JP6418315B2 - 超音波センサ - Google Patents

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Description

本発明は、圧電素子を備えた超音波センサに関する。
一般的な超音波センサは、ケースの内底面に圧電素子を接着することによりユニモルフ構造体を構成し、ケースの底部をベンディング振動させることで超音波を送受信する。特開2002−204497号公報(特許文献1)には、積層型の圧電素子を備えた超音波センサが開示されている。
特開2002−204497号公報
導電性を有するケースの内底面に積層型の圧電素子を接合したとする。この場合、圧電素子の接合面の側に、接地電極と、電圧が印加されることで接地電極との間に電位差を形成する非接地電極(端面電極の端部)とが位置することになる。従来の超音波センサにおいては、導電性を有するケースと非接地電極(端面電極の端部)とが導通してしまい、対極回路(超音波センサを構成するための電気回路)が適切に形成されないことがあった。
本発明は、導電性を有するケースの内底面に積層型の圧電素子を接合する場合であっても、ケースと非接地電極(端面電極の端部)とが導通することを抑制可能な超音波センサを提供することを目的とする。
本発明に基づく超音波センサは、導電性を有する有底筒状のケースと、上記ケースの内底面に接合された積層型の圧電素子と、を備え、上記圧電素子の接合面の側には、接地電極と、電圧が印加されることで上記接地電極との間に電位差を形成する非接地電極とが位置しており、上記ケースの上記内底面には、凹部が形成されており、上記ケースの上記内底面に対して垂直な方向に沿って上記非接地電極および上記凹部を平面視した場合、上記非接地電極のうちの上記接合面の側に位置している端部は、上記凹部に重なるように位置している。
好ましくは、上記ケースの上記内底面に対して垂直な方向に沿って上記非接地電極および上記凹部を平面視した場合、上記非接地電極のうちの上記接合面の側に位置している上記端部は、上記凹部の内側に含まれるように位置している。
好ましくは、上記圧電素子は、長手方向と短手方向とを備える直方体状の形状を有し、上記非接地電極のうちの上記接合面の側に位置している上記端部は、上記圧電素子の長手方向に沿って延びる形状を有している。
好ましくは、上記圧電素子は、長手方向と短手方向とを備える直方体状の形状を有し、上記非接地電極のうちの上記接合面の側に位置している上記端部は、上記圧電素子の短手方向に沿って延びる形状を有している。
好ましくは、上記ケースの底部には貫通孔が設けられ、上記貫通孔の中に樹脂が埋め込まれることで、上記凹部が形成されている。
好ましくは、上記圧電素子は、送信用領域および受信用領域を含む圧電体層と、上記送信用領域および上記受信用領域の双方に及んで広がる形状を有する共通電極と、上記送信用領域を間に挟んで上記共通電極に対向する送信用電極と、上記受信用領域を間に挟んで上記共通電極に対向する受信用電極と、を有し、上記送信用領域および上記受信用領域は、上記内底面の表面方向において互いに隣り合う位置に形成されている。
上記構成によれば、非接地電極(端面電極の端部)がケースに導通することは凹部の存在によって抑制されるため、対極回路(超音波センサを構成するための電気回路)を適切に形成することが可能となる。
実施の形態1における超音波センサを備えたセンサ装置の機能ブロックを示す図である。 実施の形態1における超音波センサを示す断面図である。 実施の形態1における超音波センサに備えられる圧電素子およびFPCを示す平面図である。 実施の形態1における超音波センサに備えられる圧電素子(FPCを取り外した状態)を示す平面図である。 実施の形態1における超音波センサに備えられる圧電素子を示す斜視図である。 実施の形態1における超音波センサに備えられる圧電素子およびその内部構造を示す斜視図である。 実施の形態1における超音波センサの圧電素子に備えられる電極を示す斜視図である。 図4中のVIII−VIII線に沿った矢視断面図である。 図4中のIX−IX線に沿った矢視断面図である。 図4中のX−X線に沿った矢視断面図である。 実施の形態1における超音波センサに用いられるケースの底部(内底面)に対して垂直な方向に沿って底部を見たときの様子を示す平面図である。 実施の形態2における超音波センサに用いられるケースの底部(内底面)に対して垂直な方向に沿って底部を見たときの様子を示す平面図である。 実施の形態3における超音波センサに用いられるケースの底部(内底面)に対して垂直な方向に沿って底部を見たときの様子を示す平面図である。 実施の形態4における超音波センサに用いられるケースの底部(内底面)に対して垂直な方向に沿って底部を見たときの様子を示す平面図である。 実施の形態5における超音波センサに用いられるケースなどを示す断面図である。 実施の形態6における超音波センサに用いられる圧電素子を示す斜視図である。
[実施の形態]
本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。個数および量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数および量などに限定されない。同一の部品および相当部品には同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
[実施の形態1]
図1は、実施の形態1における超音波センサ100を備えたセンサ装置1の機能ブロックを示す図である。センサ装置1は、超音波センサ100、マイコン101、メモリ102、検出回路103、信号生成回路104、電源105、および受信アンプ106を備える。超音波センサ100は、圧電素子50を備え、この圧電素子50は電極10,20,30からなる3端子構造を有している。
マイコン101は、メモリ102に格納されているデータを読み出し、制御信号を信号生成回路104に出力する。信号生成回路104は、制御信号に基づいて直流電圧から交流電圧を生成する。交流電圧は、超音波センサ100に供給され、超音波センサ100から気中などに向けて超音波が送信(送波)される。超音波センサ100が物標からの反射波を受信した際、超音波センサ100にて発生した受波信号は電圧値として受信アンプ106に送られ、検出回路103を通してマイコン101に入力される。マイコン101により、物標の有無や移動に関する情報を把握することが可能となる。
(超音波センサ100)
図2は、実施の形態1における超音波センサ100を示す断面図である。超音波センサ100は、圧電素子50、ケース60、吸音材63、接着剤64、接合剤65、充填剤71,72、およびFPC80(Flexible Printed Circuits)を備える。ケース60は、導電性を有し、有底筒状に形成される。ケース60は、たとえば、高い弾性を有し且つ軽量なアルミニウムからなる。ケース60は、このようなアルミニウムをたとえば鍛造または切削加工をすることによって作製される。
ケース60は、円盤状の底部62と、底部62の周縁に沿って設けられた円筒状の筒状部61とを含む。底部62は、内底面62Sおよび外面62Tを有する。圧電素子50は、たとえばチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスからなる。圧電素子50は、底部62の内底面62S上に配置され、接着剤64を用いて内底面62Sに接合される。接着剤64は、たとえばエポキシ系接着剤である。超音波センサ100が駆動している際には、圧電素子50は、底部62とともにベンディング振動する。
圧電素子50は、図示しない3つの電極(図1における電極10〜30に相当する部位。詳細は後述する)を有している。図3に示すように、FPC80の先端部80TはT字形状を有する。FPC80は、接合剤65を介してこれらの電極に電気的に接合される。接合剤65としては、たとえば金属が添加された樹脂材料が用いられる。FPC80のうちの圧電素子50に接合された部分とは反対側の部分は、ケース60の外に取り出され、信号生成回路104(図1)および受信アンプ106(図1)などに電気的に接続されている。
(圧電素子50)
図3は、圧電素子50およびFPC80を示す平面図である。図4は、圧電素子50(FPC80を取り外した状態)を示す平面図である。図5は、圧電素子50を示す斜視図である。図6は、圧電素子50およびその内部構造を示す斜視図である。図7は、圧電素子50に備えられる電極10,20,30を示す斜視図である。図8は、図4中のVIII−VIII線に沿った矢視断面図である。図9は、図4中のIX−IX線に沿った矢視断面図である。図10は、図4中のX−X線に沿った矢視断面図である。
図3〜図10においては、説明上の便宜のため矢印X,Y,Zを示している。矢印X,Y,Zは、互いに直交する関係を有する。以下、圧電素子50の各構成について矢印X,Y,Zを参照しつつ説明する場合があるが、各構成の配置関係(直交および平行に関する特徴)は、必ずしも矢印X,Y,Zに示す配置関係に限定されるものではない。これらについては、後述する図11〜図16においても同様である。
図3〜図10に示すように、圧電素子50は、積層型の圧電素子であり、接着剤64を用いてケース60の内底面62Sに貼り付けられる。圧電素子50は、長手方向と短手方向とを備える直方体状の形状を有する。具体的には、圧電素子50は、圧電体層40(図3〜図6,図8〜図10)と、電極10(図7)と、非接地電極としての電極20(図7)と、接地電極としての電極30(図7)とを含む。圧電体層40の外形形状は略直方体であり(図5,図6参照)、圧電体層40は、上面41、側面42〜45、および下面46を有している。
上面41は、圧電体層40のうちの矢印Z方向の側に位置する表面であり、下面46は、圧電体層40のうちの矢印Z方向とは反対方向の側に位置する表面である。側面42,44は、圧電体層40のうちの矢印X方向に対して直交する表面であり、互いに対向する位置関係を有している。側面43,45は、圧電体層40のうちの矢印Y方向に対して直交する表面であり、互いに対向する位置関係を有している。
(電極10)
電極10は、円盤部11および延出部12を含む(図7参照)。電極10は、受信用電極として機能する。延出部12は、円盤部11の外縁から外方に向かって延出する形状を有する。延出部12は、円盤部11が位置している側から圧電体層40の側面42が位置している側に向かって延びるように配置される。図3に示すように、FPC80に設けられた配線パターン81と電極10の延出部12との間の部分(接続箇所10C)において、電極10とFPC80(配線パターン81)とは電気的に接続される(図4,図5も参照)。
(電極20(非接地電極))
非接地電極としての電極20は、端面部21、上面部22、および中間部23,24を含む(図7参照)。電極20は、送信用電極として機能する。すなわち、電極20に電圧が印加されることで、電極20は電極30(接地電極)との間に電位差を形成する。端面部21は、圧電体層40の側面42(図5)に対向し、側面42に接する。端面部21の端部21Tは、電極20のうちの接着面の側(接着剤64の側)に位置する部位である。端部21Tは、圧電素子50の長手方向における側面42の下端部の一部に沿って延びる形状を有している。なお、本実施の形態および以下の実施の形態において、上述の接着面が請求項における接合面に相当する。
電極20の上面部22は、端面部21の矢印Z方向の側の端部に連設され、圧電体層40の上面41上に配置される。中間部23,24は、電極20のうちの圧電体層40の内部に配置される部位であり、圧電素子50が完成した状態ではこれらは視認されない(図5参照)。中間部23と中間部24との間には、電極30の中間部33が配置される(図8〜図10等参照)。
中間部23,24の内側には、くり抜き部23H,24H(図7)と、切り欠き部23T,24Tとがそれぞれ設けられる。図7および図9に示すように、中間部23,24の矢印Xとは反対方向における端部(具体的には、端面部21が位置している側の端部)は、端面部21に接続している。一方で、中間部23,24の矢印X方向における端部は、後述する電極30の端面部31に接続しておらず、端面部31から離れている。図3に示すように、FPC80に設けられた配線パターン82と電極20の上面部22との間の部分(接続箇所20C)において、電極20とFPC80(配線パターン82)とは電気的に接続される(図4,図5も参照)。
(電極30(接地電極))
接地電極としての電極30は、端面部31、上面部32、中間部33および下面部34を含む(図7参照)。電極30は、共通電極として機能する。端面部31は、圧電体層40の側面44(図5)に対向し、側面44に接する。下面部34は、圧電体層40の下面46に対向し、下面46に接する。上面部32は、端面部31の矢印Z方向の側の端部に連設され、圧電体層40の上面41上に配置される。中間部33は、電極30のうちの圧電体層40の内部に配置される部位であり、圧電素子50が完成した状態では中間部33は視認されない(図5参照)。
上面部32および中間部33の内側には、くり抜き部32H,33H(図7)がそれぞれ設けられる。くり抜き部32Hの内側に、電極10の円盤部11が配置される(図5参照)。上面部32および中間部33の内側には、切り欠き部32T,33Tもそれぞれ設けられる。切り欠き部32Tの内側に、電極10の延出部12が配置される(図5参照)。上面部32のうちの矢印Yとは反対方向における部分には、後退部32Fが設けられる。後退部32Fは、電極20の上面部22の配置を許容するための部位である。
図7および図9に示すように、上面部32、中間部33および下面部34の矢印X方向における端部は、端面部31に接続している。一方で、上面部32、中間部33および下面部34の矢印Xとは反対方向における端部は、電極20の端面部21に接続しておらず、端面部21から離れている。図3に示すように、FPC80に設けられた配線パターン83と電極30の上面部32との間の部分(接続箇所30C)において、電極30とFPC80(配線パターン83)とは電気的に接続される(図4,図5も参照)。
(送信用領域および受信用領域)
図8〜図10を参照して、圧電体層40の内部には、送信用領域40Nおよび受信用領域40Mが形成される。送信用領域40Nは、第1単位圧電体層N1〜N4からなる4層構造を有している。第1単位圧電体層N1〜N4は、ケース60の底部62から遠ざかる方向に積層され、電極20および電極30によって電気的に並列接続される。図8〜図10中の白色矢印は、各圧電体層の分極方向を示している。一方で、受信用領域40Mは、第2単位圧電体層M1の1層構造を有している。
電極30の下面部34は、送信用領域40Nおよび受信用領域40Mの双方に及んで広がる形状を有している。電極20の上面部22は、第1単位圧電体層N1〜N4を含む送信用領域40Nを間に挟んで電極30の下面部34に対向している。電極10の円盤部11は、第2単位圧電体層M1を含む受信用領域40Mを間に挟んで電極30の下面部34に対向している。
すなわち、圧電体層40のうち、電極20の上面部22と電極30の下面部34との間に位置する領域、電極20の中間部23と電極30の上面部32との間に位置する領域、および電極20の中間部23と電極30の下面部34との間に位置する領域が、送信用領域40Nとして機能する。一方で、圧電体層40のうち、電極10の円盤部11と電極30の下面部34との間に位置する領域が受信用領域40Mとして機能する。
図8および図10に示すように、送信用領域40Nと受信用領域40Mとは、ケース60の底部62の内底面62Sの表面方向(X−Y面方向)において互いに隣り合う位置に形成されている。具体的には、圧電体層40の中心部に受信用領域40Mが設けられており、受信用領域40Mを囲むように、受信用領域40Mよりも径方向の外側である周辺部に、送信用領域40Nが設けられている。
図9および図10に示すように、以上のように構成される圧電素子50においては、圧電素子50の接着面の側(圧電素子50のうちのケース60の底部62に接着される面の側)に、電極30(接地電極)の下面部34と、電極20(非接地電極)の端面部21の端部21Tとが位置している。電極30の下面部34は、接着剤64によりケース60の底部62(内底面62S)に貼り付けられている。上述のとおり、電極20に電圧が印加されることで、電極20は電極30(接地電極)との間に電位差を形成する。これにより、超音波センサ100は超音波を送波することが可能となる。
図11は、ケース60の底部62(内底面62S)に対して垂直な方向に沿って底部62を見たときの様子を示す平面図である。図示上の便宜のため、図11においては、圧電素子50および電極20の端面部21(端部21T)については点線を用いて図示している。
本実施の形態のケース60の底部62には、凹部68が形成されている(図9および図10も参照)。凹部68は、直線状に延びる溝状の形状を有する。本実施の形態では、断面視が矩形状の凹部68を設けているが、断面視は半円形状や三角形状、台形形状、半楕円形状であっても構わない。
ここで、ケース60の底部62(内底面62S)に対して垂直な方向に沿って電極20を平面視した場合、電極20の端面部21のうちの接着面の側に位置している端部21Tは、凹部68に重なるように位置している。換言すると、ケース60の底部62(内底面62S)に対して垂直な方向に沿って端部21Tを投影した場合、その投影により形成される投影像は、凹部68に重なるように位置している。ケース60の底部62(内底面62S)に対して垂直な方向に沿って電極20を平面視した場合、好ましくは、図11に示すように端部21Tは凹部68の内側に含まれるように位置しているとよい(この場合、上記の投影像の全部が凹部68の内側に含まれることになる)。
(作用および効果)
積層型の圧電素子を備えた一般的な超音波センサにおいては、圧電素子の積層数が多ければ多いほど、送波の際の音圧が上がるが、受波の際の感度が下がるという特性が示される。これは、一般的な積層型の圧電素子においては、圧電素子の送波に供される部分と受波に供される部分とが同一の部位内に形成されているからである。
本実施の形態においては、圧電素子50の送波に供される部分(送信用領域40N)と受波に供される部分(受信用領域40M)とが、分離して形成されている。送波の際の音圧を上げるために圧電素子50の送波に供される部分(送信用領域40N)の積層数を4層構造としているが、受波に供される部分(受信用領域40M)は1層構造のままである。本実施の形態の超音波センサにおいては、受波の際の感度が低下することが、従来の構成に比べて抑制されている。したがって、本実施の形態の超音波センサは、送信時における音圧および受信時における感度の双方をそれぞれ独立して調整することが可能な構造を備えていると言える。
図9および図10を参照して、冒頭で述べたように、導電性を有するケース60の底部62の内底面62Sに積層型の圧電素子50を接着した場合には、圧電素子50の接着面の側に、電極30(接地電極)と、電圧が印加されることで接地電極との間に電位差を形成する電極20(非接地電極)の端部21Tとが位置することになる。従来の超音波センサにおいては、導電性を有するケース60と電極20の端部との間の距離が短いことに起因してこれらが導通(短絡)してしまい、対極回路(超音波センサを構成するための電気回路)が適切に形成されないことがあった。
これに対して本実施の形態の超音波センサ100においては、電極20(非接地電極)がケース60に導通することは凹部68の存在によって抑制される。したがって、ケース60と電極20とが絶縁され、対極回路が形成されることにより、超音波センサ100は適切に機能することができ、製造直後に初期不良が発生する確率を低減可能となる。なお、接地電極としての電極30は、ケース60の底部62と導通していても構わない。
超音波センサ100が駆動している際には、圧電素子50は底部62とともにベンディング振動する。凹部68が設けられていない場合には、使用を開始したのちにベンディング振動の影響を受けてケース60と電極20とが導通してしまい、不良の発生につながることがあり得る。本実施の形態の超音波センサ100によれば、このような不具合が生じることも凹部68の存在によって抑制することが可能である。凹部68の存在は、超音波センサ100の振動モードに影響し得るため、不要な導通の発生を防止しつつ、最適な振動モードが得られるように凹部68の深さ、長さ、幅などを最適化するとよい。
実施の形態1で述べた上記の導通を防止するという対策は、圧電素子(たとえば電極20)の形状を工夫することでも同様な効果が得られるが、厚みの薄い積層素子を用いる場合には、本実施の形態で説明したような、ケース60に凹部68を設けるという対策の方が容易に実施できると言える。なお、ケース60に凹部68を設けることに加えて、さらに、圧電素子(たとえば電極20)の形状を工夫して不要な導通の発生を防止するということも有効である。
[実験例]
上述の実施の形態1による効果を検証するため、次のような実験を行なった。すなわち、金属製のケース60として、直径14mm、高さ9mmを有するものを準備した。ケース60の底部62の厚さは、0.9mmとした。ケース60の底部62に設けた凹部68の形状は、長さ6.5mm、幅0.5mm、深さ0.05mmとした。
積層型の圧電素子50として、長さ6mm、幅5mm、厚み0.2mmを有するものを準備した。配線部材としては、FPCの代わりにリード線を用い、接着剤64としてはエポキシ樹脂(絶縁性接着剤)を用い、充填剤71,72としてはシリコーンを用いた(図2参照)。
以上のような構成を有する超音波センサ100を10個製造したところ、初期不良が発生したもの(製造の直後において導通が発生したもの)はゼロであった。凹部68の深さのみを変更し、深さ0.035mm、深さ0.06mmにしても、同様の結果が得られた。ケース60の底部62の厚み(900μm)に対して、凹部68の深さが3%以上6%以下であれば、良好な結果が得られた。また、凹部68の代わりに貫通孔をケース60の底部62に設けて同様な実験を行なったところ、初期不良率は改善したが、代わりに超音波センサの周波数、指向性、振動モードが変化し、凹部を設ける場合に比べると音圧が得られにくくなった。
[実施の形態2]
上述の実施の形態1では(図11参照)、ケース60の底部62に1つの凹部68が設けられる。
図12に示すケース60Aのように、底部62には、2つの凹部68A,68Bが設けられていてもよい。凹部68A,68Bは、互いに同一の形状を有しており、互いに平行である。当該構成によれば、圧電素子50を底部62に貼り付ける際に圧電素子50の方向性に配慮しなくて済むため、生産効率の向上が期待できる。
[実施の形態3]
上述の実施の形態1では、電極20の端部21Tは、圧電素子50の長手方向における側面(圧電体層40の側面42)の下端部に沿って延びる形状を有している。
図13を参照して、本実施の形態の圧電素子50Aにおいては、電極20の端部21Tは、圧電素子50Aの短手方向における側面(圧電体層40の側面43)の下端部に沿って延びる形状を有している。このような圧電素子50Aが用いられる場合であっても、電極20の端面部21のうちの接着面の側に位置している端部21Tがケース60Bの凹部68Aに重なるように位置していることで、不要な導通を防止できる。好ましくは、図13に示すケース60Bのように、端部21Tは凹部68Aの内側に含まれるように位置しているとよい。
[実施の形態4]
図14を参照して、本実施の形態においても、電極20の端部21Tは、圧電素子50Aの短手方向における側面(圧電体層40の側面43)の下端部に沿って延びる形状を有している。ケース60Cにおいても、上述の実施の形態2の場合と同様、底部62には、2つの凹部68A,68Bが設けられている。凹部68A,68Bは、互いに同一の形状を有しており、互いに平行である。当該構成によれば、圧電素子50Aを底部62に貼り付ける際に圧電素子50Aの方向性に配慮しなくて済むため、生産効率の向上が期待できる。
[実施の形態5]
図15を参照して、本実施の形態のケース60Dにおいては、ケース60Dの底部62には貫通孔69が設けられ、貫通孔69の中に樹脂67(エポキシ樹脂など)が埋め込まれることで凹部68が形成されている。当該構成によっても、上述の各実施の形態と略同様の作用および効果を得ることができる。
[実施の形態6]
上述の各実施の形態における超音波センサに備えられている圧電素子は(たとえば図8参照)、送信用領域40Nと受信用領域40Mとがケースの底部62の内底面62Sの表面方向において互いに隣り合う位置に形成されている。上記の各実施の形態で開示した思想(すなわち、ケースの内底面に凹部を設けるという思想)は、このような圧電素子を備えた超音波センサに限って適用されるものではなく、図16に示す圧電素子50Bを備えた超音波センサにも適用することができる。
図16に示すように、本実施の形態における圧電素子50Bは、電極10を備えておらず、送波に供される部分と受波に供される部分とは分離されていない。このような圧電素子50Bが用いられる場合であっても、ケース(図示せず)の底部62に凹部68が形成されることで、電極20が端部21Tを介して導通してしまうことを抑制することが可能である。
[他の実施の形態]
上述の各実施の形態においては、圧電素子はチタン酸ジルコン酸鉛系セラミックスからなっているが、これに限られるものではない。たとえば、圧電素子は、ニオブ酸カリウムナトリウム系やアルカリニオブ酸系セラミックス等の非鉛系圧電セラミックスの圧電材料などからなっていてもよい。上述の各実施の形態においては、圧電素子は長手方向と短手方向とを備える直方体状の形状であるが、これに限られるものではない。たとえば、圧電素子は円板形状でもよい。上述の各実施の形態においては、充填剤71,72(図2)は、シリコーン樹脂からなっているが、これに限るものではない。樹脂からなるものであれば、たとえば、ウレタン樹脂やシリコーン発泡樹脂からなっていてもよい。
以上、本発明に基づいた各実施の形態および実験例について説明したが、上記の開示内容はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1 センサ装置、10 電極(共通電極)、10C,20C,30C 接続箇所、11 円盤部、12 延出部、20 電極(非接地電極)、21,31 端面部、21T 端部、22,32 上面部、23,24,33 中間部、23H,23T,24H,24T,32H,32T,33H,33T 部、30 電極(接地電極)、32F 後退部、34 下面部、40,M1,N1,N4 圧電体層、40M 受信用領域、40N 送信用領域、41 上面、42,43,44,45 側面、46 下面、50,50A,50B 圧電素子、60,60A,60B,60C,60D ケース、61 筒状部、62 底部、62S 内底面、62T 外面、63 吸音材、64 接着剤、65 接合剤、67 樹脂、68,68A,68B 凹部、69 貫通孔、71,72 充填剤、80T 先端部、81,82,83 配線パターン、100 超音波センサ、101 マイコン、102 メモリ、103 検出回路、104 信号生成回路、105 電源、106 受信アンプ。

Claims (6)

  1. 導電性を有する有底筒状のケースと、
    前記ケースの内底面に接合された積層型の圧電素子と、を備え、
    前記圧電素子の接合面の側には、接地電極と、電圧が印加されることで前記接地電極との間に電位差を形成する非接地電極とが位置しており、
    前記ケースの前記内底面には、凹部が形成されており、
    前記ケースの前記内底面に対して垂直な方向に沿って前記非接地電極および前記凹部を平面視した場合、前記非接地電極のうちの前記接合面の側に位置している端部は、前記凹部に重なるように位置している、
    超音波センサ。
  2. 前記ケースの前記内底面に対して垂直な方向に沿って前記非接地電極および前記凹部を平面視した場合、前記非接地電極のうちの前記接合面の側に位置している前記端部は、前記凹部の内側に含まれるように位置している、
    請求項1に記載の超音波センサ。
  3. 前記圧電素子は、長手方向と短手方向とを備える直方体状の形状を有し、
    前記非接地電極のうちの前記接合面の側に位置している前記端部は、前記圧電素子の長手方向に沿って延びる形状を有している、
    請求項1または2に記載の超音波センサ。
  4. 前記圧電素子は、長手方向と短手方向とを備える直方体状の形状を有し、
    前記非接地電極のうちの前記接合面の側に位置している前記端部は、前記圧電素子の短手方向に沿って延びる形状を有している、
    請求項1または2に記載の超音波センサ。
  5. 前記ケースの底部には貫通孔が設けられ、前記貫通孔の中に樹脂が埋め込まれることで、前記凹部が形成されている、
    請求項1から4のいずれかに記載の超音波センサ。
  6. 前記圧電素子は、
    送信用領域および受信用領域を含む圧電体層と、
    前記送信用領域および前記受信用領域の双方に及んで広がる形状を有する共通電極と、
    前記送信用領域を間に挟んで前記共通電極に対向する送信用電極と、
    前記受信用領域を間に挟んで前記共通電極に対向する受信用電極と、を有し、
    前記送信用領域および前記受信用領域は、前記内底面の表面方向において互いに隣り合う位置に形成されている、
    請求項1から5のいずれかに記載の超音波センサ。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2021171819A1 (ja) * 2020-02-26 2021-09-02 株式会社村田製作所 超音波センサ

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07194517A (ja) * 1993-12-31 1995-08-01 Olympus Optical Co Ltd 超音波探触子
JPH11135852A (ja) * 1997-10-28 1999-05-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 圧電体素子の製造方法
JP2002204497A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Ngk Spark Plug Co Ltd 超音波センサ
JP4667036B2 (ja) * 2004-12-27 2011-04-06 Necトーキン株式会社 積層型圧電振動子及びその製造方法、並びに圧電アクチュエータ
KR101064922B1 (ko) * 2006-10-20 2011-09-16 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 초음파 센서
CN103858445B (zh) * 2011-10-05 2016-09-28 株式会社村田制作所 超声波传感器
JP5790774B2 (ja) * 2011-10-31 2015-10-07 株式会社村田製作所 超音波センサ
CN104335604B (zh) * 2013-04-19 2017-10-10 株式会社村田制作所 超声波传感器及其制造方法

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