JP2015162428A - 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015162428A JP2015162428A JP2014038453A JP2014038453A JP2015162428A JP 2015162428 A JP2015162428 A JP 2015162428A JP 2014038453 A JP2014038453 A JP 2014038453A JP 2014038453 A JP2014038453 A JP 2014038453A JP 2015162428 A JP2015162428 A JP 2015162428A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic electroluminescence
- substrate
- emitting device
- light emitting
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 113
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 80
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 120
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 27
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 25
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 26
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
Landscapes
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
トップエミッション型の有機EL素子は、光を透過するガラス材等で耐水分透過性・耐酸素透過性を兼ねて封止している。しかしながら、有機ELプリントヘッドのように複数個の有機EL素子を並べてモジュールに組み込む場合には、封止用のガラス材を接着剤で貼り付けるので、その糊代をミリメートルオーダーで大きく取る必要があり、製品が大きくなるという不具合があった。特に、有機ELプリントヘッドの場合には、糊代が大きいと光学系とマッチングできずに製品化できないという問題があった。
また特許文献2(特開2006−278241号公報)では、駆動回路基板側に有機ELが成膜されていて、封止基板側には補助電極のパターンのみを有する構成であり、封止には封止部材を使っている。このため、特許文献2に係る技術では耐水分透過性・耐酸素透過性および小型化の両立において、充分に満足できるものではなかった。
特許文献3および4に係る技術でも同様に耐水分透過性・耐酸素透過性および小型化の両立において、充分に満足できるものではなかった。
次に、本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置についてさらに詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の第1の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
図1〜図10は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法のフローを示す図である。
図1では、シリコン基板11上に第1絶縁層21が形成され、この第1絶縁層21上に第1電極配線31が形成されている。また、第1電極配線31上には第2絶縁層22を介して第2電極配線32が形成されている。第2電極配線32の上部はCMP(Chemical Mechanical Polishing:化学機械研磨)で平坦化されている。
さらに、第2電極配線32上には薄い透明電極が発光体のアノード電極41として形成されている。この透明電極材料は周知慣用されているものを用いることができるが、通常ITO膜が使われている。
有機エレクトロルミネッセンス(EL)材料を連続マスク蒸着し、アノード電極41上にホール輸送層51、発光層52および電子輸送層53をこの順に積層形成する。即ち、本実施の形態における有機EL発光部は、下からホール輸送層51、発光層52、電子輸送層53で構成されている。
なお、本実施の形態では3層構造を例示しているが、発光効率を高めるために電子注入層やホール注入層を追加したり、構造体を重ねるマルチフォトエミッション構造にしたりしても良い。
なお、カソード電極42の上部を金属膜、例えばAl等の反射率が高い金属を使いAl/MgAgのような2層構造にし、上部のAl等の膜厚を厚くすることで、より封止性能を向上させることができる。また、金属の接着性や封止性を向上するために、Au等の金属をAlの代わりにしたり、Alの上にさらに成膜する3層構造にしたりしてカソード電極42を形成しても良い。
接着性や封止性を向上することで信頼性の高い有機EL発光装置が得られる。
その後、通常のシリコン裏面研磨技術を用いてシリコン基板11が完全に除去されて第1絶縁層21が露出するまで研磨する。図5は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、シリコン基板11が完全に除去されて第1絶縁層21が露出した状態のカバー基板の構成を示す概略断面図である。
そして、サポート基板13に貼り付けて、研磨用テープ12を剥離する。図6は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、サポート基板13に貼り付けた後のカバー基板の構成を示す概略断面図、図7は本発明に係る有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法における一工程を示す図であり、研磨用テープ12を剥離した後のカバー基板の構成を示す概略断面図である。
ここで、駆動用ICシリコン基板14のカバー基板との対向面(駆動用ID36上)には、カソード接続金属33およびアノード接続金属34が設けられている。
そして、金属パターンであるアノード接続金属34およびカソード接続金属33により、有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ICシリコン基板14と、が金属接合で貼り合わされて封止される。この金属接合の際には、アノード電極41と駆動用IC36の配線との接合も同時に行われることが生産性の観点から好ましい。
また、金属パターンであるカソード接続金属33もアノード接続金属34と同様に金属蒸着等の周知慣用されている製造方法により作製することができる。カソード接続金属33の膜厚t1は1μm程度であり、後述するように有機EL発光部50及びカソード電極42による段差t2よりも厚くなる必要があるため、0.1μm以上であることが好ましい。
なお、金属で構成され接続に使うアノード接続金属34およびカソード接続金属33に段差があると金属接合ができないので、同じ材料かつ厚みの金属膜をパターニングして作り段差がないようにすることが好ましい。
カソード接続金属33の膜厚t1が、有機EL発光部50及びカソード電極42による段差t2(有機エレクトロルミネッセンス基板の凹凸)よりも大きくなるように設定することで、有機EL発光部50及びカソード電極42直下は空隙62が形成され、金属接合の妨げにならないようになっている。
カバー基板に形成された金属配線と駆動用ICシリコン基板14に形成された接続金属とが、それぞれ接続できるようなレイアウトになっている。有機EL発光部50の周囲を第2電極配線32が囲むことで駆動用ICシリコン基板14のカソード接続金属33と接合し、金属パターンにより有機EL発光部50を密閉する構造となっている。なお、この有機EL発光部50を密閉する金属パターンはカソード電極42を兼用する機能を有することが好ましく、封止用の金属パターンとカソード電極とが兼用されることで生産性が向上する。
またアノード電極41を密閉用の金属接合(第2電極配線32とカソード接続金属33との接合により区画された領域)の外部に配置することで、有機EL発光部50とカソード接続金属33との距離を小さくすることができる。
ところが本実施の形態によれば、第1絶縁層21、第2絶縁層22、第3絶縁層23は有機ELを蒸着前に作成するので成膜温度の制限がなく、通常半導体技術で使われている400℃程度のCVD(Chemical Vapor Deposition)技術を使うことができるので封止性に問題がない薄膜を作成することができる。特にシリコン窒化膜(SiN)膜を使うと水分や酸素の侵入を完璧に防ぐことができる。シリコン窒化膜は第1絶縁層21、第2絶縁層22、第3絶縁層23の3層の全てに使っても良いし、1層又は2層のみに使っても良い。
また有機EL発光部50の下部の空隙62はカソード接続金属33で密閉されているので、下側からの水分や酸素の浸入は防がれている。
本実施の形態は上記第1の実施の形態の改良型で、カバー基板のベースにシリコン基板11に代えてガラス等の透明基板を使用する。ベース基板が透明なので、第1の実施の形態におけるベース基板を除去する工程が不要になり、大きく生産性を上げることができる。透明基板としてはガラス等の目的とする波長に対して透明性を有し、且つ、所望の剛性等を備えていれば特に制限はなく、周知慣用されている材料を用いることができるが、透明基板としてガラスを使う場合はより封止性能を上げることができるため好ましい。
このカバー基板を駆動用IC基板とアライメントして(図15)、圧力(加重)をかけて金属接合して完成する。図15は本発明に係る第2の実施の形態におけるカバー基板を駆動用IC基板とアライメントした状態を示す概略断面図である。また、図16は本発明に係る第2の実施の形態の構成を示す概略断面図である。
本実施の形態は上記第2の実施の形態の品質を向上するために、カソード電極42の上に薄膜封止を施した例である。
加工途中の有機EL発光部50はカソード電極42で保護されているが、短時間とはいえ大気に触れる可能性があるので、カソード電極42上に薄膜封止膜24をつけて品質向上(信頼性向上)を図ったものである。
本実施の形態は上記第3の実施の形態の変形例であり、カソード電極42の構成が異なる例である。他の構成については上記第3の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
図19は本発明に係る有機EL発光装置の第4の実施の形態における有機EL発光部50および金属接合部の構成を示す要部拡大図である。
図19に示す構成では、カソード電極42が2層構成となっている。
第2のカソード電極42bは、カソード電極として作用すると共に、封止接続部(金属接合部)まで延伸して設けることでカソード接続金属33と金属接合される。このように、カソード電極と封止用金属とが兼用されることで、生産性が高く好ましい。
カソード電極の直接有機ELと接触する箇所(第1のカソード電極42a)には仕事関数が低いAgMg等の金属材料が使われるので、封止の接合には使えない。このため、第1のカソード電極42aの上にアルミ等の封止の接合に通常用いられる金属層を第2のカソード電極42bとして成膜すると、封止性が向上すると共に接合用の金属としても用いることができるため好ましい。
図20は本発明に係る有機EL発光装置の第4の実施の形態におけるアノード電極41とアノード接続金属34との金属接合部の構成を示す要部拡大図である。
アノード電極41とアノード接続金属34との金属接合部に、封止用の金属である接合金属42b’を第2のカソード電極42bと同じ金属材料を用いることで、接合近傍での段差がなくなりスムーズな金属接合が可能となり、且つ生産性に優れるため好ましい。
第5の実施の形態は、上記第1〜4の実施の形態で説明した有機EL発光装置1(発光チップ)を複数並べて大型の製品にしたもので、有機EL発光装置1(発光チップ)を使った画像形成装置の事例である。
図21に示す構成では、基板103上にIC102を備えた発光体103が形成され、この発光体103から射出された光がセルフォック(登録商標)レンズ(以下、SFLと称する)アレイ104に入射する。そして、このSFLアレイ104に入射した光は感光体(OPC)105上の感光体上の結像スポット105aに集光される。ここで、感光体105は回転可能であるため、感光体105の周方向全域にわたり発光体103から射出された光が集光照射される。
なお、図21に示すがごとく、等倍光学系を使っているので発光部分の長さ(感光体105の軸方向)は画像を形成する幅と同一の長さが必要である。例えばA3サイズ(297mm)の装置であれば発光部分もA3サイズになる。
本実施の形態によれば、金属接合で封止しているのでL1のサイズを1/10の100μm程度にできるので発光チップを多数搭載した安価な画像形成装置を実現することができる。
換言すると、有機エレクトロルミネッセンス基板は、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光部50を備え、且つ、駆動用IC14基板と同じ大きさで形成され一括接合した後、分割して個片化することで、有機EL発光装置1を得ることができる。
11 シリコン基板
12 研磨用テープ
13 サポート基板
14 駆動用ICシリコン基板(駆動用IC基板)
21 第1絶縁層
31 第1電極配線
32 第2電極配線
33 カソード接続金属
34 アノード接続金属
35 パッド電極
36 駆動用IC
41 アノード電極
42 カソード電極
42a 第1のカソード電極
42b 第2のカソード電極
42b’ アノード電極とアノード接続金属との接合金属
50 有機EL発光部
51 ホール輸送層
52 発光層
53 電子輸送層
61 パッド部開口
62 空隙
71 LSIチップ
81 ダイシングテープ
101 基板
102 IC
103 発光体
104 SFLアレイ
105 感光体(OPC)
105a 感光体上の結像スポット
L1 チップエッジと発光チップ(個片化された有機エレクトロルミネッセンス発光装置)とのミニマム距離
L2 発光チップ(個片化された有機エレクトロルミネッセンス発光装置)間隔
Claims (10)
- ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光部を有する有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ICを有する駆動用IC基板と、を備え、
前記有機エレクトロルミネッセンス基板と、前記駆動用IC基板と、が金属接合で貼り合わせて封止されてなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光装置。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、透明基板を備え、
該透明基板上に前記有機エレクトロルミネッセンス発光部が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。 - 前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられたアノード電極と、カソード電極と、を備え、
前記絶縁膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。 - 前記カソード電極は二層構造を有し、
該二層構造の上層は、金属膜であり、且つ、下層よりも厚いことを特徴とする請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。 - 前記金属膜上にさらに薄膜封止膜を有することを特徴とする請求項4に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。
- 前記駆動用IC基板は、前記有機エレクトロルミネッセンス基板との金属接合に用いられる金属パターンを備え、
該金属パターンの厚みは、前記有機エレクトロルミネッセンス基板の凹凸よりも厚いことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置。 - ボトムエミッション型の有機エレクトロルミネッセンス発光部を有する有機エレクトロルミネッセンス基板と、駆動用ICを有する駆動用IC基板とを、金属接合で貼り合わせて封止して製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、複数の有機エレクトロルミネッセンス発光部を備え、且つ、前記駆動用IC基板と同じ大きさで形成され一括接合した後、分割して個片化することを特徴とする請求項7に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法。
- 前記有機エレクトロルミネッセンス基板は、シリコン基板上に前記有機エレクトロルミネッセンス発光部を形成し、
次いで、前記駆動用IC基板と金属接合する前に前記シリコン基板を除去することを特徴とする請求項7または8に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法。 - 請求項8に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法で個片化された有機エレクトロルミネッセンス発光装置のチップを複数個並列して備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス画像形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014038453A JP6409287B2 (ja) | 2014-02-28 | 2014-02-28 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014038453A JP6409287B2 (ja) | 2014-02-28 | 2014-02-28 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015162428A true JP2015162428A (ja) | 2015-09-07 |
JP6409287B2 JP6409287B2 (ja) | 2018-10-24 |
Family
ID=54185384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014038453A Expired - Fee Related JP6409287B2 (ja) | 2014-02-28 | 2014-02-28 | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6409287B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021039236A1 (ja) | 2019-08-23 | 2021-03-04 | キヤノン株式会社 | トップエミッション型の発光装置を備える画像形成装置 |
CN114270277A (zh) * | 2019-08-23 | 2022-04-01 | 佳能株式会社 | 曝光头和图像形成装置 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004095251A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Seiko Instruments Inc | El装置、及びその製造方法 |
JP2004310051A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Sony Corp | 超薄型電気光学表示装置の製造方法および製造装置 |
JP2005070295A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | 画素素子基板、表示装置、電子機器、及び画素素子基板の製造方法 |
JP2007067381A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
JP2008249839A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
US20080297042A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
JP2012089354A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
WO2013187500A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | ランテクニカルサービス株式会社 | 電子素子の封止方法及び基板接合体 |
-
2014
- 2014-02-28 JP JP2014038453A patent/JP6409287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004095251A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Seiko Instruments Inc | El装置、及びその製造方法 |
JP2004310051A (ja) * | 2003-03-24 | 2004-11-04 | Sony Corp | 超薄型電気光学表示装置の製造方法および製造装置 |
JP2005070295A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Seiko Epson Corp | 画素素子基板、表示装置、電子機器、及び画素素子基板の製造方法 |
JP2007067381A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び発光装置の作製方法 |
JP2008249839A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Fujifilm Corp | 有機elパネルおよびその製造方法 |
US20080297042A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
JP2012089354A (ja) * | 2010-10-20 | 2012-05-10 | Seiko Epson Corp | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
WO2013187500A1 (ja) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | ランテクニカルサービス株式会社 | 電子素子の封止方法及び基板接合体 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021039236A1 (ja) | 2019-08-23 | 2021-03-04 | キヤノン株式会社 | トップエミッション型の発光装置を備える画像形成装置 |
CN114270277A (zh) * | 2019-08-23 | 2022-04-01 | 佳能株式会社 | 曝光头和图像形成装置 |
CN114270277B (zh) * | 2019-08-23 | 2024-04-26 | 佳能株式会社 | 曝光头和图像形成装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6409287B2 (ja) | 2018-10-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10962814B2 (en) | Flexible display device | |
US10109655B2 (en) | Display device with light-emitting diode in concave | |
US20180145236A1 (en) | Package structure for light emitting device | |
US11056614B2 (en) | Micro light-emitting diode chip | |
CN110246881B (zh) | 柔性显示器 | |
TWI712170B (zh) | 可拉伸顯示裝置 | |
US20140183491A1 (en) | Organic light emitting diode display device | |
KR101961527B1 (ko) | 표시 장치 | |
JP5908955B2 (ja) | タッチスクリーン及びその製造方法 | |
US10381400B2 (en) | Method of manufacturing light emitting device | |
TW201901846A (zh) | 半導體模組及其製造方法 | |
TW201939739A (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
JP2006202722A (ja) | 有機el表示装置の製造方法 | |
KR20160073531A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
JP2010244850A (ja) | 有機el表示装置 | |
US10026757B1 (en) | Micro-light emitting display device | |
JP2009238893A (ja) | 半導体装置、光プリントヘッドおよび画像形成装置 | |
JP6409287B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置および有機エレクトロルミネッセンス発光装置の製造方法、並びに画像形成装置 | |
JP6182909B2 (ja) | 有機el発光装置の製造方法 | |
US20220310946A1 (en) | Flexible base substrate, display panel and display device | |
JP2023088865A (ja) | Ledディスプレイ | |
US10141290B2 (en) | Display device and method for manufacturing the same | |
TWI765617B (zh) | 顯示裝置 | |
KR100922354B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
US10439117B2 (en) | Optical device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180828 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180910 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6409287 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |