JP6492400B2 - 蓄電素子及び蓄電モジュール - Google Patents
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Description
まず、蓄電モジュール10の構成について、説明する。
次に、上記実施の形態の変形例1について、説明する。上記実施の形態では、第一絶縁層140として、高熱伝導度絶縁層160が容器本体111の底面の全面に形成され、第二絶縁層150として、低熱伝導度絶縁層170が容器本体111の4側面の全面に形成されていることとした。しかし、本変形例では、高熱伝導度絶縁層及び低熱伝導度絶縁層の形成される位置は、それぞれ容器本体111の底面の全面及び4側面の全面ではなく、例えば、容器本体111の底面の一部には、高熱伝導度絶縁層ではなく低熱伝導度絶縁層が形成される。
次に、上記実施の形態の変形例2について、説明する。上記実施の形態では、第一絶縁層140として、高熱伝導度絶縁層160が容器本体111の底面に形成され、第二絶縁層150として、低熱伝導度絶縁層170が容器本体111の4側面に形成されていることとした。しかし、本変形例では、第二絶縁層として、高熱伝導度絶縁層が容器本体111の4側面に形成され、かつ、高熱伝導度絶縁層上に低熱伝導度絶縁層が形成される。
次に、上記実施の形態の変形例3について、説明する。上記変形例2では、第二絶縁層152として、高熱伝導度絶縁層162bが容器本体111の4側面に形成され、かつ、高熱伝導度絶縁層162b上に低熱伝導度絶縁層172が形成されることとした。しかし、本変形例では、第二絶縁層として、低熱伝導度絶縁層が容器本体111の4側面に形成され、かつ、高熱伝導度絶縁層上に高熱伝導度絶縁層が形成される。
次に、上記実施の形態の変形例4について、説明する。上記実施の形態では、蓄電素子100の底面が冷却手段300と対向する位置に配置されることとした。しかし、本変形例では、蓄電素子の側面が冷却手段300と対向する位置に配置される。
100、101、102、103、104 蓄電素子
110 容器
111 容器本体
111a 開口部
112 蓋体
113 電極体
114 正極集電部材
115 負極集電部材
120 正極端子
130 負極端子
140、141、142、143、144 第一絶縁層
150、151、152、153、154 第二絶縁層
160、161、162a、162b、163a、163b 高熱伝導度絶縁層
170、171a、171b、172、173 低熱伝導度絶縁層
200 外装体
300 冷却手段
Claims (8)
- 容器を備える蓄電素子であって、
前記容器は、容器本体と、前記容器本体の外面の異なる位置に重なることなく形成された第一絶縁層と第二絶縁層とを有し、
前記第一絶縁層は、前記第二絶縁層よりも、熱伝導率の大きさを示す熱伝導度が高く、
前記第二絶縁層は、前記容器本体の外面のうち、隣接する蓄電素子と対向する位置に形成されている
蓄電素子。 - 前記第一絶縁層は、前記容器本体の外面のうち、前記容器から放出される熱を冷却する冷却手段と対向する位置に形成されている
請求項1に記載の蓄電素子。 - 前記第一絶縁層は、絶縁塗料で形成された絶縁コート層である
請求項1または2に記載の蓄電素子。 - 前記第二絶縁層は、熱伝導度が低い低熱伝導度絶縁層を少なくとも有しており、
前記第一絶縁層は、前記低熱伝導度絶縁層を有することなく、前記低熱伝導度絶縁層よりも熱伝導度が高い高熱伝導度絶縁層を有している
請求項1〜3のいずれか1項に記載の蓄電素子。 - 前記第一絶縁層は、前記高熱伝導度絶縁層であり、
前記第二絶縁層は、前記低熱伝導度絶縁層である
請求項4に記載の蓄電素子。 - 前記容器本体は、前記容器本体の外面のうちの第一面と第二面とを覆うように、前記高熱伝導度絶縁層が形成されており、
前記第二面に形成された前記高熱伝導度絶縁層上には、さらに前記低熱伝導度絶縁層が形成されており、
前記第一絶縁層は、前記第一面に形成された前記高熱伝導度絶縁層であり、
前記第二絶縁層は、前記第二面に形成された前記高熱伝導度絶縁層及び前記低熱伝導度絶縁層である
請求項4に記載の蓄電素子。 - 前記第一絶縁層は、前記容器本体の底面に形成されており、
前記第二絶縁層は、前記容器本体の側面に形成されている
請求項1〜6のいずれか1項に記載の蓄電素子。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載の第一絶縁層と第二絶縁層とが形成された容器を有する蓄電素子を複数備え、
前記複数の蓄電素子は、前記第二絶縁層同士が対向するように配置されるとともに、前記第一絶縁層が冷却手段と対向する位置に配置されている
蓄電モジュール。
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