JP6512953B2 - 半導体レーザ装置 - Google Patents
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Description
<A−1.構成>
図1は、本発明の実施の形態1にかかる半導体レーザ装置30の構成を示す斜視図である。半導体レーザ装置30は、波長980nmのブロードエリア型半導体レーザ装置である。一般に、ブロードエリア型半導体レーザ装置は、水平横方向に複数のモードが許容されうる程度の幅のストライプ領域を備えている。これと対比されるものとして、基本モードのみを許容するシングルモード半導体レーザ装置があり、これは例えば特許文献1に記載されている7μmといった狭い幅のストライプ領域を有する。ブロードエリア型半導体レーザ装置には、シングルモード半導体レーザ装置と比べて大きな出力を得ることができるという利点がある。
次に、半導体レーザ装置30の製造工程について説明する。以下、第1導電型をn型、第2導電型をp型として説明する。まず、n型GaAsからなる基板5上に、n型AlGaAs層(第1クラッド層6)、アンドープAlGaAs層(第1ガイド層7)、活性層8、アンドープAlGaAs層(第2ガイド層9)及び高屈折率層を、気相成長有機金属(MOCVD)法で順次結晶成長させる。
半導体レーザ装置30では、第1電極4及び第2電極14に対する電圧印加により、n型電極側からは電子が、p型電極側からはホールが、それぞれ活性層8に注入され、再結合し、活性層8の利得が生じる。電流注入に伴い、素子内に再結合、ジュール熱、発光の再吸収等の発熱に起因する温度分布が生じ、屈折率の温度依存性を介してレーザ発振に影響を及ぼす場合がある。以下、本発明が発熱によるレーザ発振への悪影響を軽減する効果を有することを説明する。
図10は、活性領域を伝搬する導波モードの光跡を示す模式図であり、低次モードの光跡17(図10(a)、破線矢印)と、高次モードの光跡18(図10(b)、実線矢印)とをそれぞれ示している。温度分布による屈折率分布とモード次数に応じて、活性領域の中央を中心としたコア領域52、その側方の活性領域内のクラッド領域53a、53b、活性領域外のクラッド領域54a、54b、活性領域のコア領域55a、55bが存在する。そして、導波モードはクラッド領域で全反射しながら活性領域を共振器長方向(z方向)に伝搬する。
第2導電型の基板5は、半導体積層部32に比べて厚いため電気抵抗が大きくなりやすい。電気抵抗が大きいと素子動作時のバイアス電圧が大きくなり、発熱量の増大及びレーザ発振効率の低下が生じて特性が悪化する。一般に、n型の方がp型よりもキャリア移動度が大きいため、より小さいドーピング濃度で電気抵抗を下げることが可能である。従って、実施の形態1では第1導電型をn型、第2導電型をp型とする方が、その逆の導電型の場合よりも好ましい。
実施の形態1に係る半導体レーザ装置30は、第1導電型の基板5と、基板5上に設けられた第1導電型の第1クラッド層6と、第1クラッド層6上に設けられた第1ガイド層7と、第1ガイド層7上に設けられた活性層8と、活性層8上に設けられた第2ガイド層9と、第2ガイド層9上に設けられた第2導電型の第2クラッド層11と、第2クラッド層11上にストライプ状に設けられた第2導電型のコンタクト層13と、第2ガイド層9と第2クラッド層11との間に挟まれ、平面視においてコンタクト層13と重なる領域を挟むように設けられた、第2クラッド層11よりも高い屈折率を有する一対の高屈折率層10a,10bと、を備える。従って、次数の低いモードを選択的に発振させ、出力光の輝度を高めることが出来る。
<B−1.構成>
図11は、本発明の実施の形態2にかかる半導体レーザ装置130の構成を模式的に示す斜視図である。半導体レーザ装置130は、ブロードエリア半導体レーザ装置であり、概ね実施の形態1の半導体レーザ装置30と同様の構成である。但し、第2ガイド層9と第2クラッド層11との間の高屈折率層10a,10bに代えて、第1クラッド層6と第1ガイド層7との間の高屈折率層10c、10dを備える点が異なる。高屈折率層10c、10dは高屈折率層10a,10bと同様、活性領域を挟むようにして設けられる。
実施の形態1の場合と同様に、第1導電型をp型、第2導電型をn型とする方が、逆の極性の場合と比べて電気的特性が良好となり好ましい。
本発明の実施の形態2に係る半導体レーザ装置130は、第1導電型の基板5と、基板5上に設けられた第1導電型の第1クラッド層6と、第1クラッド層6上に設けられた第1ガイド層7と、第1ガイド層7上に設けられた活性層8と、活性層8上に設けられた第2ガイド層9と、第2ガイド層9上に設けられた第2導電型の第2クラッド層11と、第2クラッド層11上にストライプ状に設けられた第2導電型のコンタクト層13と、第1クラッド層6と第1ガイド層7との間に挟まれ、平面視においてコンタクト層13と重なる領域を挟むように設けられた、第1クラッド層6よりも高い屈折率を有する高屈折率層10c,10dと、を備える。従って、次数の低いモードを選択的に発振させ、出力光の輝度を高めることが出来る。
Claims (7)
- 複数のモードが許容されるブロードエリア型の半導体レーザ装置であって、
第1導電型の基板と、
前記基板上に設けられた第1導電型の第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上に設けられた第1ガイド層と、
前記第1ガイド層上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた第2ガイド層と、
前記第2ガイド層上に設けられた第2導電型の第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上にストライプ状に設けられた第2導電型のコンタクト層と、
前記第2ガイド層と前記第2クラッド層との間に挟まれ、平面視において前記コンタクト層と重なる領域を挟むように設けられた、前記第2クラッド層よりも高い屈折率を有する一対の高屈折率層と、を備え、
素子長1mmあたり1.3W以上の発熱を生じるように駆動され、
前記高屈折率層は、素子長1mmあたり1.3W以上の発熱を生じる場合に、一定次数以上のモードである高次モードの発振を抑制することを特徴とする、
半導体レーザ装置。 - 前記高屈折率層は第1導電型層である、
請求項1に記載の半導体レーザ装置。 - 複数のモードが許容されるブロードエリア型の半導体レーザ装置であって、
第1導電型の基板と、
前記基板上に設けられた第1導電型の第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上に設けられた第1ガイド層と、
前記第1ガイド層上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた第2ガイド層と、
前記第2ガイド層上に設けられた第2導電型の第2クラッド層と、
前記第2クラッド層上にストライプ状に設けられた第2導電型のコンタクト層と、
前記第1クラッド層と前記第1ガイド層との間に挟まれ、平面視において前記コンタクト層と重なる領域を挟むように設けられた、前記第1クラッド層よりも高い屈折率を有する一対の高屈折率層と、を備え、
素子長1mmあたり1.3W以上の発熱を生じるように駆動され、
前記高屈折率層は、素子長1mmあたり1.3W以上の発熱を生じる場合に、一定次数以上のモードである高次モードの発振を抑制することを特徴とする、
半導体レーザ装置。 - 前記高屈折率層は第2導電型層である、
請求項3に記載の半導体レーザ装置。 - 前記高屈折率層は高抵抗層である、
請求項1又は2に記載の半導体レーザ装置。 - 前記第1導電型はn型で、前記第2導電型はp型である、
請求項1から5のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。 - 前記基板よりも前記コンタクト層が放熱マウントに近くなる向きに、前記放熱マウントに実装される、
請求項1から6のいずれか1項に記載の半導体レーザ装置。
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