JP6413281B2 - ボロメータ方式の赤外線センサおよびその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、赤外線の入射光を吸収して温度変化し、その温度変化によって抵抗値が変化する材料を用いて赤外線の放射強度の信号を読み出すボロメータ方式の赤外線センサおよびその製造方法に関するものである。

従来より、赤外線センサとして量子（フォトン）型センサやボロメータ方式などの熱型センサが知られている（例えば、特許文献１参照）。量子型センサは、ダーク電流に起因したノイズを低下させるために液体窒素温度近くまで冷却しなければ検出感度を高められない。これに対して、ボロメータ方式の赤外線センサは素子の冷却が不要である。このため、コストの低減、機器の簡素化および小型化携帯用途において有利であることから、それらを目的としてボロメータ方式の赤外線センサが用いられている。

このボロメータ方式の赤外線センサは、入射した赤外線を受光部が吸収することにより受光部の温度を変化させ、この受光部に配置した材料の温度変化による抵抗値変化から該赤外線の放射強度を電気信号として検出するものである。したがって、抵抗変化の温度依存性（抵抗温度係数（ＴＣＲ：Temperature Coefficient of Resistance））が大きいほど、検出感度が高くなる。室温付近で高いＴＣＲを持つ抵抗体膜の材料としてＶＯ₂（酸化バナジウム）があり、ＴＣＲが７０％／Ｋ程度と非常に高い。

特許第３２３６８６０号公報

しかしながら、高品質で高ＴＣＲなＶＯ₂を得るには高温成膜（＞４００℃）が必要なため、ＣＭＯＳプロセスなどと適応する４００℃以下で高いＴＣＲを実現することが困難であった。例えば、特許文献１においては、バナジウム系を含むゾル液を用いて加熱炉内において大気熱処理を行うことで基板上に酸化バナジウム膜を成膜し、それを真空容器内でアルゴンと水素の混合ガスで約４００℃、８時間加熱処理するようにしている。しかし、得られるＴＣＲは１．８〜２．０％と低い値しか得られない。また、この場合に得られる酸化バナジウムは、ＶＯ₂ではなく、酸素濃度がストイキオメトリーからずれた組成となってしまう。

また、４００℃以下で成膜できる非冷却赤外線センサに用いられている材料として、ＶＯｘがあるが、ＴＣＲが３％／Ｋ程度とそれほど感度が高くない。

本発明は上記点に鑑みて、酸化バナジウムの成膜温度を４００℃以下としても高いＴＣＲが得られるようにしたボロメータ方式の赤外線センサおよびその製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、多結晶からなる下地絶縁膜（１）と、下地絶縁膜の表面に形成された抵抗体膜となる多結晶からなるＶＯ_２膜（２）と、ＶＯ_２膜に電気的に接続される配線層（４）と、照射される赤外線を吸収して温度変化を生じる赤外線吸収膜（６）と、を有し、下地絶縁膜がＴｉＯ_２膜であり、該ＴｉＯ_２膜の結晶粒径が４０ｎｍ〜５０ｎｍであり、ＶＯ _２ 膜の結晶粒径が４０ｎｍ〜５０ｎｍであり、赤外線吸収膜の温度変化に伴ってＶＯ_２膜の抵抗値が変化し、該抵抗値の変化を配線層より赤外線の照射強度を表す信号として取り出すことを特徴としている。

このように構成される赤外線センサでは、多結晶からなる下地絶縁膜の上に多結晶からなるＶＯ_２膜を形成している。このような構成とすれば、ＶＯ_２膜の成膜温度を４００℃以下としても、高いＴＣＲを得ることが可能となる。

具体的には、請求項２に示したように、多結晶からなる下地絶縁膜（１）を用意する工程と、４００℃以下の温度で、下地絶縁膜の表面にエピタキシャル成長によって抵抗体膜となるＶＯ２膜（２）を成膜する工程と、下地絶縁膜およびＶＯ_２膜をパターニングする工程と、パターニング後の下地絶縁膜およびＶＯ_２膜を覆うパッシベーション膜（３）を成膜する工程と、パッシベーション膜にコンタクトホール（３ａ）を形成したのち、該コンタクトホールを通じてＶＯ_２膜に電気的に接続される配線層（４）を形成する工程と、パッシベーション膜および配線層の上に、照射される赤外線を吸収して温度変化を生じる赤外線吸収膜（６）を形成する工程と、を含み、下地絶縁膜を用意する工程においては、支持基板（７）の上に絶縁膜（１０）を形成したものの該絶縁膜の上に、下地絶縁膜としてＴｉＯ_２を真空チャンバ内で成膜する工程を行う製造方法によって、請求項１にかかるボロメータ方式の赤外線センサを製造することができる。

このように、多結晶からなる下地絶縁膜の上に４００℃以下の成膜温度によるエピタキシャル成長によって多結晶からなるＶＯ_２膜を形成している。これにより、ＶＯ_２膜の成膜温度を４００℃以下としても、高いＴＣＲを得ることが可能となる。

多結晶の場合のＴＣＲは粒径サイズに依存するため、粒径が大きくなることで、ＴＣＲの向上が可能となっているため、必ずしもルチル構造でなかったとしても、高いＴＣＲを得ることができる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。

本発明の第１実施形態にかかるボロメータ方式の赤外線センサの断面構成を示す図である。 図１に示す赤外線センサの製造工程を示した断面図である。 ＶＯ₂膜２の成膜時における下地基板となるＴｉＯ₂層１の温度（成膜温度）に対するＶＯ₂膜２のＴＣＲの関係を調べた結果を示す図である。 成膜温度を変えてＴｉＯ₂層１の表面にＶＯ₂膜２を成膜し、成膜温度に対するＶＯ₂膜２の抵抗値（Ω）との関係を調べた結果を示す図である。 本発明の第２実施形態にかかるボロメータ方式の赤外線センサの断面構成を示す図である。 図５に示す赤外線センサの製造工程を示した断面図である。 ＶＯ₂膜２の成膜時における下地基板となるＴｉＯ₂層１の温度（成膜温度）に対するＶＯ₂膜２のＴＣＲの関係を調べた結果を示す図である。 成膜温度を変えてＴｉＯ₂層１の表面にＶＯ₂膜２を成膜し、成膜温度に対するＶＯ₂膜２の抵抗値（Ω）との関係を調べた結果を示す図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。

（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる赤外線センサについて説明する。まず、図１を参照して、本実施形態のボロメータ方式の赤外線センサの構造について説明する。

図１に示すように、下地絶縁膜となるチタン酸化層（以下、ＴｉＯ₂膜という）１の上に抵抗体膜となるＶＯ₂膜２が形成されている。ＴｉＯ₂層１は、ＴｉＯ₂（００１）基板をパターニングすることによって構成されたものであり、この上にＶＯ₂膜２がエピタキシャル成長によって形成されている。ＴｉＯ₂層１は結晶構造としてルチル構造を有しており、その上に同じルチル構造をとるＶＯ₂膜２が形成されている。

これらＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２の周囲、具体的にはＴｉＯ₂層１のうちＶＯ₂膜２と反対側となる裏面側以外はＶＯ₂膜２およびパッシベーション膜３によって覆われている。そして、ＶＯ₂膜２については、その両端がパッシベーション膜３に形成された配線層４と電気的に接続されている。なお、ＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２については、上面形状が単純な四角形状などであっても良いが、得たい抵抗特性に応じて適宜パターニングされた形状とされていても良い。

パッシベーション膜３はシリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）などの絶縁膜によって構成されており、ＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２の側面および上面を覆っている。このパッシベーション膜３にコンタクトホール３ａが形成されており、パッシベーション膜３の表面に形成された配線層４がコンタクトホール３ａを通じてＶＯ₂膜２と電気的に接続されている。

配線層４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）配線などによって構成され、ＶＯ₂膜２の両端に接続され、ＶＯ₂膜２の抵抗値変化を外部に出力するために用いられる。

また、配線層４を覆うように例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）にて構成される保護膜５が成膜されている。保護膜５には配線層４の一部を露出させる開口部５ａが形成されており、この開口部５ａから露出させられた配線層４がパッド部４ａとして用いられ、図示しないボンディングワイヤなどと電気的に接続される。

そして、この保護膜５の表面上において、赤外線吸収膜６が形成されている。赤外線吸収膜は、例えばカーボンペーストやシリコン窒化膜およびシリコン酸化膜の多層膜などによって構成され、赤外線の照射強度に応じて赤外線を吸収し、その吸収量に応じて温度変化する。この赤外線吸収膜６の温度がＶＯ₂膜２に伝わり、赤外線吸収膜６の温度変化がＶＯ₂膜２の抵抗値変化として現れることで、配線層４を通じて赤外線の照射強度を表す信号を外部に取り出すことが可能となっている。このように、赤外線吸収膜やその下方に位置するＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２が配置された部分がセンサ部として機能する。

一方、ＴｉＯ₂層１の裏面側、つまりＶＯ₂膜２と反対側において、ＴｉＯ₂層１を露出させるように、パッシベーション膜３に支持基板７が貼り付けられている。支持基板７は、例えばシリコン基板によって構成されており、ＴｉＯ₂層１と対応する位置が貫通させられて開口部とされることでＴｉＯ₂層１を露出させている。これにより、支持基板７の上方の構成要素のうちのセンサ部として機能する部分が薄膜のメンブレンとされている。また、支持基板７のうちのＴｉＯ₂層１と反対側の表面には、シリコン窒化膜などによって構成された保護マスク８が配置されている。保護マスク８も、支持基板７と同様に、ＴｉＯ₂層１と対応する位置が除去されており、ＴｉＯ₂層１を露出させている。

なお、支持基板７が除去された部分は、空気が充填もしくは赤外線センサを図示しない真空容器内に配置することで真空状態とされ、ＴｉＯ₂層１から支持基板７への伝熱が抑制されるようにしてある。支持基板７とＴｉＯ₂層１とは若干接触していても良いが、ＴｉＯ₂層１の断熱性を高めるために、支持基板７とは接触していない方が好ましい。

このような構成により、本実施形態にかかる赤外線センサが構成されている。このように構成される赤外線センサでは、センサ上部から赤外線が入射されると、それが赤外線吸収膜６に吸収され、赤外線吸収膜６の温度が上昇し、ＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２を含めたセンサ部の温度が上昇する。一方、配線層４を介してＶＯ₂膜２に直流電圧が与えられており、センサ部の温度上昇に伴ってＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２の抵抗値が変化することから、それが電流変化として検出される。これにより、赤外線の照射強度を検出することが可能となる。なお、ここでは詳細については図示していないが、赤外線センサにおいてはＶＯ₂膜２の高いＴＣＲを得るために、一定温度駆動（マイクロヒータ制御）を行うのが好ましい。このため、センサ部の近傍にマイクロヒータを備えることで、より高いＴＣＲを得ることができる。

続いて、本実施形態にかかる赤外線センサの製造方法について、図２を参照しながら説明する。

〔図２（ａ）に示す工程〕
まず、ＴｉＯ₂層１を構成するＴｉＯ₂（００１）基板を用意する。ＴｉＯ₂（００１）基板は、結晶構造としてルチル構造を有している。このＴｉＯ₂（００１）基板の表面に同じルチル構造を有するＶＯ₂膜２を形成する。例えば、ＶＯ₂膜２をパルスレーザ堆積法によって成膜することができる。パルスレーザ堆積法による場合、例えば焼結によってＶ₂Ｏ₅ターゲットを生成しておき、ＴｉＯ₂（００１）基板と共にＶ₂Ｏ₅ターゲットを真空チャンバー内に設置する。そして、レーザ照射によってターゲットを昇華させ、ＴｉＯ₂（００１）基板上にＶＯ₂膜２を蒸着させる。このとき、基板温度を４００℃以下、例えば３００℃とし、真空チャンバ内を１．３３Ｐａ（＝１０ｍＴｏｒｒ）の酸素雰囲気として、レーザ照射によってＶ₂Ｏ₅ターゲットをアブレーションしてＶＯ₂膜２を成膜する。

このとき、赤外線センサが接続される回路とマッチングする抵抗値（例えば１０ｋ〜１００ｋΩ）となるようにＶＯ₂膜２の膜厚制御を行う。例えば、ＶＯ₂膜２の成膜を３３０℃で行う場合、ＶＯ₂膜２を６〜１２ｎｍの膜厚で形成すると、所望の抵抗値（例えば１０ｋ〜１００ｋΩ）が得られた。

このように、パルスレーザ堆積法などによって、ＶＯ₂膜２を成膜することができる。パルスレーザ堆積法によってＶＯ₂膜２を成膜する場合、組成制御が容易であるし、高融点材料の成膜を容易に行うことが可能となる。このときのＶＯ₂膜２の結晶構造は、基本的には下地基板となるＴｉＯ₂層１の結晶構造が引き継がれることになるため、ＴｉＯ₂層１と同じになる。すなわち、単結晶で構成されるＴｉＯ₂（００１）基板の結晶構造が引き継がれ、ＶＯ₂膜２も単結晶となる。

〔図２（ｂ）に示す工程〕
表面側にＶＯ₂膜２を成膜したＴｉＯ₂層１を必要に応じてスマートカット法などによって所定厚さに加工したのち、シリコン基板などによって構成される支持基板７に貼り合せる。そして、図示しないマスクを用いてＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２をパターニングし、所望位置にのみ残す。

〔図２（ｃ）に示す工程〕
パターニング後のＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２を覆うように、支持基板７の上面にシリコン酸化膜などの絶縁膜で構成されるパッシベーション膜３を成膜する。

〔図２（ｄ）に示す工程〕
図示しないマスクを用いて、パッシベーション膜３の所望位置、具体的にはＶＯ₂膜２の両端と対応する位置をエッチングし、ＶＯ₂膜２の両端位置を露出させる。そして、アルミニウムなどの配線材料を成膜したのち、これをパターニングすることで配線層４を形成する。

この後の工程については図示しないが、次のような各種工程を行っている。すなわち、配線層４の表面を覆うようにシリコン窒化膜などからなる保護膜５を形成した後、これをパターニングして開口部５ａを形成する。また、支持基板７を裏面研削・研磨して薄肉化した後、支持基板７の裏面にシリコン窒化膜などによって構成される保護マスク８を成膜する。さらに、保護マスク８をパターニングしてＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２の形成位置と対応する部分を開口させたのち、保護マスク８をマスクとしたウェットエッチングを行うことで支持基板７のうちＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２の形成位置と対応する部分を除去する。そして、保護膜５の表面にカーボンペーストなどによる赤外線吸収膜６を形成した後、これをパターニングして所望位置に残す。このようにして、図１に示す赤外線センサが完成する。

このようにして製造した赤外線センサのＶＯ₂膜２について、ＴＣＲを測定したところ、ＴＣＲ＞１００％という大きなＴＣＲを得ることができた。これは、ルチル構造となるＶＯ₂膜２を同じルチル構造を有するＴｉＯ₂層１の表面に形成していることから、ＶＯ₂膜２の結晶性を向上させられたためと考えられる。

具体的に、ＶＯ₂膜２の成膜時における下地基板となるＴｉＯ₂層１の温度（成膜温度）に対するＶＯ₂膜２のＴＣＲの関係について調べたところ、図３に示す結果が得られた。この図に示されるように、成膜温度が４００℃以下において、１００％以上となる高いＴＣＲが得られており、特に、成膜温度が３３０℃のときにＴＣＲが６６２％という最大値を得ることができることが確認された。成膜温度が３３０℃を超えるとＴＣＲが徐々に低下し、４００℃を超えるとＴＣＲが１００％以下となって特性が悪化するが、少なくとも４００℃以下の温度においてはＴＣＲが１００％以上となっていた。成膜温度が高くなるに連れてＴＣＲが低下しているのは、下地基板となるＴｉＯ₂層１からＴｉ元素がＶＯ₂膜２に拡散するためであり、この影響が比較的小さくなる４００℃以下の成膜温度とすることで、高いＴＣＲを確保することができる。

参考として、図３中に破線にて、従来のように下地基板として本実施形態のようなＴｉＯ₂層１を用いていない場合には、成膜温度が高くなるほどＶＯ₂膜のＴＣＲが大きくなる。しかしながら、４００℃よりも高い成膜温度でないと高いＴＣＲを得ることができない。したがって、本実施形態にかかる赤外線センサのように、ＶＯ₂膜２の下地としてＴｉＯ₂層１を用いることで、低い温度でＶＯ₂膜２を成膜しつつ高いＴＣＲを得ることが可能となる。

また、成膜温度を変えてＴｉＯ₂層１の表面にＶＯ₂膜２を７ｎｍ成膜し、成膜温度に対するＶＯ₂膜２の抵抗値（Ω）との関係について調べたところ、図４に示す結果が得られた。この図に示すように、３００℃〜４００℃においては、抵抗値が急峻に変化していて高いＴＣＲが得られていることが分かり、５００℃、６００℃においては、抵抗値が緩やかに変化していて高いＴＣＲが得られていないことが分かる。この結果からも、本実施形態にかかる赤外線センサのように、ＶＯ₂膜２の下地としてＴｉＯ₂層１を用いることで、低い温度でＶＯ₂膜２を成膜しつつ高いＴＣＲを得ることが可能となることが分かる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してＶＯ₂膜２の下地基板の構成を変更したものであり、その他については第１実施形態と同様であるため、第１実施形態と異なる部分についてのみ説明する。

上記第１実施形態では、ＶＯ₂膜２の下地基板としてＴｉＯ₂層１を構成するＴｉＯ₂（００１）基板を用いていたが、本実施形態では、一般的に半導体材料として用いられているシリコン基板を利用して、ＶＯ₂膜２を成膜する。

図５に示すように、シリコン基板にて構成される支持基板７の表面に絶縁膜としてシリコン酸化膜１０が形成されている。そして、このシリコン酸化膜１０の上に、ＴｉＯ₂層１が形成され、さらにその上にＶＯ₂膜２、パッシベーション膜３、配線層４、保護膜５および赤外線吸収膜６が形成されている。つまり、ＶＯ₂膜２を形成するための下地基板を支持基板７、シリコン酸化膜１０およびＴｉＯ₂層１にて構成し、これらの上に第１実施形態と同様の構造を形成している。

このような構成の赤外線センサの製造には、図６（ａ）に示すように、シリコン基板（例えばＳｉ（１００）基板）にて構成される支持基板７に対してシリコン酸化膜１０をデポジションもしくは熱酸化等によって形成したＳＯＩ基板を用いる。そして、ＳＯＩ基板におけるシリコン酸化膜１０の上に、ＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２を順に成膜する。例えば、パルスレーザ堆積法によってＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２を順に成膜することができる。

パルスレーザ堆積法による場合、例えば、焼結によってＴｉＯ₂ターゲットを生成しておき、シリコン酸化膜１０を形成しておいた支持基板７と共にＴｉＯ₂ターゲットを真空チャンバ内に設置する。そして、レーザ照射によってターゲットを昇華させ、シリコン酸化膜１０上にＴｉＯ₂層１を蒸着させる。このとき、シリコン酸化膜１０を形成しておいた支持基板７を３００℃以上、特に４００℃程度で加熱し、真空チャンバ内を１．３３Ｐａ（＝１０ｍＴｏｒｒ）の酸素雰囲気として、レーザ照射によってＴｉＯ₂ターゲットをアブレーションしてＴｉＯ₂層１を成膜する。

その後、基板温度を４００℃以下、例えば３００℃とし、第１実施形態と同様の手法によって、ＴｉＯ₂層１の上にＶＯ₂膜２を成膜する。

このようにして、ＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２を順に成膜することができる。このように形成されるＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２は、シリコン酸化膜１０の上に形成されることから、支持基板７としてシリコン基板を用いたとしても、その結晶の面方位の影響を受けることはない。また、シリコン酸化膜１０の上に形成されるＴｉＯ₂層１は多結晶膜となり、ＶＯ₂膜２もその結晶性を引き継いで多結晶膜となるが、ＴｉＯ₂は低温（＜４００度）でも結晶粒径が４０〜５０ｎｍをもつため、ＶＯ₂もその結晶粒径を引き継いで結晶成長することでＶＯ₂膜２の結晶性を向上させることが可能となる。多結晶の場合のＴＣＲは粒径サイズに依存するため、粒径が大きくなることで、ＴＣＲの向上が可能となっているため、必ずしもルチル構造でなかったとしても、高いＴＣＲを得ることができる。

この後は、図６（ｂ）〜（ｄ）に示す工程などにおいて、第１実施形態における図２（ｂ）に示したＴｉＯ₂層１およびＶＯ₂膜２のパターニング工程以降の各工程を行うことで、図５に示した本実施形態にかかる赤外線センサを製造することができる。

以上説明したように、ＴｉＯ₂（００１）基板ではなく、ＳＯＩ基板を用いてＴｉＯ₂層１を成膜することもできる。これにより、半導体プロセスとして一般的に用いられているＳＯＩ基板を用いて本実施形態にかかる赤外線センサを製造できるため、より汎用性を持たせることが可能となる。

また、本実施形態にかかる赤外線センサについても、図３と同様に、ＶＯ₂膜２の成膜時における下地基板となる支持基板７やＴｉＯ₂層１などの温度（成膜温度）に対するＶＯ₂膜２のＴＣＲの関係について調べたところ、図７に示す結果が得られた。この図に示されるように、成膜温度が４００℃以下において、４０％以上となる高いＴＣＲが得られた。例えば、実験により、４００℃でＴｉＯ₂層１を８０ｎｍ成膜したものの上に、３３０℃でＶＯ₂膜２を４０ｎｍ成膜したときには、ＶＯ₂膜２のＴＣＲが６０％以上という高い値となることが確認された。成膜温度が４００℃を超えるとＴＣＲが徐々に低下し特性が悪化するが、少なくとも４００℃以下の温度においてはＴＣＲが４０％以上となっていた。成膜温度が高くなるに連れてＴＣＲが低下しているのは、下地基板となるＴｉＯ₂層１からＴｉ元素がＶＯ₂膜２に拡散するためであり、この影響が比較的小さくなる４００℃以下の成膜温度とすることで、高いＴＣＲを確保することができる。

さらに、本実施形態にかかる赤外線センサについても、図４と同様に、成膜温度を変えてＴｉＯ₂層１の表面にＶＯ₂膜２を７ｎｍし、成膜温度に対するＶＯ₂膜２の抵抗値（Ω）との関係について調べたところ、図８に示す結果が得られた。この図に示すように、シリコン酸化膜（ＳｉＯ₂膜）１０の上にＶＯ₂膜２を直接形成したとすると、３３０℃程度の成膜温度では抵抗値が急峻に変化するような高いＴＣＲを得ることができなかった。この場合には、５００℃程度まで成膜温度を上げると高いＴＣＲが得られた。これに対して、シリコン酸化膜１０の上にＴｉＯ₂膜１を形成してからＶＯ₂膜２を形成すると、３３０℃の成膜温度でも高いＴＣＲが得られた。この結果からも、本実施形態にかかる赤外線センサのように、ＶＯ₂膜２の下地としてＴｉＯ₂層１を用いることで、低い温度でＶＯ₂膜２を成膜しつつ高いＴＣＲを得ることが可能となることが分かる。

（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。

例えば、上記実施形態では、抵抗温度係数を有する抵抗体膜としてＶＯ₂膜２を用いているが、必ずしもＶＯ₂のみによって構成されている必要はない。すなわち、ＶＯ₂を主成分としていれば良く、例えばクロム（Ｃｒ）やニオブ（Ｎｂ）などの他の元素がドーピングされた膜であっても良い。

また、上記実施形態では、ＶＯ₂膜２の結晶性を良好にするためのルチル構造を有する下地膜が望ましく、一例としてＴｉＯ₂層１を例に挙げたが、それ以外のルチル構造を有する膜、例えばＭｎＯ₂、ＰｂＯ₂、ＳｎＯ₂、ＭｇＦ₂を用いても良い。また、低温で結晶サイズが大きくなるような材料でもＶＯ₂の粒径サイズを大きくする効果があることから、ＺｎＯ等を下地材料に用いても良い。

１ ＴｉＯ₂層
２ ＶＯ₂膜
３ パッシベーション膜
４ 配線層
５ 保護膜
６ 赤外線吸収膜
７ 支持基板
８ 保護マスク
１０ シリコン酸化膜

Claims (3)

1. 多結晶からなる下地絶縁膜（１）と、
   前記下地絶縁膜の表面に形成された抵抗体膜となる多結晶からなるＶＯ_２膜（２）と、
   前記ＶＯ_２膜に電気的に接続される配線層（４）と、
   照射される赤外線を吸収して温度変化を生じる赤外線吸収膜（６）と、を有し、
   前記下地絶縁膜がＴｉＯ_２膜であり、
   前記ＴｉＯ_２膜の結晶粒径が４０ｎｍ〜５０ｎｍであり、
   前記ＶＯ _２ 膜の結晶粒径が４０ｎｍ〜５０ｎｍであり、
   前記赤外線吸収膜の温度変化に伴って前記ＶＯ_２膜の抵抗値が変化し、該抵抗値の変化を前記配線層より赤外線の照射強度を表す信号として取り出すことを特徴とするボロメータ方式の赤外線センサ。
2. 多結晶からなる下地絶縁膜（１）を用意する工程と、
   ４００℃以下の温度で、前記下地絶縁膜の表面にエピタキシャル成長によって抵抗体膜となるＶＯ_２膜（２）を成膜する工程と、
   前記下地絶縁膜および前記ＶＯ_２膜をパターニングする工程と、
   前記パターニング後の前記下地絶縁膜および前記ＶＯ_２膜を覆うパッシベーション膜（３）を成膜する工程と、
   前記パッシベーション膜にコンタクトホール（３ａ）を形成したのち、該コンタクトホールを通じて前記ＶＯ_２膜に電気的に接続される配線層（４）を形成する工程と、
   前記パッシベーション膜および前記配線層の上に、照射される赤外線を吸収して温度変化を生じる赤外線吸収膜（６）を形成する工程と、を含み、
   前記下地絶縁膜を用意する工程においては、支持基板（７）の上に絶縁膜（１０）を形成したものの該絶縁膜の上に、前記下地絶縁膜としてＴｉＯ_２を真空チャンバ内で成膜する工程を行うことを特徴とするボロメータ方式の赤外線センサの製造方法。
3. 前記ＴｉＯ_２を成膜することにおいては、前記支持基板の温度を４００℃以下とし、ルチル構造とされたものを含んだ多結晶、かつ結晶粒径が４０ｎｍ〜５０ｎｍである前記ＴｉＯ_２を成膜する請求項２に記載のボロメータ方式の赤外線センサの製造方法。

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