JP6535204B2 - Ga2O3系結晶膜の形成方法 - Google Patents
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Description
Ga 2 O 3 系結晶膜の形成方法。
(結晶積層構造体の構成)
図1は、実施の形態に係る結晶積層構造体の垂直断面図である。結晶積層構造体1は、Ga2O3系基板10と、Ga2O3系基板10上にエピタキシャル結晶成長により形成されたGa2O3系結晶膜12を有する。
以下に、Ga2O3系結晶膜12の表面の結晶品質、平坦性、及びIV族元素濃度分布の深さ方向の均一性についての評価結果を示す。なお、本評価においては、Ga2O3系基板10として主面の面方位が(010)であるGa2O3基板を用いて、Ga2O3系結晶膜12としてのGa2O3結晶膜を、MBE法により、成長温度が560〜750℃、成長時間が30分、GaのBEP(Beam Equivalent Pressure)が2.1×10−4Paの条件で形成した。また、Ga2O3結晶膜成長の酸素源にはO3+O2混合ガス(O3とO2の混合ガス)を用いた。混合比率はおよそO3が5%、O2が95%である。
上記実施の形態によれば、結晶品質及び主面の平坦性に優れるGa2O3系結晶膜を形成することができる。また、Ga2O3系結晶膜にドナーとしてのIV族元素をドープする場合には、Ga2O3結晶膜の深さ方向のIV族元素濃度分布をほぼ均一にすることができる。
Claims (4)
- MBE法によりGa2O3系基板上にGa2O3系結晶膜をエピタキシャル成長させる、Ga2O3系結晶膜の形成方法であって、
前記Ga2O3系結晶膜の成長温度が560℃以上であり、かつ750℃よりも低く、
前記Ga2O3系結晶膜が成長する際の成長表面近傍の雰囲気におけるVI/III比が、1/2よりも小さい、あるいは2よりも大きい、
Ga2O3系結晶膜の形成方法。 - 前記Ga2O3系結晶膜を成長させながらIV族元素をドープし、
前記成長温度が650℃以下であり、
前記VI/III比が10以上である、
請求項1に記載のGa2O3系結晶膜の形成方法。 - MBE法によりGa2O3系基板上にGa2O3系結晶膜をエピタキシャル成長させる、Ga2O3系結晶膜の形成方法であって、
前記Ga2O3系結晶膜の成長温度が560℃よりも高く、かつ750℃以下であり、
前記Ga2O3系結晶膜が成長する際の成長表面近傍の雰囲気におけるVI/III比が、1/3以上であり、かつ2よりも小さい、
Ga2O3系結晶膜の形成方法。 - MBE法によりGa2O3系基板上にGa2O3系結晶膜をエピタキシャル成長させる、Ga2O3系結晶膜の形成方法であって、
前記Ga2O3系結晶膜の成長温度が560℃よりも高く、かつ750℃よりも低く、
前記Ga2O3系結晶膜が成長する際の成長表面近傍の雰囲気におけるVI/III比が、1/3以上、かつ3以下である、
Ga2O3系結晶膜の形成方法。
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