JP6493603B1 - Cu核ボール、はんだ継手、はんだペースト及びフォームはんだ - Google Patents
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Abstract
Description
(1)Cuボールと、Cuボールの表面を被覆するはんだ層とを備え、Cuボールは、Fe、Ag及びNiのうち少なくとも1種の含有量の合計が5.0質量ppm以上50.0質量ppm以下であり、Sの含有量が0質量ppm以上1.0質量ppm以下であり、Pの含有量が0質量ppm以上3.0質量ppm未満であり、残部がCu及びその他の不純物元素であり、前記Cuボールの純度が99.995質量%以上99.9995質量%以下であり、真球度が0.95以上であり、はんだ層は、Agの含有量が0質量%超4.0質量%以下、Cuの含有量が0質量%超3.0質量%以下、Snが残部であるCu核ボール。
(2)はんだ層は、Agの含有量が0.1質量%以上2.0質量%以下である上記(1)に記載のCu核ボール。
(3)はんだ層は、Cuの含有量が0.1質量%以上1.0質量%以下である上記(1)または(2)に記載のCu核ボール。
(4)真球度が0.98以上である上記(1)〜(3)の何れかに記載のCu核ボール。
(5)真球度が0.99以上である上記(1)〜(3)の何れかに記載のCu核ボール。
(6)α線量が0.0200cph/cm2以下である上記(1)〜(5)の何れかに記載のCu核ボール。
(7)α線量が0.0010cph/cm2以下である上記(1)〜(5)の何れかに記載のCu核ボール。
(8)Cuボールの表面を被覆する金属層を備え、金属層の表面がはんだ層で被覆され、真球度が0.95以上である上記(1)〜(7)の何れかに記載のCu核ボール。
(9)真球度が0.98以上である上記(8)に記載のCu核ボール。
(10)真球度が0.99以上である上記(8)に記載のCu核ボール。
(11)α線量が0.0200cph/cm2以下である上記(8)〜(10)の何れかに記載のCu核ボール。
(12)α線量が0.0010cph/cm2以下である上記(8)〜(10)の何れかに記載のCu核ボール。
(13)Cuボールの直径が1μm以上1000μm以下である上記(1)〜(12)の何れかに記載のCu核ボール。
(14)上記(1)〜(13)の何れかに記載のCu核ボールを使用したはんだ継手。
(15)上記(1)〜(13)の何れかに記載のCu核ボールを使用したはんだペースト。
(16)上記(1)〜(13)の何れかに記載のCu核ボールを使用したフォームはんだ。
本発明において、真球度とは真球からのずれを表す。真球度は、500個の各Cuボールの直径を長径で割った際に算出される算術平均値であり、値が上限である1.00に近いほど真球に近いことを表す。真球度は、例えば、最小二乗中心法(LSC法)、最小領域中心法(MZC法)、最大内接中心法(MIC法)、最小外接中心法(MCC法)など種々の方法で求められる。本発明での長径の長さ、及び直径の長さとは、ミツトヨ社製のウルトラクイックビジョン、ULTRA QV350−PRO測定装置によって測定された長さをいう。
一般に、純度の低いCuの方が、純度の高いCuと比べて、Cuボール1の結晶核になる不純物元素をCu中に確保することができるために真球度が高くなる。一方で、純度の低いCuボール1は、電気伝導度や熱伝導率が劣化する。
Cuボール1が含有する不純物元素のうち、特にFe、Ag及びNiのうち、少なくとも1種の含有量の合計が5.0質量ppm以上50.0質量ppm以下であることが好ましい。すなわち、Fe、Ag及びNiのうち、いずれか1種を含有する場合、1種の含有量が5.0質量ppm以上50.0質量ppm以下であることが好ましく、Fe、Ag及びNiのうちの2種以上を含有する場合、2種以上の合計の含有量が5.0質量ppm以上50.0質量ppm以下であることが好ましい。Fe、Ag及びNiはCuボール1の製造工程における溶融時に結晶核となるため、Cu中にFe、Ag又はNiが一定量含有されていれば真球度の高いCuボール1を製造することができる。従って、Fe、Ag及びNiのうち、少なくとも1種は、不純物元素の含有量を推定するために重要な元素である。また、Fe、Ag及びNiのうち少なくとも1種の含有量の合計が5.0質量ppm以上50.0質量ppm以下であることにより、Cuボール1の変色を抑制できる上に、Cuボール1を緩やかに加熱した後に徐冷することでCuボール1を緩やかに再結晶させるというアニーリング工程を行なわずとも、所望のビッカース硬さを実現することができる。
Sを所定量以上含有するCuボール1は、加熱時に硫化物や硫黄酸化物を形成して変色しやすく、濡れ性が低下するため、Sの含有量は、0質量ppm以上1.0質量ppm以下にする必要がある。硫化物や硫黄酸化物が多く形成されたCuボール1ほど、Cuボール表面の明度が暗くなる。そのため、後で詳述するが、Cuボール表面の明度を測定した結果が所定値以下であれば、硫化物や硫黄酸化物の形成が抑制され、濡れ性が良好であると判断することができる。
Pは、リン酸に変化したり、Cu錯体となったりしてCuボール1に悪影響を与えることがある。また、Pを所定量含有するCuボール1は硬度が大きくなるため、Pの含有量は、0質量ppm以上3.0質量ppm未満であることが好ましく、1.0質量ppm未満であることがより好ましい。
Cuボール1が含有する上述した不純物元素以外の、Sb、Bi、Zn、Al、As、Cd、Pb、In、Sn、Au等の不純物元素(以下で、「その他の不純物元素」という)の含有量は、それぞれ0質量ppm以上50.0質量ppm未満であることが好ましい。
Cuボール1のビッカース硬さは、55.5HV以下であることが好ましい。ビッカース硬さが大きい場合、外部からの応力に対する耐久性が低くなり、耐落下衝撃性が悪くなると共にクラックが発生し易くなる。また、三次元実装のバンプや継手の形成時に加圧等の補助力を付与した場合において、硬いCuボールを使用すると、電極潰れ等を引き起こす可能性がある。更に、Cuボール1のビッカース硬さが大きい場合、結晶粒が一定以上に小さくなることで、電気伝導性の劣化を招いてしまうからである。Cuボール1のビッカース硬さが55.5HV以下であれば、耐落下衝撃性も良好でクラックを抑制でき、電極潰れ等も抑制でき、更に、電気伝導性の劣化も抑制できる。本実施例では、ビッカース硬さの下限は0HV超でよく、好ましくは20HV以上である。
電子部品の高密度実装においてソフトエラーが問題にならない程度のα線量とするため、Cuボール1のα線量は、0.0200cph/cm2以下であることが好ましい。α線量は、更なる高密度実装でのソフトエラーを抑制する観点から、好ましくは0.0100cph/cm2以下であり、より好ましくは0.0050cph/cm2以下であり、さらに好ましくは0.0020cph/cm2以下であり、最も好ましくは0.0010cph/cm2以下である。α線量によるソフトエラーを抑制するためには、U、Th等の放射性同位元素の含有量は、5質量ppb未満であることが好ましい。
Cuボール1は明度が55以上であることが好ましい。明度とは、L*a*b*表色系のL*値である。Sから由来する硫化物や硫黄酸化物が表面に形成されたCuボール1は明度が低くなるため、明度が55以上であれば、硫化物や硫黄酸化物が抑制されているといえる。また、明度が55以上のCuボール1は、実装時における濡れ性が良好である。これに対し、Cuボール1の明度が55未満であると、硫化物や硫黄酸化物の形成が十分に抑制されていないCuボール1であるといえる。硫化物や硫黄酸化物は、Cuボール1に悪影響を与える上に、電極上にCuボール1を直接接合するような場合に濡れ性が悪化する。濡れ性の悪化は不濡れの発生やセルフアライメント性の劣化を招く。
Cuボール1の直径は1μm以上1000μm以下であることが好ましく、より好ましくは、50μm以上300μmである。この範囲にあると、球状のCuボール1を安定して製造でき、また、端子間が狭ピッチである場合の接続短絡を抑制することができる。ここで、例えば、Cuボール1がペーストに用いられる場合、「Cuボール」は「Cuパウダ」と称されてもよい。「Cuボール」が「Cuパウダ」に用いられる場合、一般的に、Cuボールの直径は1〜300μmであることが好ましい。
はんだ層3は、Snを主成分とした合金のめっき層からなり、Sn−Ag−Cu系のはんだ合金、及び、これに任意の合金元素を添加したものが挙げられる。Snの含有量は40質量%以上であることが好ましい。任意に添加する合金元素としては、例えばNi、In、Co、Sb、Ge、P、Fe、Pb、Zn、Ga等がある。
金属層2は、例えば、Niめっき層、Coめっき層、Feめっき層、Pdめっき層、またはNi、Co、Fe、Pdの元素を2以上含むめっき層(単層もしくは複数層)からなる。金属層2は、Cu核ボール11Bがはんだバンプに用いられる際にはんだ付けの温度で溶融せずに残り、はんだ継手の高さに寄与することから、真球度が高くて直径のバラツキが少なく構成される。また、ソフトエラーを抑制する観点から、α線量が低くなるように構成される。
金属層2の組成は、単一のNi、Co、FeまたはPdにより金属層2を構成した場合、不可避不純物を除けば、Ni、Co、Fe、Pdが100%である。また、金属層2に使用する金属は単一金属に限られず、Ni、Co、FeまたはPdの中から2元素以上を組み合わせた合金を使用しても良い。更に、金属層2は、単一のNi、Co、FeまたはPdにより構成した層、及び、Ni、Co、FeまたはPdの中から2元素以上を組み合わせた合金による層を適宜組み合わせた複数の層で構成しても良い。金属層2の膜厚T2は、例えば1μm〜20μmである。
本発明に係る第1の実施の形態のCu核ボール11A及び第2の実施の形態のCu核ボール11Bのα線量は0.0200cph/cm2以下であることが好ましい。これは、電子部品の高密度実装においてソフトエラーが問題にならない程度のα線量である。本発明に係る第1の実施の形態のCu核ボール11Aのα線量は、Cu核ボール11Aを構成するはんだ層3のα線量が0.0200cph/cm2以下であることにより達成される。従って、本発明に係る第1の実施の形態のCu核ボール11Aは、このようなはんだ層3で被覆されているために低いα線量を示す。本発明に係る第2の実施の形態のCu核ボール11Bのα線量は、Cu核ボール11Bを構成する金属層2とはんだ層3のα線量が0.0200cph/cm2以下であることにより達成される。従って、本発明に係る第2の実施の形態のCu核ボール11Bは、このような金属層2及びはんだ層3で被覆されているために低いα線量を示す。α線量は、更なる高密度実装でのソフトエラーを抑制する観点から、好ましくは0.0100cph/cm2以下であり、より好ましくは0.0050cph/cm2以下であり、さらに好ましくは0.0020cph/cm2以下であり、最も好ましくは0.0010cph/cm2以下である。金属層2及びはんだ層3のU及びThの含有量は、Cuボール1のα線量を0.0200cph/cm2以下とするため、各々5ppb以下である。また、現在または将来の高密度実装でのソフトエラーを抑制する観点から、U及びThの含有量は、好ましくは、各々2ppb以下である。
Cuボール1をはんだ層3で被覆した本発明に係る第1の実施の形態のCu核ボール11A、及び、Cuボール1を金属層2及びはんだ層3で被覆した本発明に係る第2の実施の形態のCu核ボール11Bの真球度は、0.95以上であることが好ましく、真球度が0.98以上であることがより好ましく、0.99以上であることが更により好ましい。Cu核ボール11A、11Bの真球度が0.95未満であると、Cu核ボール11A、11Bが不定形状になるため、Cu核ボール11A、11Bを電極に搭載してリフローを行う際、Cu核ボール11A、11Bが位置ずれを起こしてしまい、セルフアライメント性も悪化する。Cu核ボール11A、11Bの真球度が0.95以上であれば、Cu核ボール11A、11Bを半導体チップ10の電極100等に実装した際のセルフアライメント性を確保できる。そして、Cuボール1の真球度も0.95以上であることで、Cu核ボール11A、11Bは、Cuボール1及び金属層2がはんだ付けの温度で溶融しないため、はんだ継手50における高さのばらつきを抑制できる。これにより、半導体チップ10及びプリント基板40の接合不良を確実に防止できる。
リフロー時において、Cu核ボールと電極間を接合するために使用するはんだ(ペースト)中にCuボールのCuが拡散すると、はんだ層中及び接続界面に硬くて脆いCu6Sn5、Cu3Snの金属間化合物が多量に形成され、衝撃を受けたときに亀裂が進展し、接続部を破壊してしまう可能性がある。そのため、十分な接続強度を得るために、CuボールからはんだへのCuの拡散を抑制(バリア)できるようにすると良い。そこで、第2の実施の形態のCu核ボール11Bでは、バリア層として機能する金属層2をCuボール1の表面に形成するので、Cuボール1のCuがペーストのはんだ中に拡散することを抑制できる。
また、Cu核ボール11AまたはCu核ボール11Bをはんだに含有させることによりはんだペーストを構成することもできる。Cu核ボール11AまたはCu核ボール11Bをはんだ中に分散させることで、フォームはんだを構成することができる。Cu核ボール11AまたはCu核ボール11Bは、電極間を接合するはんだ継手の形成に使用することもできる。
次に、Cuボール1の製造方法の一例を説明する。金属材料の一例とし、Cu材をセラミックのような耐熱性の板(以下、「耐熱板」という。)に置き、耐熱板とともに炉中で加熱する。耐熱板には底部が半球状となった多数の円形の溝が設けられている。溝の直径や深さは、Cuボール1の粒径に応じて適宜設定されており、例えば、直径0.8mm、深さ0.88mmである。また、Cu細線が切断されて得られたチップ形状のCu材を、耐熱板の溝内に一個ずつ投入する。溝内にCu材が投入された耐熱板は、アンモニア分解ガスが充填された炉内で1100〜1300℃に昇温され、30〜60分間加熱処理される。このとき炉内温度がCuの融点以上になると、Cu材は溶融して球状となる。その後、炉内が冷却され、耐熱板の溝内でCuボール1が急冷されることで成形される。
Cuボールの作製条件を検討した。金属材料の一例のCu材として、ナゲット材を準備した。実施例1〜13、22と、比較例1〜12のCu材として、純度が6Nのものを使用し、実施例14〜21のCu材として、純度が5Nのものを使用した。各Cu材を、るつぼの中に投入した後、るつぼの温度を1200℃に昇温し、45分間加熱してCu材を溶融させ、るつぼ底部に設けたオリフィスから溶融Cuを滴下し、生成した液滴を室温(18℃)まで急冷してCuボールに造球した。これにより、平均粒径が下記の各表に示す値となるCuボールを作製した。元素分析は、誘導結合プラズマ質量分析(ICP−MS分析)やグロー放電質量分析(GD−MS分析)を用いると高精度に分析ができるが、本例では、ICP−MS分析により行った。Cuボールの球径は、実施例1〜実施例17、実施例21、実施例22、比較例1〜12については300μm、実施例18は200μm、実施例19は100μm、実施例20は50μmとした。
上述した実施例1〜22のCuボールを使用して、実施例1A〜17A、21A、22Aについては、実施例1〜17、21、22のCuボールに、片側23μmの厚さで組成例1〜4のはんだ合金によるはんだ層を形成して、実施例1A〜17A、21A、22AのCu核ボールを作製した。実施例18A〜20AのCu核ボールについては、Cuボールの球径が異なるため、実施例18のCuボールに、片側20μmの厚さで組成例1〜4のはんだ合金によるはんだ層を形成して、実施例18AのCu核ボールを作製した。また、実施例19、20のCuボールに、片側15μmの厚さで組成例1〜4のはんだ合金によるはんだ層を形成して、実施例19A、20AのCu核ボールを作製した。
Cuボール及びCu核ボールの真球度はCNC画像測定システムで測定した。装置は、ミツトヨ社製のウルトラクイックビジョン、ULTRA QV350−PROである。
下記の各表において、Cuボール及びCu核ボールの真球度の評価規準は以下の通りとした。
○○〇:真球度が0.99以上であった
○〇:真球度が0.98以上0.99未満であった
〇:真球度が0.95以上0.98未満であった
×:真球度が0.95未満であった
Cuボールのビッカース硬さは、「ビッカース硬さ試験−試験方法 JIS Z2244」に準じて測定した。装置は、明石製作所製のマイクロビッカース硬度試験器、AKASHI微小硬度計MVK−F 12001−Qを使用した。
下記の各表において、Cuボールのビッカース硬さの評価規準は以下の通りとした。
○:0HV超55.5HV以下であった
×:55.5HVを超えた
Cuボール及びCu核ボールのα線量の測定方法は以下の通りである。α線量の測定にはガスフロー比例計数器のα線測定装置を用いた。測定サンプルは300mm×300mmの平面浅底容器にCuボールを容器の底が見えなくなるまで敷き詰めたものである。この測定サンプルをα線測定装置内に入れ、PR−10ガスフローにて24時間放置した後、α線量を測定した。Cu核ボールについても、同様の方法でα線量を測定した。
下記の各表において、Cuボール及びCu核ボールのα線量の評価基準は以下の通りとした。
○:α線量が0.0200cph/cm2以下であった
×:α線量が0.0200cph/cm2を超えた
Cuボールの耐変色性の測定のために、Cuボールを大気雰囲気下の恒温槽を用いて200℃設定で420秒間加熱し、明度の変化を測定して、経時変化に十分に耐えられるCuボールであるか否かを評価した。明度は、コニカミノルタ製CM−3500d型分光測色計を使用して、D65光源、10度視野でJIS Z 8722「色の測定方法―反射及び透過物体色」に準じて分光透過率を測定して、色彩値(L*,a*,b*)から求めた。なお、(L*,a*,b*)は、JIS Z 8729「色の表示方法−L*a*b*表色系及びL*u*v*表色系」にて規定されているものである。L*は明度であり、a*は赤色度であり、b*は黄色度である。
下記の各表において、Cuボールの耐変色性の評価基準は以下の通りとした。
○:420秒後の明度が55以上であった
×:420秒後の明度が55未満であった。
上述した評価方法及び評価基準で真球度、ビッカース硬さ、α線量及び耐変色性のいずれにおいても、○または○○または○○○であったCuボールを、総合評価における○とした。一方、真球度、ビッカース硬さ、α線量及び耐変色性のうち、いずれか1つでも×となったCuボールを、総合評価において×とした。
Claims (16)
- Cuボールと、
前記Cuボールの表面を被覆するはんだ層とを備え、
前記Cuボールは、
Fe、Ag及びNiのうち少なくとも1種の含有量の合計が5.0質量ppm以上50.0質量ppm以下であり、
Sの含有量が0質量ppm以上1.0質量ppm以下であり、
Pの含有量が0質量ppm以上3.0質量ppm未満であり、
残部がCu及びその他の不純物元素であり、前記Cuボールの純度が99.995質量%以上99.9995質量%以下であり、
真球度が0.95以上であり、
前記はんだ層は、Agの含有量が0質量%超4.0質量%以下、Cuの含有量が0質量%超3.0質量%以下、Snが残部である
Cu核ボール。 - 前記はんだ層は、Agの含有量が0.1質量%以上2.0質量%以下である
請求項1に記載のCu核ボール。 - 前記はんだ層は、Cuの含有量が0.1質量%以上1.0質量%以下である
請求項1または請求項2に記載のCu核ボール。 - 真球度が0.98以上である請求項1〜請求項3の何れか1項に記載のCu核ボール。
- 真球度が0.99以上である請求項1〜請求項3の何れか1項に記載のCu核ボール。
- α線量が0.0200cph/cm2以下である請求項1〜請求項5の何れか1項に記載のCu核ボール。
- α線量が0.0010cph/cm2以下である請求項1〜請求項5の何れか1項に記載のCu核ボール。
- 前記Cuボールの表面を被覆する金属層を備え、前記金属層の表面が前記はんだ層で被覆され、真球度が0.95以上である請求項1〜請求項7の何れか1項に記載のCu核ボール。
- 真球度が0.98以上である請求項8に記載のCu核ボール。
- 真球度が0.99以上である請求項8に記載のCu核ボール。
- α線量が0.0200cph/cm2以下である請求項8〜請求項10の何れか1項に記載のCu核ボール。
- α線量が0.0010cph/cm2以下である請求項8〜請求項10の何れか1項に記載のCu核ボール。
- 前記Cuボールの直径が1μm以上1000μm以下である
請求項1〜12の何れか1項に記載のCu核ボール。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載のCu核ボールを使用したはんだ継手。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載のCu核ボールを使用したはんだペースト。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載のCu核ボールを使用したフォームはんだ。
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