JP6409287B2 - 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence；略称ＥＬ、以下ＥＬとも称する。）装置は、低消費電力、高輝度、自己発光という優れた特徴を有しており、薄型テレビ等の表示装置として注目され、照明やプリンター用の発光ヘッドとしての応用技術も開発されている。

有機ＥＬ素子は、トップエミッション型とボトムエミッション型の２つに大別される。
トップエミッション型の有機ＥＬ素子は、光を透過するガラス材等で耐水分透過性・耐酸素透過性を兼ねて封止している。しかしながら、有機ＥＬプリントヘッドのように複数個の有機ＥＬ素子を並べてモジュールに組み込む場合には、封止用のガラス材を接着剤で貼り付けるので、その糊代をミリメートルオーダーで大きく取る必要があり、製品が大きくなるという不具合があった。特に、有機ＥＬプリントヘッドの場合には、糊代が大きいと光学系とマッチングできずに製品化できないという問題があった。

ここで特許文献１（ＷＯ２０１０／０７９６４０）では、エレクトロルミネッセンス材料を含有する発光体上部に空隙が形成されているが、エレクトロルミネッセンス材料が充分に封止されておらず、耐水分透過性及び耐酸素透過性が充分であるとは言えない。
また特許文献２（特開２００６−２７８２４１号公報）では、駆動回路基板側に有機ＥＬが成膜されていて、封止基板側には補助電極のパターンのみを有する構成であり、封止には封止部材を使っている。このため、特許文献２に係る技術では耐水分透過性・耐酸素透過性および小型化の両立において、充分に満足できるものではなかった。

さらに特許文献３（特開２００６−２４３１２７号公報）では、封止は窒化膜等の無機物又はエポキシ等の有機物で行われているエレクトロルミネッセンス装置が提案されている。またさらに特許文献４（特開２００６−３１８７７６号公報）では、エレクトロルミネッセンス装置の開口率向上を目的としており、電極で封止は行っていない。
特許文献３および４に係る技術でも同様に耐水分透過性・耐酸素透過性および小型化の両立において、充分に満足できるものではなかった。

本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、耐水分透過性および耐酸素透過性を有し、且つ、小型化を実現した有機エレクトロルミネッセンス装置有機エレクトロルミネッセンス発光装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するための本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置は、ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光部を有する有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ＩＣを有する駆動用ＩＣ基板と、を備える有機エレクトロルミネッセンス発光装置であって、前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられたアノード電極と、カソード電極と、封止用金属と、を備え、前記カソード電極は、前記絶縁膜側に形成された第１のカソード電極と、該第１のカソード電極上に形成された第２のカソード電極と、からなり、前記有機エレクトロルミネッセンス発光装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス基板と、前記駆動用ＩＣ基板と、が金属接合で貼り合わせてなり、かつ、前記第２のカソード電極と同じ材料とした前記封止用金属により封止されてなり、前記第１のカソード電極は、前記有機エレクトロルミネッセンス基板と前記駆動用ＩＣ基板との接合領域に形成されていないことを特徴とする。

本発明によれば、耐水分透過性および耐酸素透過性を有し、且つ、小型化を実現した有機エレクトロルミネッセンス発光装置を提供することができる。

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、カバー基板にアノード電極４１を作製した状態である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、有機ＥＬ発光部５０を作製した状態である。 図２における有機ＥＬ発光部５０の要部拡大図である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、研磨テープ１２を貼り付けた状態である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、シリコン基板１１を研磨して除去した状態である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、サポート基板１３に貼り付けた状態である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、研磨テープ１２を剥離した状態である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、反転させたカバー基板と、駆動用ＩＣシリコン基板１４とが対向して配置された状態である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、カバー基板と、駆動用ＩＣシリコン基板１４とが金属接合された状態である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、サポート基板１３が剥がされて有機エレクトロルミネッセンス発光装置が作製された状態である。 図１０における有機ＥＬ発光部５０および金属接合部の構成を示す要部拡大図である。 本発明に係る有機エレクトロクロミック表示装置の第１の実施の形態におけるカバー基板の構成を示す平面図である。 本発明に係る有機エレクトロクロミック表示装置の第１の実施の形態における駆動用ＩＣ基板の構成を示す平面図である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の第２の実施の形態におけるカバー基板の構成を示す概略断面図である。 本発明に係る第２の実施の形態におけるカバー基板を駆動用ＩＣ基板とアライメントした状態を示す概略断面図である。 本発明に係る第２の実施の形態の構成を示す概略断面図である。 本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第３の実施の形態における構成を示す概略断面図である。 本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第３の実施の形態における構成を示す概略断面図である。 本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第４の実施の形態における有機ＥＬ発光部５０および金属接合部の構成を示す要部拡大図である。 本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第４の実施の形態におけるアノード電極４１とアノード接続金属３４との金属接合部の構成を示す要部拡大図である。 本発明に係る画像形成装置の要部の構成例を示す概略斜視図である。 本発明に係る画像形成装置における有機ＥＬプリントヘッドの光源基板の構成例を示す概略図である。 図２０に図示した丸印部分の拡大図である。 本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の個片化の製造工程例を示す概略断面図である。

本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置は、ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光部を有する有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ＩＣを有する駆動用ＩＣ基板と、を備え、前記有機エレクトロルミネッセンス基板と、前記駆動用ＩＣ基板と、が金属接合で貼り合わせて封止されてなることを特徴とする。
次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置についてさらに詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。

（第１の実施の形態）
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の第１の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図１〜図１０は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法のフローを示す図である。

図１は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造フローにおけるカバー基板の作製途中の状態（カバー基板にアノード電極４１を作製した状態）を表す概略断面図である。
図１では、シリコン基板１１上に第１絶縁層２１が形成され、この第１絶縁層２１上に第１電極配線３１が形成されている。また、第１電極配線３１上には第２絶縁層２２を介して第２電極配線３２が形成されている。第２電極配線３２の上部はＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学機械研磨）で平坦化されている。
さらに、第２電極配線３２上には薄い透明電極が発光体のアノード電極４１として形成されている。この透明電極材料は周知慣用されているものを用いることができるが、通常ＩＴＯ膜が使われている。

また、本実施の形態ではバンク材を使っていないが、アノード電極４１のエッジを覆ったバンク材を使う手法を用いても良い。

次いで、有機ＥＬ発光部を形成する。図２は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、ボトムエミッション有機ＥＬ発光部５０が作製されたカバー基板（有機エレクトロルミネッセンス基板）の概略断面図である。また、図３は図２で形成した有機ＥＬ発光部５０の詳細を説明するための要部拡大図である。
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）材料を連続マスク蒸着し、アノード電極４１上にホール輸送層５１、発光層５２および電子輸送層５３をこの順に積層形成する。即ち、本実施の形態における有機ＥＬ発光部は、下からホール輸送層５１、発光層５２、電子輸送層５３で構成されている。
なお、本実施の形態では３層構造を例示しているが、発光効率を高めるために電子注入層やホール注入層を追加したり、構造体を重ねるマルチフォトエミッション構造にしたりしても良い。

さらに、有機材料を連続蒸着した後でマスクを変更し、カソード電極となる金属材料をマスク蒸着してカソード電極４２を形成する。金属材料は特に制限されないが、例えばＡｌ／ＭｇＡｇ等の薄膜が使われている。
なお、カソード電極４２の上部を金属膜、例えばＡｌ等の反射率が高い金属を使いＡｌ／ＭｇＡｇのような２層構造にし、上部のＡｌ等の膜厚を厚くすることで、より封止性能を向上させることができる。また、金属の接着性や封止性を向上するために、Ａｕ等の金属をＡｌの代わりにしたり、Ａｌの上にさらに成膜する３層構造にしたりしてカソード電極４２を形成しても良い。
接着性や封止性を向上することで信頼性の高い有機ＥＬ発光装置が得られる。

本実施の形態の有機ＥＬ発光装置１の構造はボトムエミッションタイプの有機ＥＬ発光体であるが、図２までに作製されたものは基板（シリコン基板１１）にシリコンを使っているので光が透過しない。そこで、シリコン基板１１を研磨で取り除いて反転し、駆動用ＩＣ（Integrated Circuit）基板と接合して光が取り出せるようにする。この工程を図４〜図１０を用いて説明する。

まず、裏面のシリコン基板１１を除去するために研磨用テープ１２をシリコン基板１１の反対側の面に貼り付ける。図４は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、研磨用テープ１２が貼り付けられたカバー基板の構成を示す概略断面図である。
その後、通常のシリコン裏面研磨技術を用いてシリコン基板１１が完全に除去されて第１絶縁層２１が露出するまで研磨する。図５は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、シリコン基板１１が完全に除去されて第１絶縁層２１が露出した状態のカバー基板の構成を示す概略断面図である。
そして、サポート基板１３に貼り付けて、研磨用テープ１２を剥離する。図６は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、サポート基板１３に貼り付けた後のカバー基板の構成を示す概略断面図、図７は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、研磨用テープ１２を剥離した後のカバー基板の構成を示す概略断面図である。

さらにその後、接合装置の中でカバー基板を駆動用ＩＣ基板とアライメントして（図８）、圧力（加重）をかけて金属接合する。図８は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、反転させたカバー基板（有機ＥＬ基板）と、駆動用ＩＣシリコン基板１４とが対向して配置された状態である。即ち、反転させたカバー基板と、駆動用ＩＣシリコン基板１４とがアライメントした状態を示す概略断面図である。

図９は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、カバー基板（有機エレクトロルミネッセンス基板）と、駆動用ＩＣシリコン基板１４とが金属接合された状態である。
ここで、駆動用ＩＣシリコン基板１４のカバー基板との対向面（駆動用ＩＤ３６上）には、カソード接続金属３３およびアノード接続金属３４が設けられている。
そして、金属パターンであるアノード接続金属３４およびカソード接続金属３３により、有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ＩＣシリコン基板１４と、が金属接合で貼り合わされて封止される。この金属接合の際には、アノード電極４１と駆動用ＩＣ３６の配線との接合も同時に行われることが生産性の観点から好ましい。

金属パターンであるアノード接続金属３４は、金属蒸着等の周知慣用されている製造方法により作製することができる。アノード接続金属３４の膜厚は１μｍ程度であり、後述するように有機ＥＬ発光部５０及びカソード電極４２による段差ｔ２よりも厚くなる必要があるため、０．１μｍ以上であることが好ましい。
また、金属パターンであるカソード接続金属３３もアノード接続金属３４と同様に金属蒸着等の周知慣用されている製造方法により作製することができる。カソード接続金属３３の膜厚ｔ１は１μｍ程度であり、後述するように有機ＥＬ発光部５０及びカソード電極４２による段差ｔ２よりも厚くなる必要があるため、０．１μｍ以上であることが好ましい。
なお、金属で構成され接続に使うアノード接続金属３４およびカソード接続金属３３に段差があると金属接合ができないので、同じ材料かつ厚みの金属膜をパターニングして作り段差がないようにすることが好ましい。

その後、不要になったサポート基板１３を剥離する。図１０は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、サポート基板１３を剥離して作製された有機ＥＬ発光装置の構成を示す概略断面図である。こうすることで図１０に示すように、駆動回路の上方に向けて光が射出されるトップエミッション構造となる。

図１１は、図１０における有機ＥＬ発光部５０および金属接合部の構成を示す要部拡大図である。
カソード接続金属３３の膜厚ｔ１が、有機ＥＬ発光部５０及びカソード電極４２による段差ｔ２（有機エレクトロルミネッセンス基板の凹凸）よりも大きくなるように設定することで、有機ＥＬ発光部５０及びカソード電極４２直下は空隙６２が形成され、金属接合の妨げにならないようになっている。

この金属接合の方法としては特に制限はないが、カバー基板と駆動用ＩＣシリコン基板１４とを例えば８インチウエハのように同じサイズで作っておき、ウエハレベルで一括接合することで生産性が高い接合ができる。

図１２は本発明に係る有機エレクトロクロミック表示装置の第１の実施の形態におけるカバー基板の構成を示す平面図であり、図１３は本発明に係る有機エレクトロクロミック表示装置の第１の実施の形態における駆動用ＩＣ基板の構成を示す平面図である。
カバー基板に形成された金属配線と駆動用ＩＣシリコン基板１４に形成された接続金属とが、それぞれ接続できるようなレイアウトになっている。有機ＥＬ発光部５０の周囲を第２電極配線３２が囲むことで駆動用ＩＣシリコン基板１４のカソード接続金属３３と接合し、金属パターンにより有機ＥＬ発光部５０を密閉する構造となっている。なお、この有機ＥＬ発光部５０を密閉する金属パターンはカソード電極４２を兼用する機能を有することが好ましく、封止用の金属パターンとカソード電極とが兼用されることで生産性が向上する。
またアノード電極４１を密閉用の金属接合（第２電極配線３２とカソード接続金属３３との接合により区画された領域）の外部に配置することで、有機ＥＬ発光部５０とカソード接続金属３３との距離を小さくすることができる。

ここで、トップエミッション構造のデバイスを作成する上で問題となっているのが、薄膜封止膜の品質である。有機ＥＬの上に薄膜封止膜を作成する際に、温度を上げると有機ＥＬが劣化するために成膜温度を上げられず、封止性に優れた膜を作ることができていない。
ところが本実施の形態によれば、第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、第３絶縁層２３は有機ＥＬを蒸着前に作成するので成膜温度の制限がなく、通常半導体技術で使われている４００℃程度のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術を使うことができるので封止性に問題がない薄膜を作成することができる。特にシリコン窒化膜（ＳｉＮ）膜を使うと水分や酸素の侵入を完璧に防ぐことができる。シリコン窒化膜は第１絶縁層２１、第２絶縁層２２、第３絶縁層２３の３層の全てに使っても良いし、１層又は２層のみに使っても良い。
また有機ＥＬ発光部５０の下部の空隙６２はカソード接続金属３３で密閉されているので、下側からの水分や酸素の浸入は防がれている。

以上述べたように、通常使われているガラス封止の接着剤やガラスフリットによる封止はミリメートルオーダーの糊代が必要なのでサイズが大きくなるが、本実施の形態では金属接合なので糊代を１／１０程度に小さくでき、有機ＥＬ発光装置を小型化することができる。

（第２の実施の形態）
本実施の形態は上記第１の実施の形態の改良型で、カバー基板のベースにシリコン基板１１に代えてガラス等の透明基板を使用する。ベース基板が透明なので、第１の実施の形態におけるベース基板を除去する工程が不要になり、大きく生産性を上げることができる。透明基板としてはガラス等の目的とする波長に対して透明性を有し、且つ、所望の剛性等を備えていれば特に制限はなく、周知慣用されている材料を用いることができるが、透明基板としてガラスを使う場合はより封止性能を上げることができるため好ましい。

図１４は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の第２の実施の形態におけるカバー基板の構成を示す平面図であり、カバー基板に有機ＥＬが成膜された状態である。なお、図１４に示す構成は透明基板１５を用いている点を除き上述した第１の実施の形態と重複しているため、説明を省略する。
このカバー基板を駆動用ＩＣ基板とアライメントして（図１５）、圧力（加重）をかけて金属接合して完成する。図１５は本発明に係る第２の実施の形態におけるカバー基板を駆動用ＩＣ基板とアライメントした状態を示す概略断面図である。また、図１６は本発明に係る第２の実施の形態の構成を示す概略断面図である。

本実施の形態の場合、上述した第１の実施の形態では必要であった研磨工程やサポート基板が不要になるので生産性を上げることができる。

（第３の実施の形態）
本実施の形態は上記第２の実施の形態の品質を向上するために、カソード電極４２の上に薄膜封止を施した例である。
加工途中の有機ＥＬ発光部５０はカソード電極４２で保護されているが、短時間とはいえ大気に触れる可能性があるので、カソード電極４２上に薄膜封止膜２４をつけて品質向上（信頼性向上）を図ったものである。

カバー基板のカソード電極４２の蒸着までは上記第２の実施の形態と同様であるため説明を省略する。カソード電極４２を形成した後、ＣＶＤ法でＳｉＮ膜等の薄膜封止膜２４を成膜する。図１７は本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第３の実施の形態における構成を示す概略断面図である。そしてさらに、第２の実施の形態と同様にして駆動用ＩＣ基板とアライメントして金属接合する。図１８は本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第３の実施の形態における構成を示す概略断面図である。

本実施の形態によれば、加工途中の有機ＥＬ発光部５０の大気との接触を抑制し、品質向上を実現できる。

（第４の実施の形態）
本実施の形態は上記第３の実施の形態の変形例であり、カソード電極４２の構成が異なる例である。他の構成については上記第３の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
図１９は本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第４の実施の形態における有機ＥＬ発光部５０および金属接合部の構成を示す要部拡大図である。
図１９に示す構成では、カソード電極４２が２層構成となっている。

第１のカソード電極４２ａは、上記第３の実施の形態におけるカソード電極４２と同様のものを用いることができる。
第２のカソード電極４２ｂは、カソード電極として作用すると共に、封止接続部（金属接合部）まで延伸して設けることでカソード接続金属３３と金属接合される。このように、カソード電極と封止用金属とが兼用されることで、生産性が高く好ましい。
カソード電極の直接有機ＥＬと接触する箇所（第１のカソード電極４２ａ）には仕事関数が低いＡｇＭｇ等の金属材料が使われるので、封止の接合には使えない。このため、第１のカソード電極４２ａの上にアルミ等の封止の接合に通常用いられる金属層を第２のカソード電極４２ｂとして成膜すると、封止性が向上すると共に接合用の金属としても用いることができるため好ましい。

また、本実施の形態では第２のカソード電極４２ｂと同じ金属材料が、アノード電極４１とアノード接続金属３４との金属接合部に設けられていて（アノード電極とアノード接続金属との接合金属４２ｂ’）、第２のカソード電極４２ｂと同じ厚さで形成されている。
図２０は本発明に係る有機ＥＬ発光装置の第４の実施の形態におけるアノード電極４１とアノード接続金属３４との金属接合部の構成を示す要部拡大図である。
アノード電極４１とアノード接続金属３４との金属接合部に、封止用の金属である接合金属４２ｂ’を第２のカソード電極４２ｂと同じ金属材料を用いることで、接合近傍での段差がなくなりスムーズな金属接合が可能となり、且つ生産性に優れるため好ましい。

（第５の実施の形態）
第５の実施の形態は、上記第１〜４の実施の形態で説明した有機ＥＬ発光装置１（発光チップ）を複数並べて大型の製品にしたもので、有機ＥＬ発光装置１（発光チップ）を使った画像形成装置の事例である。

図２１は、本発明に係る画像形成装置の要部の構成例を示す概略斜視図である。本発明に係る画像形成装置としては特に限定されるものではないが、例えば図２１に示すような構成例のものが挙げられる。
図２１に示す構成では、基板１０３上にＩＣ１０２を備えた発光体１０３が形成され、この発光体１０３から射出された光がセルフォック（登録商標）レンズ（以下、ＳＦＬと称する）アレイ１０４に入射する。そして、このＳＦＬアレイ１０４に入射した光は感光体（ＯＰＣ）１０５上の感光体上の結像スポット１０５ａに集光される。ここで、感光体１０５は回転可能であるため、感光体１０５の周方向全域にわたり発光体１０３から射出された光が集光照射される。
なお、図２１に示すがごとく、等倍光学系を使っているので発光部分の長さ（感光体１０５の軸方向）は画像を形成する幅と同一の長さが必要である。例えばＡ３サイズ（２９７ｍｍ）の装置であれば発光部分もＡ３サイズになる。

ここで、Ａ３サイズの有機ＥＬ発光装置を作るのは容易ではないので、図２２に示すように複数の有機ＥＬ発光装置１を並べて作ることで低コストを実現できる。図２２は本発明に係る画像形成装置における有機ＥＬプリントヘッドの光源基板の構成例を示す概略図である。

但し、発光装置を複数並べて作る場合は、接続部が問題となる。図２３は図２２に図示した丸印部分の拡大図であって、図２３に示すように、有機ＥＬの封止性を確保するためには有機ＥＬ発光部５０とＬＳＩチップ７１のエッジとの距離（Ｌ１）を数μｍのレベルに小さくすることができない。通常のガラス封止の場合はＬ１のサイズが１ｍｍ程度必要なために、（有機ＥＬ発光部５０を含む）発光チップを１列に並べるとＬ１の２倍の画像の隙間が発生してしまう。この不具合を解決するために図２２のように発光チップを千鳥に並べて画素の隙間が出ないようにする。こうすれば繋ぎ目の隙間をなくすことができる。ただし、千鳥に並べて配置することで発光チップは副走査方向にＬ２の距離だけ離れるため、入力データを補正して送ることになる。

また、上記のように千鳥配列での画像の繋ぎは可能であるが、もう一つ大きな問題がある。図２１に示した光学系の場合、ＳＦＬの幅は約１ｍｍである。ＳＦＬの幅の半分程度に発光源の幅を抑えないと画像品質が悪くなってしまう。従来技術を使ったガラス封止ではＬ２のサイズがＬ１の２倍の２ｍｍ程度になってしまって光学設計ができなかった。
本実施の形態によれば、金属接合で封止しているのでＬ１のサイズを１／１０の１００μｍ程度にできるので発光チップを多数搭載した安価な画像形成装置を実現することができる。

なお、ウェハ状に形成された複数の有機ＥＬ発光装置１を個片化するには、通常のＬＳＩ（Large Scale Integration）と同様にダイシングテープ８１に貼りつけてダイシングソーでカットして個片化（発光チップ化）する等の周知慣用の手法を用いることができる。図２４は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の個片化の製造工程例を示す概略断面図であり、図示の構成の場合ダイシングテープ８１を除くことで４個の発光チップ（有機ＥＬ発光装置１）が得られる。
換言すると、有機エレクトロルミネッセンス基板は、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光部５０を備え、且つ、駆動用ＩＣ１４基板と同じ大きさで形成され一括接合した後、分割して個片化することで、有機ＥＬ発光装置１を得ることができる。

以上の第１〜第５の実施の形態によれば、耐水分透過性および耐酸素透過性を有し、且つ、小型化を実現した、有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置が得られることがわかった。

１ 有機エレクトロルミネッセンス発光装置
１１ シリコン基板
１２ 研磨用テープ
１３ サポート基板
１４ 駆動用ＩＣシリコン基板（駆動用ＩＣ基板）
２１ 第１絶縁層
３１ 第１電極配線
３２ 第２電極配線
３３ カソード接続金属
３４ アノード接続金属
３５ パッド電極
３６ 駆動用ＩＣ
４１ アノード電極
４２ カソード電極
４２ａ 第１のカソード電極
４２ｂ 第２のカソード電極
４２ｂ’ アノード電極とアノード接続金属との接合金属
５０ 有機ＥＬ発光部
５１ ホール輸送層
５２ 発光層
５３ 電子輸送層
６１ パッド部開口
６２ 空隙
７１ ＬＳＩチップ
８１ ダイシングテープ
１０１ 基板
１０２ ＩＣ
１０３ 発光体
１０４ ＳＦＬアレイ
１０５ 感光体（ＯＰＣ）
１０５ａ 感光体上の結像スポット
Ｌ１ チップエッジと発光チップ（個片化された有機エレクトロルミネッセンス発光装置）とのミニマム距離
Ｌ２ 発光チップ（個片化された有機エレクトロルミネッセンス発光装置）間隔

ＷＯ２０１０／０７９６４０ 特開２００６−２７８２４１号公報 特開２００６−２４３１２７号公報 特開２００６−３１８７７６号公報

Claims (12)

1. ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光部を有する有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ＩＣを有する駆動用ＩＣ基板と、を備える有機エレクトロルミネッセンス発光装置であって、
   前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられたアノード電極と、カソード電極と、封止用金属と、を備え、
   前記カソード電極は、前記絶縁膜側に形成された第１のカソード電極と、該第１のカソード電極上に形成された第２のカソード電極と、からなり、
   前記有機エレクトロルミネッセンス発光装置は、前記有機エレクトロルミネッセンス基板と、前記駆動用ＩＣ基板と、が金属接合で貼り合わせてなり、かつ、前記第２のカソード電極と同じ材料とした前記封止用金属により封止されてなり、
   前記第１のカソード電極は、前記有機エレクトロルミネッセンス基板と前記駆動用ＩＣ基板との接合領域に形成されていないことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
2. 前記第２のカソード電極と前記封止用金属とが兼用されることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
3. 前記第２のカソード電極は、金属膜であり、且つ、前記第１のカソード電極よりも厚いことを特徴とする請求項１又は２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
4. 前記金属膜上にさらに薄膜封止膜を有することを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
5. 前記駆動用ＩＣ基板は、前記有機エレクトロルミネッセンス基板との金属接合に用いられる金属パターンを備え、
   該金属パターンの厚みは、前記有機エレクトロルミネッセンス基板の凹凸よりも厚いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
6. ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光部、絶縁膜、該絶縁膜上に設けられたアノード電極及びカソード電極を有する有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ＩＣを有する駆動用ＩＣ基板と、を備える有機エレクトロルミネッセンス発光装置であって、
   前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、平面視、前記有機エレクトロルミネッセンス発光部の周囲を囲む金属配線を有し、
   前記駆動用ＩＣ基板は、前記金属配線に対応する接続金属部を有し、
   前記有機エレクトロルミネッセンス発光装置は、前記接続金属部と前記金属配線とが金属接合により接合してなり、
   前記アノード電極の少なくとも一部が、前記金属配線と前記接続金属との接合により区画された領域の外部に配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
7. 前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、透明基板を備え、
   該透明基板上に前記有機エレクトロルミネッセンス発光部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
8. 前記絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
9. ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光部を有する有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ＩＣを有する駆動用ＩＣ基板とを、金属接合で貼り合わせて封止して製造する有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法であって、
   前記有機エレクトロルミネッセンス基板は絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられたアノード電極と、カソード電極と、封止用金属とを備えるとともに、前記カソード電極は前記絶縁膜側に形成された第１のカソード電極と、該第１のカソード電極上に形成された第２のカソード電極とからなり、
   前記有機エレクトロルミネッセンス基板と、前記駆動用ＩＣ基板とを貼り合わせる際に、前記第１のカソード電極を前記有機エレクトロルミネッセンス基板と前記駆動用ＩＣ基板との接合領域に設けず、前記接合領域に前記第２のカソード電極と同じ材料とした前記封止用金属を設けて封止することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法。
10. 前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光部を備え、且つ、前記駆動用ＩＣ基板と同じ大きさで形成され一括接合した後、分割して個片化することを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法。
11. 前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、シリコン基板上に前記有機エレクトロルミネッセンス発光部を形成し、
    次いで、前記駆動用ＩＣ基板と金属接合する前に前記シリコン基板を除去することを特徴とする請求項９又は１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法。
12. 請求項１０に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法で個片化された有機エレクトロルミネッセンス発光装置のチップを複数個並列して備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス画像形成装置。