JP6442994B2 - Mask suction device - Google Patents

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Description

本発明は、マスク吸着装置に関する。   The present invention relates to a mask suction device.

半導体装置の製造過程では、ウエハ上にマスクを吸着させた後にウエハに対して成膜が行われている。例えば、特許文献１には、マスクを位置決めした後に、ウエハを介してウエハの下方からウエハ上にメタルマスクを磁力によって吸着させる技術が記載されている。   In the manufacturing process of a semiconductor device, a film is formed on a wafer after a mask is adsorbed on the wafer. For example, Patent Document 1 describes a technique in which after a mask is positioned, a metal mask is attracted onto the wafer from below the wafer via the wafer.

特開２０１４−４９６１２号公報JP 2014-49612 A

しかし、特許文献１に記載された技術では、マスクの位置決め後にマスクを全面同時にウエハへ吸着するため、マスクが保持されていたときの大きな歪みをマスクの周縁部へ逃がすことができず、ウエハに吸着後のマスクに大きな歪みが残るおそれがあった。   However, in the technique described in Patent Document 1, since the mask is simultaneously attracted to the wafer after positioning the mask, a large distortion when the mask is held cannot be released to the peripheral portion of the mask, and the wafer is There is a possibility that a large distortion remains in the mask after adsorption.

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
本発明の第１の形態によれば、マスク吸着装置が提供される。このマスク吸着装置は、ウエハを載置するホルダと、磁性を有するマスクの周縁部を保持する保持部と、前記マスクの中央部が前記ウエハに対して凸となるように、前記保持部が前記マスクを保持する位置よりも前記ウエハに近い位置に前記マスクの前記中央部を支持する支持部と、前記保持部および前記支持部を前記ホルダ上に載置された前記ウエハに近接または離間させる移動機構と、前記ホルダの前記ウエハを載置する面に平行な方向に沿って配置された複数の磁石を有し、前記支持部によって前記マスクの前記中央部が前記ウエハに対して凸にされた状態で、前記マスクに対して磁力を発生させる磁力発生部と、を備える。前記支持部は、先端に空気を吸引する吸引孔を有し、前記吸引孔で前記マスクの前記中央部を真空吸着することによって前記マスクを保持可能に構成されている。
尚、本発明は以下の形態としても実現できる。 SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is to solve at least a part of the problems described above, and the invention can be implemented as the following forms.
According to the first aspect of the present invention, a mask suction device is provided. The mask adsorbing device, a holder for mounting the wafer, and a holding portion for holding a peripheral portion of the mask having magnetism, so that the central portion of the mask is projected to the wafer, the holder is the A support portion for supporting the central portion of the mask at a position closer to the wafer than a position for holding the mask, and a movement for moving the holding portion and the support portion closer to or away from the wafer placed on the holder includes a mechanism, a plurality of magnets disposed along a direction parallel to the surface for placing the wafer of the holder, the central portion of the mask is convex with respect to the wafer by the support portion And a magnetic force generator for generating a magnetic force with respect to the mask. The support part has a suction hole for sucking air at the tip, and is configured to hold the mask by vacuum-sucking the central part of the mask through the suction hole.
In addition, this invention is realizable also as the following forms.

（１）本発明の一形態によれば、マスク吸着装置が提供される。このマスク吸着装置は、ウエハを載置するホルダと；磁性を有するマスクを保持する保持部と；前記保持部を前記ホルダ上に載置された前記ウエハに近接離間させる移動機構と；前記マスクの周縁部以外の部分を前記ウエハに対して凸とするように前記マスクに対して磁力を発生させる磁力発生部と、を備える。このような形態のマスク吸着装置であれば、ウエハに対して凸としたマスクの部分から周縁部へマスクの歪みを逃しつつマスクをウエハに吸着できるので、ウエハ吸着後のマスクに大きな歪みが残ることを抑制することができる。 (1) According to one aspect of the present invention, a mask suction device is provided. The mask suction device includes: a holder for placing a wafer; a holding portion for holding a magnetic mask; a moving mechanism for moving the holding portion close to and away from the wafer placed on the holder; A magnetic force generation unit that generates a magnetic force on the mask so that a portion other than the peripheral portion is convex with respect to the wafer. With this type of mask suction device, the mask can be sucked to the wafer while escaping the mask distortion from the mask portion convex to the wafer to the peripheral portion, so that a large strain remains on the mask after wafer suction. This can be suppressed.

（２）上記形態のマスク吸着装置において、前記マスクの一部分は、前記マスクの中央部であり、前記マスクの他の部分は、前記マスクの周縁部であってもよい。このような形態のマスク吸着装置であれば、マスクの歪みを均等にマスクの周縁部へ逃がせるので、ウエハ吸着後のマスクに大きな歪みが残ることをより抑制することができる。 (2) In the mask suction device of the above aspect, a part of the mask may be a central part of the mask, and another part of the mask may be a peripheral part of the mask. With this type of mask suction device, the mask distortion can be evenly released to the peripheral edge of the mask, so that it is possible to further suppress the large strain remaining on the mask after the wafer suction.

本発明は、上述したマスク吸着装置としての形態に限らず、種々の形態で実現することが可能である。例えば、マスク吸着方法や、半導体製造装置の形態で実現することができる。   The present invention is not limited to the form of the mask suction device described above, and can be realized in various forms. For example, it can be realized in the form of a mask suction method or a semiconductor manufacturing apparatus.

第１実施形態としてのマスク吸着装置１の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the mask adsorption | suction apparatus 1 as 1st Embodiment. 図１におけるＸ矢視図である。FIG. マスクをウエハに位置合わせする様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a mask is aligned with a wafer. 搬送ロボットがマスクの保持を解除する様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a conveyance robot cancels | releases holding | maintenance of a mask. マスクをウエハに吸着させる様子を示す図である。It is a figure which shows a mode that a mask is adsorb | sucked to a wafer. 比較例におけるマスクとスパッタ膜との関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the relationship between the mask and sputtered film in a comparative example. 第１実施形態におけるマスクとスパッタ膜との関係を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the relationship between the mask and sputtered film in 1st Embodiment. 第２実施形態としてのマスク吸着装置１ａの概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the mask adsorption | suction apparatus 1a as 2nd Embodiment. 第３実施形態としてのマスク吸着装置１ｂの概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the mask adsorption | suction apparatus 1b as 3rd Embodiment. 第４実施形態としてのマスク吸着装置１ｃの概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the mask adsorption | suction apparatus 1c as 4th Embodiment.

Ａ．第１実施形態
図１は、第１実施形態としてのマスク吸着装置１の概略構成を示す説明図である。図２は、図１におけるＸ矢視図である。マスク吸着装置１は、搬送ロボット１０と磁力発生部２０とウエハホルダ３０とを備えている。ウエハホルダ３０は、その上面に載置されたウエハ４０を保持する。搬送ロボット１０は、ウエハ４０の鉛直上方に配置されてマスク５０を保持する。磁力発生部２０は、ウエハ４０の鉛直下方に配置されて磁力によってウエハ４０を介してマスク５０をウエハ４０に吸着させる。 A. First Embodiment FIG. 1 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a mask suction device 1 as a first embodiment. FIG. 2 is a view taken in the direction of arrow X in FIG. The mask suction device 1 includes a transfer robot 10, a magnetic force generator 20, and a wafer holder 30. Wafer holder 30 holds wafer 40 placed on the upper surface thereof. The transfer robot 10 is disposed vertically above the wafer 40 and holds the mask 50. The magnetic force generator 20 is disposed vertically below the wafer 40 and attracts the mask 50 to the wafer 40 via the wafer 40 by the magnetic force.

搬送ロボット１０は、本体１１と、本体１１に設けられたノズル１２と、を備えている。例えば、本体１１は、下方から見たときに円形のマスク５０よりも大きい円形である（図２参照）。ノズル１２は、本体１１を下方から見たときにマスク５０の周縁部に対応する位置に配置されており、例えば、円形のマスク５０の周縁部を円周方向に略八等分するように配置されている。ノズル１２は、本体１１の下面から鉛直下方に向かって伸びている。また、ノズル１２は、鉛直下方側の先端部に図示しない吸引孔を有しており、吸引孔が空気を吸引することによりマスク５０とノズル１２の先端部との間に真空状態を作り出してノズル１２はマスク５０を保持する。なお、搬送ロボット１０がマスク５０を保持する方法はノズル１２による真空吸着に限られず、クランプ等による保持であってもよい。また、搬送ロボット１０は、図示しないロボットアームと接続されており、ロボットアームを稼働させることによって、マスク５０を保持しつつ移動が可能である。搬送ロボット１０は「保持部」に相当し、ロボットアームは移動機構に相当する。   The transfer robot 10 includes a main body 11 and a nozzle 12 provided on the main body 11. For example, the main body 11 has a larger circular shape than the circular mask 50 when viewed from below (see FIG. 2). The nozzle 12 is disposed at a position corresponding to the peripheral edge of the mask 50 when the main body 11 is viewed from below. For example, the peripheral edge of the circular mask 50 is arranged so as to be divided into approximately eight equal parts in the circumferential direction. Has been. The nozzle 12 extends vertically downward from the lower surface of the main body 11. In addition, the nozzle 12 has a suction hole (not shown) at the tip portion on the vertically lower side, and the suction hole sucks air to create a vacuum state between the mask 50 and the tip portion of the nozzle 12. 12 holds the mask 50. Note that the method of holding the mask 50 by the transfer robot 10 is not limited to the vacuum suction by the nozzles 12 but may be holding by a clamp or the like. Moreover, the transfer robot 10 is connected to a robot arm (not shown), and can move while holding the mask 50 by operating the robot arm. The transfer robot 10 corresponds to a “holding unit”, and the robot arm corresponds to a moving mechanism.

磁力発生部２０は、第１磁石ユニット２１と、複数の第２磁石ユニット２２とを備える。磁力発生部２０を上方から見たときに、第１磁石ユニット２１はマスク５０の中央部に対応する位置に配置されており、複数の第２磁石ユニット２２はマスク５０の周縁部に対応する位置に円環状に配置されている。また、第１磁石ユニット２１および第２磁石ユニット２２には１つ以上の１対の磁石２００、２０１が備えられている。図１には、１対の磁石２００、２０１毎にＮ極からＳ極に入る磁力線Ａが示されている。磁力線Ａが密であるほど磁力は大きい。第１磁石ユニット２１および第２磁石ユニット２２は別個に上下移動が可能である。   The magnetic force generator 20 includes a first magnet unit 21 and a plurality of second magnet units 22. When the magnetic force generator 20 is viewed from above, the first magnet unit 21 is disposed at a position corresponding to the central portion of the mask 50, and the plurality of second magnet units 22 are positions corresponding to the peripheral portion of the mask 50. Are arranged in an annular shape. The first magnet unit 21 and the second magnet unit 22 are provided with one or more pairs of magnets 200 and 201. FIG. 1 shows magnetic field lines A that enter the S pole from the N pole for each pair of magnets 200 and 201. The closer the line of magnetic force A, the greater the magnetic force. The first magnet unit 21 and the second magnet unit 22 can be moved up and down separately.

ウエハホルダ３０は、平面状の部材であり、上面に凹部３１が形成されている。ウエハホルダ３０は、凹部３１にウエハ４０を載置してウエハ４０を保持している。なお、ウエハホルダ３０は、凹部３１以外の手段によってウエハ４０を保持してもよい。   The wafer holder 30 is a planar member, and a recess 31 is formed on the upper surface. The wafer holder 30 holds the wafer 40 by placing the wafer 40 in the recess 31. Note that the wafer holder 30 may hold the wafer 40 by means other than the recess 31.

ウエハ４０は、シリコン等の半導体装置の基板となる材料で構成された円形の平板である。   The wafer 40 is a circular flat plate made of a material that becomes a substrate of a semiconductor device such as silicon.

マスク５０は、磁性を有した金属で構成されるメタルマスクである。そのため、マスク５０は磁力発生部２０の磁力により吸引される性質を有する。マスク５０には、ウエハ４０上に所望のスパッタ膜を形成するために予めスパッタ膜に対応する位置に孔５１が形成されている（ただし、図２では孔５１は省略している）。マスク５０の形状は、例えば、上方から見たときに円形であり、ウエハ４０より直径が大きい。なお、マスク５０の形状は円形に限られるものではなく、四角形等であってもよく、ウエハ４０より小さくてもよい。マスク５０の厚みは、例えば、１００μｍ以下であり、非常に薄い。そのため、マスク５０には、搬送ロボット１０によって保持される際に大きな歪みが発生する場合がある。   The mask 50 is a metal mask made of a metal having magnetism. Therefore, the mask 50 has a property of being attracted by the magnetic force of the magnetic force generation unit 20. In the mask 50, a hole 51 is formed in advance in a position corresponding to the sputtered film in order to form a desired sputtered film on the wafer 40 (however, the hole 51 is omitted in FIG. 2). The shape of the mask 50 is, for example, a circle when viewed from above and has a diameter larger than that of the wafer 40. The shape of the mask 50 is not limited to a circle, and may be a square or the like, and may be smaller than the wafer 40. The thickness of the mask 50 is, for example, 100 μm or less and is very thin. Therefore, a large distortion may occur in the mask 50 when it is held by the transfer robot 10.

図３は、マスクをウエハに位置合わせする様子を示す図である。マスク５０を保持した搬送ロボット１０は、ウエハ４０の上面とマスク５０が接触しない程度にマスク５０をウエハ４０に相対的に接近させる。その後、磁力発生部２０が、第１磁石ユニット２１のみを上昇させてウエハホルダ３０に向かって接近させる。これにより、マスク５０の中央部をウエハに対して凸とするようにマスクに対して磁力を発生させることができる。そのため、マスク５０の周縁部に比べてウエハ４０の上面に先に接近することになる。この状態で、搬送ロボット１０は、ウエハ４０に対するマスク５０の水平方向の位置合わせを行う。   FIG. 3 is a diagram showing how the mask is aligned with the wafer. The transfer robot 10 holding the mask 50 moves the mask 50 relatively close to the wafer 40 so that the upper surface of the wafer 40 and the mask 50 do not contact each other. Thereafter, the magnetic force generator 20 raises only the first magnet unit 21 to approach the wafer holder 30. Thereby, a magnetic force can be generated with respect to the mask so that the central portion of the mask 50 is convex with respect to the wafer. Therefore, the upper surface of the wafer 40 is first approached as compared with the peripheral portion of the mask 50. In this state, the transfer robot 10 aligns the mask 50 with the wafer 40 in the horizontal direction.

図４は、搬送ロボットがマスクの保持を解除する様子を示す図である。マスク５０の位置合わせ後、搬送ロボット１０は、ノズル１２の空気の吸引を停止することで、ノズル１２とマスク５０との間の真空状態を解除する。これにより、搬送ロボット１０がマスク５０を保持している状態を解除することができ、前述のようにウエハ４０に接近していたマスク５０の中央部から先にウエハ４０に吸着させることができる。このとき本実施形態では、マスク５０の中央部はウエハ４０に対して点あるいは局所的な面で接触する。   FIG. 4 is a diagram illustrating a state where the transfer robot releases the holding of the mask. After the alignment of the mask 50, the transfer robot 10 releases the vacuum state between the nozzle 12 and the mask 50 by stopping the air suction of the nozzle 12. Thereby, the state in which the transfer robot 10 is holding the mask 50 can be released, and the wafer 40 can be adsorbed to the wafer 40 first from the central portion of the mask 50 that has been approaching the wafer 40 as described above. At this time, in this embodiment, the central portion of the mask 50 contacts the wafer 40 at a point or a local surface.

図５は、マスクをウエハに吸着させる様子を示す図である。搬送ロボット１０がマスク５０の保持を解除した後に、磁力発生部２０は、マスク５０の周縁部に対応する位置に配置された複数の第２磁石ユニット２２を上昇させてウエハホルダ３０に接近させる。すると、マスク５０は、その中央部からマスク５０の周縁部に向かって次第にウエハ４０に吸着していく。これにより、マスク５０が搬送ロボット１０によって保持された際に発生した大きな歪みをマスク５０の周縁部に逃がしつつマスク５０をウエハ４０に吸着させることができる。従って、ウエハ４０に吸着後のマスク５０に大きな歪みが残ることを抑制することができる。さらに、マスク５０の歪みを均等にマスク５０の周縁部へ逃がせるので、ウエハ４０吸着後のマスク５０に大きな歪みが残ることをより抑制することができる。   FIG. 5 is a diagram illustrating a state in which the mask is attracted to the wafer. After the transfer robot 10 releases the holding of the mask 50, the magnetic force generator 20 raises the plurality of second magnet units 22 arranged at positions corresponding to the peripheral edge of the mask 50 to approach the wafer holder 30. Then, the mask 50 is gradually attracted to the wafer 40 from the central portion toward the peripheral portion of the mask 50. Thereby, the mask 50 can be adsorbed to the wafer 40 while releasing a large distortion generated when the mask 50 is held by the transfer robot 10 to the peripheral portion of the mask 50. Therefore, it is possible to suppress a large strain from remaining on the mask 50 after being attracted to the wafer 40. Further, since the distortion of the mask 50 can be evenly released to the peripheral portion of the mask 50, it is possible to further suppress the large distortion remaining on the mask 50 after the wafer 40 is sucked.

図６は、比較例におけるマスクとスパッタ膜との関係を示す模式図である。図６に示した例では、マスク５０に大きな歪みが残ったままマスク５０をウエハ４０に吸着させた後に、金属原子のスパッタリングを行った。この場合、マスク５０には大きな歪みが残っているため、マスク５０の孔５１の間隔は、マスク５０上部では設計上の狙い幅Ｂと同等であるが、マスク５０とウエハ４０との接触部であるマスク５０下部では狙い幅Ｂ以上に広がっている。そのため、スパッタ膜６０の幅は狙い幅Ｂ以上になってしまい、ウエハ４０に形成される半導体装置の不良の原因となるおそれがある。また、マスク５０に歪みが残っていると、マスク５０の孔５１の形状等によっては、スパッタ膜６０の幅は狙い幅Ｂよりも小さくなることもある。   FIG. 6 is a schematic diagram showing the relationship between the mask and the sputtered film in the comparative example. In the example shown in FIG. 6, after the mask 50 is adsorbed to the wafer 40 while a large strain remains in the mask 50, sputtering of metal atoms is performed. In this case, since a large strain remains in the mask 50, the distance between the holes 51 of the mask 50 is equal to the design target width B in the upper part of the mask 50, but at the contact portion between the mask 50 and the wafer 40. At a lower portion of a certain mask 50, it spreads beyond the target width B. Therefore, the width of the sputtered film 60 is not less than the target width B, which may cause a failure of the semiconductor device formed on the wafer 40. If the mask 50 remains strained, the width of the sputtered film 60 may be smaller than the target width B depending on the shape of the hole 51 of the mask 50 and the like.

図７は、第１実施形態におけるマスクとスパッタ膜との関係を示す模式図である。図７に示した例では、第１実施形態のマスク吸着装置１によってマスク５０をウエハ４０に吸着させた後に、金属原子のスパッタリングを行った。第１実施形態のマスク吸着装置１によれば、ウエハ４０に吸着されたマスク５０には大きな歪みがほとんど残らないため、マスク５０の孔５１の間隔はマスク上部から下部まで一定となり、設計上の狙い幅Ｂと同等になる。そのため、スパッタ膜６０の幅も狙い幅Ｂと同等となり、ウエハ４０に形成される半導体装置の不良を抑制することができる。   FIG. 7 is a schematic diagram showing the relationship between the mask and the sputtered film in the first embodiment. In the example shown in FIG. 7, after the mask 50 is adsorbed to the wafer 40 by the mask adsorbing apparatus 1 of the first embodiment, sputtering of metal atoms is performed. According to the mask suction device 1 of the first embodiment, since the mask 50 sucked on the wafer 40 is hardly subjected to large distortion, the interval between the holes 51 of the mask 50 is constant from the upper part to the lower part of the mask. It becomes equal to the target width B. For this reason, the width of the sputtered film 60 is also equal to the target width B, and defects in the semiconductor device formed on the wafer 40 can be suppressed.

Ｂ．第２実施形態
図８は、第２実施形態としてのマスク吸着装置１ａの概略構成を示す説明図である。第１実施形態と異なる点のみ記載する。第２実施形態において、磁力発生部２０ａは一体であり複数の磁石２０２を備えている。複数の磁石２０２は、磁力発生部２０ａを上方から見たときにマスク５０の中央部に対応する位置に近いほど密に配置されており、マスク５０の周縁部に対応する位置に近いほど疎に配置されている。そのため、磁力発生部２０ａは、マスク５０の周縁部よりもマスク５０の中央部を引き寄せる力が強くなっている。従って、第２実施形態によれば、磁力発生部２０ａをウエハホルダ３０に近づけるだけで、マスク５０の中央部をマスクに対して凸とするようにマスクに対して磁力を発生させることができる。そのため、マスク５０の中央部から周縁部へ向かってマスク５０をしだいにウエハ４０に吸着させることができ、ウエハ４０に吸着後のマスク５０に大きな歪みが残ることを抑制することができる。 B. Second Embodiment FIG. 8 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a mask suction device 1a as a second embodiment. Only differences from the first embodiment will be described. In the second embodiment, the magnetic force generator 20 a is integrated and includes a plurality of magnets 202. The plurality of magnets 202 are arranged closer to a position corresponding to the central portion of the mask 50 when the magnetic force generation unit 20a is viewed from above, and is closer to a position corresponding to the peripheral portion of the mask 50. Has been placed. For this reason, the magnetic force generating portion 20 a has a stronger force for pulling the central portion of the mask 50 than the peripheral portion of the mask 50. Therefore, according to the second embodiment, the magnetic force can be generated with respect to the mask so that the central portion of the mask 50 is convex with respect to the mask only by bringing the magnetic force generation unit 20a close to the wafer holder 30. Therefore, the mask 50 can be gradually attracted to the wafer 40 from the central portion to the peripheral portion of the mask 50, and it is possible to suppress a large distortion from remaining on the mask 50 after the suction.

Ｃ．第３実施形態
図９は、第３実施形態としてのマスク吸着装置１ｂの概略構成を示す説明図である。第１実施形態と異なる点のみ記載する。第３実施形態において、磁力発生部２０ｂは一体であり、複数の一対の磁石２００、２０１が水平方向に均等に配置されている。搬送ロボット１０ｂは本体１１およびノズル１２に加え、本体１１に備えられた支持部７０を備えている。本体１１を上方から見たときに、支持部７０は本体１１におけるマスク５０の中央部に対応する位置に配置されている。支持部７０は、本体１１の下面からウエハ４０に向かって伸びており、ノズル１２の先端部よりも支持部７０の先端部はウエハ４０に近い。これにより、マスク５０の中央部をウエハに対して凸とするように、マスクに対して磁力を発生させて、マスク５０の周縁部より先にウエハ４０に近づけることができる。そのため、マスク５０の中央部からマスク５０の周縁部に向かってマスク５０をウエハ４０に吸着させることができ、ウエハ４０に吸着後のマスク５０に大きな歪みが残ることを抑制することができる。なお、支持部７０はノズル１２と同様に先端部に吸引孔を設けて、マスク５０を保持する構造であってもよい。 C. Third Embodiment FIG. 9 is an explanatory diagram showing a schematic configuration of a mask suction device 1b as a third embodiment. Only differences from the first embodiment will be described. In 3rd Embodiment, the magnetic force generation part 20b is integral, and several pairs of magnets 200 and 201 are arrange | positioned equally at the horizontal direction. In addition to the main body 11 and the nozzle 12, the transfer robot 10 b includes a support unit 70 provided in the main body 11. When the main body 11 is viewed from above, the support portion 70 is disposed at a position corresponding to the central portion of the mask 50 in the main body 11. The support portion 70 extends from the lower surface of the main body 11 toward the wafer 40, and the front end portion of the support portion 70 is closer to the wafer 40 than the front end portion of the nozzle 12. Thereby, magnetic force can be generated with respect to the mask so that the central portion of the mask 50 is convex with respect to the wafer, and the wafer 40 can be brought closer to the wafer 40 before the peripheral portion of the mask 50. Therefore, the mask 50 can be attracted to the wafer 40 from the central portion of the mask 50 toward the peripheral edge of the mask 50, and it is possible to suppress a large strain from remaining on the mask 50 after the suction. The support portion 70 may have a structure that holds the mask 50 by providing a suction hole at the distal end portion in the same manner as the nozzle 12.

Ｄ．第４実施形態
図１０は、第４実施形態としてのマスク吸着装置１ｃの概略構成を示す説明図である。第１実施形態と異なる点のみ記載する。第４実施形態において、磁力発生部２０ｂは第３実施形態と同様である。搬送ロボット１０ｃは、本体１１と、本体１１に備えられた第１ノズル１３および第２ノズル１４を備える。本体１１を上方から見たときに、第１ノズル１３および第２ノズル１４は、マスク５０の周縁部に対応する位置に配置される。第１ノズル１３および第２ノズル１４は、本体１１の下面からウエハ４０に向かって伸びており、第１ノズル１３の先端部は第２ノズル１４の先端部よりもウエハ４０に近い。この時に、磁力発生部２０ｂがマスク５０に対して磁力を発生させると、マスク５０は周縁部同士を結んだ直線に対してマスク５０の一部がウエハ４０に対して凸となるようにできる。これにより、マスク５０の周縁部以外の部分マスク５０の周縁部よりウエハ４０に近づけることができるので、マスク５０の大きな歪みを周縁部以外の部分から周縁部に逃がしつつマスク５０をウエハ４０に吸着させることができる。そのため、第４実施形態によってもウエハ４０に吸着後のマスク５０に大きな歪みが残ることを抑制することができる。 D. 4th Embodiment FIG. 10: is explanatory drawing which shows schematic structure of the mask adsorption | suction apparatus 1c as 4th Embodiment. Only differences from the first embodiment will be described. In 4th Embodiment, the magnetic force generation part 20b is the same as that of 3rd Embodiment. The transfer robot 10 c includes a main body 11 and a first nozzle 13 and a second nozzle 14 provided in the main body 11. When the main body 11 is viewed from above, the first nozzle 13 and the second nozzle 14 are arranged at positions corresponding to the peripheral edge of the mask 50. The first nozzle 13 and the second nozzle 14 extend from the lower surface of the main body 11 toward the wafer 40, and the tip of the first nozzle 13 is closer to the wafer 40 than the tip of the second nozzle 14. At this time, when the magnetic force generation part 20 b generates a magnetic force with respect to the mask 50, the mask 50 can be configured such that a part of the mask 50 is convex with respect to the wafer 40 with respect to a straight line connecting peripheral edges. Accordingly, the peripheral portion of the partial mask 50 other than the peripheral portion of the mask 50 can be brought closer to the wafer 40, so that the mask 50 is attracted to the wafer 40 while letting a large strain of the mask 50 escape from the peripheral portion to the peripheral portion. Can be made. Therefore, it is possible to suppress a large strain from remaining on the mask 50 after being attracted to the wafer 40 also in the fourth embodiment.

Ｅ．変形例
＜変形例１＞
上記実施形態では、ノズル１２の数は８個であったが、ノズル１２の数は８個に限られず、２個以上好ましくは３個以上であってもよい。 E. Modification <Modification 1>
In the above embodiment, the number of nozzles 12 is eight, but the number of nozzles 12 is not limited to eight, and may be two or more, preferably three or more.

＜変形例２＞
上記実施形態では、搬送ロボット１０がマスク５０の位置合わせを行ったが、ウエハホルダ３０がマスク５０の位置合わせを行ってもよい。 <Modification 2>
In the above embodiment, the transfer robot 10 aligns the mask 50, but the wafer holder 30 may align the mask 50.

＜変形例３＞
上記実施形態では、搬送ロボット１０がウエハホルダ３０に接近することでマスク５０をウエハ４０に相対的に接近させたが、ウエハホルダ３０が搬送ロボット１０に接近してもよい。 <Modification 3>
In the above embodiment, the mask 50 is moved closer to the wafer 40 when the transfer robot 10 approaches the wafer holder 30, but the wafer holder 30 may approach the transfer robot 10.

＜変形例４＞
第１実施形態では、マスク５０をウエハ４０に対して点あるいは局所的な面で接触させたが、第１磁石ユニット２１をウエハ４０の直径方向に延伸した構造とすることにより、マスク５０をウエハ４０に対して線状に接触させてもよい。 <Modification 4>
In the first embodiment, the mask 50 is brought into contact with the wafer 40 at a point or a local surface. However, the first magnet unit 21 is extended in the diameter direction of the wafer 40, whereby the mask 50 is moved to the wafer. 40 may be linearly contacted.

＜変形例５＞
第１実施形態から第３実施形態では、ウエハに対して凸とするマスク５０の部分は、マスク５０の中央部であったが、ウエハに対して凸とするマスク５０の部分をマスク５０の中央部以外の部分としてもよい。 <Modification 5>
In the first to third embodiments, the portion of the mask 50 that is convex with respect to the wafer is the central portion of the mask 50, but the portion of the mask 50 that is convex with respect to the wafer is the center of the mask 50. It is good also as parts other than a part.

本発明は、上述の実施形態や変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。   The present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be realized with various configurations without departing from the spirit thereof. For example, the technical features in the embodiments and the modifications corresponding to the technical features in each embodiment described in the summary section of the invention are to solve some or all of the above-described problems, or In order to achieve part or all of the effects, replacement or combination can be performed as appropriate. Further, if the technical feature is not described as essential in the present specification, it can be deleted as appropriate.

１、１ａ、１ｂ、１ｃ…マスク吸着装置
１０、１０ｂ、１０ｃ…搬送ロボット
１１…本体
１２…ノズル
１３…第１ノズル
１４…第２ノズル
２０、２０ａ、２０ｂ…磁力発生部
２１…第１磁石ユニット
２２…第２磁石ユニット
３０…ウエハホルダ
３１…凹部
４０…ウエハ
５０…マスク
５１…孔
６０…スパッタ膜
７０…支持部
２００、２０１、２０２…磁石
Ａ…磁力線
Ｂ…狙い幅 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 1a, 1b, 1c ... Mask adsorption | suction apparatus 10, 10b, 10c ... Conveyance robot 11 ... Main body 12 ... Nozzle 13 ... 1st nozzle 14 ... 2nd nozzle 20, 20a, 20b ... Magnetic force generation part 21 ... 1st magnet unit DESCRIPTION OF SYMBOLS 22 ... 2nd magnet unit 30 ... Wafer holder 31 ... Recess 40 ... Wafer 50 ... Mask 51 ... Hole 60 ... Sputtered film 70 ... Support part 200, 201, 202 ... Magnet A ... Magnetic field line B ... Target width

Claims (1)

ウエハを載置するホルダと、
磁性を有するマスクの周縁部を保持する保持部と、
前記マスクの中央部が前記ウエハに対して凸となるように、前記保持部が前記マスクを保持する位置よりも前記ウエハに近い位置に前記マスクの前記中央部を支持する支持部と、
前記保持部および前記支持部を前記ホルダ上に載置された前記ウエハに近接または離間させる移動機構と、
前記ホルダの前記ウエハを載置する面に平行な方向に沿って配置された複数の磁石を有し、前記支持部によって前記マスクの前記中央部が前記ウエハに対して凸にされた状態で、前記マスクに対して磁力を発生させる磁力発生部と、
を備え、
前記支持部は、先端に空気を吸引する吸引孔を有し、前記吸引孔で前記マスクの前記中央部を真空吸着することによって前記マスクを保持可能に構成されている、
マスク吸着装置。 A holder for placing a wafer;
A holding part for holding the peripheral part of the mask having magnetism;
A support part for supporting the central part of the mask at a position closer to the wafer than a position at which the holding part holds the mask so that a central part of the mask is convex with respect to the wafer ;
A moving mechanism for bringing the holding part and the support part close to or away from the wafer placed on the holder;
A plurality of magnets disposed along a direction parallel to the surface for placing the wafer of the holder, in a state where the central portion of the mask is convex with respect to the wafer by the support portion, A magnetic force generator for generating a magnetic force on the mask;
Equipped with a,
The support portion has a suction hole for sucking air at a tip, and is configured to hold the mask by vacuum-sucking the central portion of the mask through the suction hole.
Mask suction device.
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