JP6464900B2 - 電磁接触器 - Google Patents

Description

本発明は、一対の固定接触子とこれら一対の固定接触子に接触する可動接触子とを有する接点機構を消弧室に収納した電磁接触器に関する。

従来、接点機構を消弧室に収納した電磁接触器として、例えば、特許文献１に示すものが知られている。
特許文献１に示す電磁接触器は、一対の固定接触子とこれら一対の固定接触子に接触する可動接触子とを有する接点機構を消弧室内に収納している。
消弧室は、金属筒体と、この金属筒体の内側に配置された絶縁筒体と、金属筒体の上端にその下面が接合されて金属筒体の内部を外部に対して封止する、一対の貫通孔を有する平板状の固定接点支持絶縁基板とを備えている。

そして、一対の固定接触子の各々は、固定接点支持絶縁基板に固定される支持導体部と、可動接触子に接触する接点部とを備えている。ここで、支持導体部は、固定接点支持絶縁基板の貫通孔に挿通される小径部と、この小径部の上端に設けられ、小径部の外方に突出する大径部とを備えている。大径部は、支持導体部における最大外径部であり、その下面が固定接点支持絶縁基板の上面に接合されて、封止された消弧室の外部に露出している。

特開２０１２−２４３５８８号公報

ところで、電磁接触器においては、一対の固定接触子間にかかる電圧等により、一対の固定接触子間の必要な絶縁距離は、ＪＩＳ規格、ＵＬ規格等の規格により定められている。この規格によれば、封止された消弧室の外部は、結露等による絶縁低下が懸念されるため、結露等による絶縁低下の懸念のない、封止された消弧室の内部に比べて絶縁距離が大きく決められている。

ここで、特許文献１に示した電磁接触器における一対の固定接触子においては、支持導体部における最大外径部である大径部が、封止された消弧室の外部に露出している。このため、一対の固定接触子の大径部間の絶縁距離を大きくする必要があるため、一対の固定接触子の中心間距離が必然的に大きくなり、電磁接触器の小型化の妨げとなっていた。
従って、本発明は、上述の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、一対の固定接触子間の中心間距離を小さくして小型化を達成できる電磁接触器を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る電磁接触器は、一対の固定接触子と一対の固定接触子に接触する可動接触子とを有する接点機構を収納する消弧室を備え、消弧室は、金属筒体と、金属筒体の上端にその下面が接合されて金属筒体の内部を外部に対して封止する、一対の貫通孔を有する平板状の固定接点支持絶縁基板とを備え、一対の固定接触子の各々は、固定接点支持絶縁基板に固定される支持導体部と、可動接触子が接触する接点部とを備え、支持導体部は、固定接点支持絶縁基板の貫通孔に挿通される小径部と、小径部から外方に突出する大径部とを備え、大径部は、消弧室の内部に位置する固定接点支持絶縁基板の下面に接合されており、固定接点支持絶縁基板の下面であって貫通孔の周囲及び金属筒体が接触する部位にメタライズ処理が施されていることを要旨とする。

本発明に係る電磁接触器によれば、固定接点支持絶縁基板に固定される各固定接触子の支持導体部における大径部が、消弧室の内部に位置する固定接点支持絶縁基板の下面に接合されているので、一対の固定子接触子間の中心間距離を小さくして小型化を達成できる電磁接触器を提供できる。

本発明の実施形態に係る電磁接触器を示す断面図である。 図１に示す電磁接触器において、固定接点支持絶縁基板、第１固定接触子、第２固定接触子、及び金属筒体を分解して示す斜視図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
本発明の実施形態に係る電磁接触器は、図１及び図２に示されており、電磁接触器１は、接点機構２と、接点機構２を駆動する電磁石ユニット３と、接点機構２を収納する密封された消弧室４とを備えている。
消弧室４は、平面から見て略方形状に形成された金属製の角筒体（金属筒体）５と、この角筒体５の内側に配置された絶縁筒体６と、角筒体５の上端にその下面が接合されて角筒体５の内部を外部に対して封止する平板状の固定接点支持絶縁基板７とを備えている。

この角筒体５は、図１及び図２に示すように、接点機構２の周囲を覆う平面から見て略方形状の側壁部５ａと、側壁部５ａの下端部から外方に突出するフランジ部５ｂとを備えている。固定接点支持絶縁基板７の下面であって角筒体５の側壁部５ａが接触する部位には、図２に示すように、メタライズ処理７ｅが施されている。メタライズ処理７ｅは、固定接点支持絶縁基板７の下面であって側壁部５ａが接触する部位に金属箔（例えば、銅箔、タングステン箔等）を形成する。角筒体５の側壁部５ａは、固定接点支持絶縁基板７の下面であってメタライズ処理７ｅが施された部分にろう付けによって接合される。一方、角筒体５のフランジ部５ｂは、後述する磁気ヨーク８の上面にシール接合される。

また、固定接点支持絶縁基板７は、平面から見て略方形状のセラミック絶縁基板で形成され、左右方向（図１における左右方向）において所定間隔を開けて一対の貫通孔７ａ，７ｂが形成されている。そして、固定接点支持絶縁基板７の下面であって各貫通孔７ａ，７ｂの周囲には、図２に示すように、メタライズ処理７ｃ，７ｄが施されている。メタライズ処理７ｃ，７ｄは、固定接点支持絶縁基板７の下面であって各貫通孔７ａ，７ｂの周囲に金属箔（例えば、銅箔、タングステン箔等）を形成する。

また、接点機構２は、固定接点支持絶縁基板７に固定される一対の固定接触子２１，２４（以下、第１固定接触子２１、第２固定接触子２４と称する）と、これら第１固定接触子２１及び第２固定接触子２４に対して接離可能に配置されている可動接触子２７とを備えている。
ここで、第１固定接触子２１は、固定接点支持絶縁基板７に固定される第１支持導体部２２と、可動接触子２７が接触する第１接点部２３とを備えている。

そして、第１支持導体部２２は、導電性のある銅などからなる金属部材であり、固定接点支持絶縁基板７の貫通孔７ａに挿通される小径部２２ａと、小径部２２ａの下端部に設けられ、小径部２２ａから外方に突出する大径部２２ｂとを備えている。小径部２２ａは、貫通孔７ａに対して所定の隙間を形成するような直径を有する円筒形状体で構成されている。大径部２２ｂは、第１支持導体部２２における最大外径部であり、小径部２２ａの下端から外方に突出するフランジ部２２ｃと、フランジ部２２ｃの外周縁から小径部２２ａと間隔を開けて上方に突出する環状の接合部２２ｄとを備えている。小径部２２ａ及び大径部２２ｂは、それぞれの中心軸が同軸とされている。そして、大径部２２ｂの接合部２２ｄの上端が、消弧室４の内部における固定接点支持絶縁基板７の下面であってメタライズ処理７ｃを施したところにろう付けによって接合されている。

また、第１接点部２３は、導電性のある銅などからなる金属部材であり、固定接点支持絶縁基板７の下面に沿って外側に延びる上板部２３ａと、上板部２３ａの外側端部から下方に延びる中間板部２３ｂと、中間板部２３ｂの下端部から上板部２３ａと平行に内側に延びる下板部２３ｃとを備えて側面視Ｃ字状に形成されている。第１接点部２３は、第１支持導体部２２の下端面から突出するピン部２２ｅにろう付け、螺号等によって固定される。

一方、第２固定接触子２４も、第１固定接触子２１と同様に、固定接点支持絶縁基板７に固定される第２支持導体部２５と、可動接触子２７が接触する第２接点部２６とを備えている。
第２支持導体部２５は、導電性のある銅などからなる金属部材であり、固定接点支持絶縁基板７の貫通孔７ｂに挿通される小径部２５ａと、小径部２５ａの下端部に設けられ、小径部２５ａから外方に突出する大径部２５ｂとを備えている。小径部２５ａは、貫通孔７ｂに対して所定の隙間を形成するような直径を有する円筒形状体で構成されている。大径部２５ｂは、第２支持導体部２５における最大外径部であり、小径部２５ａの下端から外方に突出するフランジ部２５ｃと、フランジ部２５ｃの外周縁から小径部２５ａと間隔を開けて上方に突出する環状の接合部２５ｄとを備えている。小径部２５ａ及び大径部２５ｂは、それぞれの中心軸が同軸とされている。そして、大径部２５ｂの接合部２５ｄの上端が、消弧室４の内部における固定接点支持絶縁基板７の下面であってメタライズ処理７ｄを施したところにろう付けによって接合されている。

また、第２接点部２６は、導電性のある銅などからなる金属部材であり、固定接点支持絶縁基板７の下面に沿って外側に延びる上板部２６ａと、上板部２６ａの外側端部から下方に延びる中間板部２６ｂと、中間板部２６ｂの下端部から上板部２６ａと平行に内側に延びる下板部２６ｃとを備えて側面視Ｃ字状に形成されている。第２接点部２６は、第２支持導体部２５の下端面から突出するピン部２５ｅにろう付け、螺号等によって固定される。

ここで、第１固定接触子２１の第１支持導体部２２及び第２固定接触子２４の第２支持導体部２５を固定接点支持絶縁基板７に前述のように固定した場合、図１に示すように、それぞれの小径部２２ａ，２５ａが固定接点支持絶縁基板７の外部（図１における上部）に突出する。そして、第１固定接触子２１の小径部２２ａと第２固定接触子２４の小径部２５ａとの間の距離は、ＪＩＳ規格、ＵＬ規格等の規格により定められる最小の絶縁距離Ｘと同等にされる。この規格により定められる最小の絶縁距離Ｘは、一対の第１固定接触子２１及び第２固定接触子２４間にかかる電圧等によって定められ、消弧室４の外部の場合には、結露等を考慮し、消弧室４の内部よりも大きく設定される。ここで、第１固定接触子２１の小径部２２ａ及び第２固定接触子２４の小径部２５ａは消弧室４の外部に露出していることから、消弧室４の内部の導体間の絶縁距離よりも大きくなるように定められている。

一方、第１固定接触子２１の第１支持導体部２２及び第２固定接触子２４の第２支持導体部２５を固定接点支持絶縁基板７に前述のように固定した場合、第１支持導体部２２における最大外径部である大径部２２ｂと、第２支持導体部２５における最大外径部である大径部２５ｂとの間の距離は、前述の絶縁距離Ｘよりも短いが、大径部２２ｂ，２５ｂは、消弧室４の内部に位置する固定接点支持絶縁基板７の下面に接合されているから、結露等の心配はなく、それら大径部２２ｂ，２５ｂ間の距離は外部側の絶縁距離Ｘよりも短くても問題はない。

また、第１固定接触子２１の中心（第１支持導体部２２の中心）と第２固定接触子２４の中心（第２支持導体部２５の中心）との間の距離は、前述の第１固定接触子２１の小径部２２ａと第２固定接触子２４の小径部２５ａとの間の距離（最小の絶縁距離Ｘ）よりも大きな距離Ａに設定される。
ここで、特許文献１に記載のように、大径部２２ｂ，２５ｂを消弧室４の外部であって固定接点支持絶縁基板７の上面に接合した場合には、それら大径部２２ｂ，２５ｂ間の距離を前述の絶縁距離Ｘと同等かあるいはそれよりも大きく設定する必要がある。そうすると、第１固定接触子２１の中心（第１支持導体部２２の中心）と第２固定接触子２４の中心（第２支持導体部２５の中心）との間の距離は、必然的に前述の距離Ａよりも大きくなってしまい、電磁接触器１の小型化の妨げとなる。

一方、本実施形態のように、固定接点支持絶縁基板７に固定される大径部２２ｂ，２５ｂが、消弧室４の内部に位置する固定接点支持絶縁基板７の下面に接合されていると、第１固定接触子２１の中心（第１支持導体部２２の中心）と第２固定接触子２４の中心（第２支持導体部２５の中心）との間の距離は距離Ａとなるから、一対の第１固定接触子２１及び第２固定接触子２４間の中心間距離を小さくして電磁接触器１の小型化を達成できる。

また、大径部２２ｂ，２５ｂが固定接点支持絶縁基板７の下面に接合され、角筒体５の上端も固定接点支持絶縁基板７の下面に接合されるから、第１固定接触子２１及び第２固定接触子２４と角筒体５とが固定接点支持絶縁基板７の下側同一面に接合されることになる。これにより、固定接点支持絶縁基板７の同一面側に接合面が集中するため、平面度を出すための研磨加工を固定接点支持絶縁基板７の片側面（下側面）だけ実施すればよく、加工費を低減させることができる。

また、第１接点部２３の中間板部２３ｂの内側面及び第２接点部２６の中間板部２６ｂの内側面を覆うように、平面から見てＣ字状の磁性体板４１が装着されている。これにより、中間板部２３ｂ、２６ｂを流れる電流によって発生する磁場をシールドすることができる。
更に、第１接点部２３には、アークの発生を規制する合成樹脂製の絶縁カバー２８が装着され、第２接点部２６にも、アークの発生を規制する合成樹脂製の絶縁カバー２９が装着されている。これにより、第１接点部２３の内周面では、可動接触子２７が接触する下板部２３ｃの上面のみが露出される。また、第２接点部２６の内周面では、可動接触子２７が接触する下板部２６ｃの上面のみが露出される。

そして、可動接触子２７は、銅などを材料とした図１の左右方向に長尺な導電板であり、第１接点部２３及び第２接点部２６内に両端部を配置するように配設されている。この可動接触子２７は、電磁石ユニット３の後述する可動プランジャ３５に固定された連結軸３７に支持されている。可動接触子２７の中央部には、連結軸３７を挿通する貫通孔が形成されている。

連結軸３７の上下方向略中央部には、フランジ部３７ａが外方に向けて突出形成されている。可動接触子２７は、その貫通孔を連結軸３７の上方から挿通してフランジ部３７ａ上に載置される。そして、連結軸３７の上方から接触スプリング３９を挿通し、固定部材３８を連結軸３７の上方から連結軸３７に挿通し、接触スプリング３９で所定の付勢力を得るように接触スプリング３９の上端を固定部材３８によって止める。

この可動接触子２７は、釈放状態で、両端の接点部がそれぞれ第１接点部２３の下板部２３ｃ及び第２接点部２６の下板部２６ｃのそれぞれと所定間隔を保って離間した状態となる。また、可動接触子２７は、投入位置で、両端の接点部がそれぞれ第１接点部２３の下板部２３ｃ及び第２接点部２６の下板部２６ｃのそれぞれに、接触スプリング３９による所定の接触圧力で接触するように設定されている。

また、角筒体５の内側には、図１に示すように、有底角筒状に形成された絶縁筒体６が配設されている。この絶縁筒体６は、絶縁性の例えば合成樹脂を成形することによって形成される。この絶縁筒体６は、金属製の角筒体５に対するアークの影響を遮断する絶縁機能を有する。
また、電磁石ユニット３は、図１に示すように、側面から見てＵ字形状の下部磁気ヨーク３１を有し、この下部磁気ヨーク３１の底板部の中央部に固定プランジャ３２が配置されている。そして、固定プランジャ３２の外側にスプール３３が配置されている。そして、スプール３３の外周には、励磁コイル３４が巻装されている。

また、下部磁気ヨーク３１の開放端となる上端には、板状の磁気ヨーク８が固定されている。この磁気ヨーク８の中央部には、可動プランジャ貫通孔が形成されている。
また、固定プランジャ３２の上部には、有底筒状に形成されたキャップ９が配置され、このキャップ９の開放端に設けられた半径方向外側に突出するフランジ部が、磁気ヨーク８の下面にシール接合されている。そして、このキャップ９の内部には、最下部に復帰スプリング３６を配置した可動プランジャ３５が上下方向に移動可能に収容されている。

また、磁気ヨーク８の上面には、図１に示すように、外形が方形で円形の中心開口を有して環状に形成された永久磁石１０が可動プランジャ３５の周鍔部を囲むように固定されている。永久磁石１０は、上下方向即ち厚み方向に上端側を例えばＮ極、下端側をＳ極とするように着磁されている。
そして、永久磁石１０の上面には、補助ヨーク１１が固定され、更に、補助ヨーク１１の上面には、弾性を有する板状の異物侵入防止部材１２が固定されている。

そして、板状の磁気ヨーク８と、磁気ヨーク８の上面に接合され、内部に接点機構２を消弧室４と、磁気ヨーク８の下面に接合され、内部に可動プランジャ３５を収容するキャップ９とにより、それらの内部が密封されている。この密封された内部には、水素ガス、窒素ガス、水素及び窒素の混合ガス、空気、ＳＦ_６等のガスが封入されている。
次に、電磁接触器１の動作を説明する。

今、第１固定接触子２１の第１支持導体部２２が例えば大電流を供給する電力供給源に接続され、第２固定接触子２４の第２支持導体部２５が負荷装置に接続されているものとする。
この状態で、電磁石ユニット３における励磁コイル３４が非励磁状態にあって、電磁石ユニット３で可動プランジャ３５を下降させる吸引力を発生していない釈放状態にあるものとする。

この釈放状態では、可動プランジャ３５が復帰スプリング３６によって、磁気ヨーク８から離れる上方向に付勢される。これと同時に、永久磁石１０の磁力による吸引力が補助ヨーク１１に作用し、可動プランジャ３５が吸引される。
この釈放状態から、電磁石ユニット３の励磁コイル３４に通電すると、この電磁石ユニット３で吸引力が発生し、可動プランジャ３５を復帰スプリング３６の付勢力及び永久磁石１０の吸引力に抗して下方に押し下げる。

このように、可動プランジャ３５が下降することにより、可動プランジャ３５に連結軸３７を介して連結されている可動接触子２７も下降し、の可動接触子２７の両接点部のそれぞれが、第１固定接触子２１の第１接点部２３及び第２固定接触子２４の第２接点部２６のそれぞれに対して接触スプリング３９の接触圧で接触する。
このため、電力供給源の大電流が、第１固定接触子２１、可動接触子２７、第２固定接触子２４を通じて負荷装置に供給される閉極状態となる。

そして、この接点機構２の閉極状態から、負荷装置への電流供給を遮断する場合には、電磁石ユニット３の励磁コイル３４への通電を停止する。
励磁コイル３４への通電を停止すると、電磁石ユニット３で可動プランジャ３５を下方に移動させる吸引力がなくなることにより、可動プランジャ３５が復帰スプリング３６の付勢力によって上昇し、可動プランジャ３５が補助ヨーク１１に近づくに従って永久磁石１０の吸引力が増加する。

この可動プランジャ３５が上昇することにより、連結軸３７を介して連結された可動接触子２７が上昇する。これに応じて接触スプリング３９で接触圧を与えているときは、可動接触子２７の両接点部のそれぞれが、第１固定接触子２１の第１接点部２３及び第２固定接触子２４の第２接点部２６のそれぞれに接触している。その後、接触スプリング３９の接触圧がなくなった時点で、可動接触子２７が第１接点部２３及び第２接点部２６から上方に離間する開極開始状態となる。

このような開極開始状態となると、可動接触子２７の両接点部と、第１固定接触子２１の第１接点部２３（下板部２３ｃ）及び第２固定接触子２４の第２接点部２６（下板部２６ｃ）との間にアークが発生し、アークによって電流の通電状態が継続されることになる。
そして、可動接触子２７の両接点部と、第１固定接触子２１の第１接点部２３及び第２固定接触子２４の第２接点部２６との間に発生したアークは、これらアークの電流の流れと、図示しないアーク消弧用永久磁石で発生した磁束との関係からフレミング左手の法則により発生したローレンツ力によって引き延ばされて消弧される。

そして、可動プランジャ３５の釈放動作が終了すると、接点機構２の開極終了となる。
以上のように、本実施形態に係る電磁接触器１においては、固定接点支持絶縁基板７に固定される第１固定接触子２１の第１支持導体部２２における大径部２２ｂ及び第２固定接触子２４の第２支持導体部２５における大径部２５ｂが、消弧室４の内部に位置する固定接点支持絶縁基板７の下面に接合されている。このため、それら大径部２２ｂ，２５ｂ間の距離は、外部側の絶縁距離よりも短くても問題はなく、固定接点支持絶縁基板７の上面外部側に大径部２２ｂ，２５ｂを接合する場合よりも小さく設定できる。これにより、一対の第１固定接触子２１及び第２固定接触子２４間の中心間距離を小さくして（距離Ａにして）電磁接触器１の小型化を達成できる。

また、大径部２２ｂ，２５ｂが固定接点支持絶縁基板７の下面に接合され、角筒体（金属筒体）５の上端も固定接点支持絶縁基板７の下面に接合されるから、第１固定接触子２１及び第２固定接触子２４と角筒体５とが固定接点支持絶縁基板７の下側同一面に接合されることになる。これにより、固定接点支持絶縁基板７の同一面側に接合面が集中するため、平面度を出すための研磨加工を固定接点支持絶縁基板７の片側面（下側面）だけ実施すればよく、加工費を低減させることができる。

また、固定接点支持絶縁基板７の下面であって貫通孔７ａ，７ｂの周囲にメタライズ処理７ｃ，７ｄが施され、固定接点支持絶縁基板７の下面であって角筒体（金属筒体）５が接触する部位にメタライズ処理７ｅが施されているので、固定接点支持絶縁基板７の下面に、第１固定接触子２１の大径部２２ｂ、第２固定接触子２４の大径部２５ｂ、及び角筒体５の上端を適切かつ確実にろう付けにより接合することができる。

また、固定接点支持絶縁基板７は、セラミック絶縁基板で形成されるので、耐熱性の高い絶縁基板とすることができる。
更に、各大径部２２ｂ，２５ｂは、小径部２２ａ，２５ａの下端から外方に突出するフランジ部２２ｃ，２５ｃと、フランジ部２２ｃ、２５ｃの外周縁から小径部２２ａ，２５ａと間隔を開けて上方に延出し、固定接点支持絶縁基板７の下面に接合される環状の接合部２２ｄ、２５ｄとを備えている。このため、小径部２２ａ，２５ａと間隔を開けて比較的細く変形が容易な環状の接合部２２ｄ、２５ｄが固定接点支持絶縁基板７に接合される。これにより、固定接点支持絶縁基板７の線膨張係数と第１及び第２支持導体部２２，２５の線膨張係数との差に起因する接合部分に対する応力を、変形が容易な接合部２２ｄ、２５ｄによって緩和することができる。

以上、本発明の第１実施形態について説明してきたが、本発明はこれに限定されずに種々の変更、改良を行うことができる。
例えば、角筒体５は、金属製の筒体であればよく、平面から見て略方形状に形成されている必要は必ずしもない。
また、固定接点支持絶縁基板７は、絶縁性を有していればよく、セラミック絶縁基板で形成される必要は必ずしもない。

更に、大径部２２ｂ，２５ｂは、小径部２２ａ，２５ａから外方に突出し、固定接点支持絶縁基板７の下面に接合されるものであればよく、小径部２２ａ，２５ａの下端から外方に突出するフランジ部２２ｃ、２５ｃと、フランジ部２２ｃ、２５ｃの外周縁から小径部２２ａ，２５ａと間隔を開けて上方に延出する環状の接合部２２ｄ、２５ｄとを備えている必要は必ずしもない。

１ 電磁接触器
２ 接点機構
４ 消弧室
５ 角筒体（金属筒体）
７ 固定接点支持絶縁基板
７ａ，７ｂ 貫通孔
７ｃ，７ｄ，７ｅ メタライズ処理
２１ 第１固定接触子（固定接触子）
２２ 第１支持導体部（支持導体部）
２２ａ 小径部
２２ｂ 大径部
２２ｃ フランジ部
２２ｄ 接合部
２３ 第１接点部（接点部）
２３ａ 上板部
２３ｂ 中間板部
２３ｃ 下板部
２４ 第２固定接触子（固定接触子）
２５ 第２支持導体部（支持導体部）
２５ａ 小径部
２５ｂ 大径部
２５ｃ フランジ部
２５ｄ 接合部
２６ 第２接点部（接点部）
２６ａ 上板部
２６ｂ 中間板部
２６ｃ 下板部
２７ 可動接触子

Claims (4)

1. 一対の固定接触子と該一対の固定接触子に接触する可動接触子とを有する接点機構を収納する消弧室を備え、
   該消弧室は、金属筒体と、該金属筒体の上端にその下面が接合されて前記金属筒体の内部を外部に対して封止する、一対の貫通孔を有する平板状の固定接点支持絶縁基板とを備え、
   前記一対の固定接触子の各々は、前記固定接点支持絶縁基板に固定される支持導体部と、前記可動接触子が接触する接点部とを備え、
   前記支持導体部は、前記固定接点支持絶縁基板の貫通孔に挿通される小径部と、該小径部から外方に突出する大径部とを備え、
   該大径部は、前記消弧室の内部に位置する前記固定接点支持絶縁基板の下面に接合されており、
   前記固定接点支持絶縁基板の下面であって前記貫通孔の周囲及び前記金属筒体が接触する部位にメタライズ処理が施されていることを特徴とする電磁接触器。
2. 前記固定接点支持絶縁基板は、セラミック絶縁基板で形成されることを特徴とする請求項１に記載の電磁接触器。
3. 前記大径部は、前記小径部の下端から外方に突出するフランジ部と、該フランジ部の外周縁から前記小径部と間隔を開けて上方に延出し、前記固定接点支持絶縁基板の下面に接合される環状の接合部とを備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電磁接触器。
4. 前記一対の固定接触子の各々の接点部は、前記固定接点支持絶縁基板の下面に沿って外側に延びる上板部と、該上板部の外側端部から下方に延びる中間板部と、該中間板部の下端側から前記上板部と平行に内方側に延びる下板部とを備えてＣ字状に形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか一項に記載の電磁接触器。

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