JP6471322B2 - 洗浄装置 - Google Patents
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Description
本発明は、表面積が25.8064ｃｍ2未満の基板の洗浄装置に関する。
近年、シリコン（Si）半導体用基板は大型化が進んでおり、直径が300ｍｍ（約12インチ）又は450ｍｍ（約18インチ）の基板が主流になりつつある。基板の大型化により半導体デバイス製造の高スループット化が可能となるが、半導体デバイスの製造装置も基板の直径に合わせて巨大化し、製造装置の占有面積が大きくなっている。その結果、製造装置内部のクリーン度を保つために、大きなエネルギーが必要とされている。製造装置の動作の点では小型の半導体用基板の方が、製造装置の低コスト化、省エネルギー化、及び省スペース化の点で優れる。即ち、大量生産が求められない半導体デバイスでは、小型の基板を用いた方が生産に有利である。
次世代のパワー半導体デバイスの基板材料である窒化ガリウム（GaN）、炭化硅素（SiC）、ダイヤモンド基板は、シリコン基板と比べて半導体デバイスの大量生産が必要とされていないため、小型基板での半導体デバイスの製造の方が好ましい。次世代の基板材料を用いることで、従来のシリコン系パワー半導体デバイスと比べて半導体デバイスの高耐圧化、高速化が可能となる。しかし次世代基板材料を用いたパワー半導体デバイスは需要こそあるものの、その使用量はシリコン系パワー半導体デバイスの使用量には及ばない。このような背景により、次世代基板材料を用いたパワー半導体デバイス製造は、小型基板での製造の方が好ましいと言える。
また、GaN、SiC、ダイヤモンドと云った基板では半導体結晶の成長が高温高圧下でなされるため、大型基板の製造においてはその結晶成長の雰囲気を制御することが難しい。更に、GaNやダイヤモンド製の基板は、別途下地基板上でのヘテロエピタキシャル成長による基板製造が検討されており、基板が大型になると下地基板との格子定数差や熱膨張係数差に起因する、基板の反り又はクラックが起こり易くなる。従って、GaN、SiC、ダイヤモンドと云った材料の大型基板を製造することは技術的に困難である。このような背景に基づくと、GaN、SiC、ダイヤモンドと云った基板材料においては、小型基板用の半導体製造装置の方が有利である。
小型基板用の半導体製造装置における各種工程毎の装置の中で、直径２インチ未満の小型半導体用基板を高い清浄度で洗浄出来る小型洗浄装置はこれまで開発されていなかった。その理由は、基板の清浄能力を保ちつつ洗浄装置を小さくすることが難しかった為である。
洗浄装置の体積に関して、市販の洗浄装置の体積（ｍ3）と基板の直径との関係を、図７に示す。現在の洗浄装置は、直径12インチや18インチのシリコン製半導体用基板向けの洗浄装置が多く製造されている。直径２インチの基板を洗浄する装置も販売されているが、直径２インチから６インチの基板まで同じ装置で洗浄できるように開発されており、その装置の占有面積は1.0ｍ3以上となり大きい。シリコン製半導体用基板では、直径２インチ未満の基板の洗浄装置の需要が殆ど無いため、直径２インチ未満の基板専用に洗浄装置が小型化され且つ高い清浄度を達成する洗浄装置は開発されていない。
直径２インチ未満の基板用の洗浄装置として、例えば直径0.85インチのハードディスク用基板の洗浄装置が開発されている（例えば、特許文献１参照）。図７より、ハードディスク用の洗浄装置は約1.0ｍ3付近まで小型化されているが、ハードディスクにおいては半導体用基板ほど高い基板清浄度は必要とされておらず、やはり高い清浄度を有する装置は開発されていない。直径２インチ未満の基板で高い清浄度が達成されない理由として、基板が小型になるほど乾燥工程が難しくなることが挙げられる。
半導体用基板の洗浄後の乾燥は、スピン乾燥が多く用いられており、同一のチャック装置により半導体用基板の洗浄及び乾燥が行われている。しかしながら、半導体用基板の直径が小さくなるほど遠心力は弱くなるため、小型な半導体用基板で高性能の洗浄及び乾燥を行うことは難しい（図８参照）。従って、直径２インチ未満の小型半導体用基板の乾燥機構には専用の機構を付加する必要が発生し、洗浄と乾燥を同じ機構で行うことが難しくなる。その結果、洗浄と乾燥を別々の機構で行うことになり、機構の増加により洗浄装置の体積増加を引き起こしてしまう。
現状、大型の半導体用基板が多く用いられているが、大量生産が必要とされていないGaN、SiC、ダイヤモンドなどの半導体用基板を用いた半導体デバイスの製造においては、小型（例えば、表面積が25.8064ｃｍ2未満である一辺が２インチ未満の寸法）基板でも市場の需要に対して十分な半導体デバイス生産量を達成出来る。またこれらの基板材料においては小型の半導体用基板の方が、基板製造が容易になるとの利点がある。更に、小型半導体用基板を用いることにより、半導体デバイス製造装置の小型化が可能となる。
しかし、小型の半導体用基板の洗浄装置で、洗浄装置の1.0ｍ3未満までの小型化と高い洗浄能力を同時に達成できる洗浄装置が開発されていなかった。その理由は、小型基板が従来の乾燥工程では遠心力が不十分となり、基板を乾燥できないためである。その結果、特殊な乾燥機構が必要となり、一つのチャック装置で洗浄と乾燥の両工程を実施することができず別々の機構が必要となる為、洗浄装置の体積増大を招いていた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、小型の基板の洗浄と乾燥の両工程を行うことが可能であり、且つ体積の増大を防止した洗浄装置の提供を課題とする。
更に、小型の基板であっても、乾燥工程時に充分な遠心力を加えて基板の乾燥を行うことが可能であり、高い基板清浄度が達成される洗浄装置の提供を課題とする。
前記課題は、以下の本発明により達成される。即ち本発明の洗浄装置は、表面積が25.8064ｃｍ2未満の基板を洗浄及び乾燥する１つのチャック装置を備え、更にチャック装置を回転する回転機構を備え、回転機構の中心位置に回転軸を備え、基板の洗浄時にチャック装置が回転軸上に基板を載置しており、基板の乾燥時に回転機構によりチャック装置が回転軸を介して回転され、その回転時の遠心力で基板が回転中心から離れる事で、回転軸の軸心に対して基板を偏心して配置し、151ｇ以上の遠心力を基板に加えると共に、遠心力により回転中心から離れた基板を受け止めるためのガイドがチャック装置に備えられ、ガイドにより基板を保持して、基板を偏心によりスピン乾燥させることを特徴とする。
更に本発明の洗浄装置の一実施形態は、洗浄装置の外形の体積が1.0ｍ3未満であることが好ましい。
本発明に係る基板の洗浄装置に依れば、表面積が25.8064ｃｍ2未満の基板の洗浄と乾燥の両工程を一つのチャック装置で行うことが可能となる。従って、表面積が25.8064ｃｍ2未満である小型の半導体用基板の洗浄装置の体積増大を防止することが可能となる。
更に具体的な装置体積として、体積を1.0ｍ3未満に抑えることで洗浄装置の小型化を可能とした。
更に本発明に係る基板の洗浄装置に依れば、表面積が25.8064ｃｍ2未満という小型の基板にも、151ｇ以上という充分な遠心力を付与して基板を乾燥させることが可能となった。よって、表面積25.8064ｃｍ2未満の小型基板であっても、高い基板清浄度が達成される洗浄装置の提供が可能となる。
以下、図１〜図３を参照して、本発明に係る第１の実施形態の洗浄装置１を詳細に説明する。第１の実施形態の洗浄装置１は図１〜図３に示すように、半導体用の基板２を洗浄及び乾燥するための１つのチャック装置３を備えている。
洗浄装置１で洗浄される基板２の平面方向の形状は特に限定されず、例えば方形状や円形状、又はオリフラ面（オリエンテーションフラット面）が設けられた円形状が挙げられる。
基板２の平面方向の形状が円形状、又はオリフラ面が設けられた円形状の場合、直径は２インチ（約50.8ｍｍ）未満の、比較的小型の基板をワークとする。一方、基板２の平面方向の形状が方形状の場合、一辺が２インチ未満の基板をワークとする。従って、ワークとなる基板２の表面積は、大きくとも25.8064ｃｍ2未満である。
また、基板２の厚みは任意に設定可能であるが、自立した基板として3.0ｍｍ以下であることが好ましく、半導体素子や半導体デバイスの製造ラインに用いるためには1.5ｍｍ以下であることがより好ましく、1.0ｍｍ以下が更に好ましい。一方、厚みの下限値は特に限定されないが、基板２の剛性を確保して亀裂や断裂またはクラックの発生を防止するとの観点から、0.05ｍｍ以上であることが好ましく、0.3ｍｍ以上であることがより好ましい。
ここで本発明における「自立した基板」又は「自立基板」とは、自らの形状を保持できるだけでなく、ハンドリングに不都合が生じない程度の強度を有する基板を指す。このような強度を有するためには、厚みは0.3ｍｍ以上とするのが好ましい。
更に本発明では、ワークとなる基板２の材料は、窒化ガリウム（GaN）、炭化硅素（SiC）、ダイヤモンド、ヒ化ガリウム（GaAs）、シリコン、又はサファイヤから選択される少なくとも何れか一種である。これら材料の中でも例えばダイヤモンドは極めて硬い材料なので、半導体素子や半導体デバイス形成後の劈開の容易性等を考慮すると、自立基板としての厚みの上限は3.0ｍｍ以下が好ましい。なお、半導体素子や半導体デバイス用途として最も使用頻度が高く、且つ自立した基板の厚みとして、厚みは0.5ｍｍ以上0.7ｍｍ以下（500μｍ以上700μｍ以下）が最も好ましい。
基板２の表面（チャック装置３に保持されていない面）には、洗浄及び乾燥工程の前に、ラッピング、研磨、又はCMP（Chemical Mechanical Polishing）加工が施される。一方、基板２の裏面（チャック装置３に保持されている面）には、ラッピング且つ／又は研磨が施される。表面の加工は、主に平坦な基板形状を達成するために施され、裏面の加工は、主に所望の厚みを達成するために施される。更に表面の表面粗さRaは、半導体素子や半導体デバイス形成が可能な程度が望ましいので、１ｎｍ未満に形成することが好ましく、より好ましくは、原子レベルで平坦となる0.1ｎｍ以下に形成することである。Raの測定は、表面粗さ測定機により行えば良い。
チャック装置３は、チャック装置３を回転する回転機構４である円盤台の面上に、軸10を介して固定されている。軸10はチャック装置３が回転可能なように軸支している。チャック装置３は真空チャックであり、基板２を真空で吸着して保持する。なお、チャック装置３はポリテトラフルオロエチレン、塩化ビニル、セラミック、ポリエーテルエーテルケトン樹脂等で作製されることが、基板２への金属汚染防止という点から好ましい。
更に、チャック装置３が固定されている側の他方の面側には、円盤台を回転させる回転軸５を備えている。回転軸５は円盤台の中心位置に固定されている。よって、チャック装置３が基板２を回転させる回転軸５を備えることとなる。その回転軸５の軸心に対して基板２を偏心して配置し、乾燥工程を行う。図１及び図２では、基板２の洗浄時にチャック装置３が基板２を載置していることになる。
洗浄前の基板２の表面上には、異物（パーティクル（微小汚物））が残留しているので、図２に示すようにブラシ洗浄によって基板２の表面上から異物を排除する。他には、基板２に洗浄液やリンス液を介して超音波振動を付与して基板２上から異物の排除を図る超音波洗浄や、流水洗浄を採用しても良い。基板２に均一な洗浄を施すために、円盤台は回転している方が好ましい。
洗浄に用いるブラシは、図２に示すロール形のブラシ７か、又はディスク形の何れかを用いることが可能であり、ブラシの材質としてはPVAスポンジ、ナイロン毛、馬毛、ポリエチレン毛、フロロカーボン毛、又はリス毛が好適である。基板２及びチャック装置３へのブラシ７の当たり方としては、基板２ごとチャック装置３の全面に当てても良いし、基板２の表面だけに当てても良い。
一方、超音波洗浄の場合、超音波振動の帯域は、20ｋＨｚ以上が好ましく、78ｋ〜430ｋＨｚ／20ｋ〜400ｋＨｚ、及び500ｋ〜5ＭＨｚ／700ｋ〜４ＭＨｚの高周波超音波の何れかを用いることが更に好ましい。
洗浄液は、基板２の材料及び異物の材料に応じて適宜最適な洗浄液を用いれば良く、一例として酸化物の除去にはフッ酸（HF）、有機物の除去にはアンモニア（NH4OH）と過酸化水素（H2O2）の混合液、金属の除去には塩酸（HC1）と過酸化水素の混合液を用いれば良い。これらの何れかの洗浄液を用いた除去工程でも、除去後は超純水でリンスを行う。更に、洗浄液の温度、粘度、濃度、混合比、流量または圧力等は、各除去工程に応じて適宜調整する。
以上の洗浄工程の後に、基板２の表面上のリンス液をスピン乾燥により遠心力で飛ばし、基板２を乾燥させる。図３の洗浄装置１では、チャック装置３及び回転機構４である円盤台を回転する図示しないモータを更に備え、モータにより円盤台及びチャック装置３が回転軸５を介して回転される。円盤台は回転軸５を中心に自転する。円盤台が自転する際に、その回転時の遠心力で軸10の周りでチャック装置３が振れ回り、基板２が回転機構４の回転中心から離れ、円盤台の外側へと移動する。遠心力により回転中心から離れた基板２を受け止めるためのガイド６がチャック装置３に備えられており、そのガイド６により基板２を保持して、基板２を偏心によりスピン乾燥させる。
モータは、10000ｒｐｍ以下の回転数で回転機構４を回転させる。その回転により、チャック装置３も回転されて偏心し、保持されている基板２に遠心力が加わる。その遠心力の作用により基板２表面のリンス液が飛ばされて、徐々に基板２が乾燥されて行く。
洗浄装置１において、基板２に加わる遠心力の大きさは、円盤台の回転数の二乗と、円盤台の回転中心から基板２の中心までの距離の積に従う。
洗浄装置１では基板２の乾燥時に、151ｇ以上の遠心力が基板２に加わる。回転機構４の回転による遠心力でチャック装置３が回転機構４の回転中心から離れることで、基板２を回転軸５から偏心させ、基板２に151ｇ以上という大きな遠心力を加えることが可能となる。この遠心力により、基板２表面上に残存する異物をより確実に除去することが出来る。
遠心力は前記の通り、円盤台の回転数の二乗と、円盤台の回転中心から基板２の中心までの距離の積に従う。本出願人は前記回転数と前記距離の関係を調査した結果、151ｇ以上の遠心力を基板２に与えることが、基板２の乾燥に有効であることを見出した。その結果を実験１及び実験２として表１に示す。また、比較例として同一サイズの基板を、円盤台の回転中心から偏心させず（即ち距離が０ｍｍ）、基板に遠心力を加えない場合の結果を実験３として記載する。
予め定めた所定時間モータを駆動させた後、モータを停止して回転機構４を止め、基板２を取り外す。取り外した基板２の表面上にリンス液の水滴が無いことを確認し、乾燥工程を終了する。また遠心力を加えない場合は、リンス液の水滴が残存していることを確認した。
洗浄装置１における洗浄及び乾燥機構の一例における詳細な機構は、チャック装置３、基板真空吸着のためのチューブ、真空ポンプ、前記何れかの洗浄機構（ブラシ、超音波発生機構）、洗浄液供給チューブ及び洗浄液タンク、リンス液供給チューブ及びリンス液タンク、流量計、円盤台の回転用のモータ、から構成される。これら機構を含めた寸法は最大で幅0.4ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、占有体積は0.4ｍ3である。また、洗浄及び乾燥以外を実施する機構（装置制御系、基板搬送系、洗浄室内のクリーン度を保つ機構）は幅0.3ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、空間体積として0.3ｍ3を必要とする。従って洗浄装置１における機構の合計体積は0.7ｍ3となる。よって洗浄装置１の外形の体積を1.0ｍ3未満に収め、洗浄装置の小型化が可能となる。
洗浄装置の外形体積の比較例として、洗浄工程と乾燥工程を別々の機構とした場合に、最小でもどれほどの洗浄装置外形の体積が必要となるかを示す。この場合、洗浄機構は、チャック装置、基板真空吸着のためのチューブ、真空ポンプ、前記何れかの洗浄機構（ブラシ、超音波発生機構）、洗浄液供給チューブ及び洗浄液タンク、リンス液供給チューブ及びリンス液タンク、流量計、円盤台の回転用のモータ、から構成される。これら機構を含めた寸法は最大で幅0.4ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、占有体積は0.4ｍ3である。更に、別途必要となる乾燥機構は、チャック装置、基板真空吸着のためのチューブ、真空ポンプ、円盤台の回転用のモータから構成され、これら機構を含めた寸法は幅0.2ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、占有体積は0.2ｍ3である。更に、洗浄工程から乾燥工程に基板を搬送するための搬送機構も必要となる。装置制御系、基板搬送系、洗浄室内のクリーン度を保つ機構のために幅0.5ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、空間体積として0.5ｍ3を必要とする。従って、洗浄装置外形の合計の体積は1.1ｍ3となり、1.0ｍ3以上まで増大してしまう。
以上、洗浄装置１に依れば、表面積が25.8064ｃｍ2未満の基板２の洗浄と乾燥の両工程を一つのチャック装置３で行うことが可能となる。従って、洗浄装置１の体積増大を防止することが出来る。
更に洗浄装置１に依れば、回転軸５の軸心に対して基板２を偏心して配置し、更に回転機構４の回転による遠心力でチャック装置３が回転機構４の回転中心から離れることで、表面積が25.8064ｃｍ2未満という小型の基板２にも151ｇ以上という充分な遠心力を付与して基板２を乾燥させることが出来る。よって、表面積25.8064ｃｍ2未満の小型基板であっても、高い基板清浄度が達成される洗浄装置の提供が可能となる。更にガイド６を設けることで、遠心力が加わった時の基板２のチャック装置３からの脱落を防止出来る。
次に、図４〜図６を参照して、本発明に係る第２の実施形態の洗浄装置８を、詳細に説明する。なお、前記第１の実施形態の洗浄装置１と同一箇所には同一番号を付し、重複する説明は省略又は簡略化して記載する。
第２の実施形態の洗浄装置８が前記洗浄装置１と異なる点は、図４に示すように半導体用の基板２を洗浄及び乾燥するための１つのチャック装置が、基板２を真空で吸着して保持する真空チャックを備えた円盤台９と云う点である。
真空チャックは円盤台９の中心以外に備えられており、円盤台９面上の中心位置から等距離の同心円周上に、互いに等間隔をおいて複数配置されている。従って、各真空チャックに保持される各基板２も、同心円周上に等間隔に配置される。図４では、12枚の基板２を30度の角度差で同心円周上に等間隔に配置する実施形態を示している。更に、円盤台９において、基板２が固定されている側の他方の面側には、円盤台９を回転させる回転軸５が円盤台９の中心位置に備えられている。従って、真空チャックにより各基板２を保持することで、基板２を回転軸５の軸心に対して偏心して配置し、その偏心によりスピン乾燥を行うこととなる。確実に基板２表面上のリンス液を飛ばすために、基板２が吸着保持される円盤台９上の箇所は、なるべく円盤台９の外周が望ましい。
なお、チャック装置である円盤台９はポリテトラフルオロエチレン、塩化ビニル、セラミック、ポリエーテルエーテルケトン樹脂等で作製されることが、基板２への金属汚染防止という点から好ましい。
洗浄に用いるブラシは、図５に示すロール形のブラシ７か、又はディスク形の何れかを用いることが可能である。基板２及び円盤台９へのブラシ７の当たり方としては、基板２ごと円盤台９の全面に当てても良いし、各基板２の表面だけに当てても良い。しかし、円盤台９の全面に当てる方が、複数の基板２を同時に洗浄でき、洗浄工程の効率化という点でより望ましい。
洗浄装置８でも、洗浄工程の後に基板２の表面上のリンス液をスピン乾燥により遠心力で飛ばし、基板２を乾燥させる。図示しないモータにより円盤台９は回転軸５を中心に自転し、その回転時の遠心力で、基板２は偏心によりスピン乾燥される。各基板２は同心円周上に等間隔に配置されているため、回転に伴って発生する遠心力は等しく各基板２に加わる。
洗浄装置８における洗浄及び乾燥機構の一例における詳細な機構は、チャック装置、基板真空吸着のためのチューブ、真空ポンプ、前記何れかの洗浄機構（ブラシ、超音波発生機構）、洗浄液供給チューブ及び洗浄液タンク、リンス液供給チューブ及びリンス液タンク、流量計、円盤台９の回転用のモータ、から構成される。これら機構を含めた寸法は最大で幅0.4ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、占有体積は0.4ｍ3である。また、洗浄及び乾燥以外を実施する機構（装置制御系、基板搬送系、洗浄室内のクリーン度を保つ機構）は幅0.3ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、空間体積として0.3ｍ3を必要とする。従って洗浄装置８における機構の合計体積は0.7ｍ3となる。よって洗浄装置８の外形の体積を1.0ｍ3未満に収め、洗浄装置の小型化が可能となる。
第２の実施形態でも洗浄装置の外形体積の比較例として、洗浄工程と乾燥工程を別々の機構とした場合に、最小でもどれほどの洗浄装置外形の体積が必要となるかを示す。この場合、洗浄機構は、チャック装置、基板真空吸着のためのチューブ、真空ポンプ、前記何れかの洗浄機構（ブラシ、超音波発生機構）、洗浄液供給チューブ及び洗浄液タンク、リンス液供給チューブ及びリンス液タンク、流量計、円盤台の回転用のモータ、から構成される。これら機構を含めた寸法は最大で幅0.4ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、占有体積は0.4ｍ3である。更に、別途必要となる乾燥機構は、チャック装置、基板真空吸着のためのチューブ、真空ポンプ、円盤台の回転用のモータから構成され、これら機構を含めた寸法は幅0.2ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、占有体積は0.2ｍ3である。更に、洗浄工程から乾燥工程に基板を搬送するための搬送機構も必要となる。装置制御系、基板搬送系、洗浄室内のクリーン度を保つ機構のために幅0.5ｍ、奥行0.6ｍ、高さ1.7ｍ、空間体積として0.5ｍ3を必要とする。従って、洗浄装置外形の合計の体積は1.1ｍ3となり、1.0ｍ3以上まで増大してしまう。
以上、洗浄装置８に依れば、表面積が25.8064ｃｍ2未満の基板２の洗浄と乾燥の両工程を一つのチャック装置である円盤台９で行うことが可能となる。従って、洗浄装置８の体積増大を防止することが出来る。
更に洗浄装置８に依れば、回転軸５の軸心に対して基板２を偏心して配置することで、表面積が25.8064ｃｍ2未満という小型の基板２にも151ｇ以上という充分な遠心力を付与して基板２を乾燥させることが出来る。よって、表面積25.8064ｃｍ2未満の小型基板であっても、高い基板清浄度が達成される洗浄装置の提供が可能となる。更に、チャック装置をより簡易化して構成することが出来る。
なお、洗浄装置８はその技術的思想に基づいて種々変更可能であり、例えば基板２を同心円周上に並べなくても良い。但し遠心力の式から鑑みると、基板に加わる遠心力は基板の位置により異なるので、同心円周上の方が好ましい。
また、基板２を同心円周上に並べるが等間隔に配置しなくても良い。この場合でも各基板２には等しい遠心力が加わるため、基板２毎に乾燥のバラつきは生じない。
１、８ 洗浄装置
２ 基板
３ チャック装置
４ 回転機構
５ 回転軸
６ ガイド
７ ブラシ
９ 円盤台
10 軸
２ 基板
３ チャック装置
４ 回転機構
５ 回転軸
６ ガイド
７ ブラシ
９ 円盤台
10 軸
Claims (2)
- 表面積が25.8064ｃｍ2未満の基板を洗浄及び乾燥する１つのチャック装置を備え、
更にチャック装置を回転する回転機構を備え、
回転機構の中心位置に回転軸を備え、
基板の洗浄時にチャック装置が回転軸上に基板を載置しており、基板の乾燥時に回転機構によりチャック装置が回転軸を介して回転され、
その回転時の遠心力で基板が回転中心から離れる事で、回転軸の軸心に対して基板を偏心して配置し、
151ｇ以上の遠心力を基板に加えると共に、遠心力により回転中心から離れた基板を受け止めるためのガイドがチャック装置に備えられ、ガイドにより基板を保持して、基板を偏心によりスピン乾燥させることを特徴とする洗浄装置。 - 前記洗浄装置の外形の体積が1.0ｍ3未満であることを特徴とする請求項１記載の洗浄装置。
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