JP6424600B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6424600B2 JP6424600B2 JP2014249303A JP2014249303A JP6424600B2 JP 6424600 B2 JP6424600 B2 JP 6424600B2 JP 2014249303 A JP2014249303 A JP 2014249303A JP 2014249303 A JP2014249303 A JP 2014249303A JP 6424600 B2 JP6424600 B2 JP 6424600B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating resin
- resin sheet
- joined
- semiconductor module
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/2612—Auxiliary members for layer connectors, e.g. spacers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
- H01L2224/331—Disposition
- H01L2224/3318—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
- H01L2224/33181—On opposite sides of the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Description
[半導体装置の全体構造]
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置1の全体構造の断面を示す概略図である。本第1の実施形態に係る半導体装置1は、複数の半導体素子12、複数の放熱板13、複数の絶縁樹脂シート14、複数のヒートシンク15、および複数の冷却器17を備えている。半導体装置1の構成要素のうち、複数の半導体素子12および複数の放熱板13は、例えばエポキシ樹脂などの材料からなる樹脂部材16によって封止されて、半導体モジュール10としてパッケージ化されている。
本第1の実施形態に係る半導体装置1の特徴は、複数の半導体素子12および複数の放熱板13を樹脂部材16で封止してなる半導体モジュール10の形状にある。具体的には、垂直断面視において、半導体モジュール10のエッジ部e(絶縁樹脂シート14と接するパッケージ面の端部)を、シール部材18の外周位置よりも外側(冷却器17の外縁方向)の位置に設ける(図1の点線を参照)。より好ましくは、垂直断面視において、半導体モジュール10のエッジ部eを、冷却器17の外縁よりも外側の位置に設ける。また、絶縁樹脂シート14は、垂直断面視において、半導体モジュール10のエッジ部eよりも、端部が内側(冷却器17の中心方向)に位置している。
上述した第1の実施形態に係る半導体装置1の構成によれば、半導体モジュール10のエッジ部eが、シール部材18の外周位置よりも外側にある。また、半導体モジュール10とヒートシンク15との間に挿入される絶縁樹脂シート14の端部が、シール部材18の外周位置よりも外側の位置にある。このため、ヒートシンク15に冷却器17を接合する時や半導体素子12の動作に伴う冷熱ストレスがかかる時などに、冷却器17に荷重が加わっても、半導体モジュール10のエッジ部eを支点としたヒートシンク15の変形が生じなくなる。つまり、冷却器17の側壁17sによってヒートシンク15の端部が受ける荷重を半導体モジュール10の面で支えることができるので、ヒートシンク15の変形が生じにくくなる。これにより、ヒートシンク15の変形に伴う絶縁樹脂シート14にかかる応力を、低減させることができる。従って、絶縁樹脂シート14の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減できる。
[半導体装置の全体構造]
図3は、本発明の参考例に係る半導体装置2の全体構造の断面を示す概略図である。参考例に係る半導体装置2は、複数の半導体素子12、複数の放熱板13、複数の絶縁樹脂シート14、複数のヒートシンク25、および複数の冷却器27を備えている。この参考例に係る半導体装置2の構成は、上記第1の実施形態に係る半導体装置1の構成と、ヒートシンク25と冷却器27とをシール部材を用いずに一体化した点が異なる。この半導体装置2において半導体装置1と同じ構成要素については、同一の参照符号を付して説明を省略する。
この半導体装置2の構成では、垂直断面視において、半導体モジュール20のエッジ部eを、冷却器27およびヒートシンク25の外縁よりも外側の位置に設けている(図3)。また、絶縁樹脂シート14の端部を、半導体モジュール20のエッジ部eよりも内側に設けている。
参考例に係る半導体装置2の構造によれば、半導体モジュール10のエッジ部eが、冷却器27およびヒートシンク25の外縁よりも外側にある。このため、ヒートシンク25と冷却器27とを一体化する時や半導体素子12の動作に伴う冷熱ストレスがかかる時などに、冷却器27に荷重が加わっても、半導体モジュール20のエッジ部eを支点としたヒートシンク25の変形が生じなくなる。これにより、ヒートシンク25の変形に伴う絶縁樹脂シート14にかかる応力を、低減させることができる。従って、絶縁樹脂シート14の剥離や破壊(クラックなど)が発生するおそれを低減できる。
10、20、50 半導体モジュール
12 半導体素子
13 放熱板(放熱部材)
14 絶縁樹脂シート
15、25 ヒートシンク(放熱器)
16 樹脂部材
17、27 冷却器
17a、27a 冷却水路
17b 底板
17s 側壁
18 シール部材
Claims (1)
- 半導体装置であって、
一方の主面に第1の放熱部材が接合され、他方の主面に第2の放熱部材が接合された半導体素子を、当該第1の放熱部材及び第2の放熱部材の一部を露出させて封止した半導体モジュールと、
前記第1の放熱部材の第1の露出部を含む前記半導体モジュールの第1の放熱面に、当該第1の露出部を覆うように接合された第1の絶縁樹脂シートと、
前記第1の絶縁樹脂シートの前記半導体モジュールが接合されていない面に接合された第1の放熱器と、
前記第1の放熱器の前記第1の絶縁樹脂シートが接合されていない面と第1のシール部材を介して接合され、第1の冷却水路を流れる冷却水を用いて前記第1の放熱器を冷却する第1の冷却器と、
前記第2の放熱部材の第2の露出部を含む前記半導体モジュールの第2の放熱面に、当該第2の露出部を覆うように接合された第2の絶縁樹脂シートと、
前記第2の絶縁樹脂シートの前記半導体モジュールが接合されていない面に接合された第2の放熱器と、
前記第2の放熱器の前記第2の絶縁樹脂シートが接合されていない面と第2のシール部材を介して接合され、第2の冷却水路を流れる冷却水を用いて前記第2の放熱器を冷却する第2の冷却器と、
を備え、
前記第1の絶縁樹脂シートの端部は、前記第1のシール部材の外周位置よりも外側に位置し、かつ、前記半導体モジュールの前記第1の放熱面の第1のエッジ部よりも内側に設けられ、
前記第2の絶縁樹脂シートの端部は、前記第2のシール部材の外周位置よりも外側に位置し、かつ、前記半導体モジュールの前記第2の放熱面の第2のエッジ部よりも内側に設けられ、
前記半導体モジュールの前記第1の放熱面の前記第1のエッジ部が、前記第1のシール部材の外周位置よりも外側に位置し、かつ、前記半導体モジュールの前記第2の放熱面の前記第2のエッジ部が、前記第2のシール部材の外周位置よりも外側に位置していることを特徴とする、半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014249303A JP6424600B2 (ja) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014249303A JP6424600B2 (ja) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016111274A JP2016111274A (ja) | 2016-06-20 |
JP6424600B2 true JP6424600B2 (ja) | 2018-11-21 |
Family
ID=56124895
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014249303A Active JP6424600B2 (ja) | 2014-12-09 | 2014-12-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6424600B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4586087B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2010-11-24 | 株式会社日立製作所 | パワー半導体モジュール |
JP5278126B2 (ja) * | 2009-04-10 | 2013-09-04 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
TWI462831B (zh) * | 2010-10-06 | 2014-12-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | 多層樹脂片及其製造方法、樹脂片層合體及其製造方法、多層樹脂片硬化物、附金屬箔之多層樹脂片、以及半導體裝置 |
DE112013007047B4 (de) * | 2013-05-09 | 2023-02-23 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitermodul |
-
2014
- 2014-12-09 JP JP2014249303A patent/JP6424600B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016111274A (ja) | 2016-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN108886036B (zh) | 功率模块、功率半导体装置及功率模块制造方法 | |
JP6300633B2 (ja) | パワーモジュール | |
WO2014045766A1 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5955251B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP5018909B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007335663A (ja) | 半導体モジュール | |
JP2020072106A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016131196A (ja) | 半導体装置 | |
JP4039339B2 (ja) | 浸漬式両面放熱パワーモジュール | |
US20140291832A1 (en) | Integrated cooling modules of power semiconductor device | |
JP7062082B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6870253B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
US11404344B2 (en) | Heat spreading plate | |
JP6424600B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2015185835A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2013183022A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
TWI660471B (zh) | 晶片封裝 | |
JP2011171656A (ja) | 半導体パッケージおよびその製造方法 | |
JP5488645B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7166150B2 (ja) | 冷却器、そのベース板および半導体装置 | |
CN111009494A (zh) | 冷却器及其基板、以及半导体装置 | |
JP2008130751A (ja) | 半導体装置 | |
JP2016111141A (ja) | 半導体装置 | |
EP4184567A1 (en) | Cooler unit, semiconductor device and method for manufacturing a cooler unit | |
JP2022087498A (ja) | 冷却器及び半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180123 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180328 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180827 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180904 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181008 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6424600 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |