JP6426540B2 - 誘電分光装置 - Google Patents

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Description

本発明は、人間や動物などの血液成分の濃度を非侵襲で測定する装置に関し、特に、光電変換を利用した誘電分光装置に関する。
高齢化が進み、成人病に対する対応が大きな課題になっている。特に血糖値などの血液検査は針による血液の採取が必要なために患者にとって大きな負担である。そのため、血液を採取しない非侵襲な成分濃度測定装置が注目されている。
非侵襲な成分濃度測定装置として、誘電分光法を用いた装置が提案されている。誘電分光法は、皮膚内に電磁波を照射し、測定対象の血液成分、例えば、グルコース分子と水の相互作用に従い、電磁波を吸収させ、電磁波の周波数に対する振幅及び位相を観測する。観測される電磁波の周波数に対する振幅及び位相から、誘電緩和スペクトルを算定する。一般的には、Cole−Cole式に基づき緩和カーブの線形結合として表現し、媒質や溶媒の複素誘電率を算定する。生体成分の計測では、例えば血液中に含まれるグルコースやコレステロール等の血液成分の量に複素誘電率は相関があり、その変化に対応した電気信号(振幅、位相)として測定される。複素誘電率変化と成分濃度との相関を予め測定することによって検量モデルを構築し、計測した誘電緩和スペクトルの変化から成分濃度の検量を行う。
従来の測定法としては、マイクロ波からミリ波以上の周波数帯では、光電気変換(フォトミキシング)を利用した誘電分光装置がある(特許文献1参照)。特許文献1の誘電分光装置は、周波数の異なる2つの連続光波が合成された光信号を光電変換して電磁波、例えばテラヘルツ波を発生し、発生したテラヘルツ波を被測定対象物に照射し、被測定対象物を透過したテラヘルツ波を受信するとともに、2つの連続光波のうちの一方の位相を変調して合成した参照光を入力してホモダインミキシングする構成である。ホモダインミキシングする検出器には例えば、光伝導アンテナを用い、参照光の照射によりアンテナ間のコンダクタンスが参照光に含まれる2つの連続光波間の差周波数にて変調されることで実現される。従来の誘電分光装置においては、電磁波をホモダイン検波する際には、検出器でのミキシング時における2つの光路長差が一致していることが必要である。そのため、空間を伝搬するテラヘルツ波の伝搬長や光が伝搬するファイバの長さ等を調節する。
特開2013−32933号公報
Andrew P. Gregory, and Robert N. Clarke, "A Review of RF and Microwave Techniques for Dielectric Measurements on Polar Liquids", IEEE Transactions on Dielectrics and Electrical Insulation, August 2006, Vol. 13, No. 4, pp.727-743 Jae-Young Kim, Ho-Jin Song, Katsuhiro Ajito, Makoto Yaita, and Naoya Kukutsu, "Continuous-Wave THz Homodyne Spectroscopy and Imaging System With Electro-Optical Phase Modulation for High Dynamic Range", IEEE Transactions on terahertz science and technology, March 2013, Vol. 3, No. 2, pp.158-164
しかしながら、温度等の環境変動によりファイバの屈折率が変動し、2つの光路長差が変動すると、信号の振幅・位相が不安定となり、測定再現性や測定精度が得られないという問題があった。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、環境変動によりファイバの屈折率が変化する場合でも、測定の再現性や測定精度を確保することを目的とする。
本発明に係る誘電分光装置は、第1の光信号を出力する第1の光源と、前記第1の光信号とは周波数の異なる第2の光信号を出力する第2の光源と、前記第1の光信号を分波する第1のスプリッタと、前記第2の光信号を分波する第2のスプリッタと、前記第1のスプリッタで分波された第1の光信号のそれぞれの位相を電気的に変調する第1、第2の位相変調器と、位相が変調された前記第1の光信号と前記第2のスプリッタで分波された前記第2の光信号とをそれぞれ合波して第3、第4の光信号を出力する第1、第2のカプラと、前記第3の光信号を光電変換してミリ波又はテラヘルツ波の電磁波を発生させて被測定対象物に照射する放射器と、前記被測定対象物を透過又は反射した前記電磁波を受信し、前記電磁波と前記第4の光信号をホモダインミキシングする検出器と、を有し、前記第1、第2の位相変調器で生じる位相変調周波数が同じであり、前記第1のスプリッタから第1のカプラまでのファイバまたは導波路の長さと前記第1のスプリッタから第2のカプラまでのファイバまたは導波路の長さとを等しく、前記第2のスプリッタから第1のカプラまでのファイバまたは導波路の長さと前記第2のスプリッタから第2のカプラまでのファイバまたは導波路の長さとを等しくしたことを特徴とする。
上記誘電分光装置において、前記第1のスプリッタを第1の平面光回路上に形成し、前記第2のスプリッタ及び第1、第2のカプラを第2の平面光回路上に形成し、前記第1、第2の位相変調器として第1、第2の導波路と第1、第2の変調電極とを位相変調基板上に形成し、前記第1のスプリッタの分波先を前記第1、第2の導波路に接続し、前記第1、第2の導波路を前記第1、第2のカプラに接続したことを特徴とする。
上記誘電分光装置において、前記第1のスプリッタの入力と前記第2のスプリッタの入力を結ぶ線を中心として前記第1、第2のカプラ、前記第1、第2の導波路及び前記第1、第2の変調電極を対称に配置したことを特徴とする。
本発明によれば、環境変動によりファイバの屈折率が変化する場合でも、測定の再現性や測定精度を確保することができる。
本実施の形態における誘電分光装置の構成を示すブロック図である。 上記誘電分光装置で用いる位相変調光回路の構成を示す平面図である。 誘電分光センサの測定系を示す図である。 別の誘電分光センサの測定系を示す図である。
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて説明する。
図1は、本実施の形態における誘電分光装置の構成を示すブロック図である。
図1に示す誘電分光装置は、連続波光源11A,11B、スプリッタ12A,12B、カプラ13A,13B、位相変調器14A,14B、発振器15、放射器16、検出器17、ロックインアンプ18、モニタ19、および遅延線20を備える。
連続波光源11A,11Bは、周波数が互いに異なる連続波光信号を出力する。以下の説明では、連続波光源11Aから出力された連続波光信号を第1光信号、連続波光源11Bから出力された連続波光信号を第2光信号とする。
スプリッタ12Aは、第1光信号を2つに分波し、スプリッタ12Bは、第2光信号を2つに分波する。
位相変調器14A,14Bは、制御信号により電気的に位相変調が可能な電気光学結晶を用いた位相変調器であり、スプリッタ12Aの後段、つまり、スプリッタ12Aとカプラ13A,13Bとの間にそれぞれ配置される。位相変調器14A,14Bに、発振器15からの単一周波数wの制御信号を印加してセロダイン位相変調を行い、変調周波数wと同等の周波数シフトを第1光信号に生じさせる。なお、位相変調器14A,14Bを、スプリッタ12Bの後段に配置し、変調周波数wと同等の周波数シフトを第2光信号に生じさせてもよい。
カプラ13A,13Bのそれぞれは、位相変調器14A,14Bのそれぞれで位相変調された第1光信号とスプリッタ12Bで分波された第2光信号とを合波する。カプラ13Aで合波された光信号はファイバを通って放射器16に入力される。カプラ13Bで合波された参照光は遅延線20が配置されたファイバを通って検出器17に入力される。
遅延線20は、カプラ13Bと検出器17とを結ぶファイバ上に配置される。カプラ13Bで合波された参照光は遅延線20を通って検出器17に入力される。遅延線20は、通常の光ファイバでも良いが、ファイバ端にレンズコリメータを接続し、2つのレンズを対向させ、平行光を伝搬させることで低損失で実現できる。
放射器16は、カプラ13Aで合波された光信号を光電変換し、第1光信号と第2光信号の周波数差に一致する周波数の電磁波(ミリ波又はテラヘルツ波)を発生する。放射器16としては、例えば単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC−PD:Uni−Traveling−Carrier Photodiode)を利用できる。
検出器17は、カプラ13Bで合波された参照光を照射されるとともに、放射器16から放射されてサンプル100を透過した電磁波を受信し、電磁波と参照光をホモダインミキシングして周波数wの電気信号を出力する。検出器17は、アンテナ付きSBD(ショットキー・バリア・ダイオード)で構成されるTHzミキサと、アンテナ付きUTC−PDで構成されるフォトミキサと、光ファイバとを同一パッケージに実装することで実現できる。検出器17には、光伝導アンテナ(PCA:Photo−Conductive Antenna)を用いてもよい。光伝導アンテナでは、参照光の照射によりアンテナ間のコンダクタンスが参照光に含まれる2つの連続波光信号間の差周波数にて変調されることで実現される。
ロックインアンプ18は、検出器17が出力する電気信号を同期検波して振幅及び位相を検出し、モニタ19は、ロックインアンプ18が検出した振幅及び位相を処理する。
テラヘルツ波帯では、放物面鏡31A,31Bを用いた擬似光学系によるフリースペース法により、テラヘルツ波を測定対象であるサンプル100に照射し、透過信号から複素誘電率を計測する。放物面鏡31A,31Bを利用した場合は、レンズを利用するのに比べてレンズ内の多重反射が生じないので測定値が安定する。
従来の誘電分光装置においては、電磁波をホモダイン検波する際に、検出器でのミキシング時における2つの光路長差が一致するように光が伝搬するファイバの長さ等を予め調整する。本実施の形態では、カプラ13Aから放射器16までのファイバと、カプラ13Bから検出器17までのファイバとを同等の遅延長とし、さらにカプラ13Bと検出器17の間に、放射器16から検出器17に出射されるテラヘルツ波の空間伝搬長と同等の長さ(遅延長)を有する遅延線20を備える。
ここで、遅延線の作用効果について説明する。
ファイバの屈折率温度係数dns/dTは6.6×10−6/℃であり、空気の屈折率温度係数dna/dTは−1.4×10−7/℃である。カプラ13Aから放射器16までのファイバの長さをL、カプラ13Bから検出器17までのファイバの長さをLとする。テラヘルツ波の空間伝搬長をLとする。ホモダイン検波の条件は以下となる。
+L=n
ここで、nはファイバコアの屈折率1.4である。空気の屈折率は1である。
温度変化をΔTとすると、光路長差ΔLは以下の式で表すことができる。
ΔL=(L−L)(dns/dT)ΔT+L(dna/dT)ΔT
遅延差Δτは以下となる。
Δτ=2πΔL/λ
ここで、λはテラヘルツ波の波長である。例えば、L−L=20cm、L=28cmとし、ΔT=1℃の変化が生じた場合、テラヘルツ波の波長λは、1THzのときにλ=0.3mmであるので、遅延差Δτ=0.03rad=1.8度の温度に付随する位相信号の変動が生じる。
本実施の形態では、遅延線20の長さをLとして、2つの光路長差を合わせて、それぞれの長さを以下とする。
+L=n+L
つまり、L≒L、L≒Lとすることで、ΔL≒0とすることができ、Δτ≒0となり、温度変動に対して位相信号の変動を低減することができる。また、湿度によって空気の屈折率変化がある場合も同様にその変動をキャンセルすることができる。なお、カプラ13Aと放射器16との間に、上記の式を満たすよう遅延線20を配置してもよいし、あるいは遅延線20を備えなくてもよい。
以上、初期的なファイバ長の差によって、温度変動の影響をテラヘルツ波の位相信号が受けることを示した。このような影響は、スプリッタ12A,12Bからカプラ13A,13Bまでの光路においても顕著に生じうる。
スプリッタ12Aからカプラ13Aまで、スプリッタ12Aからカプラ13Bまでのファイバの長さをD11,D12とする。スプリッタ12Bからカプラ13Aまで、スプリッタ12Bからカプラ13Bまでのファイバの長さをD21,D22とする。また、位相変調器14A,14BにおけるLN結晶の長さを等しいものとする。
温度変化をΔTとすると、光路長差ΔLは以下の式で表すことができる。
ΔD=(D11−D12)(dns/dT)ΔT+(D21−D22)(dns/dT)ΔT
遅延差Δτは以下となる。
Δτ=2πΔD/λ
ここで、λは光波の波長である。例えば、D11−D12=2mm、D21−D22=2mmとし、ΔT=1℃の変化が生じた場合、光波の波長λが1.55μmのときに、遅延差Δτ=0.1rad≒11度の温度に付随する位相信号の変動が生じる。なお、従来の構成では、LN結晶は対称に配置されていない。LN結晶の長さをDLNとすると、LN結晶の屈折率温度係数dnl/dTは、5〜50×10−6/℃であり、DLN(dnl/dT)ΔTの影響を受ける。DLNは、数cmであることが一般的であり、さらに影響を受けることが推定される。したがって、本実施の形態では、D11=D12及びD21=D22となるように、位相変調器を配置し、光路長を揃える。
図2は、本実施の形態における位相変調光回路の構成を示す平面図である。同図に示す位相変調光回路4は、図1の誘電分光装置における、スプリッタ12A,12Bからカプラ13A,13Bまでの部分の構成を備えた回路であり、第1入力及び第2入力を軸として対称に形成される。
位相変調光回路4は、平面光回路41A,41Bと位相変調部42で構成される。
平面光回路41Aには、第1入力、スプリッタ12A、および位相変調部42との接続部が形成される。第1入力から入力された第1光信号は、スプリッタ12Aにより2分岐され、接続部から位相変調部42に形成された導波路44A,44Bに入力される。
位相変調部42には、導波路44A,44Bと導波路44A,44Bに対する変調電極43A,43Bが形成される。変調電極43A,43Bに外部から変調電圧が供給されて、光波が通過する部分に電圧が印加され、通過する光波の位相を変調する。
平面光回路41Bには、第2入力、スプリッタ12B、位相変調部42との接続部、カプラ13A,13B、および第1、第2出力が形成される。第2入力から入力された第2光信号は、スプリッタ12Bにより2分岐されてカプラ13A,13Bに入力される。位相変調された第1光信号は、位相変調部42の導波路44A,44Bのそれぞれからカプラ13A,13Bに入力される。カプラ13A,13Bのそれぞれで、第2光信号と位相変調された第1光信号が合波されて、第1出力及び第2出力へ出力される。
位相変調部42は、電気光学効果を用いたLN結晶基板を用いることができる。位相変調部42に、発振器15からの単一周波数w(例えば1GHz)の鋸状波形の信号を印加してセロダイン位相変調を行い、変調周波数wと同等の周波数シフトを光信号に生じさせて、周波数F2(=F1+2w)の光信号を出力する。位相変調部42の制御電圧は、整数Nと2Vπ(Vπは位相がπ変化する制御電圧)の積により、Vm(t)=N2Vπwtと表すことができる。
位相変調器が1つのときは、制御電圧の周波数wの2N倍の周波数遷移が生じ、検出器で検出される信号の周波数は制御電圧の周波数の2N倍となる(非特許文献2参照)。
平面光回路41A,41Bは、シリコン等の半導体基板上に形成した石英、ポリマー、シリコンや化合物半導体の導波路(平面光波回路 PLC:Planar Lightwave Circuit)を用いることができる。位相変調部42には、電気光学ポリマーを用いても良く、またシリコン基板上や化合物半導体基板上に形成したキャリア注入型のPIN位相変調器や熱光学効果による位相変調器を用いることができ、モノリシックに平面光波回路と形成してもよい。
位相変調光回路4を温度調節可能なボード上に実装することにより、さらに環境依存の温度の影響を低減できる。
次に、集束レンズを用いた誘電分光センサの測定系について説明する。
図3は、本実施の形態の誘電分光センサの測定系を示す図である。図3の例では、誘電分光センサの測定系に透過型の配置をして水溶液や油等の液体を透過した透過信号の振幅、位相を測定する。放射器16から放射されたテラヘルツ波は、レンズ51を通過し、固定治具54に保持された誘電率測定用セル53のサンプルセルに入射する。サンプルセルのサイズは、例えば、ビームサイズ以上として数ミリ×数ミリ角以上である。サンプルを固定する窓板52の材料は、高抵抗Si,Zカット水晶、HDPE、TPX、Tsurupica等を用いてもよく、測定周波数に応じて透過率の高い材料を選択する。サンプルセルを通過したテラヘルツ波は、レンズ51を通過し、検出器17で受信される。なお、サンプルセルは、インレットとアウトレットを備えるフローセル構成としてもよい。また、固体を測定してもよい。
図4は、本実施の形態の別の誘電分光センサの測定系を示す図である。図4の例では、シリコンを材料とするATRプリズム55上にサンプルセルを配置し、サンプルセルで反射した反射信号の振幅、位相を測定する。放射器16から放射されたテラヘルツ波は、レンズ51、ATRプリズム55を通過し、固定治具54に保持された誘電率測定用セル53のサンプルセルとATRプリズム55の界面で反射する。サンプルセルは、窓板52で誘電率測定用セル53に封止される。サンプルセルで反射したテラヘルツ波は、ATRプリズム55、レンズ51を通過し、検出器17で受信される。
以上説明したように、本実施の形態によれば、カプラ13Aから放射器16までのファイバとカプラ13Bから検出器17までのファイバとを同等の遅延長とし、カプラ13Bと検出器17の間に、放射器16から検出器17に出射されるテラヘルツ波の空間伝搬長と同等の遅延長の遅延線20を備え、スプリッタ12A,12B、カプラ13A,13B及びスプリッタ12Aとカプラ13A,13Bとの間に位相変調器14A,14Bを備えた位相変調光回路4において、スプリッタ12Aから各カプラ13A,13Bまでの光路及びスプリッタ12Bから各カプラ13A,13Bまでの光路をそれぞれ等長とすることにより、光路長の屈折率変動を同等にでき、環境変動に伴う位相変化を抑制し、高精度にデータを取得することが可能となる。
11A,11B…連続波光源
12A,12B…スプリッタ
13A,13B…カプラ
14A,14B…位相変調器
15…発振器
16…放射器
17…検出器
18…ロックインアンプ
19…モニタ
20…遅延線
31A,31B…放物面鏡
4…位相変調光回路
41A,41B…平面光回路
42…位相変調部
43A,43B…変調電極
44A,44B…導波路
51…レンズ
52…窓板
53…誘電率測定用セル
54…固定治具
55…ATRプリズム
100…サンプル

Claims (3)

  1. 第1の光信号を出力する第1の光源と、
    前記第1の光信号とは周波数の異なる第2の光信号を出力する第2の光源と、
    前記第1の光信号を分波する第1のスプリッタと、
    前記第2の光信号を分波する第2のスプリッタと、
    前記第1のスプリッタで分波された第1の光信号のそれぞれの位相を電気的に変調する第1、第2の位相変調器と、
    位相が変調された前記第1の光信号と前記第2のスプリッタで分波された前記第2の光信号とをそれぞれ合波して第3、第4の光信号を出力する第1、第2のカプラと、
    前記第3の光信号を光電変換してミリ波又はテラヘルツ波の電磁波を発生させて被測定対象物に照射する放射器と、
    前記被測定対象物を透過又は反射した前記電磁波を受信し、前記電磁波と前記第4の光信号をホモダインミキシングする検出器と、を有し、
    前記第1、第2の位相変調器で生じる位相変調周波数が同じであり、
    前記第1のスプリッタから第1のカプラまでのファイバまたは導波路の長さと前記第1のスプリッタから第2のカプラまでのファイバまたは導波路の長さとを等しく、前記第2のスプリッタから第1のカプラまでのファイバまたは導波路の長さと前記第2のスプリッタから第2のカプラまでのファイバまたは導波路の長さとを等しくしたことを特徴とする誘電分光装置。
  2. 前記第1のスプリッタを第1の平面光回路上に形成し、
    前記第2のスプリッタ及び第1、第2のカプラを第2の平面光回路上に形成し、
    前記第1、第2の位相変調器として第1、第2の導波路と第1、第2の変調電極とを位相変調基板上に形成し、
    前記第1のスプリッタの分波先を前記第1、第2の導波路に接続し、前記第1、第2の導波路を前記第1、第2のカプラに接続したことを特徴とする請求項1記載の誘電分光装置。
  3. 前記第1のスプリッタの入力と前記第2のスプリッタの入力を結ぶ線を中心として前記第1、第2のカプラ、前記第1、第2の導波路及び前記第1、第2の変調電極を対称に配置したことを特徴とする請求項2記載の誘電分光装置。
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