有する、少なくとも１つの内部混合部分１０４を形成することと、を更に含む。この混合工程後、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２の各々１つを、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までの少なくとも１つの内部混合部分１０４のうちの少なくとも１つにより少なくとも部分的に取り囲み、但し、端部６４及び端部６６は上記のとおり、第２の層１０２又は内部混合部分１０４により被覆されない。

ある種の実施形態では、第２の層１０２の部分は、コントラスト層９６の未硬化部分９８と混合されず、未混合部分として残る（図５中１０２として示す）。これらの実施形態では、第２の層１０２の部分は、少なくとも１つのブリッジ部分６２の１つ以上を部分的に取り囲むことができ、第２の層１０２と、少なくとも１つの内部混合部分１０４のうちの１つは、総じて少なくとも１つのブリッジ部分６２のそれぞれを完全に取り囲む。

しかしながら、好ましくは、第２の組成物のすべてを、少なくとも１つの未硬化部分９８と内分混合させて、内部混合部分１０４を形成する（すなわち、混合後には第２の層１０２は存在しない）。この好ましい実施形態では、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２の各々１つは、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までの少なくとも１つの内部混合部分１０４のうちの１つにより完全に取り囲まれ、但し、端部６４及び端部６６は上記のとおり内部混合部分１０４により被覆されない。

第１の組成物及び第２の組成物並びに少なくとも１つの内部混合部分１０４は、互いに異なる。更に、ＲＩ^１、ＲＩ^２、及びＲＩ^３は、互いに異なる。

第１の組成物の適用について上記されるものなどの様々な方法により、第２の組成物を第１の層９４上に適用することができる。例えば、特定の実施形態において、第１の組成物を第１の層９４に適用する工程は、ウェットコーティング方法を含む。この方法に好適なウェットコーティング方法の具体例としては、ディップコーティング、スピンコーティング、フローコーティング、スプレーコーティング、ロールコーティング、グラビアコーティング、スパッタリング、スロットコーティング、及びこれらの組み合わせが挙げられる。

次に、図６に示すとおり、方法は、内部混合部分１０４及び任意選択的に存在させる第２の層１０２を硬化させて、硬化した内部混合部分７０及び硬化した任意選択的な第２の部分７２を形成し、ひいては光コネクタ３０及び完全な第１の光デバイス１５を形成するための第２の硬化条件を適用することを更に含む。

第２の層１０２が存在し、方法により少なくとも１つの内部混合部分１０４が選択的に硬化されるとき、ひいては用いられる硬化条件は、少なくとも第１の組成物及び第２組成物をもとに決定される。

例えば、いくつかの実施形態では、存在する場合、第１の組成物及び第２の組成物が第２の層１０２の形成に使用され、内部混合部分１０４は、活性エネルギー線への暴露により硬化可能である（すなわち存在する場合、第２の層１０２、及び少なくとも１つの内部混合部分１０４は、活性エネルギー線を第１の層に選択的に照射することにより選択的に硬化される）。活性エネルギー線は紫外線、電子ビーム、又はその他の電磁波若しくは放射線を含んでもよい。

あるいは、存在する場合、第２の層１０２、及び少なくとも１つの内部混合部分１０４は熱硬化することができる。これらの実施形態では、存在する場合、第２の層１０２、及び少なくとも１つの内部混合部分１０４は、第２の層１０２、及び少なくとも１つの内部混合部分１０４を選択的に加熱することにより、例えば、第２の層１０２及び少なくとも１つの内部混合部分１０４を過熱素子により選択的に加熱することにより硬化される。好適な加熱素子の例としては、抵抗又は誘導加熱素子、赤外線（ＩＲ）熱源（例えば、ＩＲランプ）、及び火炎熱源が挙げられる。誘導加熱素子の一例は、無線周波数（ＲＦ）誘導加熱素子である。

ある種の実施形態では、存在する場合、第２の層１０２、及び少なくとも１つの内部混合部分１０４は、層１０２及び部分１０４を９０℃〜２６０℃の範囲の温度に加熱することにより硬化される。

更に他の実施形態では、硬化方法を組み合わせたものを用いることもできる。したがって、例えば、存在する場合、第２の層１０２、及び少なくとも１つの内部混合部分１０４は、いずれも上記のとおり活性エネルギー線に曝露し、加熱することにより硬化させることができる。

図６に示すとおり、得られる光デバイス１５が形成され、ここで、硬化したブリッジ部分６２の各々は、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までが、硬化した内部混合部分７０、及び存在する場合、硬化した第２の部分７２により取り囲まれるものの、端部６４及び端部６６は、硬化した内部混合部分７０及び硬化した第２の部分７２により被覆されない（すなわち、第１の光アセンブリ２０の少なくとも１つの光要素２２のうち１つの端部２４と、第２の光アセンブリ４０の少なくとも１つの光要素４２のそれぞれの対応する端部４８との間）。好ましい実施形態では、屈折率ＲＩ^１’を有する硬化したブリッジ部分６２の各々は、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までが、屈折率ＲＩ^２’を有する硬化した内部混合部分７０により取り囲まれるものの、端部６４及び端部６６は、硬化した内部混合部分７０により被覆されない。あるいは、ある種の実施形態では、屈折率ＲＩ^１’を有する硬化したブリッジ部分６２の各々は、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までが、屈折率ＲＩ^２’を有する硬化した内部混合部分７０、及び屈折率ＲＩ^３’を有する硬化した第２の部分７２により取り囲まれるものの、端部６４及び端部６６は、硬化した内部混合部分７０及び硬化した第２の部分７２により被覆されない。

更に他の実施形態では、屈折率ＲＩ^１’を有する硬化したブリッジ部分６２の少なくとも１つは、それぞれの第１の端部６４から第２の端部６６までが、屈折率ＲＩ^２’を有する硬化した内部混合部分７０により取り囲まれるものの、端部６４及び端部６６は、内部混合部分１０４により被覆されず、かつ第２の層７２が存在し、硬化した内部混合部分７０を取り囲み、それぞれの端部６４及び端部６６を被覆しない。

これらの実施形態のうちのいずれかでは、光コネクタ３０が形成され、少なくとも１つのブリッジ部分６２のそれぞれは、ブリッジ部分６２を取り囲むクラッド部よりも低い屈折率を有する（このようなクラッド部が、上記のとおり硬化した内部混合部分７０、又は硬化した内部混合部分７０と硬化した第２の部分７２との組み合わせを含んでいようといなかろうと）。表現を変えると、低屈折率のブリッジ部分６２と、高屈折率のクラッド部分との間の屈折率にはコントラストが存在し、より具体的には、高屈折率の硬化した内部混合部分７０と任意選択的な硬化された第２の部分７２との間の屈折率にはコントラストが存在する。当業者であれば、低屈折率の硬化したブリッジ部分６２と、高屈折率の硬化したクラッド部分との間のコントラスト、及びより具体的には、高屈折率の硬化した内部混合層７０と、任意選択的な硬化した第２の部分７０との間のコントラストにより、内部混合層７０及び任意選択的な第２の層７２への拡散を最小限に抑えつつ、電磁放射線（すなわち１つ以上の電磁波）をブリッジ部分６２の長さに沿って誘導できることを認識されるであろう。したがって、本発明は、１つ以上の電磁波に第１の光アセンブリ２０と第２の光アセンブリ４０との間を伝播させるにあたって高効率の光コネクタ３０を提供する。

更に、それぞれのブリッジ部分６２を形成する第１の硬化条件を適用した結果として、硬化したブリッジ部分６２のインターフェースの寸法及び形状が、かかるインターフェースがアライメントされる光要素２２及び光要素４２のそれぞれの端部２４又は端部４８の寸法及び形状と一致することから、本発明の方法により形成された光コネクタ３０を使用することにより、システムではズレが許容されるようになり、光コネクタに必要とされるアライメントの精密さは緩くなる。例えば、ブリッジ部分６２は、光要素２２又は光要素４２の端部２４又は端部４８の対応する丸みを帯びた形状と寸法及び形状が一致する、丸みを帯びた断面を、端部６４又は端部６６に有し得る。同様にして、ブリッジ部分６２は、四角い寸法及び形状を端部６４又は６６に有し得るものであり、光要素２２又は光要素４２は、それぞれ端部２４又は端部４８にて四角い。このような、それぞれの端部６４又は端部６６と、対応する端部２４又は端部４８との間の適合性は、それぞれの光要素２２又は光要素４２と、ブリッジ部分６２との境界面における電磁放射線の拡散を低減するとも考えられる。

更に他の実施形態では、光コネクタ３０は、図１３〜１４に示すとおり、整列していない光要素２２Ａと光要素４２Ａとの間に延在する硬化したブリッジ部分６２Ａを形成する。光コネクタ３０及び光アセンブリ１５の形成プロセスは、図２〜６に関し上記のとおりのものと同じ一般的な方法に従い、但し、図１４では（図４との比較）、第１の所定の波長の透過光は、第１の光要素２２Ａのそれぞれの端部２４から第２の光要素２４Ａの端部４８に向かって折れ、これにより硬化させることで、硬化したブリッジ部分６２は、第１の光要素２２Ａ及び第２の光要素４２Ａの長さに対してわずかに角度をつけて方向づけられる。

更に、ブリッジ部分６２として硬化したブリッジ部分６２のそれぞれの端部６４又は６６は、それぞれの光要素２２又は光要素４２に対する良好な接着を可能にする粗さ（ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）を有することから、研磨は必要とされない。更に、ＭＴ接続を有するある種の光システムにおけるファイバー突き出し問題は、本発明の接続プロセスにより軽減される。

同様にして、本発明の光コネクタ３０を形成するための製造プロセスは、上記のものと同様の又は異なる光要素２２、光要素４２、又は光要素２２２を有する様々な光デバイス２０、光デバイス４０、及び光デバイス２２０を接続するにあたって、単純であり、かつ再現性がある。

更に他の実施形態では、上記の方法により形成された光コネクタ３０を有する第１の光デバイス１５とは異なる別個の光デバイス２１５が形成され得る。この更なる方法を図７〜９に示す。

まず図７を参照すると、第２の光デバイス２１５を形成する方法は、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２の各々が、第２の光アセンブリ４０の少なくとも１つの光要素４２のそれぞれの端部４８と接触したままであるよう、形成された光コネクタ３０から（及びしたがって第２の光アセンブリ４０から）第１の光アセンブリ２０を脱着させることにより開始される。光コネクタからの光アセンブリの脱着は、任意の様々な方法で実行することができ、好ましくは矢印１９０により示すとおり、第２の光アセンブリ４０から遠ざけるよう第１の光アセンブリ２０を単純に動かすことにより、あるいは矢印１９５により示すとおり、第１の光アセンブリ２０から遠ざけるよう第２の光アセンブリ４０を単純に動かすことにより、実行できる。このプロセスにおいて、筐体２５は接続されておらず、すなわち筐体４５から外れている。

これらの実施形態では、第１の光アセンブリ２０及び第２の光アセンブリ４０は、異なる形態の光要素２２及び光要素４２を含んでおり、硬化したブリッジ部分６２は、光要素２２よりも光要素４２に対してより強力に接着しており、したがって、第１の光アセンブリ２０を第２の光アセンブリ３０から遠ざけるよう移動させたときには光要素４２と接触したままである。

次に、図８に示すとおり、第１の光アセンブリ２０とは異なる第３の光アセンブリ２２０が提供される。

第３の光アセンブリ２２０は、第２の光インターフェース２２６で終端する少なくとも１つの光要素２２２のそれぞれの端部２２４を有する少なくとも１つの光要素２２２を有する。第３の光アセンブリ２２０は、光要素２２２を取り囲む筐体２２５及びクラッド２２３も含む。光要素２２又は光要素４２同様、光要素２２２は、それぞれの長さに沿って１つ以上の電磁波（例えば、紫外スペクトルにおける１つ以上の光波、又は可視スペクトルにおける１つ以上の光波）を導くことのできる任意のデバイス又は材料を指す。したがって、光要素２２２を含み得る光要素の好適な例としては、限定するものではないが、光ファイバー、ポリマー光導波路、レンズ、送信モジュール、受信モジュール、送受信機（送信モジュール及び受信モジュールの両方を含むモジュール）が挙げられる。

しかしながら、上記のとおり、このような光要素２２２を含む第３の光アセンブリ２２０は、光要素２２を含む第１の光アセンブリ２０とは異なっている。好ましくは、光要素２２２の数、並びにこれらの光要素２２２の寸法及び形状は、ある種の実施形態では、第１の光アセンブリ３０の光要素２２の数、寸法、及び形状と同様であるものの、ある種のその他の実施形態では、数、寸法又は形状は異なり得る。同様にして、少なくとも１つの光要素２２２と第３の光アセンブリ２２０との相対位置は、第１の光アセンブリ３０と同じであっても異なってもよい。

図８に示すとおり、第２の光アセンブリ４０に接続された光コネクタ３０は、第３の光アセンブリ２２０の少なくとも１つの光要素２２２の各々の端部２２４が、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２のそれぞれの端部６４に隣接するよう、第３の光インターフェース２２６に沿って、第３の光アセンブリ２２０に対し配置される。

次に、図９に示すとおり、第３の光アセンブリ２２０の少なくとも１つの光要素２２２の各々の端部２２４が、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分６２のそれぞれの端部６４に接触するよう、第３の光アセンブリ２２０を移動させて、第２の光アセンブリ４０に接触させる。この方法では、光コネクタ３０を介し第２の光アセンブリ４０に接続された第３の光アセンブリ２２０を含む、新しい光デバイス２１５が形成される。

したがって、同様に位置づけられた光要素を有する任意の２つの光デバイスを容易に接続させるにあたって、図７〜９において記載されるとおりの方法を使用することができる。図７〜９に記載の方法は、接続された光コネクタ３０を含む第２の光アセンブリ４０を第１の光アセンブリ２０に接続させ、続いてこの第１の光アセンブリ２０から脱着させ、第３の光アセンブリ２２０に接続させ（並びに続いて第３の光アセンブリ２２０から脱着させ、第１の光アセンブリ２０に再接続させる）、様々な光デバイスを形成することも可能にする。

添付の特許請求の範囲は、詳細な説明に記述された明白で具体的な化合物、組成物、又は方法に限定されず、化合物、組成物、又は方法は、添付の特許請求の範囲内にある特定の実施形態間で異なってもよい。様々な実施形態の具体的な特徴及び態様を説明するために本明細書において依拠されている任意のマーカッシュ群に関して、異なる、特殊な及び／又は不測の結果は、すべての他のマーカッシュ群の構成員から独立して、各マーカッシュ群のそれぞれの構成要素から得られるものとする。マーカッシュ群の各要素は、添付の特許請求の範囲内の特定の実施形態が個別に及び／又は組み合わせて依拠することがあり、適切な根拠を提供する。

更に、本発明の様々な実施形態を説明する際に依拠される任意の範囲及び部分範囲は独立して及び総じて、添付の請求の範囲内に入り、たとえ、本明細書にその中の全部及び／又は一部の値が明記されていなくても、そのような値を包含する全範囲を説明及び想到するものと理解される。計数範囲及び部分範囲が、本発明の様々な実施態様を十分に記述しかつ可能にし、かかる範囲及び部分範囲が、更に、関連する２分の１、３分の１、４分の１、５分の１等に詳述されてよいことを当業者は容易に理解する。ほんの一例として、範囲「０．１〜０．９」は、下の方の３分の１、即ち、０．１〜０．３、中間の３分の１、即ち、０．４〜０．６、及び上の方の３分の１、即ち、０．７〜０．９に更に詳述でき、これらは、個別的かつ集合的に添付の特許請求の範囲内であり、添付の特許請求の範囲内の特定の実施態様が個別的及び／又は集合的に依拠することがあり、適切な根拠を提供し得る。更に、「少なくとも」、「より大きい」、「未満」、「以下」等の範囲を定義又は修飾する用語に関して、かかる用語が部分範囲及び／又は上限又は下限を含むことを理解されたい。別の例として、「少なくとも１０」の範囲は、本質的に、少なくとも１０〜３５の部分範囲、少なくとも１０〜２５の部分範囲、２５〜３５の部分範囲等を含み、各部分範囲は、添付の特許請求の範囲内の特定の実施態様が個別的及び／又は集合的に依拠することがあり、適切な根拠を提供する。最終的には、開示された範囲内の個々の数は、添付の特許請求の範囲内の特定の実施形態が依拠することがあり、適切な根拠を提供する。例えば、範囲「１〜９」は、様々な個々の整数、例えば、３、並びに小数点（又は分数）を含む個別の数、例えば、４．１を含み、これは添付の特許請求の範囲内の特定の実施態様が依拠することがあり、適切な根拠を提供する。

以下の実施例は、本発明を例示することを意図しており、決して本発明の範囲を限定するものとみなされるべきではない。

実施例１：硬化ブリッジ部を１つ以上有する光コネクタの作製：１２心の端子の６２．５ｕｍ ＭＴコネクタをマウンティング・ユニットに配置する。ＭＴコネクタは、１２心の各々の端子部分がスロットのファイバーインターフェースで終端しており、ファイバーインターフェースはより低い表面からほぼ垂直方向に延びる、スロットを含有していた。ＭＴコネクタのスロット内に、２５０マイクロメートル（μｍ）ピッチで１２の５０×５０ｕｍポリマー光導波路を設置した。次に、サブミクロン（＜１μｍ）の精密ｘｙｚステージを介し、１２のポリマー光導波路のそれぞれの対応する端部と、ＭＴコネクタの１２心の各端部を整列させた。整列を完了させたあと、１２のポリマー光導波路と、スロット内のＭＴコネクタの１２心の端部との間に５００μｍの間隙を設定した。

液滴がＭＴコネクタ及びポリマー光導波路の両方のファイバーのそれぞれの端部を被覆するよう、ピペットにより、屈折率が約１．５３３の紫外線硬化型シリコーン材料滴をＭＴコネクタの間隙内のスロットのより低い表面上に適用した。

ＭＴコネクタの１２心のうち１つのファイバーインターフェースを介し紫外光を送り込むことにより、シリコーン材料滴を選択的に重合させた。ファイバーを透過する３７５ｎｍの光が、光硬化型シリコーン材料に対し約１．２ジュール毎平方センチメートル（Ｊ／ｃｍ^２）の紫外線照射を導入し、液滴部分を紫外線硬化して、液滴内に、ＭＴコネクタのファイバーのうち１つから、対応するポリマー光導波路に延在する、硬化ブリッジ部を作製する。次に、硬化ブリッジ部を取り囲む未硬化の過剰な材料をトルエンで除去し、硬化ブリッジ部がポリマー光導波路のインターフェースに取り付けられたまま維持されるよう、ＭＴターミナルを脱着した。このようにして、硬化ブリッジ部を１つ以上有する光コネクタを製造した。次に、硬化ブリッジ部及びポリマー光導波路を透明なシート上に配置し、図１５に示すとおり位相差顕微鏡により撮像した。画像中に示すスケールは０．５ｍｍである。

実施例１ａ：硬化ブリッジ部を１つ以上有する別の光コネクタの製造。上記の方法と実質的に同様に実施例１を繰り返した。但し、本例では、１つのインターフェースに対し複数の光導波路をつなぐため、ＭＴコネクタの１２心のうち１つ超のファイバーインターフェースを介し紫外光を送り込むことにより、シリコーン材料滴を選択的に重合させた。このようにして、硬化ブリッジ部を１つ以上有する別の光コネクタを製造した。次に複数の、硬化ブリッジ部及びポリマー光導波路を透明なシート上に配置し、図１６に示すとおり位相差顕微鏡により撮像した。画像中に示すスケールは５０μｍである。

本発明の方法により１つ以上の硬化したブリッジ部分６２を形成できることを実証する結果を図１５及び１６に示す。

実施例２：硬化ブリッジ部を複数有する光コネクタの作製：１２心の端子の６２．５ｕｍ ＭＴコネクタをマウンティング・ユニットに配置する。ＭＴコネクタは、１２心の各々の端子部分がスロットのファイバーインターフェースで終端しており、ファイバーインターフェースはより低い表面からほぼ垂直方向に延在する、スロットを含有していた。ＭＴコネクタのスロット内に、２５０μｍピッチで１２の５０×５０ｕｍポリマー光導波路を設置した。次に、サブミクロン（＜１μｍ）の精密ｘｙｚステージを介し、１２のポリマー光導波路のそれぞれの対応する端部と、ＭＴコネクタの１２心の各端部を整列させた。整列を完了させたあと、１２のポリマー光導波路と、スロット内のＭＴコネクタの１２心の端部との間に５００μｍの間隙を設定した。

液滴がＭＴコネクタ及びポリマー光導波路の両方のファイバーのそれぞれの端部を被覆するよう、ピペットにより、屈折率が約１．５３３の紫外線硬化型シリコーン材料滴をＭＴコネクタの間隙内のスロットの低表面上に適用した。

ＭＴコネクタの１２心のうち１つ超のファイバーインターフェースを介し紫外光を送り込むことにより、シリコーン材料滴を選択的に重合させた。ファイバーを透過する３７５ｎｍの光が、光硬化型シリコーン材料に対し約１．２Ｊ／ｃｍ^２の紫外線照射を導入し、液滴部分を紫外線硬化して、液滴内に、ＭＴコネクタのファイバーのうち１つから、対応するポリマー光導波路に延在する、硬化ブリッジ部を作製する。

次に、ピペットにより、屈折率が約１．５１の第２の紫外線硬化型シリコーンの液滴を、第１の紫外線硬化型シリコーンの未硬化部分に適用した。次に、１分間にわたって、第２の紫外線硬化型シリコーンを、第１の紫外線硬化型材料の未硬化部分と混ざり合わせて、内部混合部分を形成させた。内部混合部分に対し、広域スペクトルのＵＶＡバルブにより約１．２Ｊ／ｃｍ^２で第２の紫外線照射による硬化を実施し、硬化したブリッジ部分のそれぞれを取り囲んでいる内部混合部分を紫外線硬化した。

次に、ポリマー光導波路の各々との接続を保持している、硬化したブリッジ部分を取り囲む紫外線硬化した内部混合部分と、硬化したブリッジ部分と、を有する１２心の端子の６２．５ｕｍ ＭＴコネクタから、ポリマー光導波路を分離した。次に、接続させた硬化したブリッジ部分と、紫外線硬化した内部混合部分とを有するポリマー光導波路を炉に入れ、１３０℃で約３０分間熱硬化させ、本発明による光コネクタを形成した。このようにして、硬化ブリッジ部を複数有する光コネクタを製造した。

次に、位相差顕微鏡により、接続させたポリマー光導波路とは反対側の光コネクタ端面（すなわち、１２心の端子の６２．５ｕｍ ＭＴコネクタに予め接続させた端部に相当する光コネクタの端部）を撮像した。図１７に示すとおり、顕微鏡画像における、硬化したブリッジ部分６２と、それを取り囲む硬化した内部混合部分７０とのコントラストにより（記載のスケールは６３μｍである）、光コネクタが形成されており、硬化したブリッジ部分の方が、それを取り囲む硬化した内部混合部分よりも高い屈折率を有することが確認された。

本発明は、例示的な様式で説明されており、使用されている用語は限定目的よりも、むしろ説明のための言葉としての性質が意図されているものと理解されるべきである。明らかに本発明の多くの修正及び変更が上記教示から可能である。本発明は、具体的に記載した方法のとおり以外の方法でも実施され得る。例を比較例と呼ぶことは、それが従来技術であることを意味するのではない。

Claims (15)

1. 第１の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素のそれぞれを、第２の光アセンブリのうち少なくとも１つの光要素の対応するものに対し接続するのに使用するための光コネクタの製造方法であって、１つ以上の電磁波を、前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれと、前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の対応するものとの間に導くことができ、
   前記光コネクタは、前記第１の光アセンブリと前記第２の光アセンブリとの間の間隙内に配置されており、かつ、少なくとも１つの硬化したブリッジ部分と少なくとも１つの未硬化部分とを有するコントラスト層を含み、前記少なくとも１つの硬化したブリッジ部分の各々は、前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の１つの端部から、前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれの対応する端部へと連続的に延在し、
   前記コントラスト層は、第１の屈折率（ＲＩ^１）を有する第１の組成物から形成され、
   前記方法は、
   第２の屈折率（ＲＩ^２）を有する第２の組成物を前記コントラスト層に適用して第２の層を形成することと、
   前記少なくとも１つの硬化したブリッジ部分の各々が、前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の１つの前記端部と、前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれの前記対応する端部との間の少なくとも１つの内部混合部分のそれぞれにより少なくとも部分的に囲まれるように、前記第２の層の少なくとも部分を、前記コントラスト層の前記少なくとも１つの未硬化部分と混合して、前記コントラスト層において第３の屈折率（ＲＩ^３）を有する前記少なくとも１つの内部混合部分を形成することと、
   第２の硬化条件を適用して、前記少なくとも１つの内部混合部分を硬化させ、前記光コネクタを製造することと、を含み、
   前記第１の組成物及び前記第２の組成物、並びに前記少なくとも１つの内部混合部分は互いに異なっており、同波長及び同温度下で測定したとき、ＲＩ^１＞ＲＩ^３＞ＲＩ^２であり、
   前記第１の組成物は、一価の芳香族炭化水素基を含むオルガノポリシロキサン樹脂を含み、
   前記第２の組成物は、一価の脂肪族炭化水素基を含むオルガノポリシロキサン樹脂を含む、方法。
2. 前記混合する工程において、前記第２の層のすべてを、前記コントラスト層の前記少なくとも１つの未硬化部分と混合させて、前記少なくとも１つの内部混合部分を形成する、請求項１に記載の方法。
3. 前記混合する工程が、前記少なくとも１つの硬化したブリッジ部分の各々が、前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の１つの前記端部と、前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれの前記対応する端部との間の前記少なくとも１つの内部混合部分のそれぞれにより囲まれるように実施される、請求項１に記載の方法。
4. 前記第２の硬化条件を適用して、前記少なくとも１つの内部混合部分を硬化させることが、前記少なくとも１つの内部混合部分を活性エネルギー線に曝露することを含み、あるいは
   前記第２の硬化条件を適用して、前記少なくとも１つの内部混合部分を硬化させることが、前記少なくとも１つの内部混合部分を熱に曝露することを含み、あるいは
   前記第２の硬化条件を適用して、前記少なくとも１つの内部混合部分を硬化させることが、前記少なくとも１つの内部混合部分を９０〜２６０セルシウス度の範囲の温度に加熱することを含み、あるいは
   前記第２の硬化条件を適用して、前記少なくとも１つの内部混合部分を硬化させることが、前記少なくとも１つの内部混合部分を活性エネルギー線に曝露すること、及び前記少なくとも１つの内部混合部分を熱に暴露することを含む、請求項１に記載の方法。
5. 前記第１の組成物及び前記第２の組成物が、独立して、
   （Ｂ）前記オルガノポリシロキサン樹脂の硬化を増強するための触媒を含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記間隙が長さを有し、前記間隙の長さが０〜１０００マイクロメートルの範囲であり、又は
   前記間隙が長さを有し、前記間隙の長さが１５〜５００マイクロメートルの範囲である、請求項１に記載の方法。
7. 前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれが、光ファイバー、ポリマー光導波路、レンズ、送信モジュール、受信モジュール、及び送受信機からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
8. 前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の前記対応するものが、光ファイバー、ポリマー光導波路、レンズ、送信モジュール、受信モジュール、及び送受信機からなる群から選択される、請求項７に記載の方法。
9. 前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の前記それぞれが、前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の前記対応するものと同じである、請求項１に記載の方法。
10. 前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の前記それぞれが、前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の前記対応するものと異なる、請求項１に記載の方法。
11. 前記少なくとも１つの硬化したブリッジ部分の各々が前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれの前記端部との接触を保つよう、前記光コネクタから前記第１の光アセンブリを脱着させることと、
    前記第１の光アセンブリとは異なっており、光インターフェースで終端する前記少なくとも１つの光要素のそれぞれの端部に少なくとも１つの光要素を有する、第３の光アセンブリを提供することと、
    １つ以上の電磁波が、前記第２の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の前記それぞれと、前記第３の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の前記対応するそれぞれのものとの間に誘導され得るよう、前記第３の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれの前記端部を、前記少なくとも１つの硬化したブリッジ部分のそれぞれに接続させるよう、前記光コネクタを前記光インターフェースに沿って前記第３の光アセンブリに位置づけることと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
12. 前記第３の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素のそれぞれが、光ファイバー、ポリマー光導波路、レンズ、送信モジュール、受信モジュール、及び送受信機からなる群から選択される、請求項１１に記載の方法。
13. 前記第３の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素の少なくとも１つが、前記第１の光アセンブリのうち前記少なくとも１つの光要素と異なる、請求項１１に記載の方法。
14. 請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法により形成された、製造された光コネクタを含む第１の光デバイス。
15. 請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法により形成された、製造された光コネクタを含む第２の光デバイス。

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