JP6441136B2 - 磁気記録再生装置及び磁気記録再生方法 - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、磁気記録再生装置及び磁気記録再生方法に関する。

磁気記録ヘッドを用いて、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）などの磁気記録媒体に情報が記録される。磁気記録再生装置において、高密度の記録が望まれている。

米国特許第７９８２９９４Ｂ１号明細書

本発明の実施形態は、高記録密度化が可能な磁気記録再生装置及び磁気記録再生方法を提供する。

本発明の実施形態によれば、磁気記録再生装置は、磁気記録媒体と、記録部と、再生部と、を含む。前記磁気記録媒体は、第１方向に延びる第１トラックと、前記第１方向に延び前記第１方向と交差する第２方向において前記第１トラックと並ぶ第２トラックと、を含む。前記第１トラックは、前記第１方向に延びる第１サブトラックと、前記第１方向に延びる第２サブトラックと、を含む。前記第２トラックは、前記第１方向に延びる第３サブトラックと、前記第１方向に延びる第４サブトラックと、を含む。前記第１サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第２サブトラックが配置される。前記第２サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第３サブトラックが配置される。前記記録部は、前記第１トラック及び前記第２トラックに情報を記録する。前記再生部は、前記第１サブトラック、前記第２サブトラック、及び、前記第１サブトラックと前記第２サブトラックとの間の第１境界に対向しつつ前記第１トラックに記録された第１情報を読み出し、前記第３サブトラック、前記第４サブトラック、及び、前記第３サブトラックと前記第４サブトラックとの間の第２境界に対向しつつ前記第２トラックに記録された第２情報を読み出す。前記第３サブトラックの前記第２方向に沿った第３サブトラック幅は、前記第１サブトラックの前記第２方向に沿った第１サブトラック幅よりも大きく、前記第２サブトラックの前記第２方向に沿った第２サブトラック幅よりも大きく、前記第４サブトラックの前記第２方向に沿った第４サブトラック幅よりも大きい。
本発明の別の実施形態によれば、磁気記録再生方法は、磁気記録媒体の、第１サブトラックを含む第１領域に前記第１サブトラックに対応する第１サブ情報を記録することを含む。前記磁気記録媒体は、第１方向に延びる第１トラックと、前記第１方向に延び前記第１方向と交差する第２方向において前記第１トラックと並ぶ第２トラックと、を含む。前記第１トラックは、前記第１方向に延びる前記第１サブトラックと、前記第１方向に延びる第２サブトラックと、を含む。前記第２トラックは、前記第１方向に延びる第３サブトラックと、前記第１方向に延びる第４サブトラックと、を含む。前記第１サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第２サブトラックが配置される。前記第２サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第３サブトラックが配置される。前記磁気記録再生方法は、前記第１領域の一部と重なり前記第２サブトラックを含む第２領域に前記第２サブトラックに対応する第２サブ情報を記録することを含む。前記磁気記録再生方法は、前記第４サブトラックを含む第４領域に前記第４サブトラックに対応する第４サブ情報を記録する第１動作の後に、前記第２領域の一部及び前記第４領域の一部と重なり前記第３サブトラックを含む第３領域に前記第３サブトラックに対応する第３サブ情報を記録することを含む。

図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。 第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。 図５（ａ）〜図５（ｈ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置に含まれる磁気記録媒体の状態を例示する模式図である。 図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の動作を例示する模式図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、磁気記録再生装置の動作を例示する模式図である。 図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の動作を例示する模式図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、磁気記録再生装置における磁気記録媒体の動作を例示する模式図である。 図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、磁気記録再生装置の特性を例示するグラフ図である。 図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、磁気記録再生装置の特性を例示するグラフ図である。 図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の別の動作を例示する模式図である。 図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の別の動作を例示する模式図である。 図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。 図１５（ａ）〜図１５（ｃ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。 第１の実施形態に係る別の磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第１の実施形態に係る別の磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 図１９（ａ）〜図１９（ｈ）は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置に含まれる磁気記録媒体の状態を例示する模式図である。 第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。 第３の実施形態に係る磁気記録再生方法を例示するフローチャート図である。 実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。 図２７（ａ）及び図２７（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。

以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｃ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図２（ａ）及び図２（ｂ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。
図２（ａ）は斜視図であり、図２（ｂ）は、断面図である。
図３は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図４は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体８０と、磁気ヘッド５０と、を含む。磁気ヘッド５０は、記録部６０と、再生部７０と、を含む。

磁気ヘッド５０は、磁気記録媒体８０（例えば磁気ディスクなど）に対向して配置される。磁気ヘッド５０は、媒体対向面５１（ＡＢＳ：Air Bearing Surface）を有する。媒体対向面５１は、磁気記録媒体８０に対向する。

磁気記録媒体８０は、例えば媒体基板８２と、媒体基板８２の上に設けられた磁気記録層８１と、を含む。磁気記録層８１に複数の磁気記録要素８４が設けられる。磁気記録媒体８０は、媒体移動方向８５に沿って、磁気ヘッド５０に対して相対的に移動する。

後述するように、磁気記録媒体８０が、ディスク状である場合、媒体移動方向８５は、ディスクの円周方向に実質的に沿っている。従って、磁気ヘッド５０に対する媒体移動方向８５は、略円形である。狭い領域に着目すると、媒体移動方向８５は、実質的に直線方向と見なすことができる。以下では、説明を簡単にするために、媒体移動方向８５が、直線に沿う方向であるとして説明する。

磁気ヘッド５０の記録部６０から印加される磁界により、複数の磁気記録要素８４のそれぞれにおいて、磁化８３（磁化８３の方向）が制御される。制御された磁化８３が、情報となる。これにより情報の記録動作が実施される。

実施形態において、磁気記録媒体８０は、例えば、垂直磁気記録媒体である。例えば、磁化８３は、媒体基板８２の表面と交差する。磁化８３は、例えば、媒体基板８２の表面に対して実質的に垂直である。磁化８３は、例えば、上向き、または、下向きの２つの状態を有する。例えば、磁気記録媒体８０から記録部６０に向かう方向が、上向きである。例えば、記録部６０から磁気記録媒体８０に向かう方向が、下向きである。

この例では、記録部６０は、磁極６１と、記録コイル６１ａと、ライトシールド６３と、を含む。後述するように、記録部６０には、サイドシールド（図２では図示しない）がさらに設けられる。記録コイル６１ａにより磁極６１から磁界（記録磁界）が生じる。記録磁界により、磁気記録要素８４の磁化８３が制御される。ライトシールド６３を設けることで、記録磁界の強度が高まり制御性が向上する。

一方、複数の磁気記録要素８４に記録された情報（磁化８３）が、再生部７０により読み出される。これにより、再生動作が実施される。

この例では、再生部７０は、再生素子７１と、第１再生シールド７２ａと、第２再生シールド７２ｂと、第３再生シールド７２ｃと、を含む。第１再生シールド７２ａと第３再生シールド７２ｃとの間に、第２再生シールド７２ｂが配置される。第１再生シールド７２ａと第２再生シールド７２ｂとの間に、再生素子７１が配置される。再生素子７１には、例えば、磁気抵抗効果を有する素子などが用いられる。

例えば、ライトシールド６３と磁極６１とを結ぶ方向は、媒体移動方向８５に沿っている。

磁気記録媒体８０の特定の部分８０ｐは、磁極６１と対向した後に、ライトシールド６３と対向する。

磁気記録媒体８０から磁気ヘッド５０に向かう方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向に対して直交する１つの方向をＸ軸方向とする。Ｚ軸方向及びＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とする。

磁気記録媒体８０は、複数のトラック（例えば、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２など）を含む。複数のトラックのそれぞれは、複数の磁気記録要素８４を含む。複数のトラックのそれぞれに含まれる複数の磁気記録要素８４は、ダウントラック方向に沿って並ぶ。複数のトラックは、トラック幅方向に沿って並ぶ。

例えば、ダウントラック方向は、Ｘ軸方向に沿っている。ダウントラック方向は、媒体対向面５１に対して平行である。ダウントラック方向は、磁極６１からライトシールド６３に向かう方向に沿っている。

トラック幅方向は、Ｙ軸方向に沿っている。トラック幅方向は、媒体対向面５１に対して平行である。トラック幅方向は、磁極６１からライトシールド６３に向かう方向に対して垂直である。

図３に示すように、再生部７０のＹ軸方向上の位置は、記録部６０のＹ軸方向上の位置と、異なっても良い。

図２（ａ）に示すように、本実施形態においては、複数のトラックのそれぞれは、複数のサブトラックを含む。例えば、第１トラックＴｒ１は、第１サブトラックＴｓ１と、第２サブトラックＴｓ２と、を含む。第２トラックＴｒ２は、第３サブトラックＴｓ３と、第４サブトラックＴｓ４と、を含む。これらのサブトラックの例については、後述する。

磁気記録再生装置１５０においては、制御部５５がさらに設けられている。制御部５５は、記録部６０の動作を制御する。制御部５５は、例えば、磁気記録媒体８０に記録される情報を入手し、磁気記録媒体８０に設けられるトラックの磁気記録要素８４のそれぞれの状態に関する情報を生成する。そして、制御部５５は、生成した情報に基づいて、記録部６０の動作を制御する。制御部５５は、再生部７０を制御しても良い。制御部５５は、再生部７０により読み出された情報を処理しても良い。

図４は、磁気ヘッド５０を搭載するヘッドスライダを例示している。
磁気ヘッド５０は、ヘッドスライダ３に搭載される。ヘッドスライダ３には、例えばＡｌ_２Ｏ_３／ＴｉＣなどが用いられる。ヘッドスライダ３は、磁気記録媒体８０の上を、浮上または接触しながら、磁気記録媒体８０に対して相対的に運動する。

ヘッドスライダ３は、例えば、空気流入側３Ａと空気流出側３Ｂとを有する。磁気ヘッド５０は、ヘッドスライダ３の空気流出側３Ｂの側面などに配置される。これにより、ヘッドスライダ３に搭載された磁気ヘッド５０は、磁気記録媒体８０の上を浮上または接触しながら磁気記録媒体８０に対して相対的に移動する。

本実施形態に係る磁気ヘッド５０は、例えば、瓦書き（ＳＭＲ：Shingle Magnetic Recording）により、磁気記録媒体８０に情報を記録する動作が可能である。

図１（ａ）は、磁気ヘッド５０に設けられる再生部７０を例示する平面図である。図１（ｂ）は、磁気ヘッド５０に設けられる記録部６０を例示する平面図である。図１（ａ）及び図１（ｂ）は、媒体対向面５１からみた平面図である。図１（ｃ）は、磁気記録媒体８０を例示する平面図である。

図１（ａ）では、第３再生シールド７２ｃが省略されている。図１（ａ）に示すように、再生部７０において、第１再生シールド７２ａと第２再生シールド７２ｂとの間に再生素子７１が設けられる。この例では、第２再生シールド７２ｂは、第１シールド膜７５と、第２シールド膜７６と、第３シールド膜７７と、第４シールド膜７８と、を含む。第４シールド膜７８と第１再生シールド７２ａとの間に、第１シールド膜７５が設けられる。第１シールド膜７５と第４シールド膜７８との間に第２シールド膜７６が設けられる。第２シールド膜７６と第４シールド膜７８との間に第３シールド膜７７が設けられる。

第１シールド膜７５には、例えばＮｉＦｅが用いられる。第２シールド膜７６には、例えばＲｕが用いられる。第３シールド膜７７には、例えばＮｉＦｅが用いられる。第４シールド膜７８には、例えばＩｒＭｎが用いられる。第１再生シールド７２ａには、例えばＮｉＦｅが用いられる。第３再生シールド７２ｃには、例えばＮｉＦｅまたはＦｅＣｏＮｉ合金などが用いられる。

第１再生シールド７２ａと第２再生シールド７２ｂとの間において、再生素子７１が設けられていない領域には、絶縁層７１ｉが設けられている。

再生素子７１は、例えば、第１電極７１ｅと、第２電極７１ｆと、第１磁性層７１ａと、第２磁性層７１ｂと、第３磁性層７１ｃと、中間層７１ｄと、を含む。第１再生シールド７２ａと第２再生シールド７２ｂとの間に、第１電極７１ｅが設けられる。第１電極７１ｅと第２再生シールド７２ｂとの間に、第２電極７１ｆが設けられる。第１電極７１ｅと第２電極７１ｆとの間に、第１磁性層７１ａが設けられる。第１電極７１ｅと第１磁性層７１ａとの間に、第２磁性層７１ｂが設けられる。第１電極７１ｅと第２磁性層７１ｂとの間に、第３磁性層７１ｃが設けられる。第１磁性層７１ａと第２磁性層７１ｂとの間に中間層７１ｄが設けられる。第１磁性層７１ａは、例えば、磁化自由層である。第３磁性層７１ｃは、反強磁性層である。第２磁性層７１ｂは、磁化固定層である。実施形態において、第２磁性層７１ｂは磁化自由層でも良い。

再生素子７１は、再生素子幅Ｗｒｙを有する。
再生素子幅Ｗｒｙは、第１磁性層７１ａの第２方向（Ｙ軸方向）の幅である。第１磁性層７１ａの側面がＸ軸方向に対して傾斜している場合がある。このように、第１磁性層７１ａの側面がテーパ状である場合には、第１磁性層７１ａのＸ軸方向の中心の位置における、第１磁性層７１ａのＹ軸方向の幅を、再生素子幅Ｗｒｙとする。

図１（ｂ）に示すように、記録部６０は、磁極６１と、ライトシールド６３と、サイドシールド６４と、を含む。この例では、サイドシールド６４は、第１サイドシールド６４ａと第２サイドシールド６４ｂとを含む。

ライトシールド６３は、第１方向（例えばＸ軸方向）において、磁極６１と離間する。サイドシールド６４は、第２方向（Ｙ軸方向）において、磁極６１と離間する。第１サイドシールド６４ａは、第２方向において、磁極６１と離間する。第２サイドシールド６４ｂは、第２方向において、磁極６１と離間する。第１サイドシールド６４ａと第２サイドシールド６４ｂとの間に、磁極６１が配置される。例えば、ライトシールド６３のＸ軸方向上の位置と、再生部７０のＸ軸方向上の位置と、の間に、磁極６１のＸ軸方向上の位置が配置される。

この例では、記録部６０は、リターンシールド６４ｃをさらに含む。リターンシールド６４ｃとライトシールド６３との間に、磁極６１、第１サイドシールド６４ａ及び第２サイドシールド６４ａが配置される。

磁極６１とライトシールド６３との間に第１絶縁層６５ａが設けられる。磁極６１と第１サイドシールド６４ａとの間の位置、磁極６１と第２サイドシールド６４ｂとの間の位置、及び、磁極６１とリターンシールド６４ｃとの間の位置に、第２絶縁層６５ｂが設けられる。これらの絶縁層には、例えば、酸化アルミニウムなどが用いられる。

磁気ヘッド５０の記録部６０は、ライトギャップＷＧを有する。ライトギャップＷＧは、磁極６１とライトシールド６３との間の第１方向（Ｘ軸方向）に沿った間隔である。

磁極６１とサイドシールド６４との間の第２方向（Ｙ軸方向）に沿った間隔をサイドギャップＳＧとする。磁極６１と第１サイドシールド６４ａとの間の第２方向（Ｙ軸方向）に沿った間隔は、第１サイドギャップＳＧ１である。磁極６１と第２サイドシールド６４ｂとの間の第２方向（Ｙ軸方向）に沿った間隔は、第２サイドギャップＳＧ２である。サイドギャップＳＧは、第１サイドギャップＳＧ１及び第２サイドギャップＳＧ２のいずれかである。例えば、第１サイドギャップＳＧ１は、実質的に第２サイドギャップＳＧ２と同じである。例えば、第１サイドギャップＳＧ１は、第２サイドギャップＳＧ２の０．８倍以上１．２倍以下でも良い。実施形態において、第１サイドギャップＳＧ１は、第２サイドギャップＳＧ２と異なっても良い。サイドギャップＳＧは、として、第１サイドギャップＳＧ１と第２サイドギャップＳＧ２との平均を用いても良い。

磁極６１の、Ｙ軸方向（第２方向）の幅を磁極幅Ｌｗとする。磁極幅Ｌｗは、媒体対向面５１における、磁極６１の第２方向（Ｙ軸方向）に沿った長さの最大値である。

磁極６１は、媒体対向面５１において、ライトシールド６３と対向する部分を有する。この部分の、第１サイドシールド６４ａ側の端を第１磁極端部６１ｅａとする。この部分の、第２サイドシールド６４ｂ側の端を第２磁極端部６１ｅｂとする。第１磁極端部６１ｅａと第２磁極端部６１ｅｂとの間の距離（Ｙ軸方向に沿った距離）が、磁極幅Ｌｗに対応する。

記録部６０は、記録幅Ｗｗを有する。記録幅Ｗｗは、第１磁極端部６１ｅａと第１サイドシールド６４ａとの間の中点と、第２磁極端部６１ｅｂと第２サイドシールド６４ｂとの間の中点と、の間の距離に対応する。従って、記録幅Ｗｗは、磁極幅ＬｗとサイドギャップＳＧとの和に実質的に対応する。

図１（ｃ）に示すように、磁気記録媒体８０は、第１トラックＴｒ１と、第２トラックＴｒ２と、を含む。

第１トラックＴｒ１は、第１方向（例えば、Ｘ軸方向）に延びる。第２トラックＴｒ２も、第１方向に延びる。第２トラックＴｒ２は、第２方向において、第１トラックＴｒ１と並ぶ。第２方向は、第１方向と交差する方向（例えば、Ｙ軸方向）である。

第１トラックＴｒ１は、第１方向に延びる第１サブトラックＴｓ１と、第１方向に延びる第２サブトラックＴｓ２と、を含む。

第２トラックＴｒ２は、第１方向に延びる第３サブトラックＴｓ３と、第１方向に延びる第４サブトラックＴｓ４と、を含む。

第１サブトラックＴｓ１と第４サブトラックＴｓ４との間に、第２サブトラックＴｓ２が配置される。第２サブトラックＴｓ２と第４サブトラックＴｓ４との間に、第３サブトラックＴｓ３が配置される。

第１サブトラックＴｓ１は、第２方向（例えばＹ軸方向）に沿った幅（第１サブトラック幅ｗ１）を有する。
第２サブトラックＴｓ２は、第２方向（例えばＹ軸方向）に沿った幅（第２サブトラック幅ｗ２）を有する。第３サブトラックＴｓ３は、第２方向（例えばＹ軸方向）に沿った幅（第３サブトラック幅ｗ３）を有する。
第４サブトラックＴｓ４は、第２方向（例えばＹ軸方向）に沿った幅（第４サブトラック幅ｗ４）を有する。

この例では、第３サブトラック幅ｗ３は、第１サブトラック幅ｗ１よりも大きく、第２サブトラック幅ｗ２よりも大きく、第４サブトラック幅ｗ４よりも大きい。

記録部６０は、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２に情報を記録する。再生部７０は、第１トラックＴｒ１に記録された情報、及び、第２トラックＴｒ２に記録された情報を読み出す。

再生部７０は、第１サブトラックＴｓ１、第２サブトラックＴｓ２、及び、第１サブトラックＴｓ１と第２サブトラックＴｓ２との間の第１境界Ｂｓ１に対向しつつ、第１トラックＴｒ１に記録された第１情報を読み出す。

再生部７０は、第３サブトラックＴｓ３、第４サブトラックＴｓ４、及び、第３サブトラックＴｓ３と第４サブトラックＴｓ４との間の第２境界Ｂｓ２に対向しつつ、第２トラックＴｒ２に記録された第２情報を読み出す。実施形態において、第１トラックＴｒ１と第２トラックＴｒ２との間の境界Ｂｔ１は、第２サブトラックＴｓ２と第３サブトラックＴｓ３との間の境界に対応する。

第１トラックＴｒ１においては、第１サブトラックＴｓ１及び第２サブトラックＴｓ２により、３値の情報が記録される。例えば、第１サブトラックＴｓ１は、第１記録要素８４ａを含む、第２サブトラックＴｓ２は、第２記録要素８４ｂを含む。第２記録要素８４ｂは、第２方向（Ｙ軸方向）において、第１記録要素８４ａと並ぶ。第１記録要素８４ａ及び第２記録要素８４ｂが、１つの記録シンボル（第１記録シンボルＲｓ１）を形成する。

第２トラックＴｒ２においては、第３サブトラックＴｓ３及び第４サブトラックＴｓ４により、３値の情報が記録される。例えば、第３サブトラックＴｓ３は、第３記録要素８４ｃを含む。第４サブトラックＴｓ４は、第４記録要素８４ｄを含む。第４記録要素８４ｄは、第２方向（Ｙ軸方向）において、第３記録要素８４ｃと並ぶ。第３記録要素８４ｃ及び第４記録要素８４ｄが、１つの記録シンボル（第２記録シンボルＲｓ２）を形成する。

第１記録要素８４ａは、第１サブトラックＴｓ１に含まれる複数の磁気記録要素８４の１つである。第２記録要素８４ｂは、第２サブトラックＴｓ２に含まれる複数の磁気記録要素８４の１つである。第３記録要素８４ｃは、第３サブトラックＴｓ３に含まれる複数の磁気記録要素８４の１つである。第４記録要素８４ｄは、第４サブトラックＴｓ４に含まれる複数の磁気記録要素８４の１つである。

複数の磁気記録要素８４（複数の記録要素）の１つの第１方向（Ｘ軸方向）の長さは、例えば、５ナノメートル（ｎｍ）以上２０ｎｍ以下である。複数の記録シンボルの１つの第１方向（Ｘ軸方向）の長さＬは、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。

図５（ａ）〜図５（ｈ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置に含まれる磁気記録媒体の状態を例示する模式図である。
これらの図は、第１〜第４記録要素８４ａ〜８４ｄの状態を例示している。
図５（ａ）に示すように、第１記録要素８４ａの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であり、第２記録要素８４ｂの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であるときに、第１記録シンボルＲｓ１は、第１値である。この例では、第１値を「＋１」とする。

図５（ｄ）に示すように、第１記録要素８４ａの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であり、第２記録要素８４ｂの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であるときに、第１記録シンボルＲｓ１は、第２値である。この例では、第２値を「−１」とする。

図５（ｂ）に示すように、第１記録要素８４ａの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であり、第２記録要素８４ｂの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であるときに、第１記録シンボルＲｓ１は、第３値である。この例では、第３値を「０」とする。

図５（ｃ）に示すように、第１記録要素８４ａの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であり、第２記録要素８４ｂの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であるときに、第１記録シンボルＲｓ１は、第３値（すなわち、「０」）である。

図５（ｅ）に示すように、第３記録要素８４ｃの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であり、第４記録要素８４ｄの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であるときに、第２記録シンボルＲｓ２は、第１値（例えば「＋１」）である。

図５（ｈ）に示すように、第３記録要素８４ｃの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であり、第４記録要素８４ｄの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であるときに、第２記録シンボルＲｓ２は、第２値（例えば「−１」）である。

図５（ｆ）に示すように、第３記録要素８４ｃの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であり、第４記録要素８４ｄの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であるときに、第２記録シンボルＲｓ２は、第３値（例えば「０」である）。

図５（ｇ）に示すように、第３記録要素８４ｃの磁化８３が第２状態Ｓｔ２であり、第４記録要素８４ｄの磁化８３が第１状態Ｓｔ１であるときに、第２記録シンボルＲｓ２は、第３値（例えば「０」である）。

第１状態Ｓｔ１において、磁化８３は、例えば、上向き（磁気記録媒体８０から記録部６０に向かう方向）及び、下向き（記録部６０から磁気記録媒体８０に向かう方向）のいずれか一方である。第２状態Ｓｔ２において、磁化８３は、例えば、上向き及び下向きのいずれか他方である。

例えば、第１状態Ｓｔ１における磁化８３の方向は、第１方向及び第２方向を含む面（例えばＸ−Ｙ平面）と交差する。第２状態Ｓｔ２における磁化８３の方向は、第１方向及び第２方向を含む面（例えばＸ−Ｙ平面）と交差する。第２状態Ｓｔ２における第１磁化の方向は、第１状態Ｓｔ１における第１磁化の方向と逆である。

このように、第１サブトラックＴｓ１に含まれる複数の磁気記録要素８４の磁化８３の状態と、第２サブトラックＴｓ２に含まれる複数の磁気記録要素８４の磁化８３の状態と、の組み合わせにより、１つの第１記録シンボルＲｓ１の状態が定まる。この例では、１つの第１記録シンボルＲｓ１は、３つの互いに異なる状態（値）を有する。同様に、第３サブトラックＴｓ３に含まれる複数の磁気記録要素８４の磁化８３の状態と、第４サブトラックＴｓ４に含まれる複数の磁気記録要素８４の磁化８３の状態と、の組み合わせにより、１つの第２記録シンボルＲｓ２の状態が定まる。この例では、１つの第２記録シンボルＲｓ２は、３つの互いに異なる状態（値）を有する。磁気記録要素８４への情報の記録の際のサブトラックにおける磁化８３の状態の制御は、記録部６０により行われる。この際の記録部６０の動作は、例えば、制御部５５により制御される。

図１（ｃ）に示すような情報の記録は、例えば、瓦書き（ＳＭＲ）で、記録部６０により行われる。以下、情報の記録の手順の例について説明する。

図６（ａ）〜図６（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の動作を例示する模式図である。
図６（ａ）に示すように、磁気記録媒体８０の第１領域ｒ１に、第１サブ情報を記録する。第１領域ｒ１は、第１サブトラックＴｓ１に対応する位置である。第１サブ情報は、第１トラックＴｒ１の記録すべき情報に対応した情報の一部を含む。例えば、記録部６０（磁極６１）により、磁気記録媒体８０の第１領域ｒ１に、情報が記録される。情報の記録は、Ｘ軸方向に沿って行われる。第１領域ｒ１のＹ軸方向の幅は、記録幅Ｗｗに実質的に対応する。

この後、図６（ｂ）に示すように、磁気記録媒体８０の第２領域ｒ２に、第２サブ情報を記録する。第２領域ｒ２は、第２サブトラックＴｓ２に対応する位置である。第２領域ｒ２は、第１領域ｒ１の一部と重なる。第２サブ情報は、第１トラックＴｒ１の記録すべき情報に対応した情報の一部を含む。第２領域ｒ２のＹ軸方向の幅は、記録幅Ｗｗに実質的に対応する。例えば、瓦書き（ＳＭＲ）が行われる。これにより、第２領域ｒ２が、第１領域ｒ１の一部と重なる。

この後、図６（ｃ）に示すように、磁気記録媒体８０の第４領域ｒ４に、第４サブ情報を記録する。第４領域ｒ４は、第４サブトラックＴｓ４に対応する位置である。第４サブ情報は、第２トラックＴｒ２の記録すべき情報に対応した情報の一部を含む。第４領域ｒ４のＹ軸方向の幅は、記録幅Ｗｗに実質的に対応する。

この後、図６（ｄ）に示すように、磁気記録媒体８０の第３領域ｒ３に、第３サブ情報を記録する。第３領域ｒ３は、第３サブトラックＴｓ３に対応する位置である。第３領域ｒ３は、第４領域ｒ４の一部と重なる。第３サブ情報は、第２トラックＴｒ２の記録すべき情報に対応した情報の一部を含む。第３領域ｒ３のＹ軸方向の幅は、記録幅Ｗｗに実質的に対応する。例えば、瓦書き（ＳＭＲ）が行われる。これにより、第３領域ｒ３は、第４領域ｒ４の一部と重なる。さらに、第３領域ｒ３は、第２領域ｒ２の一部と重なっても良い。

すなわち、第１サブトラックＴｓ１及び第２サブトラックＴｓ２において、第１の瓦書きにより情報が記録される。第３サブトラックＴｓ３及び第４サブトラックＴｓ４において、第２の瓦書きにより情報が記録される。実施形態において、第１の瓦書きのシフトの方向と、第２の瓦書きのシフトの方向とは、互いに逆である。そして、第３サブトラックＴｓ３の一部が、第２サブトラックＴｓ２のための領域の一部と重なる。

第２領域ｒ２は、第２サブ情報を記録する領域である。第３領域ｒ３は、第３サブ情報を記録する領域である。このような第３領域ｒ３の一部を第２領域ｒ２の一部と重ねることで、Ｙ軸方向における記録密度が向上できる。これにより、高記録密度化が可能な磁気記録再生装置が提供できる。

図１（ｃ）に示すように、第１サブトラックＴｓ１は、第２サブトラックＴｓ２と実質的に接する。第３サブトラックＴｓ３は、第２サブトラックＴｓ２と実質的に接する。第４サブトラックＴｓ４は、第３サブトラックＴｓ３と実質的に接する。

すなわち、第１サブトラックＴｓ１と第４サブトラックＴｓ４との間の距離（例えば、最短距離）は、第２サブトラック幅ｗ２と第３サブトラック幅ｗ３との和に対応する。サブトラックの境界の揺らぎなどを考慮すると、第１サブトラックＴｓ１と第４サブトラックＴｓ４との間の距離は、第２サブトラック幅ｗ２と第３サブトラック幅ｗ３との和の０．８倍以上１．２倍以下である。この距離は、第２サブトラック幅ｗ２と第３サブトラック幅ｗ３との和の０．９倍以上１．１倍以下でも良い。この距離は、第２サブトラック幅ｗ２と第３サブトラック幅ｗ３との和の０．９５倍以上１．０５倍以下でも良い。

一方、上記のように、第１サブトラックＴｓ１、第２サブトラックＴｓ２及びそれらの境界に同時に対向して、再生部７０により、情報が読み出される。記録密度を高めたときには、第１サブトラック幅ｗ１と第２サブトラック幅ｗ２との和は、再生部７０の再生幅Ｗｒに実質的に対応する。

再生時における再生部７０のＹ軸方向の位置決め制御のばらつきを考慮すると、再生幅Ｗｒは、再生素子幅Ｗｒｙの１．６倍以上３倍以下であることが望ましい。再生幅Ｗｒが再生素子幅Ｗｒｙの１．６倍未満であると、位置決め制御不足に伴い、エラーレートが悪化する。その結果、再生動作のリトライが多発し、転送速度性能が劣化する。再生幅Ｗｒが再生素子幅Ｗｒｙの３倍を超えると、記録密度が不十分となる。

サブトラックの境界の揺らぎなどを考慮すると、第１サブトラック幅ｗ１と第２サブトラック幅ｗ２との和は、再生幅Ｗｒの０．９倍以上１．１倍以下である。この和は、再生幅Ｗｒの０．９５倍以上１．０５倍以下でも良い。

一方、この例では、第３サブトラックＴｓ３が、最後に記録されている。従って、第３サブトラックＴｓ３の第３サブトラック幅ｗ３は、記録部６０の記録幅Ｗｗに実質的に対応する。サブトラックの境界の揺らぎを考慮すると、第３サブトラック幅ｗ３は、記録幅Ｗｗの０．９倍以上１．１倍以下である。第３サブトラック幅ｗ３は、記録幅Ｗｗの０．９５倍以上１．０５倍以下でも良い。

図７（ａ）及び図７（ｂ）は、磁気記録再生装置の動作を例示する模式図である。
図７（ａ）に示すように、参考例の磁気記録再生装置１５９ａにおいて、３値の磁気記録が行われる。この例では、第１トラックＴｒ１において、第１領域ｒ１（第１サブトラックＴｓ１に対応する第１サブ情報が記録される領域）の一部の上に、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）の一部が重なるように、瓦書きによる記録が行われる。第２トラックＴｒ２において、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）の一部の上に、第４領域ｒ４（第４サブトラックＴｓ４に対応する第４サブ情報が記録される領域）の一部が重なるように、瓦書きによる記録が行われる。この例では、第１トラックＴｒ１と第２トラックＴｒ２とが重ならない。すなわち、例えば、第２トラックＴｒ２は、第１トラックＴｒ１と離間している。このとき、第１トラックＴｒ１と第２トラックＴｒ２とが占めるＹ軸方向の幅は、ｗ１＋ｗ２ａ＋ｗ３＋ｗ４ａの幅以上となる。幅ｗ２ａ及びｗ４ａは、記録幅Ｗｗに対応する。このため、磁気記録再生装置１５９ａのこの記録方式においては、記録密度は、実施形態における記録密度よりも低い。

図７（ｂ）に示すように、参考例の磁気記録再生装置１５９ｂにおいても、３値の磁気記録が行われる。この例では、第１領域ｒ１（第１サブトラックＴｓ１に対応する第１サブ情報が記録される領域）の一部の上に、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）の一部が重なるように、瓦書きによる記録が行われる。さらに、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）の一部の上に、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）の一部が重なるように、瓦書きによる記録が行われる。さらに、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）の一部の上に、第４領域ｒ４（第４サブトラックＴｓ４に対応する第４サブ情報が記録される領域）の一部が重なるように、瓦書きによる記録が行われる。このとき、第１トラックＴｒ１と第２トラックＴｒ２とが占めるＹ軸方向の幅は、ｗ１＋ｗ２＋ｗ３＋ｗ４ａの幅である。幅ｗ４ａは、記録幅Ｗｗに対応する。磁気記録再生装置１５９ｂのこの記録方式においては、記録密度は、実施形態における記録密度と同等となる場合がある。

しかしながら、磁気記録再生装置１５９ｂのこの記録方式においては、記録するサブトラックの順番が単一の方向である。このため、第２トラックＴｒ２に記録された情報を維持したまま、第１トラックＴｒ１に記録された情報を変更することができない。第１トラックＴｒ１に記録された情報を変更すると、例えば、第２サブトラックＴｓ２の情報の変更に伴う、第２サブ情報を記録する第２領域ｒ２が、第３サブトラックＴｓ３の一部と重なる。このように、磁気記録再生装置１５９ｂのこの記録方式においては、記録するサブトラックの順番が単一の方向である。ランダムな記録（書き換え）ができない。記録するサブトラックの順番が単一の方向であることを保ちつつ、ランダムな書き換えを行うためには、第１トラックＴｒ１と第２トラックＴｒ２とを重ねないことになり、その結果、磁気記録再生装置１５９ａについて説明した方式となる。

これに対して、本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、ランダムな書き換えが可能である。以下、情報の書き換えの例について説明する。
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の動作を例示する模式図である。
図８（ａ）に示す状態を初期状態とする。
図８（ｂ）に示す例においては、この初期状態の第２トラックＴｒ２の情報を維持したまま、第１トラックＴｒ１の情報を書き換える。例えば、第１領域ｒ１（第１サブトラックＴｓ１に対応する第１サブ情報が記録される領域）に所望のサブ情報を記録する。この後、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）に所望のサブ情報を、瓦書きにより記録する。このとき、第２トラックＴｒ２の情報は、初期の状態が維持される。

図８（ｃ）に示す例においては、この初期状態の第１トラックＴｒ１の情報を維持したまま、第２トラックＴｒ２の情報を書き換える。例えば、第４領域ｒ４（第４サブトラックＴｓ４に対応する第４サブ情報が記録される領域）に所望のサブ情報を記録する。この後、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）に所望のサブ情報を、瓦書きにより記録する。このとき、第１トラックＴｒ１の情報は、初期の状態が維持される。

このように、本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０においては、高い記録密度を得つつ、ランダムな書き換えを可能にする。

図９（ａ）及び図９（ｂ）は、磁気記録再生装置における磁気記録媒体の動作を例示する模式図である。
図９（ａ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０における、サブトラックの幅、記録幅Ｗｗ、及び、再生幅Ｗｒの関係の例を示している。第１サブトラック幅ｗ１と第２サブトラック幅ｗ２との計が、例えば、再生幅Ｗｒに対応する。この例では、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）が、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）の一部と重なっている。重なりの幅は、例えば、（Ｗｗ−Ｗｒ／２）である。第２トラックＴｒ２は、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）と重ならない領域（非重畳領域）を含む。第２トラックＴｒ２のうちの上記の非重畳領域の幅は、たとえば、再生幅Ｗｒである。これにより、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２において、ランダムに書き換え可能となる。第１トラックＴｒ１が上書きされた場合に、上記の非重畳領域部分は、上書きされず、そのまま記録が保持される。このため、上記の非重畳領域の幅を、たとえば、再生幅Ｗｒとすることで、第１トラックＴｒ１と、第２トラックＴｒ２のランダムな書き換えが可能となる。

ことのき、第１〜第４サブトラックＴｓ１〜Ｔｓ４が占める幅は、２Ｗｒ＋（Ｗｗ−Ｗｒ／２）となる。このとき、１つのトラック（例えば、第１トラックＴｒ１）の実効的な幅Ｗｒｔ１は、Ｗｒ＋（Ｗｗ−Ｗｒ／２）／２となる。従って、第１トラックＴｒ１の実効的な幅Ｗｒｔ１は、Ｗｒ＋（Ｗｗ−Ｗｒ／２）／２以上である。

図９（ｂ）は、２値記録の際の１つのトラックＴｒｖを例示している。このトラックＴｒｖの幅は、記録幅Ｗｗである。

実施形態においては、例えば、３値記録を行う第１トラックＴｒ１の線記録密度が、２値記録を行うトラックＴｒｖの線記録密度よりも高くされる。３値記録を行う第１トラックＴｒ１においては、線記録密度を決める第１方向の磁化遷移の間隔が同一の場合、１つの記録シンボルに、３値（すなわち１．５ビット）を記録している。これに対して、２値記録を行うトラックＴｒｖにおいては、１ビットを記録している。３値記録を行う第１トラックＴｒ１の線記録密度を、２値記録を行うトラックＴｒｖの線記録密度よりも高くすることで、実施形態における線記録密度は、高くできる。

３値記録によるＢＰＩ（ビット／インチ）の、２値記録のＢＰＩに対するゲインをゲインＧ３とする。発明者の検討によると、ゲインＧ３は、例えば、１．０８以上である。ゲインＧ３は、例えば、約１．２以下である。

実施形態における３値記録の面記録密度の、２値記録の面記録密度に対するゲインを、記録容量ゲインＡＧとする。記録容量ゲインＡＧは、（２値記録におけるトラック幅／３値記録における実効的な幅＝Ｗｗ／Ｗｔｒ１）×ゲインＧ３である。実施形態においては、記録容量ゲインＡＧが、１よりも大きくされる。

すなわち、再生幅Ｗｒ及び記録幅Ｗｗは、以下の関係を満たす。

ＡＧ＝［Ｗｒ／｛Ｗｒ＋（Ｗｗ−Ｗｒ／２）／２｝］・１．０８＞１

このとき、実施形態における３値記録の実効的な面記録密度は、２値記録の面記録密度よりも高くなる。

図１０（ａ）〜図１０（ｃ）及び図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、磁気記録再生装置の特性を例示するグラフ図である。
図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、記録幅Ｗｗを固定し、再生幅Ｗｒを変えたときの記録容量ゲインＡＧの変化の例を示している。図１０（ａ）〜図１０（ｃ）のそれぞれは、記録幅Ｗｗが４０ｎｍ、５５ｎｍ及び７０ｎｍのそれぞれに対応する。

図１１（ａ）〜図１１（ｃ）は、再生幅Ｗｒを固定し、記録幅Ｗｗを変えたときの記録容量ゲインＡＧの変化の例を示している。図１１（ａ）〜図１１（ｃ）のそれぞれは、再生幅Ｗｒが３５ｎｍ、４５ｎｍ及び５５ｎｍのそれぞれに対応する。

図１０（ａ）〜図１０（ｃ）に示すように、再生幅Ｗｒが小さくなると、記録容量ゲインＡＧは、高くなる。
記録幅Ｗｗが４０ｎｍのとき、再生幅Ｗｒは３０ｎｍ以下が良い。記録幅Ｗｗが４０ｎｍのとき、再生幅Ｗｒは２０ｎｍ以下が望ましい。
記録幅Ｗｗが５５ｎｍのとき、再生幅Ｗｒは４０ｎｍ以下が良い。記録幅Ｗｗが５５ｎｍのとき、再生幅Ｗｒは３０ｎｍ以下が望ましい。
記録幅Ｗｗが７０ｎｍのとき、再生幅Ｗｒは５０ｎｍ以下が良い。記録幅Ｗｗが７０ｎｍのとき、再生幅Ｗｒは４０ｎｍ以下が望ましい。

図１１（ａ）〜図１１（ｃ）に示すように、記録幅Ｗｗが小さくなると、記録容量ゲインＡＧは、高くなる。
再生幅Ｗｒが３５ｎｍのとき、記録幅Ｗｗは４５ｎｍ以上が良い。再生幅Ｗｒが３５ｎｍのとき、記録幅Ｗｗは６５ｎｍ以上が望ましい。

再生幅Ｗｒが４５ｎｍのとき、記録幅Ｗｗは６０ｎｍ以上が良い。再生幅Ｗｒが４５ｎｍのとき、記録幅Ｗｗは８５ｎｍ以上が望ましい。

再生幅Ｗｒが５５ｎｍのとき、記録幅Ｗｗは７０ｎｍ以上が良い。再生幅Ｗｒが５５ｎｍのとき、記録幅Ｗｗは１００ｎｍ以上が望ましい。
再生幅Ｗｒが１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下で、記録幅Ｗｗが６０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが、とくに好ましい。

図１２（ａ）〜図１２（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の別の動作を例示する模式図である。
図１２（ａ）に示すように、第１領域ｒ１（第１サブトラックＴｓ１に対応する第１サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、図１２（ｂ）に示すように、第４領域ｒ４（第４サブトラックＴｓ４に対応する第４サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、図１２（ｃ）に示すように、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、図１２（ｄ）に示すように、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
このような手順の記録においても、図１（ｃ）に例示した記録パターンが得られる。

第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の別の動作としての次の手順の記録を行ってもよい。
まず、第４領域ｒ４（第４サブトラックＴｓ４に対応する第４サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、第１領域ｒ１（第１サブトラックＴｓ１に対応する第１サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
このような手順の記録においても、図１（ｃ）に例示した記録パターンが得られる。

図１３（ａ）〜図１３（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置の別の動作を例示する模式図である。
図１３（ａ）に示すように、第４領域ｒ４（第４サブトラックＴｓ４に対応する第４サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、図１３（ｂ）に示すように、第３領域ｒ３（第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、図１３（ｃ）に示すように、第１領域ｒ１（第１サブトラックＴｓ１に対応する第１サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
この後、図１３（ｄ）に示すように、第２領域ｒ２（第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報が記録される領域）に記録を行う。
このような手順の記録による記録パターンは、図１（ｃ）に例示した記録パターンに対して、Ｘ軸方向を軸として、反転である。この場合も、高い記録密度を得われる。そして、ランダムな書き換えが可能になる。

図１４（ａ）〜図１４（ｄ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。
図１４（ｂ）〜図１４（ｄ）は、図１４（ａ）に示す一部の領域を拡大して例示している。
図１４（ａ）に示すように、磁気記録媒体８０の平面形状は、例えば、円形である。一方、先端部分が移動可能なアーム１５５が設けられる。アーム１５５の先端部分に磁気ヘッド５０（すなわち、磁極６１）が設けられる。アーム１５５が所定の支点を軸として回転することで、磁極６１が、磁気記録媒体８０に対して相対的に移動する。

例えば、磁気記録媒体８０は、中心８０ｃを有する円盤状である。磁気記録媒体８０は、内側領域ｐａと、外側領域ｐｂと、中領域ｐｃと、を含む。外側領域ｐｂと中心８０ｃとの間に内側領域ｐａが設けられる。外側領域ｐｂと内側領域ｐａとの間に中領域ｐｃが設けられる。磁気記録媒体８０は、中心８０ｃを軸として回転する。

これらの内側領域ｐａ、外側領域ｐｂ及び中領域ｐｃにおいて、アーム１５５の延在方向とトラックの延在方向との角度が変化する。

図１４（ｃ）に示すように、例えば、中領域ｐｃにおいては、アーム１５５の延在方向１５５ａと、第１方向Ｄ１と、の間の角度は小さい。第１方向Ｄ１は、媒体移動方向８５に対応する。すなわち、延在方向１５５ａは、媒体移動方向８５に対して実質的に平行である。

図１４（ｂ）に示すように、例えば、内側領域ｐａにおいては、アーム１５５の延在方向１５５ａと、第１方向Ｄ１（媒体移動方向８５）と、の間の角度（スキュー角θｓ）の絶対値は、大きい。スキュー角θｓは、例えば正である。

図１４（ｄ）に示すように、例えば、外側領域ｐｂにおいては、アーム１５５の延在方向１５５ａと、第１方向Ｄ１（媒体移動方向８５）と、の間の角度（スキュー角θｓ）の絶対値は、大きい。スキュー角θｓは、例えば負である。

実施形態において、２つのサブトラックへの記録の順序（方向）は、第１トラックＴｒ１と第２トラックＴｒ２とで、逆である。スキュー角θｓの絶対値が大きいと、記録の順序（方向）によって、記録される情報（磁化の状態）が変化する。このため、実施形態に係る記録方式を実施する際には、スキュー角θｓの絶対値が小さいことが好ましい。例えばスキュー角θｓの絶対値が４度以下のときに、実施形態に係る上記の記録方式が実施されても良い。これにより、高い記録密度が得られる。

例えば、中領域ｐｃにおいて、実施形態に係る上記の記録方式が実施される。一方、内側領域ｐａ及び外側領域ｐｂの少なくとも一部において、実施形態に係る上記の記録方式が実施されなくても良い。この領域では、例えば、２値記録が実施されても良い。または、この領域では、磁気記録再生装置１５９ａ及び１５９ｂについて説明した記録方式が実施されても良い。

図１５（ａ）〜図１５（ｃ）は、第１の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式図である。
これらの図は、内側領域ｐａ、外側領域ｐｂ及び中領域ｐｃにおける磁極６１の状態を例示している。

図１５（ｂ）に示すように、磁極６１（記録部６０）は、第１ベベル角θａと、第２ベベル角θｂと、を有する。第１ベベル角θａは、磁極６１の、第１磁極端部６１ｅａを含む第１側面ｓ１と、第１方向Ｄ１と、の間の角度である。第２ベベル角θｂは、磁極６１の、第２磁極端部６１ｅｂを含む第２側面ｓ２と、第１方向Ｄ１と、の間の角度である。中領域ｐｃにおいては、第１ベベル角θａの絶対値と、第２ベベル角θｂの絶対値と、の差は小さい。第１ベベル角θａの絶対値は、例えば、第２ベベル角θｂの絶対値と実質的に同じである。

図１５（ａ）に示すように、内側領域ｐａにおいては、第１ベベル角θａの絶対値は、第２ベベル角θｂの絶対値よりも大きい。

図１５（ｃ）に示すように、外側領域ｐｂにおいては、第１ベベル角θａの絶対値は、第２ベベル角θｂの絶対値よりも小さい。

実施形態において、２つのサブトラックへの記録の順序（方向）は、第１トラックＴｒ１と第２トラックＴｒ２とで、逆である。このため、第１ベベル角θａの絶対値と、第２ベベル角θｂの絶対値と、の差が大きいと、記録の順序（方向）によって、記録される情報（磁化の状態）が変化する。このため、実施形態に係る記録方式を実施する際には、第１ベベル角θａの絶対値と、第２ベベル角θｂの絶対値と、の差が小さいことが好ましい。例えば、第１ベベル角θａの絶対値と、第２ベベル角θｂの絶対値と、の差が、４度以下のときに、実施形態に係る上記の記録方式が実施されても良い。これにより、高い記録密度が得られる。

図１６は、第１の実施形態に係る別の磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図１６に示す例では、アーム１５５の延在方向が、アーム１５５の途中で変化している。すなわち、アーム１５５は、一端部１５５ｐと、他端部１５５ｑと、一端部１５５ｐと他端部１５５ｑとの間の中間部１５５ｒと、を有する。一端部１５５ｐに、記録部６０及び再生部７０が搭載される。他端部１５５ｑから中間部１５５ｒに向かう方向は、中間部１５５ｒから一端部１５５ｐに向かう方向と交差する。すなわち、一端部１５５ｐと、中間部１５５ｒと、他端部１５５ｑと、は、直線上に並ばない。

すなわち、アーム１５５の途中から、磁気記録媒体８０の中心８０ｃに向けて、アーム１５５の延在方向が曲がっている。一端部１５５ｐは、他端部１５５ｑと中間部１５５ｒとを結ぶ方向の延長線と、磁気記録媒体８０の中心８０ｃと、の間に位置する。他端部１５５ｑと、磁気記録媒体８０の中心８０ｃと、を結ぶ直線と、他端部１５５ｑと一端部１５５ｐとを結ぶ直線と、の間の角度は、他端部１５５ｑと、磁気記録媒体８０の中心８０ｃと、を結ぶ直線と、他端部１５５ｑと中間部１５５ｒとを結ぶ直線と、の間の角度よりも小さい。

これにより、内側領域ｐａ及び外側領域ｐｂでのスキュー角θｓの絶対値を小さくすることができる。例えば、内側領域ｐａ、中領域ｐｃ及び外側領域ｐｂの全領域にわたって、スキュー角θｓの絶対値を４度以下にすることができる。実施形態に係る上記の記録方式は、中領域ｐｃだけでなく、内側領域ｐａ及び外側領域ｐｂもおいても実施されてもよい。これにより、高い記録密度が得られる。このように、アーム１５５において、スキュー角を小さくする構造を用いても良い。

図１７は、第１の実施形態に係る別の磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図１７に示す例では、記録部６０において、磁極６１とライトシールド６３との間の距離が、Ｙ軸方向に沿って変化している。すなわち、磁極６１は、磁極中央部６１ｃを有する。磁極中央部６１ｃは、Ｙ軸方向において、第１磁極端部６１ｅａ（第１サイドシールド６４ａ側の端）と、第２磁極端部６１ｅｂ（第２サイドシールド６４ｂ側の端）と、の間に設けられる。

磁極６１は、ライトシールド６３と対向する面（磁極面６１ｆ）を有している。この例では、磁極面６１ｆは、磁極中央部６１ｃにおいて後退している。一方、ライトシールド６３は、磁極６１と対向する面（ライトシールド面６３ｆ）を有している。ライトシールド面６３ｆは、磁極中央部６１ｃと対向する部分（ライトシールド中央部６３ｃ）を有している。ライトシールド中央部６３ｃは、後退している。

磁極中央部６１ｃとライトシールド６３との間の距離（Ｘ軸方向に沿った距離）は、第１磁極端部６１ｅａとライトシールド６３との間の距離（Ｘ軸方向に沿った距離）よりも長く、第２磁極端部６１ｅｂとライトシールド６３との間の距離（Ｘ軸方向に沿った距離）よりも長い。ライトギャップＷＧが、Ｙ軸方向において変化している。磁極中央部６１ｃの位置におけるライトギャップＷＧは、第１磁極端部６１ｅａにおけるライトギャップＷＧよりも長く、第２磁極端部６１ｅｂにおけるライトギャップＷＧよりも長い。これにより、磁極６１の端（第１磁極端部６１ｅａ及び第２磁極端部６１ｅｂ）における線記録密度ＢＰＩを高めることができる。これにより、さらに高い記録密度が得られる。

（第２の実施形態）
本実施形態においては、第１の実施形態に関して説明した記録方式が種々組み合わされて実施される。本実施形態に係る磁気記録再生装置の構成は、第１の実施形態に関して説明した構成と同様であるので説明を省略する。以下、本実施形態に係る磁気記録再生装置の動作の例について説明する。

図１８は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図１８は、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０Ａにおける磁気記録媒体８０を例示する平面図である。
図１８に示すように、磁気記録媒体８０は、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２に加え、第１方向（例えばＸ軸方向）に延びる第３トラックＴｒ３と、第１方向に延びる第４トラックＴｒ４と、を含む。第４トラックＴｒ４は、第２方向（例えばＹ軸方向）において第３トラックＴｒ３と並ぶ。

第３トラックＴｒ３は、第１方向に延びる第５サブトラックＴｓ５と、第１方向に延びる第６サブトラックＴｓ６と、を含む。第４トラックＴｒ４は、第１方向に延びる第７サブトラックＴｓ７と、第１方向に延びる第８サブトラックＴｓ８と、を含む。第５サブトラックＴｓ５と第８サブトラックＴｓ８との間に、第６サブトラックＴｓ６が配置される。第６サブトラックＴｓ６と第８サブトラックＴｓ８との間に、第７サブトラックＴｓ７が配置される。

この例では、第２トラックＴｒ２と第４トラックＴｒ４との間に、第３トラックＴｒ３が配置されている。実施形態において、第２トラックＴｒ２と第３トラックＴｒ３との間に、第４トラックＴｒ４が配置されても良い。実施形態において、第１トラックＴｒ１と第３トラックＴｒ３との間に、第４トラックＴｒ４が配置されても良い。実施形態において、第１トラックＴｒ１と第４トラックＴｒ４との間に、第３トラックＴｒ３が配置されても良い。

記録部６０は、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４にさらに情報を記録する。 再生部７０は、第５サブトラックＴｓ５、第６サブトラックＴｓ６、及び、第５サブトラックＴｓ５と第６サブトラックＴｓ６との間の第３境界Ｂｓ３に対向しつつ、第３トラックＴｒ３に記録された第３情報を読み出す。

再生部７０は、第７サブトラックＴｓ７、第８サブトラックＴｓ８、及び、第７サブトラックＴｓ７と第８サブトラックＴｓ８との間の第４境界Ｂｓ４に対向しつつ、第４トラックＴｒ４に記録された第４情報を読み出す。

この例で、第３トラックＴｒ３と第４トラックＴｒ４との間の境界Ｂｔ２は、第６サブトラックＴｓ６と第７サブトラックＴｓ７との間の境界に対応する。

この例でも、第７サブトラックＴｓ７の第２方向（Ｙ軸方向）に沿った第７サブトラック幅ｗ７は、第５サブトラックＴｓ５の第２方向に沿った第５サブトラック幅ｗ５よりも大きい。第７サブトラック幅ｗ７は、第６サブトラックＴｓ６の第２方向に沿った第６サブトラック幅ｗ６よりも大きい。第７サブトラック幅ｗ７は、第８サブトラックＴｓ８の第２方向に沿った第８サブトラック幅ｗ８よりも大きい。

第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４においても、３値の記録が行われる。
すなわち、第５サブトラックＴｓ５は、第５記録要素８４ｅを含む。第６サブトラックＴｓ６は、第２方向において第５記録要素８４ｅと並ぶ第６記録要素８４ｆを含む。第５記録要素８４ｅ及び第６記録要素８４ｆが、第３記録シンボルＲｓ３を形成する。

第７サブトラックＴｓ７は、第７記録要素８４ｇを含む。第８サブトラックＴｓ８は、第２方向において第７記録要素８４ｇと並ぶ第８記録要素８４ｈを含む。第７記録要素８４ｇ及び第８記録要素８４ｈが、第４記録シンボルＲｓ４を形成する。

図１９（ａ）〜図１９（ｈ）は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置に含まれる磁気記録媒体の状態を例示する模式図である。
図１９（ａ）に示すように、第５記録要素８４ｅの磁化が第１状態Ｓｔ１であり、第６記録要素８４ｆの磁化が第１状態Ｓｔ１であるときに、第３記録シンボルＲｓ３は、第１値（「＋１」）である。

図１９（ｄ）に示すように、第５記録要素８４ｅの磁化が第２状態Ｓｔ２であり、第６記録要素８４ｆの磁化が第２状態Ｓｔ２であるときに、第３記録シンボルＲｓ３は、第２値（「−１」）である。

図１９（ｂ）に示すように、第５記録要素８４ｅの磁化が第１状態Ｓｔ１であり、第６記録要素８４ｆの磁化が第２状態Ｓｔ２であるときに、第３記録シンボルＲｓ３は、第３値（「０」）である。

図１９（ｃ）に示すように、第５記録要素８４ｅの磁化が第２状態Ｓｔ２であり、第６記録要素８４ｆの磁化が第１状態Ｓｔ１であるときに、第３記録シンボルＲｓ３は、第３値（「０」）である。

図１９（ｅ）に示すように、第７記録要素８４ｇの磁化が第１状態Ｓｔ１であり、第８記録要素８４ｈの磁化が第１状態Ｓｔ１であるときに、第４記録シンボルＲｓ４は、第１値（「＋１」）である。

図１９（ｈ）に示すように、第７記録要素８４ｇの磁化が第２状態Ｓｔ２であり、第８記録要素８４ｈの磁化が第２状態Ｓｔ２であるときに、第４記録シンボルＲｓ４は、第２値（「−１］）である。

図１９（ｆ）に示すように、第７記録要素８４ｇの磁化が第１状態Ｓｔ１であり、第８記録要素８４ｈの磁化が第２状態Ｓｔ２であるときに、第４記録シンボルＲｓ４は、第３値（「０」）である。

図１９（ｇ）に示すように、第７記録要素８４ｇの磁化が第２状態Ｓｔ２であり、第８記録要素８４ｈの磁化が第１状態Ｓｔ１であるときに、第４記録シンボルＲｓ４は、第３値（「０］）である。

この例においては、第７サブトラック幅ｗ７が、第５サブトラック幅ｗ５よりも大きく、第６サブトラック幅ｗ６よりも大きく、第８サブトラック幅ｗ８よりも大きい。すなわち、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４において、第１の実施形態に関して説明した記録方式が採用される。磁気記録再生装置１５０Ａにおいて、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４においても、高い記録密度を得われる。そして、ランダムな書き換えが可能になる。

磁気記録再生装置１５０Ａにおいて、例えば、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４の組みが、略円周状の媒体移動方向８５の延長上において、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２の組みと並んでも良い。

図２０は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図２０は、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０Ｂにおける磁気記録媒体８０を例示する平面図である。
磁気記録再生装置１５０Ｂにおいては、第６サブトラック幅ｗ６が、第５サブトラック幅ｗ５よりも大きく、第７サブトラック幅ｗ７よりも大きく、第８サブトラック幅ｗ８よりも大きい。これ以外は、磁気記録再生装置１５０Ａと同様である。磁気記録再生装置１５０Ｂにおいても、高い記録密度を得われる。そして、ランダムな書き換えが可能になる。

図２１は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図２１は、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０Ｃにおける磁気記録媒体８０を例示する平面図である。
磁気記録再生装置１５０Ｃにおいては、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４においては、磁気記録再生装置１５９ｂに関して説明した記録方式が行われている。

すなわち、第８サブトラックＴｓ８の第２方向（例えばＹ軸方向）に沿った第８サブトラック幅ｗ８は、第５サブトラックＴｓ５の第２方向に沿った第５サブトラック幅ｗ５よりも大きい。第８サブトラック幅ｗ８は、第６サブトラックＴｓ６の第２方向に沿った第６サブトラック幅ｗ６よりも大きい。第８サブトラック幅ｗ８は、第７サブトラックＴｓ７の第２方向に沿った第７サブトラック幅ｗ７よりも大きい。磁気記録再生装置１５０Ｃにおいても、高い記録密度が得われる。例えば、磁気記録媒体８０中の特定領域において、１つの順序（方向）の記録において高い記録密度が得られる場合がある（例えば、内側領域ｐａまたは外側領域ｐｂなど）。このような場合に、中領域ｐｃにおいて、図２１に例示する第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２の記録を行い、内側領域ｐａ及び外側領域ｐｂの少なくともいずれかにおいて、図２１に示す第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４の記録を行っても良い。高い記録密度とランダムな書き換えとが得られる領域と、高い記録密度が得られる領域と、が得られる。磁気記録媒体８０を有効に利用でき、磁気記録媒体８０の全体として高い記録密度が得られる。

図２２は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図２２は、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０Ｄにおける磁気記録媒体８０を例示する平面図である。
磁気記録再生装置１５０Ｄにおいては、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４においては、磁気記録再生装置１５９ａに関して説明した記録方式が行われている。

すなわち、第６サブトラックＴｓ６の第２方向（Ｙ軸方向）に沿った第６サブトラック幅ｗ６は、第５サブトラックＴｓ５の第２方向に沿った第５サブトラック幅ｗ５よりも大きい。第８サブトラックＴｓ８の第２方向に沿った第８サブトラック幅ｗ８は、第７サブトラックＴｓ７の第２方向に沿った第７サブトラック幅ｗ７よりも大きい。

例えば、中領域ｐｃにおいて、図２２に例示する第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２の記録を行い、内側領域ｐａ及び外側領域ｐｂの少なくともいずれかにおいて、図２２に示す第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４の記録を行っても良い。高い記録密度とランダムな書き換えとが得られる領域と、高い記録密度が得られる領域と、が得られる。磁気記録媒体８０を有効に利用でき、磁気記録媒体８０の全体として高い記録密度が得られる。

図２３は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図２３は、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０Ｅにおける磁気記録媒体８０を例示する平面図である。
磁気記録再生装置１５０Ｅにおいても、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４においては、磁気記録再生装置１５９ａに関して説明した記録方式が行われている。

この例では、第５サブトラック幅ｗ５は、第６サブトラック幅ｗ６よりも大きい。第７サブトラック幅ｗ７は、第８サブトラック幅ｗ８よりも大きい。このように、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２の組みを基準としたときに、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４内の幅が大きいサブトラックの配置は、種々の変形が可能である。

図２４は、第２の実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的平面図である。
図２４は、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０Ｆにおける磁気記録媒体８０を例示する平面図である。
磁気記録再生装置１５０Ｆにおいては、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４にサブトラックが設けられない。これらのトラックにおいては、２値記録が行われる。

すなわち、磁気記録媒体８０は、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２に加え、第１方向（例えばＸ軸方向）に延びる第３トラックＴｒ３と、第１方向に延びる第４トラックＴｒ４と、をさらに含む。第４トラックＴｒ４は、第２方向（例えばＹ軸方向）において第３トラックＴｒ３と並ぶ。

記録部６０は、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４のそれぞれに２値の情報を記録する。再生部７０は、第３トラックＴｒ３対向しつつ第３トラックＴｒ３に記録された第３情報（２値の情報）を読み出す。再生部７０は、第４トラックＴｒ４に対向しつつ第４トラックＴｒ４に記録された第４情報（２値の情報）を読み出す。

第３トラックＴｒ３の第２方向の幅ｗｂ１は、記録幅Ｗｗと実質的に同じである。第４トラックＴｒ４の第２方向の幅ｗｂ２は、記録幅Ｗｗと実質的に同じである。

実施形態において、第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４において、例えば、瓦書き(ＳＭＲ)による記録が行われてもよい。例えば、領域ｒ４０（第４トラックＴｒ４に対応する情報を記録する領域）に記録を行う。その後、領域ｒ３０（第３トラックＴｒ３に対応する情報を記録する領域）に記録を行う。領域ｒ３０は、領域ｒ４０の一部と重なる。このとき、第４トラックＴｒ４の第２方向の幅ｗｂ２は、第３トラックＴｒ３の第２方向の幅ｗｂ１よりも広い。第４トラックＴｒ４の第２方向の幅ｗｂ２は、記録幅Ｗｗと実質的に同じである。

例えば、中領域ｐｃにおいて、図２４に例示する第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２の記録を行い、内側領域ｐａ及び外側領域ｐｂの少なくともいずれかにおいて、図２４に示す第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４の記録を行っても良い。

磁気記録再生装置１５０Ｃ〜１５０Ｆにおいて、例えば、第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２は、中領域ｐｃ内に設けられる。第３トラックＴｒ３及び第４トラックＴｒ４は、内側領域ｐａ及び外側領域ｐｂの少なくともいずれかに設けられる。

（第３の実施形態）
本実施形態は、磁気記録再生方法に係る。
図２５は、第３の実施形態に係る磁気記録再生方法を例示するフローチャート図である。
この磁気記録再生方法においては、例えば、第１の実施形態に関して説明した第１トラックＴｒ１及び第２トラックＴｒ２に情報を記録し、記録された情報を読み出す。

すなわち、本磁気記録再生方法において、磁気記録媒体８０は、第１方向に延びる第１トラックＴｒ１と、第１方向に延び第１方向と交差する第２方向において第１トラックＴｒ１と並ぶ第２トラックＴｒ２と、を含む。

第１トラックＴｒ１は、第１方向に延びる第１サブトラックＴｓ１と、第１方向に延びる第２サブトラックＴｓ２と、を含む。第２トラックＴｒ２は、第１方向に延びる第３サブトラックＴｓ３と、第１方向に延びる第４サブトラックＴｓ４と、を含む。第１サブトラックＴｓ１と第４サブトラックＴｓ４との間に第２サブトラックＴｓ２が配置される。第２サブトラックＴｓ２と第４サブトラックＴｓ４との間に第３サブトラックＴｓ３が配置される。

第１サブトラックＴｓ１を含む第１領域ｒ１に第１サブトラックＴｓ１に対応する第１サブ情報を記録する（図６（ａ）参照）。第１領域ｒ１の一部と重なり第２サブトラックＴｓ２を含む第２領域ｒ２に第２サブトラックＴｓ２に対応する第２サブ情報を記録する（図６（ｂ）参照）。第４サブトラックＴｓ４を含む第４領域ｒ４に第４サブトラックＴｓ４に対応する第４サブ情報を記録する（図６（ｃ）参照）。第１領域ｒ１、第２領域ｒ２及び第４領域ｒ４への情報の記録の第１動作の後に、以下を行う。

第２領域ｒ２の一部及び第４領域ｒ４の一部と重なり第３サブトラックＴｓ３を含む第３領域ｒ３に第３サブトラックＴｓ３に対応する第３サブ情報を記録する（図６（ｄ）参照）。

本磁気記録再生方法によれば、高い記録密度の情報の記録が可能になる。そして、ランダムな書き換えが可能になる。

本磁気記録再生方法において、以下の再生動作が行われる。すなわち、第１サブトラックＴｓ１、第２サブトラックＴｓ２、及び、第１サブトラックＴｓ１と第２サブトラックＴｓ２との間の第１境界Ｂｓ１に対向しつつ第１トラックＴｒ１に記録された第１情報を読み出す。第３サブトラックＴｓ３、第４サブトラックＴｓ４、及び、第３サブトラックＴｓ３と第４サブトラックＴｓ４との間の第２境界Ｂｓ２に対向しつつ第２トラックＴｒ２に記録された第２情報を読み出す。

本磁気記録再生方法において、第３領域ｒ３の第２方向の幅は、第１領域ｒ１、第２領域ｒ２及び第４領域ｒ４のそれぞれの第２方向の幅と実質的に同じである。境界の揺らぎなどを考慮すると、第３領域ｒ３の第２方向の幅は、第１領域ｒ１、第２領域ｒ２及び第４領域ｒ４のそれぞれの第２方向の幅の０．９倍以上１．１倍以下である。

図２６は、実施形態に係る磁気記録再生装置を例示する模式的斜視図である。
図２７（ａ）及び図２７（ｂ）は、実施形態に係る磁気記録再生装置の一部を例示する模式的斜視図である。
図２６に示すように、実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、ロータリーアクチュエータを用いた形式の装置である。記録用媒体ディスク１８０は、スピンドルモータ４に装着され、駆動装置制御部からの制御信号に応答するモータにより矢印Ａの方向に回転する。本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、複数の記録用媒体ディスク１８０を備えても良い。磁気記録再生装置１５０は、記録媒体１８１を含んでもよい。例えば、磁気記録再生装置１５０は、ハイブリッドＨＤＤ（Hard Disk Drive）である。記録媒体１８１は、例えば、ＳＳＤ（Solid State Drive）である。記録媒体１８１には、例えば、フラッシュメモリなどの不揮発性メモリが用いられる。

記録用媒体ディスク１８０に格納する情報の記録再生を行うヘッドスライダ３は、既に説明したような構成を有し、薄膜状のサスペンション１５４の先端に取り付けられている。ここで、ヘッドスライダ３の先端付近に、例えば、既に説明した実施形態に係る磁気ヘッドのいずれかが搭載される。

記録用媒体ディスク１８０が回転すると、サスペンション１５４による押し付け圧力とヘッドスライダ３の媒体対向面（ＡＢＳ）で発生する圧力とがつりあい、ヘッドスライダ３の媒体対向面は、記録用媒体ディスク１８０の表面から所定の浮上量をもって保持される。なお、ヘッドスライダ３が記録用媒体ディスク１８０と接触するいわゆる「接触走行型」としても良い。

サスペンション１５４は、駆動コイルを保持するボビン部などを有するアーム１５５（アクチュエータアーム）の一端に接続されている。アーム１５５の他端には、リニアモータの一種であるボイスコイルモータ１５６が設けられている。ボイスコイルモータ１５６は、アーム１５５のボビン部に巻き上げられた駆動コイルと、このコイルを挟み込むように対向して配置された永久磁石及び対向ヨークからなる磁気回路とを含むことができる。サスペンション１５４は、一端と他端とを有し、磁気ヘッドは、サスペンション１５４の一端に搭載され、アーム１５５は、サスペンション１５４の他端に接続されている。

アーム１５５は、軸受部１５７の上下２箇所に設けられたボールベアリングによって保持され、ボイスコイルモータ１５６により回転摺動が自在にできるようになっている。その結果、磁気ヘッドを記録用媒体ディスク１８０の任意の位置に移動可能となる。

図２７（ａ）は、磁気記録再生装置の一部の構成を例示しており、ヘッドスタックアセンブリ１６０の拡大斜視図である。
図２７（ｂ）は、ヘッドスタックアセンブリ１６０の一部となる磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ：ＨＧＡ）１５８を例示する斜視図である。

図２７（ａ）に示すように、ヘッドスタックアセンブリ１６０は、軸受部１５７と、この軸受部１５７から延出したヘッドジンバルアセンブリ１５８と、軸受部１５７からＨＧＡと反対方向に延出していると共にボイスコイルモータのコイル１６２を支持した支持フレーム１６１と、を有している。

図２７（ｂ）に示したように、ヘッドジンバルアセンブリ１５８は、軸受部１５７から延出したアーム１５５と、アーム１５５から延出したサスペンション１５４と、を有している。

サスペンション１５４の先端には、ヘッドスライダ３が取り付けられている。そして、ヘッドスライダ３には、実施形態に係る磁気ヘッドのいずれかが搭載される。

すなわち、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリ（ヘッドジンバルアセンブリ）１５８は、実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気ヘッドが搭載されたヘッドスライダ３と、ヘッドスライダ３を一端に搭載するサスペンション１５４と、サスペンション１５４の他端に接続されたアーム１５５と、を備える。

サスペンション１５４は、信号の書き込み及び読み取り用、浮上量調整のためのヒーター用、及び、例えばスピントルク発振子用などのためのリード線（図示しない）を有する。これらのリード線と、ヘッドスライダ３に組み込まれた磁気ヘッドの各電極と、が電気的に接続される。

また、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の書き込みと読み出しを行う信号処理部１９０が設けられる。信号処理部１９０は、例えば、図２６に例示した磁気記録再生装置１５０の図面中の背面側に設けられる。信号処理部１９０の入出力線は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８の電極パッドに接続され、磁気ヘッドと電気的に結合される。

このように、本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、上記の実施形態に係る磁気ヘッドと、磁気記録媒体と磁気ヘッドとを離間させ、または、接触させた状態で相対的に移動可能とした可動部と、磁気ヘッドを磁気記録媒体の所定記録位置に位置合わせする位置制御部と、磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の書き込みと読み出しを行う信号処理部と、を備える。

すなわち、上記の磁気記録媒体として、記録用媒体ディスク１８０が用いられる。
上記の可動部は、ヘッドスライダ３を含むことができる。
また、上記の位置制御部は、ヘッドジンバルアセンブリ１５８を含むことができる。

このように、本実施形態に係る磁気記録再生装置１５０は、磁気記録媒体と、実施形態に係る磁気ヘッドアセンブリと、磁気ヘッドアセンブリに搭載された磁気ヘッドを用いて磁気記録媒体への信号の書き込みと読み出しを行う信号処理部と、を備える。

実施形態によれば、安定した磁気記録再生が可能な磁気記録再生装置が提供される。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、磁気記録再生装置に含まれる磁気記録媒体、磁気ヘッド、記録部、再生部及び制御部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した磁気記録再生装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての磁気記録再生装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

３…ヘッドスライダ、 ３Ａ…空気流入側、 ３Ｂ…空気流出側、 ４…スピンドルモータ、 ５０…磁気ヘッド、 ５１…媒体対向面、 ５５…制御部、 ６０…記録部、 ６１…磁極、 ６１ａ…記録コイル、 ６１ｃ…磁極中央部、 ６１ｅａ…第１磁極端部、 ６１ｅｂ…第２磁極端部、 ６１ｆ…磁極面、 ６３…ライトシールド、 ６３ｃ…ライトシールド中央部、 ６３ｆ…ライトシールド面、 ６４…サイドシールド、 ６４ａ、６４ｂ…第１、第２サイドシールド、 ６４ｃ…リターンシールド、 ６５ａ、６５ｂ…第１、第２絶縁層、 ７０…再生部、 ７１…再生素子、 ７１ａ〜７１ｃ…第１〜第３磁性層、 ７１ｄ…中間層、 ７１ｅ、７１ｆ…第１、第２電極、 ７１ｉ…絶縁層、 ７２ａ〜７２ｃ…第１〜第３再生シールド、 ７５〜７７…第１〜第３シールド膜、 ８０…磁気記録媒体、 ８０ｃ…中心、 ８０ｐ…部分、 ８１…磁気記録層、 ８２…媒体基板、 ８３…磁化、 ８４…磁気記録要素、 ８４ａ〜８４ｈ…第１〜第８記録要素、 ８５…媒体移動方向、 １５０…磁気記録再生装置、 １５４…サスペンション、 １５５…アーム、 １５５ｐ…一端部、 １５５ｑ…他端部、 １５５ｒ…中間部、 １５６…ボイスコイルモータ、 １５７…軸受部、 １５８…ヘッドジンバルアセンブリ、 １６０…ヘッドスタックアセンブリ、 １６１…支持フレーム、 １６２…コイル、 １８０…記録用媒体ディスク、 １８１…記録媒体、 １９０…信号処理部、 Ａ…矢印、 ＡＧ…記録容量ゲイン、 ＡＲ…アスペクト比、 ＢＲ…飽和磁化比、 Ｂｓ１〜４…第１〜第４境界、 Ｂｔ１、Ｂｔ２…境界、 Ｄ１…第１方向、 Ｌ…長さ、 Ｗｒ…再生幅、 Ｗｒｙ…再生素子幅、 Ｌ…長さ、 Ｌｗ…磁極幅、 Ｒｓ１〜Ｒｓ４…第１〜第４記録シンボル、 ＳＧ…サイドギャップ、 ＳＧ１、ＳＧ２…第１、第２サイドギャップ、 Ｓｔ１、Ｓｔ２…第１、第２状態、 Ｔｒ１〜Ｔｒ４…第１〜第４トラック、 Ｔｒｖ…トラック、 Ｔｓ１〜Ｔｓ８…第１〜第８サブトラック、 ＷＧ…ライトギャップ、 ｂｗ１、ｂｗ２…幅、 ｄｔ……距離、 ｐａ…内側領域、 ｐｂ…外側領域、 ｐｃ…中領域、 ｒ１〜ｒ４…第１〜第４領域、 ｒ３０、ｒ４０…領域、 ｓ１、ｓ２…第１、第２側面、 ｗ１〜ｗ８…第１〜第８サブトラック幅、 ｗ２ａ、ｗ４ａ…幅、 ｗｂ１、ｗｂ２…幅

Claims (20)

1. 第１方向に延びる第１トラックと、前記第１方向に延び前記第１方向と交差する第２方向において前記第１トラックと並ぶ第２トラックと、を含む磁気記録媒体であって、
   前記第１トラックは、
   前記第１方向に延びる第１サブトラックと、
   前記第１方向に延びる第２サブトラックと、
   を含み、
   前記第２トラックは、
   前記第１方向に延びる第３サブトラックと、
   前記第１方向に延びる第４サブトラックと、
   を含み、
   前記第１サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第２サブトラックが配置され、
   前記第２サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第３サブトラックが配置される前記磁気記録媒体と、
   前記第１トラック及び前記第２トラックに情報を記録する記録部と、
   前記第１サブトラック、前記第２サブトラック、及び、前記第１サブトラックと前記第２サブトラックとの間の第１境界に対向しつつ前記第１トラックに記録された第１情報を読み出し、
   前記第３サブトラック、前記第４サブトラック、及び、前記第３サブトラックと前記第４サブトラックとの間の第２境界に対向しつつ前記第２トラックに記録された第２情報を読み出す再生部と、
   を備え、
   前記第３サブトラックの前記第２方向に沿った第３サブトラック幅は、前記第１サブトラックの前記第２方向に沿った第１サブトラック幅よりも大きく、前記第２サブトラックの前記第２方向に沿った第２サブトラック幅よりも大きく、前記第４サブトラックの前記第２方向に沿った第４サブトラック幅よりも大きい、磁気記録再生装置。
2. 前記第１サブトラックは、第１記録要素を含み、
   前記第２サブトラックは、前記第２方向において前記第１記録要素と並ぶ第２記録要素を含み、
   前記第１記録要素及び前記第２記録要素が第１記録シンボルを形成し、
   前記第１記録要素の磁化が第１状態であり前記第２記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第１記録シンボルは、第１値であり、
   前記第１記録要素の磁化が第２状態であり前記第２記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第１記録シンボルは、第２値であり、
   前記第１記録要素の磁化が前記第１状態であり前記第２記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第１記録シンボルは、第３値であり、
   前記第３サブトラックは、第３記録要素を含み、
   前記第４サブトラックは、前記第２方向において前記第３記録要素と並ぶ第４記録要素を含み、
   前記第３記録要素及び前記第４記録要素が第２記録シンボルを形成し、
   前記第３記録要素の磁化が前記第１状態であり前記第４記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第２記録シンボルは、前記第１値であり、
   前記第３記録要素の磁化が前記第２状態であり前記第４記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第２記録シンボルは、前記第２値であり、
   前記第３記録要素の磁化が前記第１状態であり前記第４記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第２記録シンボルは、前記第３値である、請求項１記載の磁気記録再生装置。
3. 前記第１記録要素の磁化が前記第２状態であり前記第２記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第１記録シンボルは、前記第３値であり、
   前記第３記録要素の磁化が前記第２状態であり前記第４記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第２記録シンボルは、前記第３値である、請求項２記載の磁気記録再生装置。
4. 前記第１サブトラックと前記第４サブトラックとの間の距離は、前記第２サブトラック幅と前記第３サブトラック幅との和の０．８倍以上１．２倍以下である、請求項１〜３のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
5. 前記第１サブトラック幅と第２サブトラック幅との和は、前記再生部の再生幅の０．９倍以上１．１倍以下である、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
6. 前記第３サブトラック幅は、前記記録部の記録幅の０．９倍以上１．１倍以下である請求項１〜５のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
7. 前記再生部の再生幅Ｗｒと、前記記録部の記録幅Ｗｗと、は、
   ［Ｗｒ／｛Ｗｒ＋（Ｗｗ−Ｗｒ／２）／２｝］・１．０８＞１
   を満たす、請求項１〜４のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
8. 前記磁気記録媒体は、
   前記第１方向に延びる第３トラックと、
   前記第１方向に延び前記第２方向において第３トラックと並ぶ第４トラックと、
   をさらに含み、
   前記第３トラックは、
   前記第１方向に延びる第５サブトラックと、
   前記第１方向に延びる第６サブトラックと、
   を含み、
   前記第４トラックは、
   前記第１方向に延びる第７サブトラックと、
   前記第１方向に延びる第８サブトラックと、
   を含み、
   前記第５サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第６サブトラックが配置され、
   前記第６サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第７サブトラックが配置され、
   前記記録部は、前記第３トラック及び前記第４トラックにさらに情報を記録し、
   前記再生部は、
   前記第５サブトラック、前記第６サブトラック、及び、前記第５サブトラックと前記第６サブトラックとの間の第３境界に対向しつつ前記第３トラックに記録された第３情報を読み出し、
   前記第７サブトラック、前記第８サブトラック、及び、前記第７サブトラックと前記第８サブトラックとの間の第４境界に対向しつつ前記第４トラックに記録された第４情報を読み出し、
   前記第７サブトラックの前記第２方向に沿った第７サブトラック幅は、前記第５サブトラックの前記第２方向に沿った第５サブトラック幅よりも大きく、前記第６サブトラックの前記第２方向に沿った第６サブトラック幅よりも大きく、前記第８サブトラックの前記第２方向に沿った第８サブトラック幅よりも大きい、請求項１〜７のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
9. 前記磁気記録媒体は、
   前記第１方向に延びる第３トラックと、
   前記第１方向に延び前記第２方向において第３トラックと並ぶ第４トラックと、
   をさらに含み、
   前記第３トラックは、
   前記第１方向に延びる第５サブトラックと、
   前記第１方向に延びる第６サブトラックと、
   を含み、
   前記第４トラックは、
   前記第１方向に延びる第７サブトラックと、
   前記第１方向に延びる第８サブトラックと、
   を含み、
   前記第５サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第６サブトラックが配置され、
   前記第６サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第７サブトラックが配置され、
   前記記録部は、前記第３トラック及び前記第４トラックにさらに情報を記録し、
   前記再生部は、
   前記第５サブトラック、前記第６サブトラック、及び、前記第５サブトラックと前記第６サブトラックとの間の第３境界に対向しつつ前記第３トラックに記録された第３情報を読み出し、
   前記第７サブトラック、前記第８サブトラック、及び、前記第７サブトラックと前記第８サブトラックとの間の第４境界に対向しつつ前記第４トラックに記録された第４情報を読み出し、
   前記第８サブトラックの前記第２方向に沿った第８サブトラック幅は、前記第５サブトラックの前記第２方向に沿った第５サブトラック幅よりも大きく、前記第６サブトラックの前記第２方向に沿った第６サブトラック幅よりも大きく、前記第７サブトラックの前記第２方向に沿った第７サブトラック幅よりも大きい、請求項１〜７のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
10. 前記磁気記録媒体は、
    前記第１方向に延びる第３トラックと、
    前記第１方向に延び前記第２方向において第３トラックと並ぶ第４トラックと、
    をさらに含み、
    前記第３トラックは、
    前記第１方向に延びる第５サブトラックと、
    前記第１方向に延びる第６サブトラックと、
    を含み、
    前記第４トラックは、
    前記第１方向に延びる第７サブトラックと、
    前記第１方向に延びる第８サブトラックと、
    を含み、
    前記第５サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第６サブトラックが配置され、
    前記第６サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第７サブトラックが配置され、
    前記記録部は、前記第３トラック及び前記第４トラックにさらに情報を記録し、
    前記再生部は、
    前記第５サブトラック、前記第６サブトラック、及び、前記第５サブトラックと前記第６サブトラックとの間の第３境界に対向しつつ前記第３トラックに記録された第３情報を読み出し、
    前記第７サブトラック、前記第８サブトラック、及び、前記第７サブトラックと前記第８サブトラックとの間の第４境界に対向しつつ前記第４トラックに記録された第４情報を読み出し、
    前記第６サブトラックの前記第２方向に沿った第６サブトラック幅は、前記第５サブトラックの前記第２方向に沿った第５サブトラック幅よりも大きく、
    前記第８サブトラックの前記第２方向に沿った第８サブトラック幅は、前記第７サブトラックの前記第２方向に沿った第７サブトラック幅よりも大きい、請求項１〜７のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
11. 前記磁気記録媒体は、
    前記第１方向に延びる第３トラックと、
    前記第１方向に延び前記第２方向において第３トラックと並ぶ第４トラックと、
    をさらに含み、
    前記第３トラックは、
    前記第１方向に延びる第５サブトラックと、
    前記第１方向に延びる第６サブトラックと、
    を含み、
    前記第４トラックは、
    前記第１方向に延びる第７サブトラックと、
    前記第１方向に延びる第８サブトラックと、
    を含み、
    前記第５サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第６サブトラックが配置され、
    前記第６サブトラックと前記第８サブトラックとの間に前記第７サブトラックが配置され、
    前記記録部は、前記第３トラック及び前記第４トラックにさらに情報を記録し、
    前記再生部は、
    前記第５サブトラック、前記第６サブトラック、及び、前記第５サブトラックと前記第６サブトラックとの間の第３境界に対向しつつ前記第３トラックに記録された第３情報を読み出し、
    前記第７サブトラック、前記第８サブトラック、及び、前記第７サブトラックと前記第８サブトラックとの間の第４境界に対向しつつ前記第４トラックに記録された第４情報を読み出し、
    前記第７サブトラックの前記第２方向に沿った第７サブトラック幅は、前記第５サブトラックの前記第２方向に沿った第５サブトラック幅よりも大きく、前記第６サブトラックの前記第２方向に沿った第６サブトラック幅よりも大きく、前記第８サブトラックの前記第２方向に沿った第８サブトラック幅よりも大きく、
    前記第５サブトラックは、第５記録要素を含み、
    前記第６サブトラックは、前記第２方向において前記第５記録要素と並ぶ第６記録要素を含み、
    前記第５記録要素及び前記第６記録要素が第３記録シンボルを形成し、
    前記第５記録要素の磁化が前記第１状態であり前記第６記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第３記録シンボルは、前記第１値であり、
    前記第５記録要素の磁化が前記第２状態であり前記第６記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第３記録シンボルは、前記第２値であり、
    前記第５記録要素の磁化が前記第１状態であり前記第６記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第３記録シンボルは、前記第３値であり、
    前記第７サブトラックは、第７記録要素を含み、
    前記第８サブトラックは、前記第２方向において前記第７記録要素と並ぶ第８記録要素を含み、
    前記第７記録要素及び前記第８記録要素が第４記録シンボルを形成し、
    前記第７記録要素の磁化が前記第１状態であり前記第８記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第４記録シンボルは、前記第１値であり、
    前記第７記録要素の磁化が前記第２状態であり前記第８記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第４記録シンボルは、前記第２値であり、
    前記第７記録要素の磁化が前記第１状態であり前記第８記録要素の磁化が前記第２状態であるときに前記第４記録シンボルは、前記第３値である、請求項２記載の磁気記録再生装置。
12. 前記第５記録要素の磁化が前記第２状態であり前記第６記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第３記録シンボルは、前記第３値であり、
    前記第７記録要素の磁化が前記第２状態であり前記第８記録要素の磁化が前記第１状態であるときに前記第４記録シンボルは、前記第３値である、請求項１１記載の磁気記録再生装置。
13. 前記磁気記録媒体は、
    前記第１方向に延びる第３トラックと、前記第１方向に延び前記第２方向において第３トラックと並ぶ第４トラックと、をさらに含み、
    前記記録部は、前記第３トラック及び前記第４トラックのそれぞれに２値の情報を記録し、
    前記再生部は、前記第３トラック対向しつつ前記第３トラックに記録された第３情報を読み出し、前記第４トラックに対向しつつ前記第４トラックに記録された第４情報を読み出す、請求項１〜７のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
14. 前記磁気記録媒体は、中心を有する円盤状であり、
    前記磁気記録媒体は、内側領域と、外側領域と、中領域と、を含み、
    前記外側領域と前記中心との間に前記内側領域が設けられ、
    前記外側領域と前記内側領域との間に前記中領域が設けられ、
    前記第１トラック及び前記第２トラックは、前記中領域内に設けられ、
    前記第３トラック及び前記第４トラックは、前記内側領域及び前記外側領域の少なくともいずれかに設けられる、請求項８〜１２のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
15. スキュー角の絶対値は、４度以下である、請求項１〜１４のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
16. 前記記録部は、磁極を含み、
    前記磁極は、第１磁極端部と、前記第１方向と交差する方向において前記第１磁極端部と離間した第２磁極端部と、を含み、
    前記第１磁極端部を含む前記磁極の第１側面と前記第１方向との間の第１ベベル角の絶対値と、前記第２磁極端部を含む前記磁極の第２側面と前記第１方向との間の第２ベベル角の絶対値と、の差は、４度以下である。請求項１〜１５のいずれか１つに記載の磁気記録再生装置。
17. 一端部と、他端部と、前記一端部と前記他端部との間の中間部と、を有するアームをさらに備え、
    前記一端部に、前記記録部及び前記再生部が搭載され、
    前記他端部から前記中間部に向かう方向は、前記中間部から前記一端部に向かう方向と交差する、請求項１〜１６のいすれか１つに記載の磁気記録再生装置。
18. 第１方向に延びる第１トラックと、前記第１方向に延び前記第１方向と交差する第２方向において前記第１トラックと並ぶ第２トラックと、を含む磁気記録媒体であって、
    前記第１トラックは、
    前記第１方向に延びる第１サブトラックと、
    前記第１方向に延びる第２サブトラックと、
    を含み、
    前記第２トラックは、
    前記第１方向に延びる第３サブトラックと、
    前記第１方向に延びる第４サブトラックと、
    を含み、
    前記第１サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第２サブトラックが配置され、
    前記第２サブトラックと前記第４サブトラックとの間に前記第３サブトラックが配置される前記磁気記録媒体の、
    前記第１サブトラックを含む第１領域に前記第１サブトラックに対応する第１サブ情報を記録し、
    前記第１領域の一部と重なり前記第２サブトラックを含む第２領域に前記第２サブトラックに対応する第２サブ情報を記録し、
    前記第４サブトラックを含む第４領域に前記第４サブトラックに対応する第４サブ情報を記録する第１動作の後に、
    前記第２領域の一部及び前記第４領域の一部と重なり前記第３サブトラックを含む第３領域に前記第３サブトラックに対応する第３サブ情報を記録する磁気記録再生方法。
19. 前記第１サブトラック、前記第２サブトラック、及び、前記第１サブトラックと前記第２サブトラックとの間の第１境界に対向しつつ前記第１トラックに記録された第１情報を読み出し、
    前記第３サブトラック、前記第４サブトラック、及び、前記第３サブトラックと前記第４サブトラックとの間の第２境界に対向しつつ前記第２トラックに記録された第２情報を読み出す、請求項１８記載の磁気記録再生方法。
20. 前記第３領域の前記第２方向の幅は、前記第１領域の第２方向の幅の０．９倍以上１．１倍以下であり、
    前記第３領域の前記第２方向の幅は、前記第２領域の第２方向の幅の０．９倍以上１．１倍以下であり、
    前記第３領域の前記第２方向の幅は、前記第４領域の第２方向の幅の０．９倍以上１．１倍以下である、請求項１８または１９に記載の磁気記録再生方法。