JP6510120B2 - 半導体集積回路 - Google Patents
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Description
以下に、第1実施形態に係る半導体集積回路について説明する。
まず、図1〜図5を用いて本実施形態に係る半導体集積回路の構成について説明する。図1には半導体集積回路の平面レイアウトを示し、図2〜図4には半導体集積回路の断面構造を示し、図5には半導体集積回路の等価回路の構成を示している。
次に、本実施形態の効果について説明する。本実施形態に係る半導体集積回路1によれば、半導体集積回路1のESD耐性を向上することが出来る。この詳細について以下に説明する。
次に、第2実施形態に係る半導体集積回路について説明する。本実施形態は、上記第1実施形態で説明した構成を、Tie−Lowセルに適用したものである。以下では第1実施形態と異なる点を説明する。
まず、図6〜図8を用いて本実施形態に係る半導体集積回路1の構成について説明する。図6には半導体集積回路1の平面レイアウトを示し、図7には半導体集積回路1の断面構造を示し、図8には半導体集積回路1の等価回路の構成を示している。本実施形態に係る半導体集積回路1は、第1実施形態と各配線の接続関係が異なる。
本実施形態によれば、Tie−Lowセルにおいても第1実施形態と同様の効果が得られる。すなわち本実施形態に係る半導体集積回路1は、Tie−Lowセルの共通ゲート(配線層40)を、PMOSトランジスタ30のソース配線(配線層31)が接続されたp+不純物拡散領域14Aに接続する。つまり、共通ゲートがトランジスタ30の拡散領域14A及びソース配線を介して高電圧電源線51に電気的に接続される。そして、拡散領域14Aを実質的に抵抗素子60として機能させる。
次に、第3実施形態に係る半導体集積回路1について説明する。本実施形態は、上記第1及び第2実施形態で説明した構成を、デカップリングセルに適用したものである。以下では第1及び第2実施形態と異なる点を説明する。
まず、図9〜図13を用いて本実施形態に係る半導体集積回路1の構成について説明する。図9には半導体集積回路1の平面レイアウトを示し、図10〜図12には半導体集積回路1の断面構造を示し、図13には半導体集積回路1の等価回路の構成を示している。本実施形態に係る半導体集積回路1は、ソースを共通とするNMOSトランジスタ20の組と、ソースを共通とするPMOSトランジスタ30の組とを備え、且つ第1実施形態と各配線の接続関係が異なる。
本実施形態によれば、デカップリングセルにおいても第1実施形態と同等の効果が得られる。この詳細について以下に説明する。
次に、第3実施形態に係る半導体集積回路1の変形例1〜3について説明する。本変形例は、上記第3実施形態で説明した構成において、組み合わせるトランジスタの構成を変更した物である。以下では第3実施形態と異なる点を説明する。
まず、図14〜図16を用いて変形例1に係る半導体集積回路1について説明する。図14には半導体集積回路1の平面レイアウトを示し、図15には半導体集積回路1の断面構造を示し、図16には半導体集積回路1の等価回路の構成を示している。
次に、図17を用いて変形例2に係る半導体集積回路1について説明する。図17には半導体集積回路1の等価回路の構成を示している。
次に、図18を用いて変形例3に係る半導体集積回路1について説明する。図18には半導体集積回路1の等価回路の構成を示している。
実施形態の半導体集積回路は、基板≪例えば10、図4≫と、基板の表面内に形成された第1及び第2ウェル領域≪例えば12,11、図1≫と、第1ウェル領域の表面内に形成された第1トランジスタの第1及び第2不純物拡散領域≪例えば14A,14B、図1≫と、第2ウェル領域の表面内に形成された第2トランジスタの第3及び第4不純物拡散領域≪例えば13A,13B、図1≫と、第1乃至第3配線層と、第1乃至第3プラグと、を備える。第1配線層≪例えば40、図4≫は、第1及び第2不純物拡散領域間の第1ウェル領域上と、第3及び第4不純物拡散領域間の第2ウェル領域上とに形成される。第1及び第2プラグ≪例えば45,23、図4≫は、第3不純物拡散領域上に互いに離隔して形成される。第3プラグ≪例えば44、図4≫は、第1配線層上に形成される。第2配線層≪例えば43、図4≫は、第1プラグと、第3プラグとを接続する。第3配線層≪例えば21、図4≫は、第2プラグ上に形成され、第2配線層と離隔している。
Claims (2)
- 基板と、
前記基板の表面内に形成された第1及び第2ウェル領域と、
前記第1ウェル領域の表面内に形成された第1トランジスタの第1及び第2不純物拡散領域と、
前記第2ウェル領域の表面内に形成された第2トランジスタの第3及び第4不純物拡散領域と、
前記第1及び第2不純物拡散領域間の前記第1ウェル領域上と、前記第3及び第4不純物拡散領域間の前記第2ウェル領域上とに形成された第1配線層と、
前記第3不純物拡散領域上に互いが離隔して形成された第1及び第2プラグと、
前記第1配線層上に形成された第3プラグと、
前記第1プラグと、前記第3プラグとを接続する第2配線層と、
前記第2プラグ上に形成され、前記第2配線層と離隔した第3配線層と、
を備える、半導体集積回路。 - 前記第2及び第3配線層は、前記第3不純物拡散領域を経由しない経路によっては電気的に接続されない、
請求項1に記載の半導体集積回路。
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