JP6509037B2 - 半導体装置、それを備えた半導体システム及び半導体装置の制御方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置、それを備えた半導体システム及び半導体装置の制御方法に関し、例えば何れかのモジュールの通信バスへの接続及び通信バスからの切断を正確に判定するのに適した半導体装置、それを備えた半導体システム及び半導体装置の制御方法に関する。

コントローラとモジュールとの間のデータ通信には、通信方式としてＩ２Ｃ（Inter-Integrated Circuit）方式が広く用いられている。Ｉ２Ｃ通信では、コントローラと複数のモジュールとが共通バスを介して接続できるため、信号配線数の低減が可能である。

Ｉ２Ｃ通信では、コントローラ（マスター）は、モジュール（スレーブ）に対してデータの書き込み又は読み出し命令を送信した後、それに対するモジュールからの応答（ＡＣＫ信号）を受け取った場合に、実際にモジュールに対してデータの書き込み又は読み出しを行う。

ここで、コントローラは、そのモジュールに対してデータの書き込み又は読み出し命令を送信した後、それに対するモジュールからの応答を正しく受け取れなかった場合に、初めてモジュールの故障や切断を認識することができる。

しかし、このような構成では、例えば、コントローラがモータ等の可動部を持つモジュールに対して定常動作するように命令を与えている場合、コントローラは、そのモジュールが途中でバスから切断されても、そのモジュールに対して定常動作とは異なる命令を与えるまでは、そのモジュールが定常動作していると誤認識してしまう。その結果、システムが誤動作してしまう可能性がある。

この問題に対する解決策が、特許文献１に開示されている。特許文献１に開示された接続検知装置は、接続検知端子に外部ユニットが接続されることによりＡ点電位が変化する接続検知回路と、Ａ点電位に応じたデジタル信号を出力するＡＤ変換部と、ＡＤ変換部の出力信号に基づいて接続検知端子に外部ユニットが接続されているか否かを判断する接続検知制御部と、を備える。それにより、接続検知装置を備えたメインユニット（コントローラ）は、速やかに外部ユニットの接続状態を判断することができる。

特開２００８−１５８７００号公報

しかしながら、特許文献１に開示された構成では、例えば抵抗値の小さな外部ユニットが接続されたり、多数の外部ユニットが接続されたりした場合、Ａ点電位が必要以上に低下してしまうため、その後の外部ユニットの接続及び切断によるＡ点電位の変化量が小さくなってしまう。その結果、外部ユニットの接続及び切断を正確に判定することができないという問題があった。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。

一実施の形態によれば、半導体装置は、第１可変抵抗素子と、前記第１可変抵抗素子と外部の一又は複数のモジュールの各々に設けられた第１抵抗素子と、によって決定される第１電位検知線の電位が所定範囲内を示すように、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させる制御回路と、を備える。

また、一実施の形態によれば、半導体装置の制御方法は、第１可変抵抗素子と、外部の一又は複数のモジュールの各々に設けられた第１抵抗素子と、によって決定される第１電位検知線の電位が所定範囲内を示すように、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させ、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させた後の前記第１電位検知線の電位に基づいて、前記一又は複数のモジュールのそれぞれが信号線を介して前記半導体装置に接続されているか否かを判定する。

前記一実施の形態によれば、何れかのモジュールの通信バスへの接続及び通信バスからの切断を正確に判定することが可能な半導体装置、それを備えた半導体システム及び半導体装置の制御方法を提供することができる。

実施の形態１にかかる半導体システムの構成例を示す図である。 図１に示す半導体システムのホストコントローラに設けられた可変抵抗素子の具体的な構成例を示す図である。 図１に示す半導体システムの動作を示すフローチャートである。 実施の形態２にかかる半導体システムの構成例を示す図である。 図４に示す半導体システムの動作を示すフローチャートである。 実施の形態３にかかる半導体システムの構成例を示す図である。 図６に示す半導体システムのホストコントローラに設けられた選択回路を示す概略図である。 図６に示す半導体システムの動作を示すフローチャートである。

以下、図面を参照しつつ、実施の形態について説明する。なお、図面は簡略的なものであるから、この図面の記載を根拠として実施の形態の技術的範囲を狭く解釈してはならない。また、同一の要素には、同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、応用例、詳細説明、補足説明等の関係にある。また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。

さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（動作ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数等（個数、数値、量、範囲等を含む）についても同様である。

＜実施の形態１＞
図１は、実施の形態１にかかる半導体システム１を示す図である。本実施の形態にかかる半導体システム１では、ホストコントローラ１１が、可変抵抗素子Ｒｕ１とモジュール１２＿１〜１２＿ｎ（ｎは１以上の整数）に設けられた抵抗素子Ｒｄ１とによって決定される電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すように、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御する。それにより、新たなモジュールの通信バスＢ１への接続、及び、モジュール１２＿１〜１２＿ｎの通信バスＢ１からの切断等による電位検知線の電位の変化量を一定以上に大きく維持することができるため、新たなモジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュール１２＿１〜１２＿ｎの通信バスＢ１からの切断等を正確に判定することができる。以下、具体的に説明する。

図１に示すように、半導体システム１は、ホストコントローラ（半導体装置）１１と、モジュール１２＿１〜１２＿ｎ（ｎは１以上の整数）と、ホストコントローラ１１とモジュール１２＿１〜１２＿ｎとを接続する通信バスＢ１及び電位検知線（第１電位検知線）ＩＮＴ１と、を備える。通信バスＢ１は、少なくとも電源線ＶＤＤ、接地線ＧＮＤ、クロックの信号線ＳＣＬ及びデータの信号線ＳＤＡにより構成されている。

通信バスＢ１を構成する電源線ＶＤＤ、接地線ＧＮＤ、信号線ＳＣＬ及び信号線ＳＤＡと、電位検知線ＩＮＴ１とは、ホストコントローラ１１のコネクタ、バスケーブル、及び、モジュール１２＿１〜１２＿ｎのコネクタを経由して、ホストコントローラと、モジュール１２＿１〜１２＿ｎと、によって共用されている。

なお、本実施の形態では、ホストコントローラ１１とモジュール１２＿１〜１２＿ｎとのデータ通信方式として、Ｉ２Ｃ方式が採用される場合を例に説明するが、これに限られず、一つの通信バスを介して通信が行われる他の通信方式が採用されてもよい。

（ホストコントローラ１１）
ホストコントローラ１１は、一つ又は複数のチップからなり、制御回路１１１と、可変抵抗素子（第１可変抵抗素子）Ｒｕ１と、を備える。

制御回路１１１は、例えばマイコンであって、通信バスＢ１を介して、モジュール１２＿１〜１２＿ｎとデータ通信を行う。

また、制御回路１１１は、電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１の変化に基づいて、通信バスＢ１に接続されたモジュールの切断、及び、通信バスＢ１への新たなモジュールの接続、を検出する機能を有する。

さらに、制御回路１１１は、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御することにより電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１を調整する機能も有する。

可変抵抗素子Ｒｕ１は、電源線ＶＤＤと電位検知線ＩＮＴ１との間に設けられている。即ち、本例では、可変抵抗素子Ｒｕ１がプルアップ抵抗として用いられている。そして、可変抵抗素子Ｒｕ１は、制御回路１１１からの制御信号Ｓ１に基づいて抵抗値を変化させる。

（可変抵抗素子Ｒｕ１の具体的構成例）
図２は、可変抵抗素子Ｒｕ１の具体的な構成例を示す図である。
図２に示すように、可変抵抗素子Ｒｕ１は、電源線ＶＤＤと電位検知線ＩＮＴ１との間に並列接続された複数の抵抗素子Ｒ１〜Ｒｍ（ｍは２以上の整数）と、抵抗素子Ｒ１〜Ｒｍのそれぞれに直列接続されたスイッチＳＷ１〜ＳＷｍと、を備える。

抵抗素子Ｒｉ（ｉは１〜ｍの任意の値）の抵抗値は例えば２＾（ｉ−１）ｋΩである。即ち、抵抗素子Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒｍの抵抗値は、それぞれ、１ｋΩ、２ｋΩ、４ｋΩ、２＾（ｍ−１）ｋΩである。ここで、制御回路１１１からの制御信号Ｓ１に基づいてスイッチＳＷ１〜ＳＷｍの何れか一つがオンする。それにより、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値が決定する。

（モジュール１２＿１〜１２＿ｎ）
モジュール１２＿１は、内部回路１２１と、抵抗素子（第１抵抗素子）Ｒｄ１と、を備える。なお、抵抗素子Ｒｄ１は、モジュール１２＿１の外部に設けられてもよい。即ち、抵抗素子Ｒｄ１は、モジュール１２＿１に対して外付けされたものであってもよい。

抵抗素子Ｒｄ１は、電位検知線ＩＮＴ１と接地線ＧＮＤとの間に設けられている。即ち、本例では、抵抗素子Ｒｄ１がプルダウン抵抗として用いられている。

モジュール１２＿２〜１２＿ｎの構成については、モジュール１２＿１の場合と同様であるため、その説明を省略する。

（半導体システム１の動作）
続いて、半導体システム１の動作について説明する。
図３は、半導体システム１の動作を示すフローチャートである。以下では、通信バスＢ１に接続されているモジュールの数が１つである場合を例に説明する。

まず、半導体システム１が起動されると、ホストコントローラ１１は、通信バスＢ１に接続されているモジュール１２＿１の認識処理を行う（ステップＳ１０１）。

具体的には、制御回路１１１は、全てのスレーブアドレスを送信し、それに応答したスレーブアドレスのモジュールが通信バスＢ１に接続されていると判断する。

その後、制御回路１１１は、電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１を計測する。例えば制御回路１１１は、ＡＤ変換器を用いて電位ＶＩＮＴ１をデジタル値に変換した後、そのデジタル値を基に電位ＶＩＮＴ１を計測する。

なお、電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１は、ホストコントローラ１１に設けられた可変抵抗素子Ｒｕ１と、モジュール１２＿１〜１２＿ｎのそれぞれに設けられたｎ個の抵抗素子Ｒ１と、に基づいて決定される。

例えば、電源電圧ＶＤＤが５Ｖ、抵抗素子Ｒｄ１の抵抗値が１００ｋΩ、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値が１ｋΩの場合、電位ＶＩＮＴ１は４．９５Ｖ（＝０．９９×ＶＤＤ）である。

ここで、仮にモジュール１２＿１が通信バスＢ１から切断された場合、電位ＶＩＮＴ１が４．９５Ｖから５Ｖに変化するが、その変化量ΔＶＩＮＴ１は０．０５Ｖと小さい。この値が制御回路１１１に搭載されたＡＤコンバータの分解能よりも小さければ、モジュール１２＿１が通信バスＢ１から切断されたことを検出するのは困難である。

そこで、制御回路１１１は、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲外（例えば電源電圧ＶＤＤの０．２〜０．８倍の範囲外）を示す場合（ステップＳ１０２のＮＯ）、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すように可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御する（ステップＳ１０４）。例えば、制御回路１１１は、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を３２ｋΩに変更する。それにより、電位ＶＩＮＴ１は３．７８Ｖ（＝０．７６×ＶＤＤ）になる。つまり、電位ＶＩＮＴ１は所定範囲内を示すようになる。

電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すようになると（ステップＳ１０２のＹＥＳ）、ホストコントローラ１１はモジュール１２＿１とデータ通信（メイン動作）を開始する（ステップＳ１０３）。

メイン動作中、制御回路１１１は定期的（例えば１ｍｓに１回）に電位ＶＩＮＴ１を計測する。

電位ＶＩＮＴ１に変化がない場合（ステップＳ１０５のＮＯ）、モジュール１２＿１の通信バスＢ１からの切断及び新たなモジュールの通信バスＢ１への接続がないものとし、メイン動作を継続する（ステップＳ１０６のＮＯ→ステップＳ１０３）。そして、メイン動作が完了すると（ステップＳ１０６のＹＥＳ）、例えば動作が停止する（ステップＳ１０７）。

それに対し、電位ＶＩＮＴ１に変化があった場合（ステップＳ１０５のＹＥＳ）、続けて、電位ＶＩＮＴ１の変化の極性が判定される。

例えば、電位ＶＩＮＴ１が負側に変化した場合（ステップＳ１０８のＮＯ）、プルダウン抵抗の抵抗値が低下したということを意味する。これは、通信バスＢ１に新たにモジュールが接続されたことを意味する。

具体的には、電位ＶＩＮＴ１が３．７８Ｖから３．０５Ｖに負側に変化した場合、通信バスＢ１に新たにモジュールが１つ接続されたことになる。なお、このとき、電位ＶＩＮＴ１の変化量ΔＶＩＮＴ１は０．７３Ｖと大きいため、通信バスＢ１に新たにモジュールが接続されたことを正確に検出することが可能である。

通信バスＢ１に新たにモジュールが接続された場合、ホストコントローラ１１は、通信バスＢ１に接続されているモジュールの認識処理を再度行う（ステップＳ１０１）。以降、ステップＳ１０２〜Ｓ１０８の処理が実行される。

他方、電位ＶＩＮＴ１が正側に変化した場合（ステップＳ１０８のＹＥＳ）、プルダウン抵抗の抵抗値が上昇したことを意味する。これは、通信バスＢ１に接続されていたモジュールが切断されたことを意味する。

具体的には、電位ＶＩＮＴ１が３．７８Ｖから５Ｖに正側に変化した場合、通信バスＢ１に接続されていた１つのモジュール１２＿１が切断されたことになる。なお、このとき、電位ＶＩＮＴ１の変化量ΔＶＩＮＴ１は１．２２Ｖと大きいため、モジュール１２＿１が通信バスＢ１から切断されたことを正確に検出することが可能である。

その後、ホストコントローラ１１は、通信バスＢ１から切断されたモジュールを特定する処理を行う（ステップＳ１０９）。

具体的には、ホストコントローラ１１において、制御回路１１１は、通信バスＢ１に接続されていたすべてのモジュール（本例では１つのモジュール１２＿１）のスレーブアドレスを送信し、それに応答しないスレーブアドレスのモジュールが通信バスＢ１から切断されたと判断する。

その後、ホストコントローラ１１は、モジュール１２＿１の通信バスＢ１からの切断により動作停止の指示を受けた場合（ステップＳ１１０のＹＥＳ）には動作を停止する（ステップＳ１１１）。なお、複数のモジュールが接続されている場合において、あるモジュールが通信バスＢ１から切断されても動作停止の指示を受けなかった場合（ステップＳ１１０のＮＯ）には、動作を継続する（ステップＳ１０１）。

このように、本実施の形態にかかる半導体システム１は、モジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュールの通信バスＢ１からの切断を検知するための電位ＶＩＮＴ１を生成する電位検知線ＩＮＴ１を備える。そして、半導体システム１に設けられたホストコントローラ１１は、可変抵抗素子Ｒｕ１と、モジュール側に設けられた抵抗素子Ｒｄ１と、によって決定される電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すように、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御する。それにより、モジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュールの通信バスＢ１からの切断等による電位ＶＩＮＴ１の変化量を一定以上に大きく維持することができるため、モジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュールの通信バスＢ１からの切断等を正確に判定することができる。

なお、本実施の形態では、可変抵抗素子Ｒｕ１が電位ＶＩＮＴ１のプルアップ抵抗として用いられ、抵抗素子Ｒｄ１が電位ＶＩＮＴ１のプルダウン抵抗として用いられた場合を例に説明したが、これに限られない。半導体システム１は、可変抵抗素子Ｒｕ１及び抵抗素子Ｒｄ１に基づいて電位ＶＩＮＴ１を決定することが可能な他の構成に適宜変更可能である。

また、本実施の形態では、通信バスＢ１に接続されたモジュールの数が１つである場合を例に説明したが、これに限られない。通信バスＢ１に接続されたモジュールの数が多いほど、本実施の形態に係る半導体システム１は効果的に作用する。以下、簡単に説明する。

まず、電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１は、以下の式（１）のように表される。

式（１）を見るとわかるように、通信バスＢ１に接続されるモジュールの数ｎが大きいほど、電位ＶＩＮＴ１は低くなる。

また、ｎ個のモジュールのうちの１つが通信バスＢ１から切断されたときの電位ＶＩＮＴ１の変化量ΔＶＩＮＴ１は、以下の式（２）のように表される。

式（２）を見るとわかるように、通信バスＢ１に接続されるモジュールの数ｎが大きいほど、ｎ個のモジュールのうちの１つが通信バスＢ１から切断されたときの変化量ΔＶＩＮＴ１は小さくなる。

つまり、式（１）及び式（２）によれば、通信バスＢ１に接続されるモジュールの数ｎが大きくなるほど、ｎ個のモジュールのうちの１つが通信バスＢ１から切断されたときの変化量ΔＶＩＮＴ１は小さくなる。ここで、変化量ΔＶＩＮＴ１が制御回路１１１に搭載されたＡＤコンバータの分解能よりも小さければ、モジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュールの通信バスＢ１からの切断を検出するのが困難になる。

例えば、接続モジュールの数ｎが１０個、電源電圧ＶＤＤが５Ｖ、抵抗素子Ｒｄ１の抵抗値が１０ｋΩ、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値が８ｋΩの場合、電位ＶＩＮＴ１は０．５６Ｖ（＝０．１１×ＶＤＤ）である。

ここで、仮にモジュールの１つが通信バスＢ１から切断された場合、電位ＶＩＮＴ１の変化量ΔＶＩＮＴ１は０．０５Ｖと小さい。この値が制御回路１１１に搭載されたＡＤコンバータの分解能よりも小さければ、モジュールの通信バスＢ１からの切断を検出するのは困難である。

そこで、制御回路１１１は、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲外（例えば電源電圧ＶＤＤの０．２〜０．８倍の範囲外）を示す場合、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すように可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御する。例えば、制御回路１１１は、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を２ｋΩに変更する。それにより、電位ＶＩＮＴ１は１．６７Ｖ（＝０．３３×ＶＤＤ）になる。つまり、電位ＶＩＮＴ１は所定範囲内を示すようになる。

電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示す場合において、仮にモジュールの１つが通信バスＢ１から切断された場合、電位ＶＩＮＴ１の変化量ΔＶＩＮＴ１は０．１２Ｖと大きい。そのため、モジュールの通信バスＢ１からの切断を正確に判定することが可能となる。

このように、本実施の形態に係る半導体システム１は、通信バスＢ１に多数のモジュールが接続されている場合でも、電位ＶＩＮＴ１を所定範囲内に制御することでその変化量ΔＶＩＮＴ１を大きく維持することができる。そのため、本実施の形態に係る半導体システム１は、モジュールの通信バスＢ１からの切断及びモジュールの通信バスＢ１への接続を正確に判定することができる。

＜実施の形態２＞
図４は、実施の形態２にかかる半導体システム２の構成例を示す図である。
半導体システム２では、半導体システム１と比較して、各モジュールの構成が異なる。以下、具体的に説明する。

図４に示すように、半導体システム２は、ホストコントローラ（半導体装置）２１と、モジュール２２＿１〜２２＿ｎ（ｎは１以上の整数）と、ホストコントローラ２１とモジュール２２＿１〜２２＿ｎとを接続する通信バスＢ１及び電位検知線ＩＮＴ１と、を備える。ホストコントローラ２１及びモジュール２２＿１〜２２＿ｎは、それぞれ、ホストコントローラ１１及びモジュール１２＿１〜１２＿ｎに対応する。

（ホストコントローラ２１）
ホストコントローラ２１は、制御回路２１１と、可変抵抗素子Ｒｕ１と、を備える。制御回路２１１は、制御回路１１１に対応する。ホストコントローラ２１の構成及び動作については、ホストコントローラ１１の場合と同様であるため、その説明を省略する。

（モジュール２２＿１〜２２＿ｎ）
モジュール２２＿１は、内部回路２２１と、抵抗素子（第１抵抗素子）Ｒｄ１と、抵抗素子（第２抵抗素子）Ｒｄ２と、選択回路（第１選択回路）２２２と、を備える。内部回路２２１は、内部回路１２１に対応する。なお、抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２及び選択回路２２２は、モジュール２２＿１の外部に設けられてもよい。即ち、抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２及び選択回路２２２は、モジュール２２＿１に対し外付けされたものであってもよい。

抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２は、電位検知線ＩＮＴ１と接地線ＧＮＤとの間に並列に設けられている。本例では、抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２がプルダウン抵抗として用いられている。また、本例では、抵抗素子Ｒｄ１の抵抗値が抵抗素子Ｒｄ２の抵抗値よりも大きい。

選択回路２２２は、電位検知線ＩＮＴ１と抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２との間に設けられ、制御回路２１１から内部回路２２１を介して供給された制御信号ＣＴＬ１に基づいて抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２の何れかを選択し、電位検知線ＩＮＴ１に接続する。

モジュール２２＿２〜２２＿ｎの構成については、モジュール２２＿１の場合と同様であるため、その説明を省略する。

（半導体システム２の動作）
続いて、半導体システム２の動作について説明する。
図５は、半導体システム２の動作を示すフローチャートである。

まず、半導体システム２が起動されると、ホストコントローラ２１は、通信バスＢ１に接続されているモジュール２２＿１〜２２＿ｎの認識処理を行う（ステップＳ２０１）。

その後、ホストコントローラ２１は、各モジュール２２＿１〜２２＿ｎに対して緊急度を設定する（ステップＳ２１２）。具体的には、制御回路２１１は、各モジュール２２＿１〜２２＿ｎの抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２の何れかを電位検知線ＩＮＴ１に接続するように各モジュール２２＿１〜２２＿ｎに対して命令を送る。なお、初期状態では、抵抗素子Ｒｄ１が選択され、電位検知線ＩＮＴ１に接続されている。

例えば、モータ等のように通信バスＢ１から切断された時に即座にシステムを停止させる必要があるモジュールについては、緊急度を高く設定する。具体的には、抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２のうち抵抗素子Ｒｄ１が選択され、電位検知線ＩＮＴ１に接続される。他方、ディスプレイ等のように通信バスＢ１から切断されても即座にシステムを停止させる必要がないモジュールについては、緊急度を低く設定する。具体的には、抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２のうち抵抗素子Ｒｄ２が選択され電位検知線ＩＮＴ１に接続される。

その後、制御回路２１１は、電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１を計測する。例えば制御回路２１１は、ＡＤ変換器を用いて電位ＶＩＮＴ１をデジタル値に変換した後、そのデジタル値を基に電位ＶＩＮＴ１を計測する。

なお、電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１は、ホストコントローラ２１に設けられた可変抵抗素子Ｒｕ１と、可変抵抗素子Ｒｕ１と共に電位検知線ＩＮＴ１に接続された複数の抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２と、によって決定される。

制御回路２１１は、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲外（例えば電源電圧ＶＤＤの０．２〜０．８倍の範囲外）を示す場合（ステップＳ２０２のＮＯ）、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すように可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御する（ステップＳ２０４）。

電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すようになると（ステップＳ２０２のＹＥＳ）、ホストコントローラ３１はモジュール２２＿１〜２２＿ｎとデータ通信（メイン動作）を開始する（ステップＳ２０３）。

メイン動作中、制御回路２１１は定期的（例えば１ｍｓに１回）に電位ＶＩＮＴ１を計測する。

電位ＶＩＮＴ１に変化がない場合（ステップＳ２０５のＮＯ）、モジュール２２＿１〜２２＿ｎの通信バスＢ１からの切断及び新たなモジュールの通信バスＢ１への接続がないものとし、メイン動作を継続する（ステップＳ２０６のＮＯ→ステップＳ２０３）。そして、メイン動作が完了すると（ステップＳ２０６のＹＥＳ）、例えば動作が停止する（ステップＳ２０７）。

それに対し、電位ＶＩＮＴ１に変化があった場合（ステップＳ２０５のＹＥＳ）、続けて、電位ＶＩＮＴ１の変化の極性が判定される。

例えば、電位ＶＩＮＴ１が負側に変化した場合（ステップＳ２０８のＮＯ）、通信バスＢ１に新たなモジュールが接続されたことを意味する。この場合、ホストコントローラ２１は、通信バスＢ１に接続されているモジュールの認識処理を再度行う（ステップＳ２０１）。以降、ステップＳ２０２〜Ｓ２０８の処理が実行される。

他方、電位ＶＩＮＴ１が正側に変化した場合（ステップＳ２０８のＹＥＳ）、通信バスＢ１に接続されていたモジュールが切断されたことを意味する。

ここで、緊急度の高いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合、緊急度の低いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合と比較して、電位ＶＩＮＴ１の変化量ΔＶＩＮＴ１が大きくなる。この変化量ΔＶＩＮＴ１の大きさによって、通信バスＢ１から切断されたモジュールの緊急度が判断される。

例えば、緊急度の低いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合（ステップＳ２１３のＮＯ）、ホストコントローラ２１は、通信バスＢ１から切断されたモジュールの特定を行い（ステップＳ２０９）、その後、動作停止の指示を受けた場合（ステップＳ２１０のＹＥＳ）には動作を停止し（ステップＳ２１１）、動作停止の指示を受けなかった場合（ステップＳ２１０のＮＯ）には動作を継続する（ステップＳ２０１）。

他方、緊急度の高いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合（ステップＳ２１３のＹＥＳ）、ホストコントローラ２１は、通信バスＢ１から切断されたモジュールの特定を行うことなく、動作を停止させる（ステップＳ２１１）。

本実施の形態にかかる半導体システム２は、半導体システム１とほぼ同等の効果を奏することができる。さらに、本実施の形態にかかる半導体システム２は、モジュール毎に緊急度を設定することができるため、通信バスＢ１から切断されたモジュールの緊急度に応じた処理を行うことができる。

なお、本実施の形態では、モジュール２２＿１〜２２＿ｎのそれぞれに設けられた複数の抵抗素子Ｒｄ１は何れも略同一の値を示し、複数の抵抗素子Ｒｄ２は何れも略同一の値を示している。つまり、モジュール２２＿１〜２２＿ｎのそれぞれに設けられた複数の抵抗素子Ｒｄ１は異なる抵抗値に設定される必要はなく、複数の抵抗素子Ｒｄ２は異なる抵抗値に設定される必要はない。そのため、モジュール２２＿１〜２２＿ｎのそれぞれに設けられた複数の抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２の全ての抵抗値を記憶しておく必要はない。

また、本実施の形態では、同じ種類の複数のモジュールに対して異なる緊急度を設定することができるため、同じ種類の複数のモジュールのうち緊急度の低いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合と、緊急度の高いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合とで、異なる処理を行うことが可能である。

＜実施の形態３＞
図６は、実施の形態３にかかる半導体システム３の構成例を示す図である。
半導体システム３では、半導体システム１と比較して、ホストコントローラの構成が異なる。以下、具体的に説明する。

図６に示すように、半導体システム３は、ホストコントローラ（半導体装置）３１と、モジュール３２＿１〜３２＿ｎ（ｎは１以上の整数）と、ホストコントローラ３１とモジュール３２＿１〜３２＿ｎとを接続する通信バスＢ１及び電位検知線（第１及び第２電位検知線）ＩＮＴ１，ＩＮＴ２と、を備える。ホストコントローラ３１及びモジュール３２＿１〜３２＿ｎは、それぞれ、ホストコントローラ１１及びモジュール１２＿１〜１２＿ｎに対応する。

（ホストコントローラ３１）
ホストコントローラ３１は、制御回路３１１と、可変抵抗素子（第１可変抵抗素子）Ｒｕ１と、可変抵抗素子（第２可変抵抗素子）Ｒｕ２と、選択回路（第２選択回路）３１２と、を備える。制御回路３１１は、制御回路１１１に対応する。

可変抵抗素子Ｒｕ１は、電源線ＶＤＤと電位検知線ＩＮＴ１との間に設けられ、制御回路３１１からの制御信号Ｓ１に基づいて抵抗値を変化させる。可変抵抗素子Ｒｕ２は、電源線ＶＤＤと電位検知線ＩＮＴ２との間に設けられ、制御回路３１１からの制御信号Ｓ２に基づいて抵抗値を変化させる。即ち、本例では、可変抵抗素子Ｒｕ１，Ｒｕ２が何れもプルアップ抵抗として用いられている。

選択回路３１２は、電位検知線ＩＮＴ１，ＩＮＴ２と、各モジュール３２＿１〜３２＿ｎの抵抗素子Ｒｄ１と、の間に設けられ、制御回路３１１からの制御信号ＣＴＬ２に基づいて、各モジュール３２＿１〜３２＿ｎの抵抗素子Ｒｄ１を電位検知線ＩＮＴ１，ＩＮＴ２の何れかに接続する。

図７は、選択回路３１２を示す概略図である。
図７に示すように、選択回路３１２は、電位検知線ＩＮＴ１，ＩＮＴ２と、モジュール３２＿１〜３２＿ｎのそれぞれの抵抗素子Ｒｄ１と、の間にマトリックス状に設けられた複数のスイッチＳＷを備える。各スイッチＳＷは、例えば、ＰチャネルＭＯＳトランジスタであって、制御信号ＣＴＬ２の値に基づいてオンオフ制御される。本例では、スイッチＳＷの個数は、２ｎ個（＝電位検知線数×モジュール数）である。

（モジュール３２＿１〜３２＿ｎ）
モジュール３２＿１は、内部回路３２１と、抵抗素子Ｒｄ１と、を備える。内部回路３２１は、内部回路１２１に対応する。なお、抵抗素子Ｒｄ１は、モジュール３２＿１の外部に設けられてもよい。即ち、抵抗素子Ｒｄ１は、モジュール３２＿１に対し外付けされたものであってもよい。

モジュール３２＿２〜３２＿ｎの構成については、モジュール３２＿１の場合と同様であるため、その説明を省略する。

（半導体システム３の動作）
続いて、半導体システム３の動作について説明する。
図８は、半導体システム３の動作を示すフローチャートである。

まず、半導体システム３が起動されると、ホストコントローラ３１は、通信バスＢ１に接続されているモジュール３２＿１〜３２＿ｎの認識処理を行う（ステップＳ３０１）。

その後、ホストコントローラ３１は、各モジュール３２＿１〜３２＿ｎに対して緊急度を設定する（ステップＳ３１２）。具体的には、制御回路３１１は、各モジュール３２＿１〜３２＿ｎの抵抗素子Ｒｄ１を電位検知線ＩＮＴ１，ＩＮＴ２の何れかに接続するように各モジュール３２＿１〜３２＿ｎに対して命令を送る。なお、初期状態では、各モジュール３２＿１〜３２＿ｎの抵抗素子Ｒｄ１は電位検知線ＩＮＴ１に接続されている。

例えば、モータ等のように通信バスＢ１から切断された時に即座にシステムを停止させる必要があるモジュールについては、緊急度を高く設定する。具体的には、抵抗素子Ｒｄ１が電位検知線ＩＮＴ１，ＩＮＴ２のうち電位検知線ＩＮＴ１に接続される。他方、ディスプレイ等のように通信バスＢ１から切断されても即座にシステムを停止させる必要が無いモジュールについては、緊急度を低く設定する。具体的には、抵抗素子Ｒｄ１が電位検知線ＩＮＴ１，ＩＮＴ２のうち電位検知線ＩＮＴ２に接続される。

その後、制御回路３１１は、電位検知線ＩＮＴ１，ＩＮＴ２のそれぞれの電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２を計測する。例えば、制御回路３１１は、ＡＤ変換器を用いて電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２をデジタル値に変換した後、それらデジタル値を基に電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２を計測する。

なお、電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１は、ホストコントローラ３１に設けられた可変抵抗素子Ｒｕ１と、可変抵抗素子Ｒｕ１と共に電位検知線ＩＮＴ１に接続された一又は複数の抵抗素子Ｒｄ１と、によって決定される。また、電位検知線ＩＮＴ２の電位ＶＩＮＴ２は、ホストコントローラ３１に設けられた可変抵抗素子Ｒｕ２と、可変抵抗素子Ｒｕ２と共に電位検知線ＩＮＴ２に接続された一又は複数の抵抗素子Ｒｄ１と、によって決定される。

制御回路３１１は、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲外（例えば電源電圧ＶＤＤの０．２〜０．８倍の範囲外）を示す場合（ステップＳ３０２のＮＯ）、電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すように可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御する（ステップＳ３０４）。同様に、制御回路３１１は、電位ＶＩＮＴ２が所定範囲外を示す場合（ステップＳ３０２のＮＯ）、電位ＶＩＮＴ２が所定範囲内を示すように可変抵抗素子Ｒｕ２の抵抗値を制御する（ステップＳ３０４）。

電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２が所定範囲内を示すようになると（ステップＳ３０２のＹＥＳ）、ホストコントローラ３１はモジュール３２＿１〜３２＿ｎとデータ通信（メイン動作）を開始する（ステップＳ３０３）。

メイン動作中、制御回路３１１は定期的（例えば１ｍｓに１回）に電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２を計測する。

電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２に変化がない場合（ステップＳ３０５のＮＯ）、モジュール３２＿１〜３２＿ｎの通信バスＢ１からの切断及び新たなモジュールの通信バスＢ１への接続はないものとし、メイン動作を継続する（ステップＳ３０６のＮＯ→ステップＳ３０３）。そして、メイン動作が完了すると（ステップＳ３０６のＹＥＳ）、例えば動作が停止する（ステップＳ３０７）。

それに対し、電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２の何れかに変化があった場合（ステップＳ３０５のＹＥＳ）、続けて、電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２の変化の極性が判定される。

例えば、電位ＶＩＮＴ１が負側に変化した場合（ステップＳ３０８のＮＯ）、通信バスＢ１に緊急度の高いモジュールが新たに接続されたことを意味する。また、電位ＶＩＮＴ２が負側に変化した場合（ステップＳ３０８のＮＯ）、通信バスＢ１に緊急度の低いモジュールが新たに接続されたことを意味する。

この場合、ホストコントローラ３１は、通信バスＢ１に接続されているモジュールの認識処理を再度行う（ステップＳ３０１）。以降、ステップＳ３０２〜Ｓ３０８の処理が実行される。

他方、電位ＶＩＮＴ１が正側に変化した場合（ステップＳ３０８のＹＥＳ）、通信バスＢ１に接続されていた緊急度の高いモジュールが切断されたことを意味する。また、電位ＶＩＮＴ２が正側に変化した場合（ステップＳ３０８のＹＥＳ）、通信バスＢ１に接続されていた緊急度の低いモジュールが切断されたことを意味する。

つまり、電位ＶＩＮＴ１，ＶＩＮＴ２のうち何れの電位が変化したかによって、通信バスＢ１から切断されたモジュールの緊急度が判断される。

例えば、緊急度の低いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合（ステップＳ３１３のＮＯ）、ホストコントローラ３１は、通信バスＢ１から切断されたモジュールの特定を行い（ステップＳ３０９）、その後、動作停止の指示を受けた場合（ステップＳ３１０のＹＥＳ）には動作を停止し（ステップＳ３１１）、動作停止の指示を受けなかった場合（ステップＳ３１０のＮＯ）には動作を継続する（ステップＳ３０１）。

他方、緊急度の高いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合（ステップＳ３１３のＹＥＳ）、ホストコントローラ３１は、通信バスＢ１から切断されたモジュールの特定を行うことなく、動作を停止させる（ステップＳ３１１）。

本実施の形態にかかる半導体システム３は、半導体システム１とほぼ同等の効果を奏することができる。また、本実施の形態にかかる半導体システム３は、モジュール毎に緊急度を設定することができるため、通信バスＢ１から切断されたモジュールの緊急度に応じた処理を行うことができる。さらに、本実施の形態にかかる半導体システム１では、モジュール側での抵抗素子の切り替えが不要であるため、モジュールの設計コストを低減することができる。

なお、本実施の形態では、モジュール３２＿１〜３２＿ｎのそれぞれに設けられた複数の抵抗素子Ｒｄ１は何れも略同一の値を示している。つまり、モジュール３２＿１〜３２＿ｎのそれぞれに設けられた複数の抵抗素子Ｒｄ１は異なる抵抗値に設定される必要はない。そのため、モジュール３２＿１〜３２＿ｎのそれぞれに設けられた複数の抵抗素子Ｒｄ１，Ｒｄ２の全ての抵抗値を記憶しておく必要はない。

また、本実施の形態では、同じ種類の複数のモジュールに対して異なる緊急度を設定することができるため、同じ種類の複数のモジュールのうち緊急度の低いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合と、緊急度の高いモジュールが通信バスＢ１から切断された場合とで、異なる処理を行うことが可能となる。

以上のように、上記実施の形態１〜３にかかる半導体システムは、モジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュールの通信バスＢ１からの切断を検知するための電位ＶＩＮＴ１を生成する電位検知線ＩＮＴ１を備える。そして、半導体システムに設けられたホストコントローラは、可変抵抗素子Ｒｕ１と、モジュール側に設けられた抵抗素子Ｒｄ１と、によって決定される電位検知線ＩＮＴ１の電位ＶＩＮＴ１が所定範囲内を示すように、可変抵抗素子Ｒｕ１の抵抗値を制御する。それにより、モジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュールの通信バスＢ１からの切断等による電位ＶＩＮＴ１の変化量を一定以上に大きく維持することができるため、モジュールの通信バスＢ１への接続及びモジュールの通信バスＢ１からの切断等を正確に判定することができる。

以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は既に述べた実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能であることはいうまでもない。

例えば、上記の実施の形態に係る半導体装置では、半導体基板、半導体層、拡散層（拡散領域）などの導電型（ｐ型もしくはｎ型）を反転させた構成としてもよい。そのため、ｎ型、及びｐ型の一方の導電型を第１の導電型とし、他方の導電型を第２の導電型とした場合、第１の導電型をｐ型、第２の導電型をｎ型とすることもできるし、反対に第１の導電型をｎ型、第２の導電型をｐ型とすることもできる。

１〜３ 半導体システム
１１ ホストコントローラ
２１ ホストコントローラ
３１ ホストコントローラ
１２＿１〜１２＿ｎ モジュール
２２＿１〜２２＿ｎ モジュール
３２＿１〜３２＿ｎ モジュール
１１１ 制御回路
１２１ 内部回路
２１１ 制御回路
２２１ 内部回路
２２２ 選択回路
３１１ 制御回路
３１２ 選択回路
３２１ 内部回路
Ｂ１ 通信バス
ＧＮＤ 接地線
ＩＮＴ１ 電位検知線
ＩＮＴ２ 電位検知線
Ｒ１〜Ｒｍ 抵抗素子
Ｒｄ１ 抵抗素子
Ｒｄ２ 抵抗素子
Ｒｕ１ 可変抵抗素子
Ｒｕ２ 可変抵抗素子
ＳＷ１〜ＳＷｍ スイッチ素子
ＶＤＤ 電源線

Claims (11)

1. 第１可変抵抗素子と、
   前記第１可変抵抗素子と外部の一又は複数のモジュールの各々に設けられた第１抵抗素子と、によって決定される第１電位検知線の電位が所定範囲内を示すように、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させる制御回路と、を備え、
   前記所定範囲は、前記第１電位検知線の電位に基づいて、前記外部の一又は複数のモジュールの半導体装置への接続状態を判定できる範囲である、
   半導体装置。
2. 前記制御回路は、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させた後の前記第１電位検知線の電位に基づいて、前記一又は複数のモジュールのそれぞれが信号線を介して前記半導体装置に接続されているか否かを判定する、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記一又は複数のモジュールの各々は、
   前記第１抵抗素子に並列に設けられ、前記第１抵抗素子とは異なる抵抗値の第２抵抗素子と、
   前記制御回路から出力された制御信号に基づいて、前記第１及び前記第２抵抗素子のうち何れかを前記第１電位検知線に接続する第１選択回路と、をさらに備え、
   前記制御回路は、
   前記第１可変抵抗素子と、前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１及び前記第２抵抗素子のうち前記第１選択回路によって選択された何れかの抵抗素子と、によって決定される前記第１電位検知線の電位が前記所定範囲内を示すように、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させる、請求項１に記載の半導体装置。
4. 第２電位検知線に接続された第２可変抵抗素子と、
   前記制御回路から出力された制御信号に基づいて、前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１抵抗素子を前記第１電位検知線及び前記第２電位検知線の何れかに接続する第２選択回路と、をさらに備え、
   前記制御回路は、
   前記第１可変抵抗素子と、前記第１可変抵抗素子と共に前記第１電位検知線に接続された一又は複数の前記第１抵抗素子と、によって決定される前記第１電位検知線の電位が前記所定範囲内を示すように、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させるとともに、
   前記第２可変抵抗素子と、前記第２可変抵抗素子と共に前記第２電位検知線に接続された一又は複数の前記第１抵抗素子と、によって決定される前記第２電位検知線の電位が前記所定範囲内を示すように、前記第２可変抵抗素子の抵抗値を変化させる、請求項１に記載の半導体装置。
5. 請求項１に記載の半導体装置と、
   前記一又は複数のモジュールと、
   前記半導体装置と前記一又は複数のモジュールのそれぞれとを接続する信号線と、
   前記半導体装置に設けられた前記第１可変抵抗素子と、前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１抵抗素子と、を接続する前記第１電位検知線と、
   を備えた半導体システム。
6. 請求項３に記載の半導体装置と、
   前記一又は複数のモジュールと、
   前記半導体装置と前記一又は複数のモジュールのそれぞれとを接続する信号線と、
   前記半導体装置に設けられた前記第１可変抵抗素子と、前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１及び前記第２抵抗素子のうち前記第１選択回路によって選択された何れかの抵抗素子と、を接続する前記第１電位検知線と、
   を備えた半導体システム。
7. 請求項４に記載の半導体装置と、
   前記一又は複数のモジュールと、
   前記半導体装置と前記一又は複数のモジュールのそれぞれとを接続する信号線と、
   前記半導体装置に設けられた前記第１可変抵抗素子と、前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１抵抗素子の一部と、を接続する前記第１電位検知線と、
   前記半導体装置に設けられた前記第２可変抵抗素子と、前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１抵抗素子の残りの一部と、を接続する前記第２電位検知線と、
   を備えた半導体システム。
8. 半導体装置に設けられた第１可変抵抗素子と、外部の一又は複数のモジュールの各々に設けられた第１抵抗素子と、によって決定される第１電位検知線の電位が所定範囲内を示すように、前記半導体装置に設けられた制御回路が前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させ、
   前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させた後の前記第１電位検知線の電位に基づいて、前記一又は複数のモジュールのそれぞれが信号線を介して前記半導体装置に接続されているか否かを前記制御回路が判定する、
   半導体装置の制御方法。
9. 前記一又は複数のモジュールの各々に並列に設けられた前記第１抵抗素子及び前記第１抵抗素子とは異なる抵抗値の第２抵抗素子のうち何れかを前記制御回路からの信号に基づいて前記第１電位検知線に接続し、
   前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させるステップでは、
   前記第１可変抵抗素子と、前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１及び前記第２抵抗素子のうち前記第１電位検知線に接続された何れかの抵抗素子と、によって決定される前記第１電位検知線の電位が前記所定範囲内を示すように、前記制御回路が前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させる、
   請求項８に記載の半導体装置の制御方法。
10. 前記一又は複数のモジュールの各々に設けられた前記第１抵抗素子を、前記第１可変抵抗素子に接続された前記第１電位検知線及び前記半導体装置に設けられた第２可変抵抗素子に接続された第２電位検知線の何れかに前記制御回路からの制御信号に基づいて接続し、
    前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させるステップでは、
    前記第１可変抵抗素子と、前記第１可変抵抗素子と共に前記第１電位検知線に接続された一又は複数の前記第１抵抗素子と、によって決定される前記第１電位検知線の電位が前記所定範囲内を示すように、前記制御回路が前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させるとともに、
    前記第２可変抵抗素子と、前記第２可変抵抗素子と共に前記第２電位検知線に接続された一又は複数の前記第１抵抗素子と、によって決定される前記第２電位検知線の電位が前記所定範囲内を示すように、前記制御回路が前記第２可変抵抗素子の抵抗値を変化させる、
    請求項８に記載の半導体装置の制御方法。
11. 前記第１可変抵抗素子及び複数の前記第１抵抗素子は、前記第１電位検知線に共通接続されるように構成され、
    前記制御回路は、共通接続された前記第１可変抵抗素子と前記複数の第１抵抗素子とによって決定される前記第１電位検知線の電位が所定範囲内を示すように、前記第１可変抵抗素子の抵抗値を変化させる、請求項１に記載の半導体装置。

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