JP6405436B1 - 有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】生産性が向上し、性能劣化を抑制できる有機電子デバイスの製造方法基板及び有機電子デバイスを提供する。
【解決手段】一形態に係る有機電子デバイスの製造方法は、可撓性基板１０に、第１方向に沿って設定される各デバイス形成領域ＤＡ内の第１電極層１４上に有機機能層１６を形成する工程と、各有機機能層を覆うように、第１方向において複数のデバイス形成領域に渡って第２電極層２０を有機機能層が形成された可撓性基板上に形成する工程と、第２電極層のうち、第１方向において、デバイス形成領域の境界部と有機機能層における機能発揮設計領域Ａ１との間又は境界部上の第２電極層を、第１方向を横切る第２方向に沿って除去することによって孔部２２を形成する工程と、有機機能層における機能発揮設計領域を封止する封止部材２６を、孔部の機能発揮設計領域側の面を被覆するように第２電極層上に設ける工程と、を備える。
【選択図】図８

Description

本発明は、有機電子デバイスの製造方法及び有機電子デバイスに関する。

有機電子デバイスは、基板と、基板上に順に設けられた第１電極層、有機機能層及び第２電極層と、第２電極層上に設けられた封止部材とを備える。このような有機電子デバイスの製造方法として、特許文献１の技術が知られている。特許文献１の技術では、一定の間隔で複数の第１電極層が設けられた可撓性基板を準備し、各第１電極層の位置に有機電子デバイスを製造する。この場合、可撓性基板において各第１電極層が配置されることで設定される複数のデバイス形成領域に有機電子デバイスが形成される。そのため、封止部材を設けた後に、可撓性基板上の複数のデバイス形成領域毎に可撓性基板を個片化することで、製品サイズの有機電子デバイスが得られる。

国際公開第２００６／１００８６８号

特許文献１に記載されているように、可撓性基板の各デバイス形成領域に有機電子デバイスを形成する場合、複数のデバイス形成領域に渡って第２電極層を形成すれば、第２電極層を形成する工程を短縮できるので、生産性が向上する。しかしながら、製品サイズの有機電子デバイスを切り出すと、複数のデバイス形成領域の配列方向において第２電極層の両端部が露出する。そのため、その第２電極層が水分で腐食し、結果として、有機電子デバイスの性能が低下する。

そこで、本発明は、生産性が向上し、性能低下を抑制できる有機電子デバイスの製造方法基板及び有機電子デバイスを提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る有機電子デバイスの製造方法は、可撓性基板に、第１方向に沿って設定される複数のデバイス形成領域のそれぞれに設けられた第１電極層上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、各上記有機機能層の少なくとも一部を覆うように、上記第１方向において上記複数のデバイス形成領域に渡って第２電極層を上記有機機能層が形成された上記可撓性基板上に形成する第２電極層形成工程と、上記第１方向において、上記デバイス形成領域の境界部と上記有機機能層における機能発揮設計領域との間又は上記境界部上の上記第２電極層を、上記第１方向を横切る第２方向に沿って除去することによって孔部を形成する孔部形成工程と、上記有機機能層を封止する封止部材を、上記孔部の上記機能発揮設計領域側の面を被覆するように上記第２電極層上に設ける封止工程と、を備える。

上記製造方法では、デバイス形成領域毎に有機電子デバイスが形成される。そのため、封止工程を実施した後に、可撓性基板を、デバイス形成領域毎に個片化することで、複数の有機電子デバイスが得られる。第２電極層形成工程では、第１方向において上記複数のデバイス形成領域に渡って第２電極層を上記可撓性基板上に形成することから、第２電極層形成工程の時間を短縮できる。その結果、有機電子デバイスの生産性が向上する。第２電極層が上記のように形成されているので、例えば前述したように封止工程の後にデバイス形成領域毎に可撓性基板を個片化した場合、個片化された有機電子デバイスでは、電極層のうち上記第１方向における両端部が露出する。上記製造方法では、孔部形成工程を備えていることで、電極層には上記機能発揮設計領域より外側に孔部が形成されている。そのため、個片化された有機電子デバイスにおいて、仮に、第１方向における第２電極層の両端部で水分による腐食が生じても、その腐食の進行は孔部で停止する。更に、孔部において機能発揮設計領域側の面は封止部材で被覆されているので、その面から第２電極層への水分の浸入も防止されている。そのため、第２電極層のうち機能発揮設計領域上の部分は、第２電極機能部として機能し得るので、上記製造方法では、有機電子デバイスの性能劣化も抑制できる。

上記可撓性基板が長尺であり、上記第１方向は、上記可撓性基板の長手方向であり、上記可撓性基板を上記第１方向に搬送しながら上記第２電極層形成工程を実施してもよい。この場合、上記第２電極層を効率的に形成できるので、有機電子デバイスの生産性が更に向上する。

上記第２電極層形成工程及び上記孔部形成工程をロールツーロール方式で実施してもよい。

上記孔部形成工程では、レーザ光を上記第２電極層に照射し、上記第２電極層を除去することによって上記孔部を形成してもよい。この場合、孔部を形成し易い。特に、可撓性基板が長尺であり、可撓性基板を長手方向に搬送しながら孔部形成工程を実施する場合に有効である。

上記封止工程では、上記封止部材の一部が上記孔部内に充填されるように上記封止部材を上記第２電極層上に設けてもよい。これにより、第２電極機能部への腐食をより確実に止められるとともに、第２電極機能部への水分の浸入を防止可能である。

上記第２電極層形成工程では、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物のうちの少なくとも一つを含む第１層を形成する工程と、上記第１層上に、両性金属を含む第２層を形成する工程と、を有してもよい。上記第１層が水分と反応すると、それに応じて第２層が腐食する。よって、上記有機電子デバイスの製造方法は、上記第１層及び第２層を有する第２電極層を形成する場合に一層有効である。

上記孔部形成工程では、上記第１方向において、上記有機機能層より外側に上記孔部を形成してもよい。

上記孔部形成工程では、上記第１方向において、上記機能発揮領域より外側であって上記有機機能層上に位置するように、上記孔部を形成してもよい。この場合、上記有機機能層内まで延在するように上記孔部を形成してもよい。

上記封止工程を経た上記可撓性基板を、上記デバイス形成領域毎に個片化する個片化工程を更に備えてもよい。これにより、互いに別体の有機電子デバイスが得られる。

本発明の他の側面に係る有機電子デバイスは、第１端部と、第１方向において上記第１端部と反対側に位置する第２端部とを有する可撓性基板と、上記可撓性基板上に設けられた第１電極層と、上記第１電極層上に設けられた有機機能層と、上記第１端部から上記第２端部に渡って設けられており、上記有機機能層の少なくとも一部を覆う第２電極層と、 上記第２電極層上に設けられており、上記有機機能層を封止する封止部材と、を備え、 上記第２電極層のうち上記有機機能層上の少なくとも一部が第２電極機能部であり、上記第１方向において上記第２電極機能部の外側で且つ上記第２電極機能部の両側にそれぞれ上記第１方向を横切る第２方向に沿って上記第２電極層を延在する孔部が上記第２電極層に形成されており、上記封止部材は、上記封止部材の上記第２方向における端部から上記第１電極層の一部が露出するように上記第２電極層上に設けられているとともに、上記孔部の上記第２電極機能部側の面を被覆している。

上記有機電子デバイスでは、第２電極層が、第１方向において可撓性基板の上記第１端部から上記第２端部に渡って設けられているので、有機電子デバイスを製造する際、第１方向において第２電極層を形成し易く、生産性が向上する。上記第２電極層の構成では、第２電極層の第１方向における両端部は露出している。このように、第２電極層の両端部が露出していても、有機電子デバイスでは、第２電極層には、第１方向において第２電極機能部の外側に孔部が形成されているので、第２電極層の上記両端部で水分による腐食が生じても、その腐食の進行は孔部で停止するので、第２電極機能部に達しない。更に、孔部の第２電極機能部側の面は封止部材で被覆されているので、その面から第２電極層への水分の浸入も防止されている。そのため、第２電極機能部はその機能を維持できるので、有機電子デバイスの性能劣化も抑制できる。

上記孔部は、上記第１方向において、上記有機機能層より外側に形成されていてもよい。 上記孔部は、上記有機機能層内に延在していてもよい。上記孔部内に上記封止部材の一部が充填されていてもよい。

本発明によれば、生産性が向上し、性能劣化を抑制できる有機電子デバイスの製造方法基板及び有機電子デバイスを提供できる。

図１は、一実施形態に係る有機ＥＬデバイス（有機電子デバイス）の製造方法で使用する長尺の可撓性基板の平面図である。 図２は、ロールツーロール方式による有機ＥＬデバイスの製造方法の概念図である。 図３は、陽極層（第１電極層）形成工程を説明するための図面である。 図４は、有機機能層形成工程を説明するための図面である。 図５は、電極層（第２電極層）形成工程を説明するための図面である。 図６は、図５のＶＩ―ＶＩ線に沿った断面図である。 図７は、孔部形成工程を説明するための図面である。 図８は、封止工程を説明するための図面である。 図９は、個片化された有機電子デバイスの構成の一例を説明するための断面図である。 図１０は、図９のＸ-Ｘに沿った断面図である。 図１１は、孔部形成工程の変形例を説明するための図面である。 図１２は、孔部形成工程の他の変形例を説明するための図面である。 図１３は、孔部形成工程の更に他の変形例を説明するための図面である。 図１４は、孔部形成工程の更に他の変形例を説明するための図面である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。有機電子デバイスとしては、例えば有機ＥＬデバイス、有機太陽電池、有機フォトディテクタ、有機センサーなどが挙げられる。以下に説明する実施形態では、断らない限り、有機電子デバイスは、ボトムエミッション型の有機ＥＬデバイスである。ただし、有機電子デバイスはトップエミッション型の有機ＥＬデバイスでもよい。

図１は、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法に使用する長尺の可撓性基板１０の平面図である。本明細書において、長尺の可撓性基板１０とは、一方向に延在しており、その延在方向（長手方向）の長さが、延在方向に直交する方向（幅方向）の長さより長く、可撓性を有する基板を指す。ここで、可撓性とは、基板に所定の力を加えても剪断したり破断したりすることがなく、基板を撓めることが可能な性質である。説明の便宜のため、可撓性基板１０の長手方向をＸ方向（第１方向）と称し、長手方向に直交する方向をＹ方向（第２方向）とも称す。

可撓性基板１０は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する。可撓性基板１０の厚さは、例えば、３０μｍ以上５００μｍ以下であり、フィルム状を呈し得る。

可撓性基板１０は、例えば、プラスチックフィルムである。可撓性基板１０の材料は、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂等を含む。

可撓性基板１０の材料は、上記樹脂の中でも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、又はポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、又はポリエチレンナフタレートがより好ましい。また、これらの樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。

可撓性基板１０の表面１０ａ上には、ガス、水分などをバリアするバリア層（特に、水分をバリアするバリア層）が配置されていてもよい。

有機ＥＬデバイスの製造では、長尺の可撓性基板１０の長手方向において複数のデバイス形成領域ＤＡを仮想的に設定し、各デバイス形成領域ＤＡ上に有機ＥＬデバイスの構成要素を形成する。可撓性基板１０にバリア層が形成されている形態では、バリア層上に、有機ＥＬデバイスの構成要素を形成する。図１では、Ｘ方向に互いに接するように設定した複数のデバイス形成領域ＤＡを例示している。各デバイス形成領域ＤＡは、境界部を有している。境界部とは、デバイス形成領域ＤＡの外縁である。図１の場合、Ｘ方向におけるデバイス形成領域ＤＡの境界部は、隣接する２つのデバイス形成領域ＤＡの境界部でもある。複数のデバイス形成領域ＤＡは、互いに離散的に設定されてもよい。離散的に複数のデバイス形成領域ＤＡを設定している場合、Ｘ方向におけるデバイス形成領域ＤＡの境界部は、当該デバイス形成領域ＤＡとその外側の領域との境界部である。

図２は、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法であって、ロールツーロール方式を利用した有機ＥＬデバイスの製造方法の概念図である。ロールツーロール方式で有機ＥＬデバイスを製造する場合、ロール状の可撓性基板１０を繰出し部１２Ａにセットして可撓性基板１０を繰り出し、可撓性基板１０を巻取り部１２Ｂに向けて搬送ロールＲで搬送しながら、陽極層（第１電極層）形成工程Ｓ０１、有機機能層形成工程Ｓ０２及び電極層(第２電極層)形成工程Ｓ０３、孔部形成工程Ｓ０４及び封止工程Ｓ０５を順に実施した後、可撓性基板１０を、巻取り部１２Ｂでロール状に巻き取る。

繰出し部１２Ａ、巻取り部１２Ｂ及び搬送ロールＲは、可撓性基板１０の搬送機構の一部を構成している。搬送機構は、その他、張力調整機構など公知の構成要素を備え得る。ロールツーロール方式で搬送される可撓性基板１０には、可撓性基板１０が垂れたり破断したりしない範囲で長手方向に所望の張力を加えることができる。なお、各工程の間に巻取り工程や、巻出し工程を設けることもできる。さらに、各工程の後に一旦巻き取って保管し、その後、改めて巻出して次の工程を行うこともできる。

［陽極層形成工程］
陽極層形成工程Ｓ０１では、図３に示したように、可撓性基板１０のＸ方向に沿って仮想的に設定される複数のデバイス形成領域ＤＡのそれぞれに陽極層１４を形成する。

陽極層１４には、光透過性を示す電極が用いられる。光透過性を示す電極としては、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物及び金属等の薄膜を用いることができ、光透過率の高い薄膜が好適に用いられる。陽極層１４は、導電体（例えば金属）からなるネットワーク構造を有してもよい。陽極層１４の厚さは、光の透過性、電気伝導度等を考慮して決定され得る。陽極層１４の厚さは、通常、１０ｎｍ〜１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陽極層１４の材料としては、例えば酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、銅等が挙げられ、これらの中でもＩＴＯ、ＩＺＯ、又は酸化スズが好ましい。陽極層１４は、例示した材料からなる薄膜として形成され得る。陽極層１４の材料には、ポリアニリン及びその誘導体、ポリチオフェン及びその誘導体等の有機物を用いてもよい。この場合、陽極層１４は、透明導電膜として形成され得る。

陽極層１４は、ドライ成膜法、メッキ法、塗布法などにより形成され得る。ドライ成膜法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法などが挙げられる。塗布法としては、インクジェット印刷法、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法及びノズル印刷法等が挙げられる。

［有機機能層形成工程］
有機機能層形成工程Ｓ０２では、図４に示したように、陽極層１４上に有機機能層１６を形成する。有機機能層１６は、陽極層１４の一部（図４に示した形態では、可撓性基板１０の縁部１０ｂ側の端部）を露出するように陽極層１４上に形成される。有機ＥＬデバイスでは、有機機能層１６のうち、陽極層１４と、後述する電極層２０の陰極機能部２４とで挟まれている領域が、発光する機能発揮領域(発光領域)である。図４のハッチングは、有機機能層１６において、機能発揮領域となるべき機能発揮設計領域Ａ１を示している。

発光層は、光(可視光を含む)を発する機能を有する機能層である。発光層は、通常、主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物、又はこの有機物とこれを補助するドーパント材料とから構成される。従って、発光層は有機層である。ドーパント材料は、例えば発光効率の向上や、発光波長を変化させるために加えられる。上記有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層の厚さは、例えば２ｎｍ〜２００ｎｍである。

主として蛍光及びりん光の少なくとも一方を発光する有機物としては、例えば以下の色素系材料、金属錯体系材料及び高分子系材料が挙げられる。

（色素系材料）
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマー、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体などが挙げられる。

（金属錯体系材料）
金属錯体系材料としては、例えばＴｂ、Ｅｕ、Ｄｙなどの希土類金属、又はＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ、Ｉｒ、Ｐｔなどを中心金属に有し、オキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを配位子に有する金属錯体が挙げられ、例えばイリジウム錯体、白金錯体などの三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミニウムキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、フェナントロリンユーロピウム錯体などが挙げられる。

（高分子系材料）
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素系材料や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。

（ドーパント材料）
ドーパント材料としては、例えばペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどが挙げられる。

発光層は、陽極層で例示した方法と同様の方法で形成される。可撓性基板１０を搬送しながら発光層を形成する場合、塗布法、特に、インクジェット印刷法が生産性の向上を図るために好ましい。

有機機能層１６の構造は、単層構造であってもよいし、発光層の他、種々の機能層を含む多層構造であってもよい。有機機能層の層構成の例を以下に示す。下記層構成の例では、陽極層１４に対する配置関係を示すために陽極層を括弧書きで示している。
（ａ）（陽極層）／発光層
（ｂ）（陽極層）／正孔注入層／発光層
（ｃ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子注入層
（ｄ）（陽極層）／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層
（ｅ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層
（ｆ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層
（ｇ）（陽極層）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層
（ｈ）（陽極層）／発光層／電子注入層
（ｉ）（陽極層）／発光層／電子輸送層／電子注入層
記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。上記構成例（ａ）は、有機機能層１６の構造が単層構造の場合の例である。

有機機能層１６が有する発光層以外の機能層（例えば、正孔輸送層、電子輸送層など）の材料には公知の材料が用いられ得る。有機機能層１６が有する機能層の厚さは、用いる材料によって最適値が異なり、電気伝導度、耐久性等を考慮して設定される。有機機能層１６が有する発光層以外の機能層の形成方法は、発光層の場合と同様である。

［電極層形成工程］
電極層形成工程Ｓ０３は、図５及び図６に示したように、電極層２０を可撓性基板１０及び有機機能層１６上に形成する。具体的には、Ｘ方向において各陽極層１４と絶縁された状態で且つ各有機機能層１６の少なくとも一部を覆うように、複数のデバイス形成領域ＤＡに渡って電極層２０を可撓性基板１０及び有機機能層１６上に形成する。本実施形態では、可撓性基板１０の縁部１０ｃ側において電極層２０が可撓性基板１０の表面１０ａに接するように、電極層２０を形成する。

電極層２０は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、及びアルカリ土類金属化合物のうちの少なくとも一つを含む第１層（下層)２０Ａと両性金属を含む第２層（上層）２０Ｂとを有し、電極層形成工程Ｓ０３は、下層２０Ａを形成する下層形成工程と、下層２０Ａ上に上層２０Ｂを形成する上層形成工程とを有する。

下層形成工程では、各陽極層１４と絶縁された状態で且つ各有機機能層１６を覆うように、複数のデバイス形成領域ＤＡに渡って下層２０Ａを可撓性基板１０上に形成する。本実施形態では、可撓性基板１０の縁部１０ｃ側において可撓性基板１０の表面１０ａに接するように、下層２０Ａを形成する。下層２０Ａは、例えば真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法などのドライ成膜法で形成され得る。下層２０Ａは、塗布法で形成されてもよい。

下層２０Ａの材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物、及びアルカリ土類金属化合物の少なくとも一つを含む。アルカリ金属化合物、及びアルカリ土類金属化合物とは、それぞれアルカリ金属元素を含む化合物、及びアルカリ土類金属元素を含む化合物であり、例えば、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物等が挙げられる。下層２０Ａの材料は、具体的には、ナトリウム（Ｎａ）、セシウム（Ｃｓ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ）、酸化バリウム（ＢａＯ）である。下層２０Ａの厚さの例は、０．２ｎｍ〜２０ｎｍであり、導電性制御の観点からは１ｎｍ〜５ｎｍが好ましい。

上層形成工程では、複数のデバイス形成領域ＤＡに渡って下層２０Ａ上に上層２０Ｂを形成する。本実施形態では、上層２０Ｂを、Ｙ方向において上層２０Ｂの一方の端部（可撓性基板１０の縁部１０ｂ側の端部）が対応する下層２０Ａの一方の端部と一致するとともに、上層２０Ｂの他方の端部（可撓性基板１０の縁部１０ｃ側の端部）が対応する下層２０Ａの他方の端部を覆うように形成する。上層２０Ｂを、Ｙ方向において上層２０Ｂの一方の端部（可撓性基板１０の縁部１０ｂ側の端部）が対応する下層２０Ａの一方の端部を覆うように形成するとともに、上層２０Ｂの他方の端部（可撓性基板１０の縁部１０ｃ側の端部）が対応する下層２０Ａの一方の端部と一致するように形成してもよい。上層２０Ｂは、例えば真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法などのドライ成膜法で形成され得る。上層２０Ｂは、塗布法で形成されてもよい。

上層２０Ｂの材料は、アルカリ性水溶液と反応する両性金属を含む。両性金属としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｂ）である。上層２０Ｂの材料は、水分による影響を受けにくい材料、かつ可視光の反射率の高い金属、例えば、アルミニウムがより好ましい。上層２０Ｂの厚さの例は、３０ｎｍ〜５０００ｎｍであり、光反射の観点及び生産性の観点から８０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、９０ｎｍ〜２００ｎｍがさらに好ましい。

［孔部形成工程］
孔部形成工程Ｓ０４では、図７に示したように、Ｘ方向において、デバイス形成領域ＤＡの境界部（デバイス形成領域ＤＡの外縁）と、有機機能層１６の機能発揮設計領域Ａ１との間の電極層２０をＹ方向に沿って、電極層２０の一方の端部から他方の端部に渡って除去することで孔部２２を形成する。孔部２２の形成時、電極層２０の厚さ方向においては、その厚さ方向における電極層２０の両面間にわたって電極層２０を除去する。すなわち、厚さ方向において電極層２０を貫通するように孔部２２を形成する。これにより、各デバイス形成領域ＤＡには、Ｘ方向において機能発揮設計領域Ａ１の両側にそれぞれ孔部２２が形成される。

孔部２２は、例えば可撓性基板１０の搬送経路上に設けられたレーザ光源からレーザ光を電極層２０に照射して、そのレーザ光の照射領域内の電極層２０を除去することで形成され得る。レーザ光の波長は、電極層２０（具体的には、上層２０Ｂ及び下層２０Ａ）を除去できる波長であればよい。孔部２２の形成方法は、レーザ光を利用した方法に限定されない。

孔部２２が形成された電極層２０のうち、各デバイス形成領域ＤＡ上における一対の孔部２２の間の部分が、有機ＥＬデバイスにおいて陰極として機能する陰極機能部２４である。よって、孔部形成工程Ｓ０４により、陰極機能部２４が得られる。

［封止工程］
封止工程Ｓ０５では、図８に示したように、孔部２２が形成された電極層２０上に、封止部材２６を設け、有機機能層１６を封止する。より詳細には、封止工程Ｓ０５では、可撓性基板１０の縁部１０ｂ（図１、図４及び図５参照）側において陽極層１４の一部が封止部材２６から露出するとともに、可撓性基板１０の縁部１０ｃ（図１、図４及び図５参照）側において電極層２０の一部が封止部材２６から露出し、孔部２２の機能発揮設計領域Ａ１側の面を被覆するように封止部材２６を電極層２０上に設ける。封止部材２６は、水分による有機ＥＬデバイスの劣化を防止するための部材であり、封止基材２６Ａと、接着層２６Ｂと、樹脂フィルム２６Ｃとを有する。

封止基材２６Ａは、水分バリア機能を有する。封止基材２６Ａは、ガスバリア機能を有してもよい。封止基材２６Ａの例としては、金属箔、透明なプラスチックフィルムの片面又はその両面にバリア機能層を形成したバリアフィルム、或いはフレキシブル性を有する薄膜ガラス、プラスチックフィルム上にバリア性を有する金属を積層させたフィルム等が挙げられる。封止基材２６Ａの厚さの例は、１０μｍ〜３００μｍである。金属箔としては、バリア性の観点から、銅箔、アルミニウム箔、ステンレス箔が好ましい。封止基材２６Ａが金属箔である場合、金属箔の厚さとしては、ピンホール抑制の観点から厚い程好ましいが、フレキシブル性の観点も考慮すると１０μｍ〜５０μｍが好ましい。

接着層２６Ｂは、封止基材２６Ａの一方の面に積層されている。接着層２６Ｂは、有機ＥＬデバイスにおける封止部材２６で封止すべき部分を埋設可能な厚さを有していればよい。接着層２６Ｂの厚さの例は、５μｍ〜１００μｍである。

接着層２６Ｂの材料の例は、光硬化性又は熱硬化性のアクリレート樹脂、光硬化性又は熱硬化性のエポキシ樹脂等が挙げられる。その他一般に使用されるインパルスシーラーで融着可能な樹脂フィルム、例えばエチレン酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリエチレン（ＰＥ）フィルム、ポリブタジエンフィルム等の熱融着性フィルムを接着層２６Ｂとして使用できる。熱可塑性樹脂も接着層２６Ｂの材料に使用でき、例えば、オレフィン系エラストマーやスチレン系エラストマー、ブタジエン系エラストマー等が挙げられる。

接着層２６Ｂ内に、吸湿性の微粒子（接着層２６Ｂの厚みよりも小さい）が含まれていてもよい。吸湿性の微粒子としては、例えば、水分と常温で化学反応を起こす金属酸化物、水分を物理吸着するゼオライトが挙げられる。

樹脂フィルム２６Ｃは、封止基材２６Ａの他方の面（接着層２６Ｂに接する面と反対側の面）上に積層されている。樹脂フィルム２６Ｃの材料としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリイミド（ＰＩ）などが挙げられる。

封止工程Ｓ０５では、長尺の封止部材２６をその長手方向に搬送しながら、搬送されている可撓性基板１０に貼合する。具体的には、接着層２６Ｂが電極層２０と対向し、封止部材２６の厚さ方向から見た場合に、Ｙ方向において、陽極層１４及び電極層２０の一部が封止部材２６から露出するように、長尺の封止部材２６を可撓性基板１０に位置合わせする。その状態で、封止部材２６と可撓性基板１０とを封止部材２６の厚さ方向に加圧及び加熱して、封止部材２６を、可撓性基板１０に貼合することで、有機機能層１６を封止する。このような封止工程Ｓ０５では、図８に示したように、孔部２２内に接着層２６Ｂが充填され、孔部２２の機能発揮設計領域Ａ１側の面が被覆される。

図８では、樹脂フィルム２６Ｃを備えた封止部材２６を例示しているが、封止部材２６は、封止基材２６Ａと、接着層２６Ｂとを有していればよい。

封止工程Ｓ０５を経ることで、図８に示したように、デバイス形成領域ＤＡ毎に、有機ＥＬデバイス２８が得られる。よって、例えば、封止工程Ｓ０５を経た可撓性基板１０を、デバイス形成領域ＤＡ毎に個片化する個片化工程を実施することで、個片化された有機ＥＬデバイス２８が得られる。通常、デバイス形成領域ＤＡは、製品サイズに設定されるので、上記個片化工程を備える形態では、製品サイズの有機ＥＬデバイス２８が得られる。個片化工程は、例えば封止工程Ｓ０５を経た可撓性基板１０を搬送しながら、各デバイス形成領域ＤＡの境界部（外縁）を分断線として可撓性基板１０を断裁すればよい。以下、説明の便宜のため、製品サイズの有機ＥＬデバイス２８を有機ＥＬデバイス２８Ａと称す。

図９は、個片化工程を経て得られた有機ＥＬデバイスの構成を概略的に示す断面図である。図９は、図１０のＩＸ−ＩＸ線に沿った断面図に対応する。図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。図９及び図１０中のＸ方向及びＹ方向は、製造方法の説明で使用したＸ方向及びＹ方向と同様である。

有機ＥＬデバイス２８Ａは、可撓性基板１０と、可撓性基板１０上に順に設けられた陽極層（第１電極層）１４、有機機能層１６、電極層（第２電極層）２０及び封止部材２６と、を備える。電極層２０は陰極機能部２４を含む。有機ＥＬデバイスの製造方法の説明において、可撓性基板１０、陽極層１４、有機機能層１６、電極層２０及び封止部材２６の構成を説明していることから、それらの説明を適宜省略しながら、有機ＥＬデバイス２８Ａを説明する。

図９に示したように、有機ＥＬデバイス２８Ａが有する可撓性基板１０は、Ｘ方向において、端部（第１端部）１０ｄと、端部１０ｄと反対側に位置する端部（第２端部）１０ｅを有する。電極層２０及び封止部材２６それぞれのＸ方向における両端部は露出している。

電極層２０は陰極機能部２４を有しており、Ｘ方向において陰極機能部２４の外側で且つ陰極機能部２４の両側にそれぞれＹ方向に沿って延在した一対の孔部２２が形成されている。これにより、電極層２０のうち、陰極機能部２４と残部（Ｘ方向において孔部２２より外側の部分）とは、孔部２２により分離されている。また、孔部２２のうち陰極機能部２４側の面は封止部材２６で被覆されている。

図１０に示したように、陽極層１４の端部１４ａ及び電極層２０の端部２０ａは、Ｙ方向において、封止部材２６から反対側に露出している。陽極層１４のうち封止部材２６からの露出領域は、陽極層１４を外部接続するための端子部に相当する。電極層２０の端部２０ａが封止部材２６から露出しているため、陰極機能部２４における対応する端部２４ａも露出している。陰極機能部２４において封止部材２６からの露出領域は陰極機能部２４を外部接続する端子部に相当する。

有機ＥＬデバイス２８Ａでは、陽極層１４及び陰極機能部２４の上記端子部（封止部材２６からの露出領域）を介して、陽極層１４及び陰極機能部２４に電圧を印加することで、有機機能層１６のうち、可撓性基板１０の厚さ方向において、陽極層１４と陰極機能部２４とで挟まれた領域である機能発揮領域Ａ（機能発揮設計領域Ａ１）で発光が生じる。

上記有機ＥＬデバイスの製造方法では、電極層２０を、複数のデバイス形成領域ＤＡに渡ってストライプ状に形成しているため、ロールツーロール方式で可撓性基板１０を搬送しながら電極層２０を効率的に形成できる。例えば、ロールツーロール方式で可撓性基板１０を搬送しながら連続的に電極層２０を形成可能である。その結果、有機ＥＬデバイス２８の生産性が向上する。また、例えばドライ成膜法で電極層２０を形成する場合、可撓性基板１０の縁部１０ｂ及び縁部１０ｃ近傍をＸ方向に延在するマスクで遮蔽することで、上記のように電極層２０を連続的に形成できるので、例えばＹ方向においても遮蔽領域を形成するようにマスクを形成する場合より、遮蔽用のマスクの形成も容易である。

デバイス形成領域ＤＡで可撓性基板１０を個片化して得られる個別の有機ＥＬデバイス２８Ａでは、図９に示したように、Ｘ方向における電極層２０の両端部は、封止部材２６で封止されずに露出している。そのため、電極層２０が水分によって腐食する場合がある。特に、電極層２０が例示した材料を有する下層２０Ａ及び上層２０Ｂを有する構成である場合、下層２０Ａは水分に反応し易く、下層２０Ａが水分に反応して生じた塩基性物質（アルカリ物質）で、上層２０Ｂが溶け、上層２０Ｂの腐食が進行する。

仮に、電極層２０に孔部２２が形成されていないと、上記電極層２０の露出した両端部からの腐食が、陰極機能部２４に達し、陰極機能部２４の陰極としての機能が損なわれる。その結果、有機ＥＬデバイスの性能が劣化し、場合によっては、発光が生じなくなる。

本実施形態の有機ＥＬデバイスの製造方法では、電極層形成工程Ｓ０３の後に、孔部形成工程Ｓ０４を備え、電極層２０に孔部２２を形成している。この孔部２２によって、電極層２０のうち、陰極機能部２４と、Ｘ方向における孔部２２より外側の部分とが分離されている。そのため、前述したように、Ｘ方向における電極層２０の両端部から水分による腐食が進行しても、孔部２２によって腐食進行が止められるので、陰極機能部２４の腐食を防止できる。更に、孔部２２の機能発揮設計領域Ａ１側の面は封止部材２６で被覆されているので、孔部２２によって電極層２０が分離されていても、その孔部２２から電極層２０への水分の浸入も防止できる。その結果、有機ＥＬデバイス２８Ａの性能劣化を抑制できる。

有機ＥＬデバイス２８Ａでは、Ｙ方向において、陰極機能部２４の一部は外部接続用の端子部として、封止部材２６から露出している。しかしながら、図１０に示したように、下層２０Ａのうち可撓性基板１０に接している部分の端部は上層２０Ｂで覆われている。そして、上層２０Ｂ自体は水分による腐食がほとんど生じにくいので、陰極機能部２４の端子部の水分による腐食及びそれに伴う陰極機能部２４の腐食も防止されている。また、図１０に示したように、下層２０Ａの端部が封止部材２６の端部よりも内側にある形態では、露出している上層２０Ｂにピンホール等が内在しており、該ピンホール等から水分が浸入したとしても、上層２０Ｂの腐食を防ぐことができる。

電極層２０が、例示した材料を有する下層２０Ａ及び上層２０Ｂを有する形態では、下層２０Ａは水分と反応し易い。下層２０Ａが水分と反応すると、それに応じて上層２０Ｂが腐食する。よって、上記有機電子デバイスの製造方法は、電極層２０が、例示した下層２０Ａ及び上層２０Ｂを有する形態に対して有効である。

孔部２２に封止部材２６の一部が充填されている形態では、Ｘ方向における電極層２０の両端部からの腐食を孔部２２の位置でより確実に停止できるとともに、孔部２２からの陰極機能部２４への水分の浸入を防止できる。

以上、本発明の種々の実施形態及び変形例を説明したが、本発明は、例示した種々の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

例えば、孔部形成工程Ｓ０４では、電極層２０のうち、Ｘ方向にデバイス形成領域ＤＡの境界部と機能発揮設計領域Ａ１との間において有機機能層１６より外側の位置に孔部２２を形成する形態を説明した。しかしながら、所望の発光領域(機能発揮領域)を確保できれば、有機機能層１６上に孔部２２を形成してもよいし、Ｘ方向に隣接する機能発揮設計領域Ａ１の間であって上記境界部上に（換言すれば、境界部をまたいで）孔部２２を形成してもよい。

図１１は、Ｘ方向において、機能発揮設計領域Ａ１より外側であって有機機能層１６上に孔部２２を形成している場合の一例を示す図面である。この場合、機能発揮設計領域Ａ１をより広く確保するため、孔部２２は、Ｘ方向において有機機能層１６の端部近傍に形成されていることが好ましい。図１１に示した例では、孔部２２は、有機機能層１６内まで延在している。具体的には、孔部２２は有機機能層１６も貫通している。この形態では、孔部２２の位置が違う点以外は有機ＥＬデバイス２８（２８Ａ）と同様の構成を有する有機ＥＬデバイスが製造される。電極層２０のうち、Ｘ方向において２つの孔部２２の間の領域が陰極機能部２４である。陰極機能部２４は、孔部２２によって電極層２０のうち孔部２２より外側の部分と分離されているので、電極層２０の露出端部の水分による腐食は陰極機能部２４に達しない。よって、図１１に示したように孔部２２を形成する孔部形成工程Ｓ０４を備える有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスは、上記実施形態で説明した有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスの場合と同様の作用効果を有する。

図１２は、Ｘ方向において、機能発揮設計領域Ａ１より外側であって有機機能層１６上に孔部２２を形成している場合の他の例である。図１２に示したように、孔部２２は、有機機能層１６内に延在していなくてもよい。この場合も、図１２に示したように孔部２２を形成する孔部形成工程Ｓ０４を備える有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスは、上記実施形態で説明した有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスの場合と同様の作用効果を有する。

図１３は、Ｘ方向におけるデバイス形成領域ＤＡの境界部上に孔部２２を形成する形態の一例を示す図面である。図１３に示したように、Ｘ方向における孔部２２の幅は、Ｘ方向において隣接する有機機能層１６の間の幅より狭くてもよい。この形態では、封止工程Ｓ０５を経ることで、Ｘ方向における電極層２０の両端部は封止部材２６で封止される。これにより、上記両端部の水分による腐食自体を防止でき、陰極機能部２４も腐食されない。よって、図１３に示したように孔部２２を形成する孔部形成工程Ｓ０４を備える有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスは、上記実施形態で説明した有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスの場合と同様の作用効果を有する。

図１４は、Ｘ方向におけるデバイス形成領域ＤＡの境界部上に孔部２２を形成する形態の他の例を示す図面である。図１４に示したように、Ｘ方向における孔部２２の幅は、Ｘ方向に隣接する陽極層１４の間の幅と同じでもよい。この形態でも、封止工程Ｓ０５を経ることで、Ｘ方向における電極層２０の両端部は封止部材２６で封止される。これにより、上記両端部の水分による腐食自体を防止でき、陰極機能部２４も腐食されない。よって、図１４に示したように孔部２２を形成する孔部形成工程Ｓ０４を備える有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスは、上記実施形態で説明した有機ＥＬデバイスの製造方法及びそれにより製造された有機ＥＬデバイスの場合と同様の作用効果を有する。

図１３及び図１４に例示したように、Ｘ方向におけるデバイス形成領域ＤＡの境界部上に孔部２２を形成する形態では、孔部２２の幅は、所望の機能発揮領域Ａ（機能発揮設計領域Ａ１）を確保できれば、Ｘ方向に隣接する陽極層１４の間の幅より広くてもよい。

陽極層形成工程Ｓ０１から封止工程Ｓ０５までに含まれる各工程は、ロールツーロール方式のように、可撓性基板１０を搬送しながら実施しなくてもよい。ただし、電極層形成工程（第２電極層形成工程）Ｓ０３を、可撓性基板１０を搬送しながら実施することは、生産性を向上させるために有利であり、特に、電極層形成工程（第２電極層形成工程）Ｓ０３及び孔部形成工程Ｓ０４をロールツーロール方式で実施することが好ましい。陽極層１４が予め形成された可撓性基板１０を準備していれば、陽極層形成工程Ｓ０１は不要である。

封止工程Ｓ０５では、例えば、封止膜として電極層２０上に形成することで有機機能層１６を封止してもよい。この場合、封止膜が封止部材に相当し、封止膜は、例えばＣＶＤ法で形成されてもよい。

封止部材２６は、電極層(第２電極層)２０に形成された孔部２２の機能発揮設計領域Ａ１側の面を被覆していれば、その一部が孔部２２内に充填されていなくてもよい。換言すれば、各デバイス形成領域ＤＡにおいて、孔部２２の機能発揮設計領域Ａ１側の面を被覆するように、封止部材２６を電極層２０上に設ければ封止部材２６で孔部２２全体を覆っていなくてもよい。

有機ＥＬデバイスでは、可撓性基板１０上に、陰極機能部２４と電気的に接続され、外部接続端子として機能する陰極用取出電極を備えていてもよい。この陰極用引出電極は、陽極層１４と離間して可撓性基板１０の表面１０ａ上に設けられ、外部接続可能なように、陰極用引出電極の一部は封止部材２６から露出される。陰極用引出電極は、例えば陽極層１４と同じ材料を有し得る。陰極用取出電極を備える有機ＥＬデバイスにおいては、封止部材２６内で、電極層２０が陰極用取出電極に接するように、電極層２０を形成する。この場合、Ｙ方向における電極層２０の両端部は封止部材２６で封止されるので、下層２０Ａ及び上層２０ＢのＹ方向の幅を同じ、或いは、上層２０ＢのＹ方向の幅よりも下層２０ＡのＹ方向の幅が狭い状態とし得る。Ｙ方向における電極層２０の両端部は封止部材２６で封止されることから、例えば上層２０Ｂの材料として水分の影響を受ける材料も選択し得る。よって、電極層２０の材料の選択及び構成の自由度が向上する。

電極層２０の構造は、下層２０Ａ及び上層２０Ｂの２層構造に限定されない。電極層２０は単層構造でもよいし、３層以上の多層構造でもよい。また、電極層２０の材料としては、下層２０Ａ及び上層２０Ｂで挙げたもの以外を用いてもよく、例えば、導電性金属酸化物や導電性有機物等を用いてもよい。

孔部２２の延在方向は、複数のデバイス形成領域ＤＡの配列方向に相当する第１方向（Ｘ方向）と直交する第２方向（Ｙ方向）であった。しかしながら、孔部２２の延在方向は、複数のデバイス形成領域ＤＡの配列方向に相当する第１方向に対して横切る方向であればよい。すなわち、第１方向と第２方向とは直交していなくてもよい。

可撓性基板１０は、複数のデバイス形成領域ＤＡが仮想的に設定できる大きさを有していれば、長尺でなくてもよい。例えば可撓性基板は枚葉形状を有していてもよい。可撓性基板が枚葉形状のように長尺形状でない形態では、可撓性基板を一方向（第１方向）に沿って搬送すればよい。或いは、枚葉形状の場合は、搬送せずに第２電極層形成工程等を実施してもよい。

可撓性基板１０側の電極層が陽極層である場合を例示して説明したが、可撓性基板１０側の電極層が陰極層であってもよい。この場合、第２電極層の第２電極機能部は、陽極機能部である。

上記実施形態では、有機電子デバイスの一例である有機ＥＬデバイスについて説明したが、本発明は、有機ＥＬデバイスの他、有機フォトディテクタ、有機薄膜太陽電池、有機トランジスタ、有機センサー等の有機材料を用いたデバイスである有機電子デバイスにも適用できる。

１０…可撓性基板、１４…陽極層（第１電極層）、１６…有機機能層、２０…電極層（第２電極層）、２０Ａ…下層（第１層）、２０Ｂ…上層（第２層）、２２…孔部、２４…陰極機能部、２６…封止部材、２８，２８Ａ…有機ＥＬデバイス(有機電子デバイス)。

Claims (16)

1. 可撓性基板に、第１方向に沿って設定される複数のデバイス形成領域のそれぞれに設けられた第１電極層上に有機機能層を形成する有機機能層形成工程と、
   各前記有機機能層の少なくとも一部を覆うように、前記第１方向において前記複数のデバイス形成領域に渡って第２電極層を前記有機機能層が形成された前記可撓性基板上に形成する第２電極層形成工程と、
   前記第１方向において、前記デバイス形成領域の境界部と前記有機機能層における機能発揮設計領域であって前記デバイス形成領域に一対一に対応する前記機能発揮設計領域との間の前記第２電極層を、前記第１方向を横切る第２方向に沿って除去することによって孔部を形成し、前記第２電極層を第２電極機能部と他の部分とに分離する孔部形成工程と、
   前記有機機能層を封止する封止部材を、前記孔部の前記機能発揮設計領域側の面を被覆するように前記第２電極層上に設ける封止工程と、
   を備える、
   有機電子デバイスの製造方法。
2. 前記可撓性基板が長尺であり、
   前記第１方向は、前記可撓性基板の長手方向であり、
   前記可撓性基板を前記第１方向に搬送しながら前記第２電極層形成工程を実施する、
   請求項１に記載の有機電子デバイスの製造方法。
3. 前記第２電極層形成工程及び前記孔部形成工程をロールツーロール方式で実施する、
   請求項２に記載の有機電子デバイスの製造方法。
4. 前記孔部形成工程では、レーザ光を前記第２電極層に照射し、前記第２電極層を除去することによって前記孔部を形成する、
   請求項１〜３の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
5. 前記封止工程では、前記封止部材の一部が前記孔部内に充填されるように前記封止部材を前記第２電極層上に設ける、
   請求項１〜４の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
6. 前記第２電極層形成工程では、
   アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物のうちの少なくとも一つを含む第１層を形成する工程と、
   前記第１層上に、両性金属を含む第２層を形成する工程と、
   を有する、
   請求項１〜５の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
7. 前記孔部形成工程では、前記第１方向において、前記有機機能層より外側に前記孔部を形成する、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
8. 前記孔部形成工程では、前記第１方向において、前記機能発揮設計領域より外側であって前記有機機能層上に位置するように、前記孔部を形成する、
   請求項１〜６の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
9. 前記有機機能層内まで延在するように、前記孔部を形成する、
   請求項８に記載の有機電子デバイスの製造方法。
10. 前記封止工程を経た前記可撓性基板を、前記デバイス形成領域毎に個片化する個片化工程を更に備える、
    請求項１〜９の何れか一項に記載の有機電子デバイスの製造方法。
11. 第１端部と、第１方向において前記第１端部と反対側に位置する第２端部とを有する可撓性基板と、
    前記可撓性基板上に設けられた第１電極層と、
    前記第１電極層上に設けられた有機機能層と、
    前記第１端部から前記第２端部に渡って設けられており、前記有機機能層の少なくとも一部を覆う第２電極層と、
    前記第２電極層上に設けられており、前記有機機能層を封止する封止部材と、
    を備え、
    前記第２電極層のうち前記有機機能層上の少なくとも一部が第２電極機能部であり、
    前記第１方向において前記第２電極機能部の外側で且つ前記第２電極機能部の両側にそれぞれ前記第１方向を横切る第２方向に沿って前記第２電極層を延在する孔部が前記第２電極層に形成されており、
    前記封止部材は、前記封止部材の前記第２方向における端部から前記第１電極層の一部が露出するように前記第２電極層上に設けられているとともに、前記孔部の前記第２電極機能部側の面を被覆しており、
    前記有機機能層のうち前記第１電極層と前記第２電極機能部とで挟まれている機能発揮領域は、前記可撓性基板と一対一に対応しており、
    前記第１方向において前記可撓性基板の前記第１端部上と前記第２端部上に前記第２電極層が存在する、
    有機電子デバイス。
12. 前記孔部は、前記第１方向において、前記有機機能層より外側に形成されている、
    請求項１１に記載の有機電子デバイス。
13. 前記孔部は、前記有機機能層内に延在している、
    請求項１１に記載の有機電子デバイス。
14. 前記孔部内に前記封止部材の一部が充填されている、
    請求項１１〜１３の何れか一項に記載の有機電子デバイス。
15. 前記第２層を形成する工程では、前記第２方向における前記第１層の両端部のうち少なくとも一方の端部を覆うように前記第２層を形成する、
    請求項６に記載の有機電子デバイスの製造方法。
16. 前記第２電極層は、
    アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物及びアルカリ土類金属化合物のうちの少なくとも一つを含む第１層と、
    前記第１層上に設けられており、両性金属を含む第２層と、
    を有し、
    前記第２層は、前記第２方向における前記第１層の両端部のうち少なくとも一方の端部を覆っている、
    請求項１１〜１４の何れか一項に記載の有機電子デバイス。

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