JP6398010B2 - パターン化されたスタンプの製造方法、パターン化されたスタンプ及びインプリント方法 - Google Patents
パターン化されたスタンプの製造方法、パターン化されたスタンプ及びインプリント方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6398010B2 JP6398010B2 JP2017531580A JP2017531580A JP6398010B2 JP 6398010 B2 JP6398010 B2 JP 6398010B2 JP 2017531580 A JP2017531580 A JP 2017531580A JP 2017531580 A JP2017531580 A JP 2017531580A JP 6398010 B2 JP6398010 B2 JP 6398010B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stamp
- layer
- flexible
- support layer
- imprint
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 67
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 152
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 41
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 27
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 20
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 18
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 17
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 14
- CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N Sucrose Chemical compound O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@@]1(CO)O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O1 CZMRCDWAGMRECN-UGDNZRGBSA-N 0.000 claims description 12
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 claims description 12
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 9
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 4
- 238000000813 microcontact printing Methods 0.000 claims description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 34
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 34
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 29
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 21
- -1 polysiloxane Polymers 0.000 description 18
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 16
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 12
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002174 soft lithography Methods 0.000 description 2
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 210000000988 bone and bone Anatomy 0.000 description 1
- 230000010478 bone regeneration Effects 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K calcium;sodium;phosphate Chemical compound [Na+].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000013013 elastic material Substances 0.000 description 1
- 239000013536 elastomeric material Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000004826 seaming Methods 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- 229920001935 styrene-ethylene-butadiene-styrene Polymers 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 230000017423 tissue regeneration Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
- G03F7/2012—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image using liquid photohardening compositions, e.g. for the production of reliefs such as flexographic plates or stamps
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70241—Optical aspects of refractive lens systems, i.e. comprising only refractive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Printing Methods (AREA)
Description
多孔性の柔軟なおよび/または圧縮可能な支持層(130)を固化した柔軟なスタンプ層に接着させることによって中間スタンプ構造を提供するステップと、
前記中間スタンプ構造を前記レリーフ・パターン・マスターから取り外すステップと、
さらに、パターン化されたスタンプ100の印刷面における輪郭の寸法を形状122の寸法で割った比は、特に限定されず、2から1,000,000,000の範囲であることができ、例えば5から100,000,000または50から50,000,000である。換言すれば、ナノメーターサイズの形状が、数センチメートルから1メートルまでの輪郭寸法を有する輪郭表面にインプリントされてもよい。
Claims (16)
- インプリント・リソグラフィのための印刷スタンプであって、
基板の輪郭表面のパターニングのために露出されるレリーフ・パターンを担持する輪郭表面を持つ柔軟なスタンプ層、及び、前記柔軟なスタンプ層に付着され、充填材料で充填された複数の細孔を有する支持層を有するインプリント・スタンプ。 - 前記充填材料は、前記柔軟なスタンプ層の材料とは異なる材料である、請求項1に記載のインプリント・スタンプ。
- 前記充填材料が、前記柔軟なスタンプ層の材料と同じ材料である、請求項1に記載のインプリント・スタンプ。
- 前記柔軟なスタンプ層および前記支持層の少なくとも1つが、シロキサン系ポリマーを含むか、またはシロキサン系ポリマーからなる、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のインプリント・スタンプ。
- 前記柔軟なスタンプ層が第1のヤング率を有し、前記支持層が第2のヤング率を有し、前記第1のヤング率が前記第2のヤング率よりも大きい、請求項1から請求項4のいずれか一項に記載のインプリント・スタンプ。
- 前記支持層の材料および前記充填材料が、前記支持層が少なくとも部分的に光学放射に対して透明であるような屈折率を有する、請求項1から請求項5のいずれか一項に記載のインプリント・スタンプ。
- レリーフ・パターンを担持する輪郭表面を持つインプリント・スタンプを製造する方法であって、
前記レリーフ・パターンを形成するための逆レリーフ・パターンを担持するレリーフ・パターン・マスター上に可撓性材料前駆体の層を適用するステップと、
前記可撓性材料前駆体を硬化させて、前記レリーフ・パターンを含む柔軟なスタンプ層を形成するステップと、
前記柔軟なスタンプ層に多孔質の柔軟なおよび/または圧縮可能な支持層を接着することによって中間スタンプ構造を提供するステップと、
前記中間スタンプ構造を前記レリーフ・パターン・マスターから取り外すステップと、
前記中間スタンプ構造を基板の輪郭表面に、前記レリーフ・パターンが前記輪郭表面に面するようにして、押し付けるステップと、
前記支持層の柔軟性を減少させるために、多孔質の柔軟な支持層の細孔の少なくとも一部を充填材料で充填することによって、インプリント・スタンプを形成するステップと、
パターン形成されたスタンプを前記基板の前記輪郭表面から取り外すステップと、を有する方法。 - 前記充填材料を硬化させることをさらに含む、請求項7に記載の方法。
- 可撓性材料を犠牲材料と混合して初期層を形成するステップと、
前記初期層を硬化させるステップと、
前記初期層から前記犠牲材料を除去して、多孔質の柔軟な支持層を形成するステップと、
により、前記多孔質の柔軟な支持層を形成する、請求項7または8に記載の方法。 - 前記犠牲材料が、スクロースマトリックスを含むか、またはスクロースマトリックスからなり、前記除去するステップが、前記スクロースマトリックスを溶解するステップを含む、請求項9に記載の方法。
- 前記中間スタンプ構造を前記基板の前記輪郭表面に押し付けるステップは、
真空チャンバ内で中間スタンプ構造を前記輪郭表面上に配置するステップと、
前記柔軟なスタンプ層を前記輪郭表面に押し付けるために前記真空チャンバ内の圧力を低下させるステップと、を含む、請求項7から請求項10のいずれか一項に記載の方法。 - 前記柔軟なスタンプ層および前記多孔質の柔軟な支持層は、ゴム状材料を含むか、またはゴム状材料からなる、請求項7から請求項11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ゴム状材料が、シロキサン系ポリマーを含むか、またはシロキサン系ポリマーからなる、請求項12に記載の方法。
- 前記インプリント・スタンプを剛性のキャリア上に固定するステップをさらに含む、請求項7から請求項13のいずれか一項に記載の方法。
- プリント・プロセスが、マイクロ接触プリント・プロセスまたはインプリント・プロセスであることが好ましい、プリント・プロセスのための、請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のインプリント・スタンプの使用。
- インプリント方法であって、
基板の輪郭表面上にパターン前駆体層を設けるステップと、
インプリント・スタンプの輪郭表面が前記基板の輪郭表面に少なくとも部分的に一致し、前記パターン前駆体層がレリーフ・パターンによりインプリントされるように、パターン前駆体層に請求項1から請求項6のいずれか一項に記載のインプリント・スタンプを適用するステップと、
前記インプリント・スタンプが前記基板の前記輪郭表面に適用されている間に、前記パターン前駆体層を固化パターン層へと固化させるステップと、
固化パターン層から前記インプリント・スタンプを取り外すステップと、
を有する方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14199595 | 2014-12-22 | ||
EP14199595.1 | 2014-12-22 | ||
PCT/EP2015/079048 WO2016102185A1 (en) | 2014-12-22 | 2015-12-09 | Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp and imprinting method |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018503251A JP2018503251A (ja) | 2018-02-01 |
JP6398010B2 true JP6398010B2 (ja) | 2018-09-26 |
Family
ID=52282482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017531580A Active JP6398010B2 (ja) | 2014-12-22 | 2015-12-09 | パターン化されたスタンプの製造方法、パターン化されたスタンプ及びインプリント方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11086217B2 (ja) |
EP (1) | EP3237971B1 (ja) |
JP (1) | JP6398010B2 (ja) |
KR (1) | KR102540395B1 (ja) |
CN (1) | CN107111226B (ja) |
BR (1) | BR112017013073A2 (ja) |
RU (1) | RU2695290C2 (ja) |
SG (1) | SG11201704948TA (ja) |
WO (1) | WO2016102185A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6565321B2 (ja) * | 2015-05-18 | 2019-08-28 | 凸版印刷株式会社 | 積層構造体、これを用いた有機el素子、およびこれらの製造方法 |
RU2741506C2 (ru) * | 2016-07-27 | 2021-01-26 | Конинклейке Филипс Н.В. | Способ получения штампа на основе полиорганосилоксанов, штамп на основе полиорганосилоксанов, применение его для процесса печати и способ впечатывания с его использованием |
CN106647165B (zh) * | 2016-09-28 | 2020-04-10 | 西安交通大学 | 一种基于柔性的可在任意曲面制造微纳结构的方法 |
WO2018107094A1 (en) * | 2016-12-09 | 2018-06-14 | The University Of Massachusetts | Master mold for pattern transfer |
WO2021207361A1 (en) * | 2020-04-07 | 2021-10-14 | Smart Material Solutions, Inc | Conformal micro- or nanopatterned nanoimprint lithography master and methods of making and using the same |
CN111830609B (zh) * | 2020-07-28 | 2022-04-15 | 温州大学 | 一种3d人工复眼及其制备方法 |
CN113189840A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-07-30 | 深圳先进技术研究院 | 微纳结构制作方法及微纳结构制作装置 |
US20240198578A1 (en) * | 2021-04-30 | 2024-06-20 | Magic Leap, Inc. | Imprint lithography process and methods on curved surfaces |
CN116779465B (zh) * | 2023-08-25 | 2023-10-31 | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 | 一种纳米压印晶圆缺陷检测方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3339710B2 (ja) * | 1992-12-28 | 2002-10-28 | ブラザー工業株式会社 | 浸透型印字体の形成方法 |
RU2278406C2 (ru) * | 2004-06-07 | 2006-06-20 | Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт газоразрядных приборов "Плазма" (ОАО "Плазма") | Способ изготовления трафаретной печатной формы (варианты) |
JP2006007567A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Shachihata Inc | 印判 |
US20070227383A1 (en) * | 2004-06-30 | 2007-10-04 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Soft Lithographic Stamp with a Chemically Patterned Surface |
EE200400117A (et) | 2004-10-19 | 2006-06-15 | Humal Leo-Henn | Meetod tindiga täidetava templi valmistamiseks jatempli tööorgan |
US7906058B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Bifurcated contact printing technique |
US8318253B2 (en) | 2006-06-30 | 2012-11-27 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US20080011834A1 (en) | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Kinkade Donald R | Job-site inspector communications and plan storage unit |
US20080271625A1 (en) | 2007-01-22 | 2008-11-06 | Nano Terra Inc. | High-Throughput Apparatus for Patterning Flexible Substrates and Method of Using the Same |
JP2009080434A (ja) * | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Ricoh Opt Ind Co Ltd | 光学素子製造方法および光学素子 |
CN103365077B (zh) | 2008-06-06 | 2016-06-08 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于软光刻的硅酮橡胶材料 |
JP5383110B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2014-01-08 | 株式会社東芝 | インプリント装置 |
JP5117318B2 (ja) * | 2008-08-07 | 2013-01-16 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | ナノインプリント用スタンパ及び該スタンパを使用する微細構造転写装置 |
CN101477304B (zh) * | 2008-11-04 | 2011-08-17 | 南京大学 | 在复杂形状表面复制高分辨率纳米结构的压印方法 |
NL2003600A (en) * | 2008-12-04 | 2010-06-07 | Asml Netherlands Bv | Imprint lithography apparatus and method. |
RU2544280C2 (ru) * | 2010-08-23 | 2015-03-20 | Ролит, Инк. | Маска для ближнепольной литографии и ее изготовление |
CN102385083B (zh) * | 2010-09-03 | 2014-09-03 | 株式会社Lg化学 | 毯及其制造方法、和滤色器衬底及其制造装置和方法 |
JP2013064836A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Olympus Corp | 微細構造形成用型および光学素子の製造方法 |
JP2013210504A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Dainippon Printing Co Ltd | 反射防止フィルムの製造方法 |
JP6205731B2 (ja) | 2012-07-20 | 2017-10-04 | シヤチハタ株式会社 | 多孔質印判の製造方法、多孔質印判、および多孔質印判の製造装置 |
DE102012112030A1 (de) | 2012-12-10 | 2014-06-12 | Ev Group E. Thallner Gmbh | Verfahren zum Mikrokontaktprägen |
TWI665078B (zh) | 2013-07-22 | 2019-07-11 | 皇家飛利浦有限公司 | 製造圖案化印模以圖案化輪廓表面之方法、供在壓印微影製程中使用之圖案化印模、壓印微影方法、包括圖案化輪廓表面之物件及圖案化印模用於壓印微影之用法 |
-
2015
- 2015-12-09 EP EP15805524.4A patent/EP3237971B1/en active Active
- 2015-12-09 RU RU2017126139A patent/RU2695290C2/ru active
- 2015-12-09 JP JP2017531580A patent/JP6398010B2/ja active Active
- 2015-12-09 BR BR112017013073A patent/BR112017013073A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2015-12-09 US US15/538,354 patent/US11086217B2/en active Active
- 2015-12-09 KR KR1020177020299A patent/KR102540395B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-09 CN CN201580070313.7A patent/CN107111226B/zh active Active
- 2015-12-09 WO PCT/EP2015/079048 patent/WO2016102185A1/en active Application Filing
- 2015-12-09 SG SG11201704948TA patent/SG11201704948TA/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2016102185A1 (en) | 2016-06-30 |
KR20170097180A (ko) | 2017-08-25 |
KR102540395B1 (ko) | 2023-06-07 |
US11086217B2 (en) | 2021-08-10 |
CN107111226B (zh) | 2021-04-13 |
EP3237971B1 (en) | 2021-11-17 |
RU2017126139A (ru) | 2019-01-25 |
US20180004084A1 (en) | 2018-01-04 |
RU2017126139A3 (ja) | 2019-05-21 |
EP3237971A1 (en) | 2017-11-01 |
BR112017013073A2 (pt) | 2018-01-02 |
CN107111226A (zh) | 2017-08-29 |
SG11201704948TA (en) | 2017-07-28 |
JP2018503251A (ja) | 2018-02-01 |
RU2695290C2 (ru) | 2019-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6398010B2 (ja) | パターン化されたスタンプの製造方法、パターン化されたスタンプ及びインプリント方法 | |
US11453232B2 (en) | Patterned stamp manufacturing method, patterned stamp imprinting method and imprinted article | |
JP4473233B2 (ja) | ソフトモールド及びその製造方法並びにこれを利用したパターニング方法 | |
US20110189329A1 (en) | Ultra-Compliant Nanoimprint Lithography Template | |
JP5282510B2 (ja) | マイクロコンタクトプリンティング(μCP)用スタンプの製造方法 | |
KR20170070099A (ko) | 임프린트용 템플릿 및 그 제조 방법 | |
US10201966B2 (en) | System and method for pad printing | |
JP2009087959A (ja) | インプリント用転写型、インプリント転写方法、インプリント装置、インプリント用転写型の製造方法およびインプリント転写物 | |
US20240157607A1 (en) | Nanocomposite mold for thermal nanoimprinting and method for producing the same | |
JP6529607B2 (ja) | 印刷用ブランケットの製造方法 | |
KR101165868B1 (ko) | 소프트몰드와 그 제조방법 | |
KR100966354B1 (ko) | 패턴 형성용 테프론 몰드 제조 방법 | |
KR20190005353A (ko) | 플렉서블 오프셋 인쇄판 및 이의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180105 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180320 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180417 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180615 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180823 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180903 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6398010 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |