JP6509135B2 - イオン注入装置 - Google Patents
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Claims (11)
- 真空領域に配置されるイオン源と、
前記イオン源を囲むよう配設される第1導体ハウジング本体と、前記真空領域内で前記第1導体ハウジング本体から軸方向に延出する筒状導体突起と、を備える第1導体ハウジングと、
前記イオン源を保持し、前記筒状導体突起から軸方向に離れて配設される第2導体ハウジングと、
前記第1導体ハウジングを前記第2導体ハウジングから絶縁するよう前記第1導体ハウジングと前記第2導体ハウジングとの間に配設される絶縁ブッシングであって、前記筒状導体突起から径方向外側に離間して配設され前記真空領域に面するブッシング内周凹凸面を備え、前記筒状導体突起から前記ブッシング内周凹凸面の凸部への径方向距離が前記筒状導体突起の軸方向延出長さの1/5以下である絶縁ブッシングと、を備えることを特徴とするイオン注入装置。 - 前記筒状導体突起から前記ブッシング内周凹凸面の凸部への径方向距離が前記筒状導体突起の軸方向延出長さの1/50以上であることを特徴とする請求項1に記載のイオン注入装置。
- 前記絶縁ブッシングは、前記第1導体ハウジング本体から前記第2導体ハウジングへと軸方向に延在し、前記筒状導体突起の軸方向延出長さが前記絶縁ブッシングの軸方向長さの1/2以上であることを特徴とする請求項1または2に記載のイオン注入装置。
- 前記筒状導体突起の軸方向延出長さが前記絶縁ブッシングの軸方向長さの3/4以下であることを特徴とする請求項3に記載のイオン注入装置。
- 前記筒状導体突起と前記ブッシング内周凹凸面との間には、前記筒状導体突起の軸方向延出長さにわたって径方向隙間が形成されており、
前記ブッシング内周凹凸面は、各々が周方向に延びる多数の凹部と、各々が周方向に延びる多数の凸部と、を有し、前記多数の凹部と前記多数の凸部とは軸方向に交互に形成されており、前記多数の凸部のうち少なくとも3本の凸部が前記径方向隙間に配置されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のイオン注入装置。 - 前記多数の凹部の各々は、周方向に垂直な断面が矩形状であることを特徴とする請求項5に記載のイオン注入装置。
- 前記多数の凹部の各々は、径方向の凹部深さが軸方向の凹部幅より大きいことを特徴とする請求項5または6に記載のイオン注入装置。
- 前記凹部深さは、前記筒状導体突起から前記ブッシング内周凹凸面の凸部への径方向距離以上であることを特徴とする請求項7に記載のイオン注入装置。
- 前記凹部幅は、3mm以上10mm以下であることを特徴とする請求項7または8に記載のイオン注入装置。
- 前記筒状導体突起から前記ブッシング内周凹凸面の凸部への径方向距離は、3mm以上5mm以下であることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載のイオン注入装置。
- 前記第2導体ハウジングに前記第1導体ハウジングに対して正の高電圧を印加するよう構成された電源部をさらに備えることを特徴とする請求項1から10のいずれかに記載のイオン注入装置。
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