JP6486906B2 - ウェハ電流コレクタを備えた充電電池及びアセンブリ方法 - Google Patents
ウェハ電流コレクタを備えた充電電池及びアセンブリ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6486906B2 JP6486906B2 JP2016515119A JP2016515119A JP6486906B2 JP 6486906 B2 JP6486906 B2 JP 6486906B2 JP 2016515119 A JP2016515119 A JP 2016515119A JP 2016515119 A JP2016515119 A JP 2016515119A JP 6486906 B2 JP6486906 B2 JP 6486906B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon wafer
- conductive silicon
- mechanical support
- active material
- polarity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 93
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 93
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 60
- 239000011149 active material Substances 0.000 claims description 54
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 33
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 14
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims description 8
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 4
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 4
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 claims description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 75
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 24
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 7
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000004146 energy storage Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000007774 positive electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000978 Pb alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N nickel silicon Chemical compound [Si].[Ni] PEUPIGGLJVUNEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- -1 tetrafluoroborate Chemical compound 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N acrylonitrile butadiene styrene Chemical compound C=CC=C.C=CC#N.C=CC1=CC=CC=C1 XECAHXYUAAWDEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004676 acrylonitrile butadiene styrene Substances 0.000 description 2
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N dioxolead Chemical compound O=[Pb]=O YADSGOSSYOOKMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229920001684 low density polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004702 low-density polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 235000011837 pasties Nutrition 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004166 TaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0404—Methods of deposition of the material by coating on electrode collectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4875—Connection or disconnection of other leads to or from bases or plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/04—Construction or manufacture in general
- H01M10/0413—Large-sized flat cells or batteries for motive or stationary systems with plate-like electrodes
- H01M10/0418—Large-sized flat cells or batteries for motive or stationary systems with plate-like electrodes with bipolar electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
- H01M10/06—Lead-acid accumulators
- H01M10/18—Lead-acid accumulators with bipolar electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/04—Processes of manufacture in general
- H01M4/0402—Methods of deposition of the material
- H01M4/0416—Methods of deposition of the material involving impregnation with a solution, dispersion, paste or dry powder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/14—Electrodes for lead-acid accumulators
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/665—Composites
- H01M4/667—Composites in the form of layers, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
- H01M4/00—Electrodes
- H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
- H01M4/64—Carriers or collectors
- H01M4/66—Selection of materials
- H01M4/68—Selection of materials for use in lead-acid accumulators
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
- Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
- Secondary Cells (AREA)
- Cell Separators (AREA)
Description
ウェハを約500〜約660°Cで焼きなますことで、表面上にニッケルシリサイド(NiSi)が形成される。図4に示す顕微鏡写真の例示において、NiSi層の厚さは約150nmである。ニッケルシリサイドとシリコンとの間の不鮮明な界面は図4で観察することができ、界面における抵抗接点の形成が示される。幾つかの実施形態では、チタニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、及び、その組み合わせ等の金属も高温焼きなましの際にシリコン表面と低抵抗性シリサイドを形成するために使用され得る。
本開示の非制限的な実施例それぞれは、単体でもよく、或いは、一つ以上の他の実施例と様々な順列又は組み合わせで組み合わされてもよい。
本明細書では、特許文献で一般に用いられるように、「少なくとも一つ」又は「一つ以上」の全ての他の場合又は使用法とは無関係に、一つ或いは一つより多くを含む場合には「一つ」が使用される。本明細書では、「又は」といった用語は、非制限的であり、特に説明しない限り「A」又は「B」は、「AであるがBでない」、「BであるがAでない」及び、「A及びB」を含むよう使用される。本明細書では、「含む」及び「〜の場合」といった用語は、「有する」及び「そこで」といった対応する用語の分かりやすい英語の等価物として使用される。更には、添付の特許請求の範囲の請求項において、「含む」及び「有する」といった用語には制約がなく、つまり、請求項の当該用語の後に列挙される要素の他に要素を含むシステム、装置、物品、構成、形成、又は、プロセスも請求項の範囲内にあると考えられる。添付の特許請求の範囲では、「第1」「第2」、及び、「第3」等といった用語は、ラベルとして使用されているに過ぎず、その対象物に数的要件を課すことは意図されていない。
Claims (25)
- バイポーラ鉛酸電池板である第1の電池板を備える装置であって、前記第1の電池板が、
導電性シリコンウェハと、
前記導電性シリコンウェハの第1の側に位置する、グリッド構造または一列に並んだ構造を有する第1の機械的支持部と、
前記導電性シリコンウェハの第1の側及び前記第1の機械的支持部に接着され、第1の極性を有する第1の活物質と、
前記第1の側と反対側の前記導電性シリコンウェハの第2の側に位置する、グリッド構造または一列に並んだ構造を有する第2の機械的支持部と、
前記導電性シリコンウェハの第2の側及び前記第2の機械的支持部に接着され、前記第1の極性と反対の第2の極性を有する第2の活物質とを含み、前記導電性シリコンウェハが前記導電性シリコンウェハのバルクと前記第1の活物質との間の第1のシリサイドを含む、装置。 - 前記導電性シリコンウェハが前記導電性シリコンウェハのバルクと前記第2の活物質との間の第2のシリサイドを含む、請求項1記載の装置。
- 前記第1及び第2のシリサイドは互いに異なる材料を含む、請求項2記載の装置。
- 前記第1の電池板と第2のバイポーラ電池板とを収容するように構成された筐体と、
第1の極性を有する前記第1の電池板の表面と、第2の極性を有する前記第2のバイポーラ電池板の表面との間の領域に位置する電解液とを備える請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載の装置。 - 前記領域における前記電解液は、前記筐体内において他の電解液を含む領域からシールされている、請求項4記載の装置。
- 前記第1の機械的支持部は、一列に並んだ構造を有する、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の機械的支持部がグリッド構造を有する、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の装置。
- 前記導電性シリコンウェハが、前記第1の活物質と前記第1のシリサイドとの間に位置する第1の接着層を含む、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の接着層が鉛を含む、請求項8記載の装置。
- 前記導電性シリコンウェハがn型にドープされる、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の装置。
- 前記導電性シリコンウェハが単結晶又は多結晶である、請求項1〜5のうちのいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の電池板と前記第2のバイポーラ電池板との間に位置するセパレータを備える請求項4記載の装置。
- 前記セパレータが吸収ガラスマットを含む、請求項12記載の装置。
- バイポーラ鉛酸電池板を提供する方法であって、
導電性シリコンウェハを形成すること、
グリッド構造または一列に並んだ構造を有する第1の機械的支持部を形成すること、
前記第1の機械的支持部に第1の極性を有する第1の活物質を塗布すること、
前記第1の活物質を含む前記第1の機械的支持部を前記導電性シリコンウェハに接着して電池板を提供することを備え、
前記導電性シリコンウェハを形成することが、前記導電性シリコンウェハの第1の表面に第1のシリサイド層を形成することを含み、
前記第1の機械的支持部が鉛とプラスチックの少なくとも一方を含む、方法。 - バイポーラ鉛酸電池板を提供する方法であって、
導電性シリコンウェハを形成すること、
グリッド構造または一列に並んだ構造を有する第1の機械的支持部を形成すること、
前記第1の機械的支持部に第1の極性を有する第1の活物質を塗布すること、
グリッド構造または一列に並んだ構造を有する第2の機械的支持部を形成すること、
前記第2の機械的支持部に第2の活物質を塗布すること、
前記第1及び第2の活物質を含む前記第1及び第2の機械的支持部を前記導電性シリコンウェハに接着してバイポーラ電池板を提供することを備え、
前記導電性シリコンウェハを形成することが、前記導電性シリコンウェハの第1の表面に第1のシリサイド層を形成することを含む、方法。 - 前記導電性シリコンウェハを形成することは、前記導電性シリコンウェハの第2の表面に第2のシリサイド層を形成することを備える、請求項15記載の方法。
- 前記第1及び第2の機械的支持部はプラスチックを含む、請求項1記載の装置。
- 前記第1及び第2の機械的支持部は鉛を含む、請求項1記載の装置。
- 前記第1及び第2の機械的支持部はプラスチックを含む、請求項15記載の方法。
- 前記第1及び第2の機械的支持部は鉛を含む、請求項15記載の方法。
- 第1の電池板を備える装置であって、前記第1の電池板が、
導電性シリコンウェハと、
前記導電性シリコンウェハの第1の側の上にパターン化された第1の機械的支持部と、
前記導電性シリコンウェハの第1の側及び前記第1の機械的支持部に接着され、第1の極性を有する第1の活物質と、
前記第1の側と反対側の前記導電性シリコンウェハの第2の側の上にパターン化された第2の機械的支持部と、
前記導電性シリコンウェハの第2の側及び前記第2の機械的支持部に接着され、前記第1の極性と反対の第2の極性を有する第2の活物質とを含み、前記導電性シリコンウェハが前記導電性シリコンウェハのバルクと前記第1の活物質との間の第1のシリサイドを含む、装置。 - 前記第1の機械的支持部および前記第2の機械的支持部のうちの少なくとも一方は、一列に並んだ構造を有する、請求項21に記載の装置。
- 前記第1の機械的支持部および前記第2の機械的支持部のうちの少なくとも一方は、グリッド構造を有する、請求項21に記載の装置。
- 前記第1の機械的支持部および前記第2の機械的支持部のうちの少なくとも一方は、メサアレイパターン又はバンプアレイパターンを有する、請求項21に記載の装置。
- 前記第1の機械的支持部および前記第2の機械的支持部のうちの少なくとも一方は、はんだペーストを含む、請求項21に記載の装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361826831P | 2013-05-23 | 2013-05-23 | |
US61/826,831 | 2013-05-23 | ||
PCT/US2014/039379 WO2014190282A1 (en) | 2013-05-23 | 2014-05-23 | Rechargeable battery with wafer current collector and assembly method |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016522972A JP2016522972A (ja) | 2016-08-04 |
JP2016522972A5 JP2016522972A5 (ja) | 2017-07-06 |
JP6486906B2 true JP6486906B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=51022443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016515119A Active JP6486906B2 (ja) | 2013-05-23 | 2014-05-23 | ウェハ電流コレクタを備えた充電電池及びアセンブリ方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9812713B2 (ja) |
EP (1) | EP3000143B1 (ja) |
JP (1) | JP6486906B2 (ja) |
KR (1) | KR101792625B1 (ja) |
CN (1) | CN105594021B (ja) |
AU (1) | AU2014268373B2 (ja) |
CA (1) | CA2913059C (ja) |
ES (1) | ES2845905T3 (ja) |
WO (1) | WO2014190282A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6486906B2 (ja) | 2013-05-23 | 2019-03-20 | グリッドテンシャル エナジー インコーポレイテッドGridtential Energy,Inc. | ウェハ電流コレクタを備えた充電電池及びアセンブリ方法 |
CN106463710B (zh) | 2014-04-25 | 2021-01-05 | 南达科他州评议委员会 | 高容量电极 |
DE102015203101B4 (de) * | 2015-02-20 | 2017-07-27 | Technische Universität Dresden | Batteriezellenaufbau mit dauerhaft voneinander getrennten Elektrodenräumen |
CN108140907B (zh) * | 2015-07-15 | 2021-07-09 | 格雷腾能源有限公司 | 双极电池密封和导热肋构造 |
JP6754111B2 (ja) * | 2016-03-29 | 2020-09-09 | 均 桝谷 | 積層型蓄電池及びこれを用いた蓄電池システム |
WO2018161075A1 (en) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | East Penn Manufacturing Co., Inc. | Bipolar battery and plate |
EP3703936A4 (en) * | 2017-10-31 | 2020-12-09 | Gridtential Energy, Inc. | BIPOLAR BATTERY PLATE ASSEMBLY AND ASSOCIATED MECHANICAL COUPLING TECHNIQUE |
US10468674B2 (en) | 2018-01-09 | 2019-11-05 | South Dakota Board Of Regents | Layered high capacity electrodes |
CN109818085A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-05-28 | 肇庆理士电源技术有限公司 | 一种铅硅复合双极性电池 |
TWI699034B (zh) * | 2019-03-12 | 2020-07-11 | 美商古登修能源公司 | 雙極性電池極板組件及相關機械耦合技術 |
WO2022164802A1 (en) * | 2021-01-26 | 2022-08-04 | Gridtential Energy, Inc. | Bipolar battery plate and fabrication thereof |
WO2022265916A1 (en) * | 2021-06-14 | 2022-12-22 | Gridtential Energy, Inc. | Conductive current collector for bipolar battery |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3016413A (en) * | 1958-10-10 | 1962-01-09 | Yardney International Corp | Grid for battery electrodes |
US3819412A (en) | 1972-02-07 | 1974-06-25 | Tyco Laboratories Inc | Plates for lead acid batteries |
US5035966A (en) * | 1988-12-09 | 1991-07-30 | Japan Storage Battery Co., Ltd. | Sealed lead-acid battery |
JP3012740B2 (ja) | 1992-07-29 | 2000-02-28 | 株式会社ゼクセル | 車両用空調装置の制御装置 |
US5800946A (en) * | 1996-12-06 | 1998-09-01 | Grosvenor; Victor L. | Bipolar lead-acid battery plates |
US6432577B1 (en) * | 2000-06-29 | 2002-08-13 | Sandia Corporation | Apparatus and method for fabricating a microbattery |
JP4613550B2 (ja) * | 2004-08-26 | 2011-01-19 | 新神戸電機株式会社 | 鉛蓄電池集電体及び鉛蓄電池 |
US7951510B2 (en) | 2004-11-11 | 2011-05-31 | GM Global Technology Operations LLC | Electroconductive polymer coating on electroconductive elements in a fuel cell |
JP2007335206A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Nissan Motor Co Ltd | 双極型電池 |
WO2008059529A1 (en) * | 2006-11-15 | 2008-05-22 | Luminous Power Technologies Pvt Ltd | Bipolar battery |
KR100979118B1 (ko) | 2007-06-29 | 2010-08-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그의 레이아웃 방법 |
KR100923237B1 (ko) * | 2007-07-30 | 2009-10-27 | 연세대학교 산학협력단 | 실리콘 기판 상에 게르마늄 메사 구조를 형성하는 방법 |
BRPI0917697A2 (pt) | 2008-08-14 | 2017-07-11 | Aic Blab Company | Método para redução da migração de um eletrólito em uma bateria bipolar de chumbo ácido, bateria bipolar de chumbo ácido. |
US20120183847A1 (en) | 2009-05-19 | 2012-07-19 | Aic Blab | Composite current collector and methods therefor |
US9184471B2 (en) | 2010-03-05 | 2015-11-10 | East Penn Manufacturing Co. | Light-weight bipolar valve regulated lead acid batteries and methods therefor |
US8128262B2 (en) * | 2010-03-30 | 2012-03-06 | Abl Ip Holdings Llc | Lighting applications with light transmissive optic contoured to produce tailored light output distribution |
JP2012004068A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Nissan Motor Co Ltd | 電極の製造方法、電極構造および電池 |
DK2668683T3 (en) | 2011-05-11 | 2016-03-07 | Gridtential Energy Inc | Improved battery and assembly process |
JP6486906B2 (ja) | 2013-05-23 | 2019-03-20 | グリッドテンシャル エナジー インコーポレイテッドGridtential Energy,Inc. | ウェハ電流コレクタを備えた充電電池及びアセンブリ方法 |
KR20160002487A (ko) | 2014-06-30 | 2016-01-08 | 전자부품연구원 | 관제 시스템 및 이에 적용되는 물류 수단 |
-
2014
- 2014-05-23 JP JP2016515119A patent/JP6486906B2/ja active Active
- 2014-05-23 CN CN201480040601.3A patent/CN105594021B/zh active Active
- 2014-05-23 AU AU2014268373A patent/AU2014268373B2/en active Active
- 2014-05-23 US US14/286,523 patent/US9812713B2/en active Active
- 2014-05-23 CA CA2913059A patent/CA2913059C/en active Active
- 2014-05-23 KR KR1020157036444A patent/KR101792625B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-23 EP EP14733438.7A patent/EP3000143B1/en active Active
- 2014-05-23 ES ES14733438T patent/ES2845905T3/es active Active
- 2014-05-23 WO PCT/US2014/039379 patent/WO2014190282A1/en active Application Filing
-
2017
- 2017-10-25 US US15/793,277 patent/US10044042B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3000143B1 (en) | 2020-12-16 |
US9812713B2 (en) | 2017-11-07 |
JP2016522972A (ja) | 2016-08-04 |
CA2913059A1 (en) | 2014-11-27 |
US20140349172A1 (en) | 2014-11-27 |
AU2014268373B2 (en) | 2017-06-15 |
US10044042B2 (en) | 2018-08-07 |
CN105594021A (zh) | 2016-05-18 |
CA2913059C (en) | 2020-07-14 |
CN105594021B (zh) | 2019-07-09 |
WO2014190282A1 (en) | 2014-11-27 |
ES2845905T3 (es) | 2021-07-28 |
US20180047992A1 (en) | 2018-02-15 |
KR101792625B1 (ko) | 2017-11-02 |
EP3000143A1 (en) | 2016-03-30 |
KR20160024876A (ko) | 2016-03-07 |
AU2014268373A1 (en) | 2016-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6486906B2 (ja) | ウェハ電流コレクタを備えた充電電池及びアセンブリ方法 | |
US10256500B2 (en) | Three-dimensional batteries and methods of manufacturing the same | |
JP2022125047A (ja) | 電極構造体、電極積層体及び二次電池 | |
CN108140907B (zh) | 双极电池密封和导热肋构造 | |
US8597722B2 (en) | Method for manufacture and structure of multiple electrochemistries and energy gathering components within a unified structure | |
EP2186150B1 (en) | Method | |
WO2015103304A1 (en) | Bipolar hybrid energy storage device | |
US9123954B2 (en) | Three-dimensional microbattery having a porous silicon anode | |
TWI594444B (zh) | 太陽能電池及背接觸式太陽能電池 | |
US8192788B1 (en) | Single step current collector deposition process for energy storage devices | |
US10090515B2 (en) | Bipolar hybrid energy storage device | |
EP2162943A1 (en) | Solid-state battery and method for manufacturing of such a solid-state battery | |
US20120115026A1 (en) | Negative electrode structure for non-aqueous lithium secondary battery | |
US10008713B2 (en) | Current collector for lead acid battery | |
WO2008149272A1 (en) | Solid-state battery and method for manufacturing of such a solid-state battery | |
WO2015127081A1 (en) | Current collector for lead acid battery | |
US10403901B2 (en) | Silicon current collector for lead acid battery | |
JP7319114B2 (ja) | 薄膜型全固体電池、電子機器、および薄膜型全固体電池の製造方法 | |
WO2022265916A1 (en) | Conductive current collector for bipolar battery |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170523 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170523 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6486906 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |