JP6454417B2 - 適応型の周期的波形制御装置 - Google Patents

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Description

関連出願の相互参照
本出願は、2015年11月30日に出願された米国特許出願第14/953,917号の優先権を主張し、さらに、2014年12月4日に出願された米国仮特許出願第62/087,290号の利益を主張する。上記出願の開示内容の全体が、参照により本明細書に組み込まれる。
本開示は、プラズマチャンバ、無線周波数(RF: radio frequency)生成システムおよび方法とに関し、より詳細にはRF生成器に関する。
本明細書で提供する背景技術の説明は、全体的に、本開示の背景を提供することを目的とする。この背景技術欄で説明されている範囲における、現在挙げられた発明者の業績と、出願時の従来技術であるとして普通なら適格ではない場合もある説明の態様は、明示的にも黙示的にも本開示に対する従来技術として認められない。
無線周波数(RF)生成器は、交流(AC: alternating current)入力電力を受信して、RF出力を生成する。RF出力は、例えば、プラズマチャンバのプラズマ電極に印加され得る。プラズマチャンバは、薄膜製造システム、および他の種類のシステムにおいて使用され得る。
状況によっては、プラズマチャンバは、複数のプラズマ電極を含み得る。一例に過ぎないが、1つを上回るプラズマ電極が実装され得、この場合、処理を受ける表面積は、単一のプラズマ電極が処理可能であり得る面積より大きい。
したがって、状況によっては、複数のRF生成器が使用され得る。RF生成器の各々は、RF出力を生成し、RF出力をプラズマ電極の1つに印加する。RF生成器は、同一のRF出力を生成することを目的として電気的に接続され得る。
米国特許第6,700,092号 米国特許第8,736,377号 米国特許第8,576,013号 米国特許第6,020,794号
1つの特徴において、電力出力生成システムが開示される。反復設定値生成器モジュールは、連続した複数の期間中、反復する所定のパターンに従って、出力パラメータのための設定値を選択的に変化させる。閉ループモジュールは、複数の期間のうちの第1の期間中、(i)複数の期間のうちの第1の期間中におけるN個の時点での設定値のN個の値と、(ii)複数の期間のうちの第1の期間中におけるN個の時点での出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の閉ループ値を生成する。調節モジュールは、複数の期間のうちの第1の期間中、(i)複数の期間のうちの第2の期間中におけるN個の時点での設定値のN個の値と、(ii)複数の期間のうちの第2の期間中におけるN個の時点での出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の調節値を生成する。複数の期間のうちの第2の期間が、複数の期間のうちの第1の期間の直前の期間である。電力増幅器は、負荷に出力電力を印加する。混合器モジュールは、N個の閉ループ値とN個の調節値とのそれぞれに基づいて、N個の出力値を生成し、N個の出力値に基づいて、電力増幅器への電力入力を制御する。
別の特徴において、N個の時点は、均等に離間している。
別の特徴において、N個の時点は、均等に離間していない。
別の特徴において、閉ループモジュールは、比例積分(PI: proportional-integral)制御を使用して、N個の閉ループ値を生成する。
別の特徴において、調節モジュールは、比例積分(PI)制御を使用して、N個の調節値を生成する。
別の特徴において、混合器モジュールは、混合比にさらに基づいて、N個の出力値を生成し、混合器モジュールは、混合比を選択的に変化させる。
別の特徴において、周波数制御モジュールは、電力増幅器の基本周波数を選択的に調節する。
別の特徴において、周波数制御モジュールは、反射電力に基づいて、電力増幅器の基本周波数を選択的に調節する。
別の特徴において、周波数制御モジュールは、反射係数に基づいて、電力増幅器の基本周波数を選択的に調節する。
別の特徴において、電力増幅器は、プラズマ電極に出力を印加する。
別の特徴において、駆動装置制御モジュールは、出力のひずみを特定し、ひずみに基づいて、電力増幅器の基本周波数を選択的に調節する。
別の特徴において、駆動装置制御モジュールは、ひずみと、出力の少なくとも1つの以前のひずみ量とに基づいて、第1の周波数調節値を決定し、出力の少なくとも1つの以前のひずみ量に基づいて、第2の周波数調節値を決定し、電力増幅器の以前のスイッチング周波数と第1の周波数調節値と第2の周波数調節値とに基づいて、電力増幅器の基本周波数を設定する。
別の特徴において、駆動装置制御モジュールは、第2の周波数調節値の少なくとも1つの以前の値に基づいて、第2の周波数調節値を決定する。
1つの特徴において、電力出力を生成する方法が開示される。本方法は、連続した複数の期間中、反復する所定のパターンに従って、出力パラメータのための設定値を選択的に変化させるステップと、複数の期間のうちの第1の期間中、(i)複数の期間のうちの第1の期間中におけるN個の時点での設定値のN個の値と、(ii)複数の期間のうちの第1の期間中におけるN個の時点での出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分にそれぞれ基づいて、N個の閉ループ値を生成するステップと、複数の期間のうちの第1の期間中、(i)複数の期間のうちの第2の期間中におけるN個の時点での設定値のN個の値と、(ii)複数の期間のうちの第2の期間中におけるN個の時点での出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分にそれぞれ基づいて、N個の調節値を生成するステップであって、複数の期間のうちの第2の期間が、複数の期間のうちの第1の期間の直前の期間である、N個の調節値を生成するステップと、電力増幅器を使用して、負荷に出力電力を印加するステップと、N個の閉ループ値とN個の調節値とのそれぞれに基づいて、N個の出力値を生成するステップと、N個の出力値に基づいて、電力増幅器への電力入力を制御するステップと、を含む。
別の特徴において、N個の時点は、均等に離間している。
別の特徴において、N個の時点は、均等に離間していない。
別の特徴において、N個の閉ループ値を生成するステップは、比例積分(PI)制御を使用してN個の閉ループ値を生成するステップを含む。
別の特徴において、N個の調節値を生成するステップは、比例積分(PI)制御を使用してN個の調節値を生成するステップを含む。
別の特徴において、方法は、混合比にさらに基づいて、N個の出力値を生成するステップと、混合比を選択的に変化させるステップと、をさらに含む。
別の特徴において、方法は、電力増幅器の基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む。
別の特徴において、方法は、反射電力に基づいて、電力増幅器の基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む。
別の特徴において、方法は、反射係数に基づいて、基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む。
別の特徴において、方法は、電力増幅器を使用して、プラズマ電極に出力を印加するステップをさらに含む。
別の特徴において、方法は、出力のひずみを特定するステップと、ひずみに基づいて、電力増幅器の基本周波数を選択的に調節するステップと、をさらに含む。
別の特徴において、方法は、ひずみと、出力の少なくとも1つの以前のひずみ量とに基づいて、第1の周波数調節値を決定するステップと、出力の少なくとも1つの以前のひずみ量に基づいて、第2の周波数調節値を決定するステップと、電力増幅器の以前の基本周波数と第1の周波数調節値と第2の周波数調節値とに基づいて、電力増幅器のスイッチング周波数を設定するステップと、をさらに含む。
別の特徴において、方法は、第2の周波数調節値の少なくとも1つの以前の値に基づいて、第2の周波数調節値を決定するステップをさらに含む。
本開示のさらなる適用可能範囲が、詳細な説明、請求項、および図面から明らかとなる。詳細な説明および特定の例は、例示のみを目的とすることを意図し、本開示の範囲を限定することを意図しない。
本開示は、詳細な説明と添付図面とから、さらに十分に理解されることとなる。
例示的な無線周波数(RF)プラズマチャンバ制御システムの機能ブロック図である。 RFプラズマチャンバ制御システムの例示的な一部分の機能ブロック図である。 例示的なフィードバック制御システムの機能ブロック図である。 例示的なRF生成器システムの機能ブロック図である。 サイクル/周期内で反復され得る例示的なパターンのグラフである。 RF生成器システムの例示的な閉ループ制御モジュールの機能ブロック図である。 例示的な調節モジュールの機能ブロック図である。 時間に対する設定値と測定値とのグラフである。 時間に対する設定値と測定値とのグラフである。 時間に対する設定値と測定値とのグラフである。 時間に対する設定値と測定値とのグラフである。 時間に対する設定値と測定値とのグラフである。 時間に対する設定値と測定値とのグラフである。 RF出力を制御する例示的な方法を示すフローチャートである。 例示的なRF生成器システムの機能ブロック図である。 例示的な駆動装置制御モジュールの機能ブロック図である。
図面において、参照符号は、同様および/または同一の構成要素を特定するために繰り返し使用され得る。
ここで図1を参照すると、例示的な無線周波数(RF)プラズマチャンバ制御システムの機能ブロック図が示される。無線周波数(RF)生成器モジュール104は、交流(AC)入力電力を受信して、AC入力電力を使用してRF出力を生成する。RF出力は、プラズマチャンバ112のプラズマ電極108に印加される。他の種類のシステムにおいて、RF出力は、異なるように使用され得る。プラズマ電極108は、例えば、薄膜堆積、薄膜エッチング、および他の種類のシステムにおいて使用され得る。
出力制御モジュール116は、RF生成器モジュール104により生成されてプラズマ電極108に伝達されるRF出力のための電力設定値(P設定)を受信する。電力設定値は、例えば、外部インターフェース120または他の適切な出所を介して提供され得る。外部インターフェース120は、例えば、国際規格(US: universal standard)のRS-232接続を介して、イーサネット（登録商標）接続を介して、フィールドバス接続(例えば、プロフィバス(Profibus)、デバイスネット(DeviceNet)、イーサキャット(Ethercat))を介して、無線接続を介して、または、フロントパネルインターフェースを介して提供される診断装置またはユーザー入力に基づいて、出力制御モジュール116に電力設定値を提供し得る。設定値は、また、プラズマ要求に応じて、電圧設定値または電流設定値であり得る。
RF検出器124は、RF出力の1つまたは複数のパラメータを測定し、測定されたパラメータに基づいて、1つまたは複数の検出器信号を生成する。一例に過ぎないが、RF検出器124は、電圧・電流(VI)検出器、RFプローブ、方向性結合器、ガンマ検出器、位相・振幅検出器、または、他の適切な種類のRF検出器を含み得る。
測定制御モジュール128は、所定のサンプリング周波数で検出器信号をサンプリングする。様々な実施形態において、測定制御モジュール128は、(アナログ)サンプルを対応するデジタル値に変換する。測定制御モジュール128は、さらに、デジタル値に1つまたは複数の信号処理関数を適用して、処理された値を生成する。出力制御モジュール116は、電力設定値を達成するようにRF生成器モジュール104を制御する。様々な実施形態において、整合を提供する整合ネットワークモジュール132が含まれ得る。RF検出器124が、整合ネットワークモジュール132の上流にあるものとして示されるが、様々な実施形態において、RF検出器124は、整合ネットワークモジュール132と負荷との間に位置し得る。
ここで図2を参照すると、RFプラズマチャンバ制御システムの例示的な一部分を含む機能ブロック図が示される。出力制御モジュール116は、電力設定値に基づいて、レール電圧設定値(レール設定値)と駆動装置制御設定値(駆動装置設定値)とを生成し得る。電源モジュール304は、レール電圧設定値に基づいて、AC入力電力からレール電圧を生成する。電源モジュール304は、RF電力モジュール308にレール電圧を印加する。RF電力モジュール308は、例えば、駆動装置モジュールと電力増幅器とを含む。様々な実施形態において、出力制御モジュール116は、アウトフェイズ増幅器形態のための複数の位相シフトされた駆動装置信号を生成し得る。
駆動装置制御モジュール312は、駆動装置制御設定値に基づいて、RF電力モジュール308を駆動する。駆動装置制御設定値は、目標デューティ比(すなわち、所定の周期の各々におけるオン期間のパーセント)を示し得る。フィルタ316は、RF出力がプラズマ電極108に印加される前に、RF電力モジュール308(例えば、電力増幅器)の高調波出力をフィルタ処理するように実装され得る。RFシステムの1つまたは複数のアクチュエータ(例えば、電源モジュール304、駆動装置制御モジュール312)の出力は、RF検出器124により測定されたRF出力の1つまたは複数のパラメータに基づいて調節され得る。
ここで図3を参照すると、アクチュエータ(例えば、プラズマ電極108)のための例示的なフィードバック制御システムの機能ブロック図が示される。図3のフィードバックアクチュエータ制御システムは、例えば、パルス状RF信号出力、制御または駆動信号に対する包絡線、または他の適切なRF出力を生成するために使用され得る。パルス状RF信号出力は、限定はされないが、均等に離間して規定された、または任意の形状とされたパターンをもつ反復パターンを含む出力を指し得る。
離散時間制御システムとも呼ばれ得るデジタル制御システムにおいて、適切なパルス状RF包絡線出力を生成可能な、制御装置の必要とされる閉ループ帯域幅は、サイクルの(同じ部分)の間の周期より少なくとも100倍大きいことが必要である。さらに、検出器とアクチュエータとの群遅延は、おおよそ制御装置のサンプリング時間であることが必要である。したがって、適切な制御システムは、複雑かつ高価である。
図3において、制御モジュール350は、誤差モジュール354と、比例(P)モジュール358と、積分(I)モジュール362と、加算器モジュール366と、クランプモジュール370とを含む。誤差モジュール354は、パラメータに対する設定値(例えば、電力設定値)とパラメータの測定値との間の差分に基づいて、誤差を特定する。
比例モジュール358は、比例利得と誤差値とに基づいて、P項値を決定する。積分モジュール362は、誤差と積分利得とに基づいて、I項値を決定する。加算器モジュール366は、P項値とI項値とを加算して、出力を決定する。クランプモジュール370は、所定の範囲内に出力を制限し得る。アクチュエータ(例えば、電源モジュール、駆動装置振幅、アウトフェイズ駆動など)は、出力に基づいて制御される。しかし、この制御モジュールを含む制御システムは、上述のように、複雑かつ高価であり得る。
設定値に基づいて出力を制御する他の方法は、開示内容の全体が本明細書に組み込まれる、本願の譲受人に譲渡された米国特許第6,700,092号(「Vona」)において説明される。Vonaの特許において、「ホールドオフ期間」または遅延期間が、1つのパルス状態から他のパルス状態に不連続な手法で切り替わるために使用される。制御装置は、ホールドオフ期間中、凍結されて、閉ループ動作に遷移する前に、パルス振幅が新しい値において安定することを可能にする。この構成において、図3に関連して前述したものより遅い制御ループ帯域幅が使用され得る。しかし、ホールドオフ期間の使用は、オーバーシュート、立ち上がり時間、および他の応答に影響し得る。
Vonaの特許における応答は、例えば、ホールドオフ期間中に振幅が安定する値に向けて、開ループにおける出力を上昇させることにより改善され得る。このような構成は、開示内容の全体が本明細書に組み込まれる、本願の譲受人に譲渡された米国特許第8,736,377号(「Rughoonundon」)において説明される。上昇させることは、例えば、振幅、周波数など、複数の出力/アクチュエータに対して実施され得る。Rughoonundonの特許は、方形パルスに対してより良好な応答を提供する。
図4は、RF生成器モジュール404と、RF電力増幅器408と、1つまたは複数の検出器412とを含む例示的なRF制御システムの機能ブロック図を含む。RF生成器モジュール404は、電力増幅器408を制御して、RF電力増幅器408から、プラズマ電極または他のRF装置などへのRF出力を調節する。RF電力増幅器408は、図2のRF電力モジュール308の構成要素であり得る。
反復設定値生成器モジュール416は、サイクルまたは周期内の反復パターンに従って、順電力(PFwd)設定値を生成する。周波数制御モジュール420は、駆動装置制御モジュール312の基本RF周波数を制御する。周波数制御モジュール420は、例えば、複素インピーダンス整合を改善するため、および、それに伴って反射電力と反射係数とを低減するため、周波数を変化させ得る。包絡線は、サイクル/周期内における出力信号の(上および下の)限界の一方または両方を規定し得る。
反復パターンは、例えば、メモリに記憶され得る。図5は、反復され得る3つの例示的なパターンを含むが、他のパターンも使用され得る。様々な実施形態において、使用されるパターンは、非標準的な周期的パターンであり得る。標準的な周期的パターンは、例えば、正弦波、余弦波、周期的パルス、三角波などを含む。周波数は、その中で反復パターンが1回実行される期間に対応する。反復設定値生成器モジュール416は、各期間/サイクル内における1サイクルのパターンに従って、順電力設定値を変化させる。例示的な順電力設定値と順電力測定値とについて説明するが、本出願は、他のRF設定値と対応する測定値とにも適用可能である。
閉ループ制御モジュール424は、所与の時点において、その時点での順電力振幅設定値(サンプル)と、検出器412により測定されたその時点での順電力振幅(サンプル)とに基づいて、閉ループ出力を生成する。より具体的には、閉ループ制御モジュール424は、閉ループ出力を生成して、順電力振幅設定値に向けて順電力振幅を調節する。例示的な閉ループ制御モジュール424の機能ブロック図が、図6に示される。前述のとおり、例示的な順電力振幅設定値と順電力振幅測定値とについて説明するが、本出願は、電圧および/または電流振幅など、他のRF設定値と対応する測定値とにも適用可能である。
ここで図6を参照すると、閉ループ制御モジュール424は、誤差モジュール504と、比例(P)モジュール508と、積分(I)モジュール512と、加算器モジュール516とを含む。誤差モジュール504は、ある時点での順電力設定値と、その時点で検出器412を使用して測定された順電力との間の差分に基づいて、順電力誤差を特定する。
比例モジュール508は、所定の比例利得と順電力誤差とに基づいて、比例項(値)を決定する。積分モジュール512は、所定の積分利得と順電力誤差とに基づいて、積分項(値)を決定する。積分モジュール512は、積分項を所定の範囲内に制限(すなわち、クランプ)し得る。加算器モジュール516は、P項とI項とを加算して、閉ループ出力を生成する。例示的なPI閉ループ制御装置が提示および説明されるが、P(比例)閉ループ制御装置、PID(比例積分微分)閉ループ制御装置、または他の適切な種類の閉ループ制御装置が使用され得る。
図4を再度参照すると、RF生成器モジュール404は、トリガーモジュール428と、設定値記憶モジュール432と、測定値記憶モジュール436とをさらに含む。トリガーモジュール428は、各サイクル中、N個の時点でトリガー信号を生成する。Nは、1より大きな整数である。一例において、トリガーモジュール428は、各サイクル中、86個の時点でトリガー信号を生成し得る。
トリガーモジュール428は、所定の(時間的な)期間においてトリガー信号を生成し得るか、または、トリガー信号が生成される時点間の期間は、変化し得る。トリガー信号間の期間が異なる場合、トリガーモジュール428は、例えば、順電力設定値(したがって、反復パターン)が変化したとき、およびその付近で、より頻繁にトリガー信号を生成し得る。順電力設定値がより安定しているとき、トリガーモジュール428は、より少ない頻度でトリガー信号を生成し得る。トリガーモジュール428は、各サイクル中、N個の時点でトリガー信号を生成し、サイクルのそれぞれの開始時と終了時とに対して、各サイクル中、同じN個の時点でトリガー信号を生成する。さらに、閉ループ制御モジュール424は、トリガー信号が生成された各時点で、閉ループ出力を更新し得る。
設定値記憶モジュール432は、トリガー信号が生成された各時点で、順電力設定値の現在値を記憶する。したがって、1サイクルが終了したとき、設定値記憶モジュール432は、そのサイクル内におけるN個の時点での順電力設定値のN個の値を記憶した状態となる。測定値記憶モジュール436は、トリガー信号が生成された各時点における順電力の現在値を記憶する。したがって、1サイクルが終了したとき、測定値記憶モジュール436は、そのサイクル内におけるN個の時点での順電力のN個の値を記憶した状態となる。
N個の時点のうちの1つの時点においてトリガー信号が生成されるごとに、設定値記憶モジュール432と測定値記憶モジュール436とが、それぞれ、直前のサイクル中におけるN個の時点のうちのその1つの時点に対して記憶された順電力設定値と順電力とを出力する。直前のサイクル中におけるその時点での順電力設定値は、以前の順電力設定値と呼ばれることになる。直前のサイクル中におけるその時点で測定された順電力は、以前の順電力と呼ばれることになる。様々な実施形態において、以前の順電力は、複数の以前のサイクルに基づいて決定された複合値であり得る。このような複合値は、無限インパルス応答(IIR: Infinite Impose Response)フィルタを使用するなど、様々な方法で決定され得る。このような複合値の使用は、ノイズとプラズマ過渡現象との影響を低減し得る。
調節モジュール440は、所与の時点における出力調節値を、その時点での以前の順電力設定値と、直前のサイクル中におけるその時点での、検出器412により測定された以前の順電力と、に基づいて生成する。例示的な調節モジュール440の機能ブロック図が図7に示される。
ここで図7を参照すると、調節モジュール440は、誤差モジュール604と、比例(P)モジュール608と、積分(I)モジュール612と、加算器モジュール616とを含む。誤差モジュール604は、ある時点での以前の順電力設定値と、その時点での以前の順電力との間の差分に基づいて、以前の誤差を特定する。
比例モジュール608は、所定の比例利得と以前の誤差とに基づいて、比例項(値)を決定する。積分モジュール512は、所定の積分利得と以前の誤差とに基づいて、積分項(値)を決定する。積分モジュール512は、積分項を所定の範囲内に制限(すなわち、クランプ)し得る。加算器モジュール516は、P項とI項とを加算して、出力調節値を生成する。したがって、ある時点での出力調節値は、以前のサイクル中におけるその時点での閉ループ出力を反映する。
例示的なPI閉ループ制御装置が提示および説明されるが、P(比例)閉ループ制御装置、PID(比例積分微分)閉ループ制御装置、または他の適切な種類の閉ループ制御装置が使用され得る。さらに、以前の順電力設定値と以前の順電力との記憶装置が提示および説明されるが、1サイクル中におけるN個の時点で決定される(誤差モジュール504により定まる)誤差の値は、次のサイクル中におけるそのN個の時点のために、それぞれ記憶および使用され得る。
図4を再度参照すると、混合器モジュール444は、閉ループ出力を出力調節値とを混合して、最終的なRF出力を生成する。混合器モジュール444は、例えば、混合比に基づいて、閉ループ出力を出力調節値と混合し得る。混合比は、所定の値であり得るが、または、変化し得る。例えば、混合器モジュール444は、負荷過渡感度などの所望の挙動または他の規則に応じて、混合比を変化させ得るか、または他の(例えば、より高いレベルの)制御装置により設定され得る。混合比は、利得が適用された値が加算されたときに最終的なRF出力をもたらすような、閉ループ出力と出力調節値とに適用される利得に対応し得る。
クランプモジュール448は、最終的なRF出力を所定の範囲内に制限(すなわち、クランプ)し得る。電力増幅器/駆動装置408などのRF生成器のアクチュエータは、最終的なRF出力に基づいて操作され、RF出力を生成する。駆動装置制御モジュール312は、電力増幅器/駆動装置408の基本動作周波数を制御する。基本動作周波数は、搬送波周波数とも呼ばれ得る。RF出力は、例えば、プラズマ電極108または他のRF装置に印加され得る。
調節モジュール440の使用は、応答特性を改善する。例えば、調節モジュール440は、順電力が順電力設定値により近くで追従することを可能にし得、より速く(例えば、より少ない数のサイクルにおいて)それを行い得、さらに、例えば、図3のシステムを実装するRF生成器モジュールより小さなオーバーシュートおよび/またはアンダーシュートを伴う。例示的なRF包絡線出力と設定値とが提示および説明されるが、本出願は、直流(DC: direct current)出力(反復するDC設定値を伴う)、および交流(AC)出力(反復するAC設定値を伴う)など、他の非RF出力にも適用可能である。この手法は、非線形伝達特性をもつ1つまたは複数の構成モジュールを含むシステムにおいてますます有効であり得る。このようなシステムにおいて、1つまたは複数のサブシステムが、例えば、RF電力増幅器において発生し得る利得拡張、利得圧縮、またはクリッピングを示す場合、従来の線形制御技術を使用することは困難であり得る。プラズマ負荷は、さらに、印加された電力に伴って変化する負荷インピーダンスなどの非線形挙動を示し得る。
図8は、反復する所定の形状に従って設定された設定値に対する、第1サイクル中の、時間に対する設定値と測定値との例示的なグラフを含む。図8の例では、形状は、方形パルスまたは矩形波である。第1サイクル中、設定値または測定値は、1つまたは複数の以前のサイクルにより、まだ記憶されていない。したがって、出力は、そのサイクル中における設定値と測定値との間の差分に基づいて、閉ループフィードバックのみを使用して制御される。測定された波形と所望の波形との間の差分は、電力増幅器サブシステムにおいて現れる非線形性に起因し得る。しかし、第1サイクル後、さらに、以前の設定値と測定値とが、出力を制御するために使用され、したがって、測定値が、設定値をより近くで追跡する(例えば、図9の第1、第2、第10、および第100サイクルを参照)。
図9〜図13は、この特徴を示す例示的なグラフであり、様々な異なる反復形状をとる設定値を含む。図9〜図13に示すように、測定値は、後のサイクル中、設定値をより近くで追跡する。図9〜図13から、本明細書で説明される制御システムは、正弦関数的な、正方形の、または任意の形状の波形を生成するために使用され得ることが理解され得る。生成された波形が一次信号を規定し得るか、または、生成された波形が包絡線信号を規定し得、包絡線信号の中で駆動信号が動作する。駆動信号と包絡線信号とは、連続波またはパルス状信号であり得る。
図14は、出力を制御する例示的な方法を示すフローチャートである。制御は、カウンター値(I)が1に設定される704から始まる。708において、例えば、様々な反復パターンが選択された後、または装置がオンに切り替えられた後、現在のサイクルが第1サイクルであるか否か判定される。708が真である場合、制御は、712に続く。708が偽である場合、制御は、後で詳しく説明する730に移る。
712において、トリガー信号が監視され、トリガー信号が既に生成されているか否かについて判定がなされる。トリガー信号が生成された場合、制御は、716に続く。トリガー信号が生成されていない場合、制御は、712に留まり得る。716において、設定値記憶モジュール432は、第Iの設定値(例えば、順電力設定値)を記憶し、測定値記憶モジュール436は、第Iの測定値(例えば、測定された順電力)を記憶する。720において、閉ループ制御モジュール424は、第Iの設定値と第Iの測定値との間の差分に基づいて、閉ループ出力を決定する。722において、混合器モジュール444は、閉ループ出力に等しくなるように出力を設定する。電力増幅器/駆動装置408などのアクチュエータは、出力に基づいて制御される。
724において、カウンター値(I)が所定の数(N)未満であるか否かについて判定がなされる。所定の数は、各サイクル中にトリガー信号が生成される時期の数に対応する。724が真である場合、728において、カウンター値(I)がインクリメント(例えば、I=I+1)され、制御が712に戻る。724が偽である場合、制御が704に戻り、カウンター値(I)を1にリセットする。
730において、第1サイクルが終了した後、トリガー信号が監視され、トリガー信号が生成されたか否かについて判定がなされる。トリガー信号が生成された場合、制御は、732に続く。トリガー信号が生成されていない場合、制御は、730に留まり得る。732において、設定値記憶モジュール432が、第Iの設定値(例えば、順電力設定値)を記憶し、測定値記憶モジュール436が、第Iの測定値(例えば、測定された順電力)を記憶する。736において、閉ループ制御モジュール424は、第Iの設定値と第Iの測定値との間の差分に基づいて、閉ループ出力を決定する。
740において、調節モジュール440は、直前のサイクルからの第Iの設定値と、直前のサイクルの第Iの測定値とを取得する。744において、調節モジュール440は、直前のサイクルからの第Iの設定値と直前のサイクルの第Iの測定値との間の差分に基づいて、出力調節値を生成する。748において、混合器モジュール444は、閉ループ出力(736において決定された)を出力調節値(744において決定された)と混合して、出力を生成する。前述のとおり、電力増幅器/駆動装置408などのアクチュエータは、出力に基づいて制御される。
752において、カウンター値(I)が所定の数(N)未満であるか否かについて判定がなされる。所定の数は、各サイクル中にトリガー信号が生成される時期の数に対応する。756において、752が真である場合、カウンター値(I)がインクリメントされ(例えば、I=I+1)、制御は、730に戻る。756が偽である場合、制御が704に戻り、カウンター値(I)を1にリセットする。
図15は、RF生成システムの機能ブロック図である。RF生成器モジュール404により提供される制御に加えて、駆動装置制御モジュール312は、検出器412により測定された1つまたは複数のパラメータに基づいて、電力増幅器/駆動装置408の基本RF動作周波数を制御し得る。例えば、周波数は、プラズマ負荷に対するRF電力モジュール308のインピーダンス整合を改善するように調節され得る。
図16は、例示的な実施形態における駆動装置制御モジュール312の機能ブロック図である。ひずみモジュール804は、検出器412により測定された1つまたは複数のパラメータに基づいて、RF出力におけるひずみ量を特定する。ひずみ量は、反射電力量に対応し得、例えば、反射係数または逆電力により示され得る。
第1の周波数調節モジュール808と第2の周波数調節モジュール812とは、ひずみを最小化し、したがって、反射電力を最小化することを目的として、第1の周波数調節値と第2の周波数調節値とを生成する。第1の周波数調節モジュール808は、現在のひずみ量と、以前の時点のそれぞれにおける1つまたは複数の以前のひずみ量と、1つまたは複数の所定の利得値とに基づいて、第1の周波数調節値を生成する。例示的な第1の周波数調節値は、いずれも全体として本明細書に組み込まれる、本願の譲受人に譲渡された米国特許第8,576,013号と第6,020,794号とにおいて説明される。第2の周波数調節モジュール812は、以前の時点のそれぞれにおける1つまたは複数の以前のひずみ量と、第2の周波数調節値の1つまたは複数の以前の値と、1つまたは複数の所定の利得値とに基づいて、第2の周波数調節値を生成する。
混合器モジュール816は、電力増幅器/駆動装置408の以前の基本動作周波数と、第1の周波数調節値と、第2の周波数調節値とに基づいて、電力増幅器/駆動装置408の基本動作周波数を決定する。例えば、混合器モジュール816は、電力増幅器/駆動装置408の基本動作周波数を、以前の基本動作周波数から、第1の周波数調節値と第2の周波数調節値とを減算したものに設定し得る。遅延モジュール820は、所定の周期(例えば、1サンプリング周期)にわたって以前の基本動作周波数が記憶された後、以前の基本動作周波数を提供する。混合器モジュール816は、様々な実施形態において、減算の前に、第1の周波数調節値と第2の周波数調節値とに適用される利得値を選択的に変化させ得る。
前述の説明は、本質的に例示に過ぎず、どのような観点からも本開示、その用途、または使用を限定することを意図しない。本開示の広い教示は、様々な形態で実装され得る。したがって、本開示は、特定の例を含むが、図面と明細書と後述の請求項とを参照することにより他の変形例が明らかとなるので、本開示の真の範囲は、その特定の例に限定されてはならない。方法における1つまたは複数のステップは、本開示の原理を変更することなく、異なる順序で(または、同時に)実行され得ることが理解されなければならない。さらに、実施形態の各々が特定の特徴をもつことが前述されるが、本開示のいずれかの実施形態に関連して説明されるそれらの特徴のいずれか1つまたは複数が、他のいずれかの実施形態の特徴において実装され得、および/または、その組み合わせが明示的に説明されないとしても、他のいずれかの実施形態の特徴と組み合わされ得る。言い換えると、説明される実施形態は相互に排他的ではなく、1つまたは複数の実施形態の相互の順列が、依然として本開示の範囲内である。
構成要素間(例えば、モジュール間)の空間的および機能的関係は、「接続された」「係合された」「インターフェース接続された」、および「結合された」を含む様々な用語を使用して説明される。「直接」と明示的に説明されない限り、上記の開示において、第1の構成要素と第2の構成要素との間の関係が説明されるとき、その関係は、第1の構成要素と第2の構成要素との間に他の介在要素が存在しない直接的な関係と、さらには、第1の構成要素と第2の構成要素との間に1つまたは複数の介在要素が(空間的または機能的に)存在する間接的な関係と、を包含する。本明細書で使用される、AとBとCとの少なくとも1つという語句は、非排他的な論理ORを使用して、論理(A OR B OR C)を意味するように解釈されなければならず、「少なくとも1つのA、少なくとも1つのB、および、少なくとも1つのC」を意味するように解釈されてはならない。
下記の定義を含む本出願において、「モジュール」という用語または「制御装置」という用語は、「回路」という用語で置換され得る。「モジュール」という用語は、コードを実行する(共有された、専用の、またはグループ化された)プロセッサハードウェアと、プロセッサハードウェアにより実行されるコードを記憶するメモリハードウェア(共有された、専用の、またはグループ化された)とを指し得るか、これらの一部であり得るか、または、これらを含み得る。
モジュールは、1つまたは複数のインターフェース回路を含み得る。いくつかの例において、インターフェース回路は、ローカルエリアネットワーク(LAN: local area network)、インターネット、広域ネットワーク(WAN: wide area network)、またはその組み合わせに接続された有線または無線インターフェースを含み得る。本開示のあらゆる所与のモジュールの機能は、インターフェース回路を介して接続された複数のモジュール間に分散され得る。例えば、複数のモジュールは、負荷分散を可能にし得る。別の例において、サーバー(遠隔またはクラウドとも呼ばれる)モジュールは、クライアントモジュールの代わりにいくつかの機能を実現し得る。
上記において使用されるコードという用語は、ソフトウェア、ファームウェア、および/またはマイクロコードを含み得、さらに、プログラム、ルーチン、関数、クラス、データ構造体、および/またはオブジェクトを指し得る。共有されたプロセッサハードウェアは、複数のモジュールからの一部またはすべてのコードを実行する単一のマイクロプロセッサを包含する。グループ化されたプロセッサハードウェアは、別のマイクロプロセッサと協働して、1つまたは複数のモジュールからの一部またはすべてのコードを実行するマイクロプロセッサを包含する。複数のマイクロプロセッサへの参照は、独立したダイにおける複数のマイクロプロセッサ、単一のダイにおける複数のマイクロプロセッサ、単一のマイクロプロセッサの複数のコア、単一のマイクロプロセッサの複数のスレッド、または、上記の組み合わせを包含する。
共有されたメモリハードウェアは、複数のモジュールからの一部またはすべてのコードを記憶する単一のメモリ装置を包含する。グループ化されたメモリハードウェアは、他のメモリ装置と協働して、1つまたは複数のモジュールからの一部またはすべてのコードを記憶するメモリ装置を包含する。
メモリハードウェアという用語は、コンピュータ可読媒体という用語の部分集合である。本明細書で使用するコンピュータ可読媒体という用語は、(搬送波上など)媒体を通して伝播する一時的な電気的または電磁的な信号を包含せず、したがって、コンピュータ可読媒体という用語は、有形かつ非一時的であるとみなされる。非一時的なコンピュータ可読媒体の非限定的な例は、不揮発性メモリ装置(フラッシュメモリデバイス、消去可能でプログラム可能な読み取り専用メモリ装置、またはマスク読み取り専用メモリ装置など)、揮発性メモリ装置(静的ランダムアクセスメモリ装置、またはダイナミックランダムアクセスメモリ装置などの)、磁気記憶媒体(アナログまたはデジタル磁気テープ、またはハードディスクドライブなどの)、および光記憶媒体(CD、DVD、またはブルーレイディスクなどの)である。
本出願で説明される装置および方法は、コンピュータプログラムにおいて具現化された1つまたは複数の特定の機能を実行するように汎用コンピュータを設定することにより生成された専用コンピュータにより部分的または完全に実装され得る。前述の機能ブロックとフローチャート要素とは、熟練した専門技術者またはプログラマーの通常業務によりコンピュータプログラムに翻訳され得るソフトウェア仕様書として機能する、
コンピュータプログラムは、少なくとも1つの非一時的なコンピュータ可読媒体に記憶されたプロセッサ実行可能命令を含む。コンピュータプログラムは、記憶されたデータをさらに含み得るか、または、記憶されたデータに依存し得る。コンピュータプログラムは、専用コンピュータのハードウェアと相互作用する基本入出力システム(BIOS: basic input/output system)、専用コンピュータの特定の装置と相互作用するデバイスドライバ、1つまたは複数のオペレーティングシステム、ユーザーアプリケーション、バックグラウンドサービス、バックグラウンドアプリケーションなどを包含し得る。
コンピュータプログラムは、(i)HTML(ハイパーテキストマークアップ言語: hypertext markup language)またはXML(拡張マークアップ言語: extensible markup language)などの構文解析される記述言語、(ii)アセンブリコード、(iii)コンパイラによりソースコードから生成されるオブジェクトコード、(iv)インタープリターによる実行のためのソースコード、(v)実行時コンパイラによるコンパイルおよび実行のためのソースコード、などを含む。例示に過ぎないが、ソースコードは、C、C++、C#、Objective-C、Haskell、Go、SQL、R、Lisp、Java(登録商標)、Fortran、Perl、Pascal、Curl、OCaml、Javascript(登録商標)、HTML5、Ada、ASP(アクティブサーバーページ: active server pages)、PHP、Scala、Eiffel、Smalltalk、Erlang、Ruby、Flash(登録商標)、Visual Basic(登録商標)、Lua、およびPython(登録商標)を含む言語の構文を使用して記述され得る。
請求項に記載される構成要素は、いずれも、構成要素が「する手段(means for)」という語句を使用して、または、方法の請求項の場合、「するための工程(operation for)」または「するためのステップ(step for)」という語句を使用して明示的に記載されない限り、米国特許法第112条(f)の意味におけるミーンズプラスファンクションの構成要素であることは意図されない。
104 生成器モジュール
108 プラズマ電極
112 プラズマチャンバ
116 出力制御モジュール
120 外部インターフェース
124 RF検出器
128 測定制御モジュール
132 整合ネットワークモジュール
304 電源モジュール
308 RF電力モジュール
312 駆動装置制御モジュール
316 フィルタ
350 制御モジュール
354 誤差モジュール
358 比例(P)モジュール
362 積分(I)モジュール
366 加算器モジュール
370 クランプモジュール
404 RF生成器モジュール
408 RF電力増幅器
412 検出器
416 反復設定値生成器モジュール
420 周波数制御モジュール
424 閉ループ制御モジュール
428 トリガーモジュール
432 設定値記憶モジュール
436 測定値記憶モジュール
440 調節モジュール
444 混合器モジュール
448 クランプモジュール
504 誤差モジュール
508 比例(P)モジュール
512 積分(I)モジュール
516 加算器モジュール
604 誤差モジュール
608 比例(P)モジュール
612 積分(I)モジュール
616 加算器モジュール
804 ひずみモジュール
808 第1の周波数調節モジュール
812 第2の周波数調節モジュール
816 混合器モジュール
820 遅延モジュール

Claims (56)

  1. 連続した複数の期間中、反復する所定のパターンに従って、出力パラメータのための設定値を選択的に変化させる反復設定値生成器モジュールと、
    前記複数の期間のうちの第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中におけるN個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の閉ループ値を生成する閉ループモジュールと、
    前記複数の期間のうちの前記第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの第2の期間中における前記N個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第2の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の調節値を生成する調節モジュールであって、前記複数の期間のうちの前記第2の期間が、前記複数の期間のうちの前記第1の期間の直前の期間である、調節モジュールと、
    負荷に出力を印加する電力増幅器と、
    前記N個の閉ループ値と前記N個の調節値とのそれぞれに基づいて、N個の出力値を生成することと、前記N個の出力値に基づいて、前記電力増幅器への電力入力を制御することとを行う混合器モジュールと、
    を備える、電力出力生成システム。
  2. 前記N個の時点が、均等に離間している、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  3. 前記N個の時点が、均等に離間していない、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  4. 前記閉ループモジュールが、比例積分(PI)制御を使用して前記N個の閉ループ値を生成する、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  5. 前記調節モジュールが、比例積分(PI)制御を使用して前記N個の調節値を生成する、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  6. 前記混合器モジュールが、混合比にさらに基づいて、前記N個の出力値を生成し、
    前記混合器モジュールが、前記混合比を選択的に変化させる、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  7. 前記電力増幅器の基本周波数を選択的に調節する周波数制御モジュールをさらに備える、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  8. 前記周波数制御モジュールが、反射電力に基づいて、前記電力増幅器の前記周波数を選択的に調節する、
    請求項7に記載の電力出力生成システム。
  9. 前記周波数制御モジュールが、反射係数に基づいて、前記電力増幅器の前記周波数を選択的に調節する、
    請求項7に記載の電力出力生成システム。
  10. 前記電力増幅器が、プラズマ電極に前記出力を印加する、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  11. 前記出力のひずみを特定することと、前記ひずみに基づいて、前記電力増幅器の周波数を選択的に調節することとを行う駆動装置制御モジュールをさらに備える、
    請求項1に記載の電力出力生成システム。
  12. 前記駆動装置制御モジュールが、前記ひずみと、前記出力の少なくとも1つの以前のひずみ量とに基づいて、第1の周波数調節値を決定することと、RF出力の少なくとも1つの以前のひずみ量に基づいて、第2の周波数調節値を決定することと、電力増幅器の以前の周波数と前記第1の周波数調節値と前記第2の周波数調節値とに基づいて、前記電力増幅器の前記周波数を設定することと、を行う、
    請求項11に記載の電力出力生成システム。
  13. 前記駆動装置制御モジュールが、前記第2の周波数調節値の少なくとも1つの以前の値に基づいて、前記第2の周波数調節値を決定する、
    請求項12に記載の電力出力生成システム。
  14. 連続した複数の期間中、反復する所定のパターンに従って、出力パラメータのための設定値を選択的に変化させるステップと、
    前記複数の期間のうちの第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中におけるN個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の閉ループ値を生成するステップと、
    前記複数の期間のうちの前記第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの第2の期間中における前記N個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第2の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の調節値を生成するステップであって、前記複数の期間のうちの前記第2の期間が、前記複数の期間のうちの前記第1の期間の直前の期間である、N個の調節値を生成するステップと、
    電力増幅器を使用して、負荷に出力電力を印加するステップと、
    前記N個の閉ループ値と前記N個の調節値とのそれぞれに基づいて、N個の出力値を生成するステップと、
    前記N個の出力値に基づいて、前記電力増幅器への電力入力を制御するステップと、
    を含む、出力電力を生成する方法。
  15. 前記N個の時点が、均等に離間している、
    請求項14に記載の方法。
  16. 前記N個の時点が、均等に離間していない、
    請求項14に記載の方法。
  17. 前記N個の閉ループ値を生成するステップは、比例積分(PI)制御を使用して前記N個の閉ループ値を生成するステップを含む、
    請求項14に記載の方法。
  18. 前記N個の調節値を生成するステップは、比例積分(PI)制御を使用して前記N個の調節値を生成するステップを含む、
    請求項14に記載の方法。
  19. 混合比にさらに基づいて、前記N個の出力値を生成するステップと、
    前記混合比を選択的に変化させるステップと、
    をさらに含む、請求項14に記載の方法。
  20. 前記電力増幅器の基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む、
    請求項14に記載の方法。
  21. 反射電力に基づいて、前記電力増幅器の前記基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む、
    請求項20に記載の方法。
  22. 反射係数に基づいて、前記電力増幅器の前記基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む、
    請求項20に記載の方法。
  23. 前記電力増幅器を使用して、プラズマ電極に前記出力電力を印加するステップをさらに含む、
    請求項14に記載の方法。
  24. 前記出力電力のひずみを特定するステップと、
    前記ひずみに基づいて、前記電力増幅器の基本周波数を選択的に調節するステップと、
    をさらに含む、請求項14に記載の方法。
  25. 前記ひずみと、前記出力電力の少なくとも1つの以前のひずみ量とに基づいて、第1の周波数調節値を決定するステップと、
    前記出力電力の少なくとも1つの以前のひずみ量に基づいて、第2の周波数調節値を決定するステップと、
    前記電力増幅器の以前の基本周波数と前記第1の周波数調節値と前記第2の周波数調節値とに基づいて、前記電力増幅器の前記基本周波数を設定するステップと、
    をさらに含む、請求項24に記載の方法。
  26. 前記第2の周波数調節値の少なくとも1つの以前の値に基づいて、前記第2の周波数調節値を決定するステップをさらに含む、
    請求項25に記載の方法。
  27. 負荷に出力電力を印加する電力増幅器を制御するための電力出力生成制御システムであって、
    連続した複数の期間中、反復する所定のパターンに従って、出力パラメータのための設定値を選択的に変化させる反復設定値生成器モジュールと、
    前記複数の期間のうちの第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの第2の期間中におけるN個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第2の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の調節値を生成する調節モジュールであって、前記複数の期間のうちの前記第2の期間が、前記複数の期間のうちの前記第1の期間の前の期間である、調節モジュールと、
    N個の閉ループ値と前記N個の調節値とのそれぞれに基づいて、前記N個の出力値を生成することと、前記N個の出力値に基づいて、前記電力増幅器への電力入力を制御することとを行う混合器モジュールと、
    を備える、電力出力生成制御システム。
  28. 前記複数の期間のうちの第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中における前記N個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の閉ループ値を生成する閉ループモジュールをさらに備える、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  29. 前記負荷に前記出力電力を印加する電力増幅器をさらに備える、
    請求項28に記載の電力出力生成制御システム。
  30. 前記負荷に前記出力電力を印加する電力増幅器をさらに備える、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  31. 前記N個の時点が、均等に離間している、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  32. 前記N個の時点が、均等に離間していない、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  33. 前記調節モジュールが、比例、積分、または微分制御の少なくとも1つを使用して前記N個の調節値を生成する、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  34. 前記混合器モジュールが、混合比にさらに基づいて、前記N個の出力値を生成し、前記混合器モジュールが、前記混合比を選択的に変化させる、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  35. 前記電力増幅器の基本周波数を選択的に調節する周波数制御モジュールをさらに備える、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  36. 前記周波数制御モジュールが、反射電力に基づいて、前記電力増幅器の前記周波数を選択的に調節する、
    請求項35に記載の電力出力生成制御システム。
  37. 前記周波数制御モジュールが、反射係数に基づいて、前記電力増幅器の前記周波数を選択的に調節する、
    請求項35に記載の電力出力生成制御システム。
  38. 前記負荷が、プラズマ電極である、
    請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  39. 前記出力電力のひずみを特定することと、前記ひずみに基づいて、前記出力電力の周波数を選択的に調節することと、を行う駆動装置制御モジュール、
    をさらに備える、請求項27に記載の電力出力生成制御システム。
  40. 前記駆動装置制御モジュールが、前記ひずみと、前記出力電力の少なくとも1つの以前のひずみ量とに基づいて、第1の周波数調節値を決定することと、RF出力の少なくとも1つの以前のひずみ量に基づいて、第2の周波数調節値を決定することと、前記出力電力の以前の周波数と前記第1の周波数調節値と前記第2の周波数調節値とに基づいて、前記出力電力の前記周波数を設定することとを行う、
    請求項39に記載の電力出力生成制御システム。
  41. 前記駆動装置制御モジュールが、前記第2の周波数調節値の少なくとも1つの以前の値に基づいて、前記第2の周波数調節値を決定する、
    請求項40に記載の電力出力生成制御システム。
  42. 連続した複数の期間中、反復する所定のパターンに従って、出力パラメータのための設定値を選択的に変化させるステップと、
    前記複数の期間のうちの第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの第2の期間中におけるN個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第2の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、N個の調節値を生成するステップであって、前記複数の期間のうちの前記第2の期間が、前記複数の期間のうちの前記第1の期間の直前の期間である、N個の調節値を生成するステップと、
    N個の閉ループ値と前記N個の調節値とのそれぞれに基づいて、N個の出力値を生成するステップと、
    前記N個の出力値に基づいて、電力増幅器への電力入力を制御するステップと、
    を含む、出力電力を生成する方法。
  43. 前記複数の期間のうちの前記第1の期間中、(i)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中における前記N個の時点での前記設定値のN個の値と、(ii)前記複数の期間のうちの前記第1の期間中における前記N個の時点での前記出力パラメータのN個の測定値と、の間のN個の差分のそれぞれに基づいて、前記N個の閉ループ値を生成するステップをさらに含む、
    請求項42に記載の方法。
  44. 前記電力増幅器を使用して、負荷に前記出力電力を印加するステップをさらに含む、
    請求項43に記載の方法。
  45. 前記電力増幅器を使用して、負荷に前記出力電力を印加するステップをさらに含む、
    請求項42に記載の方法。
  46. 前記N個の時点が、均等に離間している、
    請求項42に記載の方法。
  47. 前記N個の時点が、均等に離間していない、
    請求項42に記載の方法。
  48. 前記N個の閉ループ値を生成するステップは、比例、積分、または微分制御の少なくとも1つを使用して、前記N個の調節値を生成するステップを含む、
    請求項42に記載の方法。
  49. 混合比にさらに基づいて、前記N個の出力値を生成するステップと、
    前記混合比を選択的に変化させるステップと、
    をさらに含む、請求項42に記載の方法。
  50. 前記出力電力の基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む、
    請求項42に記載の方法。
  51. 反射電力に基づいて、前記出力電力の前記基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む、
    請求項50に記載の方法。
  52. 反射係数に基づいて、前記出力電力の前記基本周波数を選択的に調節するステップをさらに含む、
    請求項50に記載の方法。
  53. 電力増幅器を使用して、プラズマ電極に前記出力電力を印加するステップをさらに含む、
    請求項42に記載の方法。
  54. 前記出力電力のひずみを特定するステップと、
    前記ひずみに基づいて、前記電力増幅器の基本周波数を選択的に調節するステップと、
    をさらに含む、請求項42に記載の方法。
  55. 前記ひずみと、前記出力電力の少なくとも1つの以前のひずみ量とに基づいて、第1の周波数調節値を決定するステップと、
    前記出力電力の少なくとも1つの以前のひずみ量に基づいて、第2の周波数調節値を決定するステップと、
    前記電力増幅器の以前の基本周波数と前記第1の周波数調節値と前記第2の周波数調節値とに基づいて、前記電力増幅器の前記基本周波数を設定するステップと、
    をさらに含む、請求項54に記載の方法。
  56. 前記第2の周波数調節値の少なくとも1つの以前の値に基づいて、前記第2の周波数調節値を決定するステップをさらに含む、
    請求項55に記載の方法。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013226537B4 (de) 2013-12-18 2022-12-29 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem mit mehreren Verstärkerpfaden sowie Verfahren zur Anregung eines Plasmas
DE102013226511B4 (de) 2013-12-18 2016-12-15 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Leistungsversorgungssystem und Verfahren zur Erzeugung einer Leistung
US10049857B2 (en) * 2014-12-04 2018-08-14 Mks Instruments, Inc. Adaptive periodic waveform controller
DE102015112410A1 (de) * 2015-07-29 2017-02-02 Epcos Ag Verfahren zur Frequenzregelung eines piezoelektrischen Transformators sowie Schaltungsanordnung mit einem piezoelektrischen Transformator
US20170358431A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for controlling a voltage waveform at a substrate during plasma processing
US10312048B2 (en) 2016-12-12 2019-06-04 Applied Materials, Inc. Creating ion energy distribution functions (IEDF)
US10396601B2 (en) * 2017-05-25 2019-08-27 Mks Instruments, Inc. Piecewise RF power systems and methods for supplying pre-distorted RF bias voltage signals to an electrode in a processing chamber
EP3616235A4 (en) * 2017-07-07 2021-02-24 Advanced Energy Industries, Inc. INTER-PERIODIC CONTROL SYSTEM FOR PLASMA POWER SUPPLY SYSTEM AND ITS OPERATING PROCESS
US11615943B2 (en) * 2017-07-07 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control for passive power distribution of multiple electrode inductive plasma source
US11651939B2 (en) * 2017-07-07 2023-05-16 Advanced Energy Industries, Inc. Inter-period control system for plasma power delivery system and method of operating same
US10264663B1 (en) * 2017-10-18 2019-04-16 Lam Research Corporation Matchless plasma source for semiconductor wafer fabrication
LT3539843T (lt) * 2018-03-12 2021-09-10 Railnova Sa Įrenginys riedėjimo inventoriaus duomenims apdoroti
US11042140B2 (en) 2018-06-26 2021-06-22 Mks Instruments, Inc. Adaptive control for a power generator
KR102438864B1 (ko) * 2018-09-28 2022-08-31 램 리써치 코포레이션 플라즈마 챔버의 전극으로 전력 전달 최적화를 위한 방법들 및 시스템들
JP7122268B2 (ja) * 2019-02-05 2022-08-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US11587767B2 (en) 2019-06-19 2023-02-21 Analogic Corporation Radio frequency generators, and related systems, methods, and devices
US11626907B2 (en) 2019-06-19 2023-04-11 Analogic Corporation Radio frequency generators, and related systems, methods, and devices
US11158488B2 (en) 2019-06-26 2021-10-26 Mks Instruments, Inc. High speed synchronization of plasma source/bias power delivery
US11315757B2 (en) 2019-08-13 2022-04-26 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus to enhance sheath formation, evolution and pulse to pulse stability in RF powered plasma applications
US10741363B1 (en) * 2019-10-08 2020-08-11 Mks Instruments, Inc. Extremum seeking control apparatus and method for automatic frequency tuning for RF impedance matching
US11232931B2 (en) 2019-10-21 2022-01-25 Mks Instruments, Inc. Intermodulation distortion mitigation using electronic variable capacitor
US11545943B2 (en) 2020-12-04 2023-01-03 Mks Instruments, Inc. Switched capacitor modulator
EP4272239A1 (en) * 2020-12-30 2023-11-08 Comet AG Method for generating a rf signal; rf generator and plasma apparatus
US11715624B2 (en) 2021-08-09 2023-08-01 Mks Instruments, Inc. Adaptive pulse shaping with post match sensor
US11721523B2 (en) 2021-09-07 2023-08-08 Advanced Energy Industries, Inc. Control of rail voltage in multi-level pulsing RF power amplifier
US20230080707A1 (en) * 2021-09-13 2023-03-16 Advanced Energy Industries, Inc. Model reference adaptive control with signum projection tensor operations
US11972926B2 (en) 2021-10-05 2024-04-30 Advanced Energy Industries, Inc. Dynamic control-setpoint modification
US11823869B2 (en) 2021-10-15 2023-11-21 Mks Instruments, Inc. Impedance matching in a RF power generation system
US11990324B2 (en) 2022-03-03 2024-05-21 Advanced Energy Industries, Inc. Adaptive predictive control system
US11996274B2 (en) 2022-04-07 2024-05-28 Mks Instruments, Inc. Real-time, non-invasive IEDF plasma sensor
US11996269B2 (en) 2022-09-08 2024-05-28 Mks Instruments, Inc. Extremum seeking control apparatuses with online parameter adjustment and methods

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4977529A (en) * 1973-02-23 1990-12-11 Westinghouse Electric Corp. Training simulator for a nuclear power plant
US6020794A (en) 1998-02-09 2000-02-01 Eni Technologies, Inc. Ratiometric autotuning algorithm for RF plasma generator
US6760367B1 (en) * 2000-09-26 2004-07-06 Eni Technology, Inc. Internal noise immune data communications scheme
US6778921B2 (en) * 2001-04-06 2004-08-17 Eni Technology, Inc. Modular architecture for industrial power delivery system
US6417732B1 (en) 2001-04-06 2002-07-09 Eni Technology, Inc. Controller for RF power generator with reduced cable length sensitivity
US6868310B2 (en) * 2001-04-06 2005-03-15 Eni Technology, Inc. Predictive failure scheme for industrial thin films processing power delivery system
US6459067B1 (en) 2001-04-06 2002-10-01 Eni Technology, Inc. Pulsing intelligent RF modulation controller
AU2003210465B2 (en) * 2002-01-08 2006-11-02 Ipr Licensing, Inc. Maintaining a maintenance channel in a reverse link of a wireless communications system
US6995067B2 (en) * 2003-02-06 2006-02-07 Lam Research Corporation Megasonic cleaning efficiency using auto-tuning of an RF generator at constant maximum efficiency
US7785374B2 (en) * 2005-01-24 2010-08-31 Columbia Insurance Co. Methods and compositions for imparting stain resistance to nylon materials
US9214909B2 (en) * 2005-07-29 2015-12-15 Mks Instruments, Inc. High reliability RF generator architecture
US9011633B2 (en) * 2005-11-17 2015-04-21 Mks Instruments, Inc. Broadband techniques to reduce the effects of impedance mismatch in plasma chambers
JP4830889B2 (ja) 2007-02-15 2011-12-07 ブラザー工業株式会社 情報配信システム、情報配信方法及びノード装置等
US7728602B2 (en) * 2007-02-16 2010-06-01 Mks Instruments, Inc. Harmonic derived arc detector
US20080204036A1 (en) 2007-02-28 2008-08-28 Agilent Technologies, Inc. Pulse-generating apparatus and a method for adjusting levels of pulses outputted from pulse-generating apparatus
EP2097920B1 (de) * 2007-07-23 2017-08-09 TRUMPF Hüttinger GmbH + Co. KG Plasmaversorgungseinrichtung
US7586100B2 (en) 2008-02-12 2009-09-08 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Closed loop control and process optimization in plasma doping processes using a time of flight ion detector
US8289029B2 (en) * 2008-02-14 2012-10-16 Mks Instruments, Inc. Application of wideband sampling for arc detection with a probabilistic model for quantitatively measuring arc events
CN101640969B (zh) * 2008-07-29 2012-09-05 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 匹配方法及应用该匹配方法的等离子体装置
US9554922B2 (en) * 2008-09-04 2017-01-31 Bionx Medical Technologies, Inc. Hybrid terrain-adaptive lower-extremity systems
US8815329B2 (en) 2008-12-05 2014-08-26 Advanced Energy Industries, Inc. Delivered energy compensation during plasma processing
US8040068B2 (en) 2009-02-05 2011-10-18 Mks Instruments, Inc. Radio frequency power control system
US8659335B2 (en) * 2009-06-25 2014-02-25 Mks Instruments, Inc. Method and system for controlling radio frequency power
CN202008614U (zh) * 2010-12-24 2011-10-12 晶澳（扬州）太阳能科技有限公司 一种刻蚀机射频功率的控制系统
US8736368B2 (en) * 2011-08-16 2014-05-27 Qualcomm Incorporated Class E amplifier overload detection and prevention
US8576013B2 (en) 2011-12-29 2013-11-05 Mks Instruments, Inc. Power distortion-based servo control systems for frequency tuning RF power sources
US9368329B2 (en) * 2012-02-22 2016-06-14 Lam Research Corporation Methods and apparatus for synchronizing RF pulses in a plasma processing system
US8773019B2 (en) * 2012-02-23 2014-07-08 Mks Instruments, Inc. Feedback control and coherency of multiple power supplies in radio frequency power delivery systems for pulsed mode schemes in thin film processing
US8952765B2 (en) * 2012-03-23 2015-02-10 Mks Instruments, Inc. System and methods of bimodal automatic power and frequency tuning of RF generators
US9541471B2 (en) * 2012-04-06 2017-01-10 Mks Instruments, Inc. Multivariate prediction of a batch manufacturing process
US9408288B2 (en) 2012-09-14 2016-08-02 Lam Research Corporation Edge ramping
US8736377B2 (en) * 2012-10-30 2014-05-27 Mks Instruments, Inc. RF pulse edge shaping
US8781415B1 (en) * 2013-02-07 2014-07-15 Mks Instruments, Inc. Distortion correction based feedforward control systems and methods for radio frequency power sources
US9136093B2 (en) * 2013-02-07 2015-09-15 Mks Instruments, Inc. Synchronization of RF pulsing with RF metrology, processing, and control
JP6178594B2 (ja) * 2013-03-11 2017-08-09 株式会社日立国際電気 プラズマ生成用電源装置
US9336995B2 (en) * 2013-04-26 2016-05-10 Mks Instruments, Inc. Multiple radio frequency power supply control of frequency and phase
US9196459B2 (en) * 2014-01-10 2015-11-24 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9496122B1 (en) * 2014-01-10 2016-11-15 Reno Technologies, Inc. Electronically variable capacitor and RF matching network incorporating same
US10049857B2 (en) * 2014-12-04 2018-08-14 Mks Instruments, Inc. Adaptive periodic waveform controller
US9536749B2 (en) 2014-12-15 2017-01-03 Lam Research Corporation Ion energy control by RF pulse shape
US9306533B1 (en) * 2015-02-20 2016-04-05 Reno Technologies, Inc. RF impedance matching network
US9525412B2 (en) * 2015-02-18 2016-12-20 Reno Technologies, Inc. Switching circuit
US9947514B2 (en) * 2015-09-01 2018-04-17 Mks Instruments, Inc. Plasma RF bias cancellation system
US9648716B2 (en) * 2015-09-02 2017-05-09 Mks Instruments, Inc. Direct three phase parallel resonant inverter for reactive gas generator applications
US20190108976A1 (en) 2017-10-11 2019-04-11 Advanced Energy Industries, Inc. Matched source impedance driving system and method of operating the same

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