JP6395736B2 - マイクロ波活性制御される位相(map)ゲート・システム、方法、およびデバイス - Google Patents

マイクロ波活性制御される位相(map)ゲート・システム、方法、およびデバイス Download PDF

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Description

連邦調査報告
本発明は、米国陸軍から授与された、契約書番号第W911NF−10−1−0324号の下での米国政府支援で行われた。米国政府は、本発明に一定の権利を有する。
本発明は量子コンピューティングに関し、より詳細には、2キュービット・マイクロ波活性制御される位相ゲート(two-qubit microwave-activated controlled phase gate)のためのシステムおよび方法に関する。
超伝導キュービットは、量子コンピューティングのための、量子ゲートの汎用的な組を生成するための実験的な制御において、最近著しく進展した。伝統的なアルゴリズムが、NANDゲートなどの汎用論理ゲートからどのようにして構築できるのかに類似して、全ての量子アルゴリズムは、量子ゲートの汎用的な組から組み立てることができる。そのような汎用的な組は、任意単一キュービット回転ゲート(arbitrary single qubit rotation gate)および2キュービット・エンタングル・ゲート(two-qubit entangling gate)を含むことが、理論的に証明された。これらのゲートの品質は、ゲート忠実度として知られる尺度により特徴付けられ、この数が単位元(unity)にどれだけ近いのかが、ゲートが入力状態の全部の組を理想的な出力状態にどれだけ良好にマッピングするのかを反映する。
基礎をなすキュービット・アーキテクチャが、実際に実装できるゲートを決定する。超伝導キュービットでは、単一キュービット・ゲートは単純であり、解決済みの問題である。これらは、キュービット遷移に対応する周波数で共振する、成形マイクロ波パルスにより生成され、0.999より良好なゲート忠実度が得られた。対照的に、それぞれが、それ自体の利点および欠点の組を有する、エンタングル・2キュービット・ゲートの、多くの異なる実装があった。これらのゲートのいくつかは、追加回路を含み、キュービットの複雑さを制御し、一方他のものは、適用される異なるマイクロ波制御信号の完全性について、厳しい要件を課している。今日まで、これらのアプローチは、成形マイクロ波単一キュービット・ゲートと同じ制御の容易さを提供していない。
したがって、当技術分野では、上述の問題に対処する必要がある。
例示的な実施形態は、筐体と、筐体内に配設される少なくとも2つのキュービットと、筐体内に配設され、少なくとも2つのキュービットに結合される共振器バスとを含むデバイスであって、少なくとも2つのキュービットが固定周波数で維持され、共振器バスを介して互いに静的に結合され、エネルギ・レベル|03>と|12>が厳密に整合され、キュービットに適用される同調マイクロ波信号(tuned microwave signal)が2キュービット位相相互作用を活性化するデバイスを含む。
さらなる例示的な実施形態は、マイクロ波活性制御される位相ゲート・システムであって、筐体と、筐体内に配設される共振器バスと、筐体内に配設される第1のキュービットと、筐体内に配設され共振器バスを介して第1のキュービットと結合される第2のキュービットとを含み、エネルギ・レベル|03>と|12>が厳密に整合され、システムに適用される同調マイクロ波信号が2キュービット・エンタングル・ゲートを活性化するシステムを含む。
さらなる例示的な実施形態は、マイクロ波活性制御される位相ゲート・システムであって、筐体と、筐体内に配設される共振器バスと、筐体内に配設される第1のキュービットと、筐体内に配設され共振器バスを介して第1のキュービットと結合される第2のキュービットとを含み、第1および第2のキュービットがトランスモン・キュービット(transmon qubit)であるシステムを含む。
さらなる例示的な実施形態は、マイクロ波活性制御される位相ゲート方法であって、第1のキュービットを第2のキュービットに共振器バスを介して結合し、それによりマイクロ波活性制御される位相ゲートを生成することであって、|03>エネルギ・レベルが|12>エネルギ・レベルに等しい、生成することと、マイクロ波活性制御される位相ゲートを同調することと、継続時間Tの範囲にわたり掃引することにより時間Tgateを選択することと、マイクロ波活性制御される位相ゲートを介して2キュービット結合システムを確立することとを含む方法を含む。
さらなる例示的な実施形態は、マイクロ波活性制御される位相ゲート方法であって、第1のキュービットを第2のキュービットに共振器バスを介して結合することであって、|03>エネルギ・レベルが|12>エネルギ・レベルに等しい、結合することと、およそ第2のキュービットの|1>から|2>への遷移の駆動周波数で、第1のキュービットに交差共振のやり方でマイクロ波駆動信号を適用することとを含み、マイクロ波駆動信号が半分に分割され、πパルスが第1および第2のキュービットに適用され、分割されるマイクロ波駆動信号の間に挿入されて、さらなる位相エラーを除去する、方法を含む。
さらなる特徴および利点が、本発明の技法を通して実現される。本発明の他の実施形態および態様は、本明細書に詳細に記載され、特許請求される発明の一部と考えられる。利点および特徴を備える本発明のより良好な理解のため、記載および図面を参照されたい。
本発明は、ここで、以下の図に示されるように、好ましい実施形態を参照して、単に例として記載されることとなる。
従来技術にしたがい、本発明の好ましい実施形態が実装され得る、例示的な固定周波数エンタングル2キュービット・ゲート・システムを示す図である。 従来技術にしたがい、本発明の好ましい実施形態が実装され得る、例示的なエネルギ・レベル図である。 本発明の好ましい実施形態にしたがう、例示的な固定周波数エンタングル2キュービット・ゲート・システムを同調して動作させる方法を示す流れ図である。 本発明の好ましい実施形態にしたがう、MAPゲート時間を決定するためのプロトコルを描く図である。 本発明の好ましい実施形態にしたがう、図4のMAPゲート時間のわずかに異なる形態を描く図である。 本発明の好ましい実施形態にしたがう、1組のキュービットのための、MAP相互作用調整に対応するデータを示す図である。
例示的な実施形態では、本明細書に記載されるシステムおよび方法は、マイクロ波共振器バスを介して静的に結合される、2つのキュービット間の、固定周波数エンタングル2キュービット・ゲートを含む。図1は、例示的な固定周波数エンタングル2キュービット・ゲート・システムであるシステム100を示す。図1は、多数の実施形態が意図されることを説明するための、簡略化したシステム・レベル図を示す。システムは、限定するものではないが、アルミニウム(Al)が挙げられる、任意の好適な超伝導または非超伝導材料であってよい、筐体105を含む。システム100は、筐体105内に配設される共通共振器駆動線110をさらに含む。システム100は、互いに結合され、筐体105および共通共振器駆動線110に結合されるキュービット115、120をさらに含む。例示的な実施形態では、キュービットは、トランスモン型超伝導ジョセフソン接合であってよい。トランスモン・キュービットは、キュービット容量を大きくすることにより、電荷に対し不感受性にされる超伝導キュービットである。容量およびジョセフソン・インダクタンスを調節する(両方は、製造およびデバイス形状を通して決定される)ことによって、キュービット容量に関連する特性エネルギ(Ec)およびキュービット・インダクタンスに関連する特性エネルギ(Ej)は、Ej>>Ecを満足する。他の例示的な実施形態では、他のタイプのキュービットが意図されることを理解することができる。キュービット115、120は、限定するものではないが、シリコンベースの核スピン、トラップされたイオン、キャビティ量子電気力学素子、核スピン、量子ドット中の電子スピン、超伝導ループおよびジョセフソン接合、液体状態核磁気共鳴(NMR)、液体ヘリウムの表面上に浮遊する電子を含む、任意の好適なキュービット・システムであってよいことが理解されよう。
例示的な実施形態では、本明細書でさらに理解するように、システム100は、いくつかの品質を含む。例示的な実施形態では、システム100は、固定周波数であってよい、キュービット115、120の、全マイクロ波制御機構を含む。システム100は、高忠実度単一キュービット・ゲートのために、かなりのキュービット分離を有し、2キュービット・ゲートの速度を犠牲にすることなく、より高いレベルへとリークを回避する。システム100は、2キュービット位相ゲートとして機能する能力を有する。システム100は、共通共振器駆動線110を含む、2つのキュービット115、120のいずれかをアドレス指定する任意の線を介して駆動可能である。共通共振器駆動線110を実装することによって、各キュービット115、120用のオンチップの明示的なマイクロ波駆動線の必要がなくなり、回路を著しく簡略化する。
従来では、超伝導キュービットについて、複数の実験的に具体化された2キュービット・ゲートがあった。それらの機能、実装、利点、および欠点が、ここで記載される。ISWAPゲートでは、2つの同調可能超伝導キュービット(例えば、スプリット対クーパー対ボックス(split-pair Cooper pair box)、磁束キュービット、スプリット対トランスモン(split-pair transmon)、位相キュービット)が、回路要素(例えば、コンデンサ、相互誘導器、共通マイクロ波共振器)を介して明示的に結合される。結合相互作用は、キュービット・エネルギ・レベルを磁束を介して同調することを通して、効果的にオンにされる。単一キュービット動作モードでは、2キュービットのグランド−励起状態エネルギ・レベルは、互いに離調される。2キュービットISWAPゲートは、2つのキュービット間の完全スワッピング相互作用(full swapping interaction)に等しい相互作用時間の間、2つのキュービットを互いに共振へと動的に同調することを含む。ISWAPゲートおよび単一のキュービット・ゲートは一緒に、複雑な量子回路を導出することができ、ベル状態などのエンタングル状態を生成する、ゲートの汎用的な組を形成する。本方式の利点は、(1)キュービットが非常に良好に減結合され、良好な単一キュービット制御を可能にする領域で、オフを開始する能力、および(2)相互作用の速い起動が、非常に短い、すなわち10〜100nsとなることができるゲート時間をもたらすことである。本方式の欠点は、(1)ゲート期間または他の動作状況のいずれかにおける磁束ノイズに起因してコヒーレント時間の減少をもたらし得る、同調可能超伝導キュービットが必要であること、(2)キュービットの非調和エネルギ・レベルの存在が、しばしば、同調周波数をおよそ困難にすること、というのは、非調和エネルギ・レベルの存在は、不要な遷移またはより高いレベルの相互作用をもたらす可能性があるからであり、(3)希釈冷凍機および制御電子機器内部に複雑な追加回路もたらす可能性がある、数百MHz帯域を有するオンチップの速い磁束バイアス線が必要であることである。
別の従来型の手法は、動的制御される位相ゲートであり、2つの同調可能超伝導キュービット(すなわち、スプリット対トランスモン、容量的にシャントされた磁束キュービット、および位相キュービット)が、回路要素(コンデンサ、相互誘導器、共通マイクロ波共振器)を介して明示的に結合される。動的ISWAPと同様に、結合相互作用は、磁束を介するが、異なる共振条件を介してキュービット・エネルギ・レベルを同調することを通して、効果的にオンにされる。単一キュービット動作モードでは、2キュービットのグランド−励起状態エネルギ・レベルは、再び互いから離調される。しかし、この2キュービット・ゲートは、|11>状態(キュービット1がn励起、キュービット2がm励起を表す、表記法|nm>を発明者らは使用し、両方のキュービットが、それらの第1の励起状態である状態)のエネルギ・レベルを、|02>または|20>状態(キュービットのうちの一方が第2励起状態にあり、他方のキュービットがグランド状態である状態)を有する共振に動的に同調することを含む。この同調は、磁束を介して再び実施され、|11>状態で180度位相シフトを正確にピックアップするという制約のみをもって、ゆっくり(断熱的に)または速く行うことができる。この技法は、簡単なラムゼー縞のような実験を介して校正およびチューンアップすることができる。本方式の利点は、(1)キュービットが非常に良好に減結合され、良好な単一キュービット制御を可能にする領域で、オフを開始する能力、(2)相互作用の速い起動が、非常に短い、すなわち10〜100nsとなることができるゲート時間をもたらすこと、および(3)2キュービット位相ゲートとして、単一キュービット位相誤差が残余誤差になりやすいが、これは、スピン−エコーのようなシーケンスで容易に軽減されることである。本方式の欠点は、(1)ゲート期間または他の動作状況のいずれかにおける磁束ノイズに起因してコヒーレント時間の減少をもたらし得る、同調可能超伝導キュービットが必要であること、(2)このゲートは非調和エネルギ・レベルに明示的に依拠するが、キュービットの他のエネルギ・レベルの存在が、依然として、同調周波数をおよそ手に負えなくすること、というのは、他のエネルギ・レベルの存在は、不要な遷移またはより高いレベルの相互作用をもたらす可能性があるからであること、(3)希釈冷凍機および制御電子機器内部に複雑な追加回路をもたらす可能性がある、数百MHz帯域を有するオンチップの速い磁束バイアス線が必要であること、(4)非断熱プロトコルでは、磁束バイアスは非常に速く行われる必要があるが、より高いレベルのリークに起因して速すぎずに行われる必要があり、このことが、制御を困難にし、いくつかの場合では不可能にしていることである。
別の従来型の手法は、固定周波数側波帯ゲートであり、同調可能または固定周波数のいずれかであってよい2つの超伝導キュービットが、共通マイクロ波量子バス共振器を介して明示的に結合される。本方式は、キュービットがグランド状態であり、共振器内に光子がない、|0、n=0>と、キュービットが励起状態であり、1光子が共振器内にある、|1、n=1>との間の遷移に対応する、青色側波帯遷移を配置することを必要とする。この遷移は、2光子プロセスを介して、キュービットの各々で直接的に駆動されてよく、両方のキュービットで見いだされなければならない。CNOTへのこれらの側波帯パルスの組合せももたらすエンタングル・ゲートは、5つの側波帯パルスおよびいくつかの単一キュービット・ゲートで実施される。本方式の利点は、(1)単一接合トランスモンなどの固定周波数キュービット、またはコヒーレント時間を最適化することができる対称な点にバイアスされた磁束キュービットを使用できること、および(2)2キュービット・ゲートが組み立てられ、単一キュービット・ゲートで使用されるものと同じハードウェアで制御することができる、全マイクロ波制御手段である。本方式の欠点は、(1)共振器を直接的に装着することを含む遷移の使用が、ゲート期間に追加の減衰チャネルをもたらすこと、(2)より速いゲート時間(100ns未満の範囲)のために、キュービットが共振器にとても強く結合されなければならず、このことが、より高いパーセル制限された緩和率(Purcell-limited relaxation rate)をもたらす可能性があること、および(3)各キュービットにオンチップの明示的なマイクロ波駆動線を必要とし、このことが、異なるマイクロ波信号についての追加のクロストーク問題を引き起こす可能性があることである。
別の従来型の手法は、固定周波数交差共振ゲート(cross resonancegate)であり、同調可能または固定周波数のいずれかであってよい2つの超伝導キュービット(AおよびB)が、回路要素(コンデンサ、相互誘導器、共通マイクロ波量子バス共振器)を介して明示的に結合される。各キュービットは、それ自体のマイクロ波駆動線を有する。2つのキュービットは、ゼロでなく小さい残存2キュービット直接結合相互作用、J_effがあるが、高忠実度単一キュービット動作を可能にするのに十分な周波数で分離されるような領域で動作される。直接容量性結合またはバス共振器を介する場合、J_effは、両方のキュービットが互いに共振近くであるときに最大であるが、しかし、この配置構成は、単一キュービット・ゲートを実施するのに有害な可能性がある。制御されるNOTゲートを生成する2キュービット・ゲートは、キュービットAを、キュービットBのグランド−励起状態遷移周波数で駆動することにより実施される。この方式では、キュービットAが制御機構として働き、キュービットBがターゲット・キュービットとして働く。相互作用は、キュービットBに、単一キュービットπ/2励起を適用し、交差共振マイクロ波駆動をオンにし、制御キュービットAをそのグランドまたは励起状態のいずれかにすることにより観測することができる。2つの実験からの発振の違いによって、相互作用強度が得られ、半周期の発振が、制御されるNOTゲートをもたらす。本方式の利点は、(1)単一接合トランスモンなどの固定周波数キュービット、またはコヒーレント時間を最適化することができる対称な点にバイアスされた磁束キュービットを使用できること、(2)2キュービット・ゲートが組み立てられ、単一キュービット・ゲートで使用されるものと同じハードウェアで制御することができる、全マイクロ波制御手段、(3)より多くのキュービットについて簡単に拡張可能な方式であること、(4)非最近接周波数隣接キュービットを結合できることである。本方式の欠点は、(1)高忠実度単一キュービット・ゲートも可能とされる周波数位置にキュービットが置かれるとき、ゲート時間が遅い(およそ100〜500ns)可能性があること、および(2)各キュービットにオンチップの明示的なマイクロ波駆動線を必要とし、このことが、異なるマイクロ波信号についての追加のクロストーク問題を引き起こす可能性があることである。
例示的な実施形態では、本明細書に記載されるシステムおよび方法は、動的なc位相ゲートとは異なり、より高いレベルと計算状態(すなわち、|00>、|01>、|10>、または|11>)との間の共振条件を必要としない、2つのキュービットのより高いレベルの存在に依拠する。もっと正確に言えば、キュービット115、120の設計を注意深く制御すること(すなわち、キュービット容量およびジョセフソン接合臨界電流を制御すること)により、2つの異なるキュービット・エネルギ・レベルを調製して、より高いレベルの非計算状態のみを含む共振条件を経験することが可能である。
図2は、2つのキュービット・レベル|12>、201と|03>、202を整合させる、または整合に近づけることにより生成される、(例えば、図1のシステム100の中の)2つのマルチレベル超伝導キュービット上の、マイクロ波活性制御される位相(MAP)ゲートに対応する、例示的なエネルギ・レベル図200を示す。エネルギ・レベル201、202が縮退または縮退に近いとき、強度Jで相互作用103が存在し得る。相互作用103は、エネルギ差AとB(205と標示される)が異なるように働き、このことによって、AまたはB遷移の周波数に近いマイクロ波のトーンがシステム100に適用されると、2キュービット部分空間204に基づく状態|11>に位相ゲートをもたらし、2キュービットc位相ゲートを生成する。そのため、図2は、|03>に対応するエネルギを|12>に対応するエネルギに整合する、例示的な設計構成を示す。これらの状態のどちらも、2つのキュービットの計算状態ではなく、このことは、この固定されたより高次の結合の存在は、アイドル状態のキュービットに何もしないことを意味する。しかし、|12>と|11>の間のエネルギの差が|02>と|01>の間のエネルギの差と異なっている結果、キュービットが|11>状態にあるときピックアップされる位相の量が、他の状態のいずれかであるときの量と異なるので、|01>から|02>への遷移に対応する周波数(キュービット2についてf_12)近くにシステムを駆動すると2キュービット相互作用がオンにされる。位相の差がπに等しいと、制御される位相ゲートが実施された。ゲートは、完全にマイクロ波活性制御される位相(MAP)ゲートであり、2キュービット相互作用は、適切なマイクロ波放射が適用されるときにのみ経験される。さらに、このマイクロ波制御は、(各キュービットが対応する制御線を有する場合に)いずれかのキュービット、またはキュービットを結合するキャビティに適用することができる。
ACシュタルク効果は、振幅(Ω)を有する外部駆動の存在による、システムのエネルギ・レベルのシフトである。レベルは、外部駆動の累乗(Ω)を、レベル遷移周波数(ω+δn)と駆動周波数ωの差で割ったものに等しい量だけシフトする。システム100の非調和性は、δにより表される。超伝導キュービット(または、等価なダフィング振動子タイプ・システム)について、n番目のエネルギ・レベルは、以下の式にしたがってシフトする。
Figure 0006395736

これは、以下の式のキュービット空間内の位相シフトをもたらす。
Figure 0006395736
式2の数式から、このシフトは、キュービットの有効非調和性を変えることにより制御することができる。これが、別のキュービットの状態を条件として行うことができる場合、条件付き位相ゲートが達成される。|12>レベルが|03>レベルと共振される場合、キュービット周波数は、影響を受けないままとなる。しかし、これら2つのレベルは、回避交差を有し、第2のキュービットの有効非調和性は、δ−>δ−ζにしたがって変化し、ここで、
Figure 0006395736

であり、Δは、2つのキュービット間の離調である。キュービット間の離調が第2のキュービットの非調和性の2倍の負数に等しいとき式3が最大値を有し、この動作点において、第1のキュービット状態に条件付けられた位相間の差が、MAPゲートの比率を与える。
Figure 0006395736
典型的な値、Jについて、式4は、100ns〜1μsの範囲のゲート時間を有することができる。ゲート時間は、パルス整形を介してより速くすることができるが、典型的な値について、数十ナノセカンド程度の短さである可能性がある、基本的な制限を有する。
例示的な実施形態では、第1のキュービットへの直接的な、第2のキュービットの1から2の遷移における駆動を適用することにより、ゲートへの修正がなされ得る。これは、交差共振方式によく似ているが、しかし、非調和性の差から達成される条件付き位相効果を依然として提供し、間接的な駆動を介して第2のキュービットのエネルギ部分空間からの直接的なリークの減少を可能にする。
ゲートの別の変形形態は、全ゲート時間を半分2つに分割し、両方のキュービット上にπパルスを中間に挿入することである。このパルス挿入は、動的な単一キュービット位相に再集束させるよう働き、これは、両方のキュービットからの共振外ACシュタルク駆動におけるMAPゲートの作用結果としてキュービットによりピックアップされる。この反復されるシーケンスによって、補償するための任意の他の追加の単一キュービット・ゲートを適用する必要なしに、c位相ユニタリ・ゲートの調整をより簡単に行う。
図3は、例示的な実施形態にしたがう、例示的な固定周波数エンタングル2キュービット・ゲート・システム(例えば、図1のシステム100)を同調して動作させる方法300の流れ図を示す。
全体的なマイクロ波活性制御される位相ゲートは、上に記載されたように、かなり一般的であってよいが、以下は、トランスモン・キュービットが|12>との|03>整合を有するように意図的に設計された状況を調整するための、実装プロトコルである。
ブロック310において、システム100が確立される。例示的な実施形態では、システム100は、2つのトランスモン・キュービットについて、|03>エネルギ・レベルが|12>エネルギ・レベルに等しいように設計される。両方のキュービットが同じ非調和性Ecを有するように設計されると仮定すると、この条件は、|10>遷移周波数が、|01>遷移周波数から2Ec離調されるように意図することにより、最も良好に達成される。
ブロック320において、MAPゲートは、最適MAPゲート時間を決定するためのプロトコル400を描く、図4に示されるパルス方式を適用することにより調整される。実験401および402の各々で、シーケンスは、第2のキュービットの|1>から|2>遷移に近接しなくてはならない周波数w12でマイクロ波駆動をサンドイッチする、第2のキュービットに適用されるπ/2パルスからなる。これらの実験はラムゼー縞のようなパターンをもたらすが、第1のキュービットがその励起状態である場合に実験402により縞が得られ、第1のキュービットがそのグランド状態である場合に実験401により縞が得られるという違いだけがある。2つの実験401、402の間の第1のキュービットの状態は、何もしないこと、またはπパルスを適用することのいずれかにより設定される。MAPパルスの時間tが変えられて、いつ2つの実験401、402の間の縞の位相が正確に180度ずれるのかによって、最適ゲート時間Tgateが、特定の駆動強度Aおよび特定のマイクロ波周波数w12について決定される。ゲートのこのシーケンスでは、MAPゲートは、キュービットのいずれかに直接、または共通バス共振器駆動上に適用することができることに留意されたい。
例示的な実施形態では、第1のキュービットが、そのグランド状態|00>または励起状態|10>のいずれかであり、第2のキュービットに最初に90度(π/2)パルスが適用され、その後に、第2のキュービットについて、振幅Aおよび継続時間Tを有し、f_12に近い周波数fでマイクロ波トーンが続き、次いで、第2のキュービットに別の90度パルスが後に付け加えられる。fおよびAを選択し、継続時間Tの範囲にわたり掃引することにより、第1のキュービットの初期状態に応じて異なる縞パターン(ラムゼーのような実験)が観測されることになる。縞が正確にπだけ位相がずれるTの点がMAPゲート時間Tgateに対応する。
再び図3を参照して、ブロック330において、f0およびA0を与えると、Tgateが、異なるfおよびAについて得られ、継続時間の短さおよび縞パターンのコントラストについて最適化される。
ブロック340において、任意の2キュービット状態が得られる。例示的な実施形態では、所与のf0、A0、およびTgateがMAPゲートを規定し、MAPゲートは、ここで、両方のキュービット上で単一キュービット・ゲートと一緒に使用して、任意の2キュービット状態を作ることができる。
図5は、ゲートのわずかに異なる形態を描き、ここで、MAPゲート(キュービット2の|1>から|2>とほぼ共振)は、2つのセクション501に実際に分割され、両方のキュービット502に適用され、交差共振のやり方で第1のキュービット上にも適用されるπパルスにより割り込まれる。MAPゲートの半分2つの間のπパルスは、再集束するように働き、残りの単一キュービットZがいずれかのキュービット上でゲートする。これらのエコーのようなシーケンスが、c位相ゲートの調整の複雑さを減らしている。
図6は、|12>エネルギ・レベルと|03>エネルギ・レベルの間の相互作用を経験する、1対のキュービットについてのMAP相互作用調整に対応するデータを示す。レベル601および602は、図5のパルス・シーケンスを適用する一方、周波数w12およびMAPゲートの長さを変化させた結果を示す。レベル601は、キュービット1がその励起状態で開始する場合であり、レベル602は、第1のキュービットがそのグランド状態で開始する場合であるが、両方の場合で縞が観測される。周波数5.43GHzにおけるスライスによって、603に示されるトレースが得られ、ここで、517nsでゲート時間を見いだすことができる。
本明細書において使用する用語は、特定の実施形態を記載することのみを目的としており、本発明を限定することを意図していない。本明細書において使用するとき、文脈上の明確な別段の指示がない限り、単数形「a」「an」および「the」は、複数形を同様に含むことを意図している。本明細書において使用するとき、用語「備える、含む(comprises)」または「備えている、含んでいる(comprising)」あるいは両方の組合せは、述べた特徴、整数、ステップ、動作、要素、または構成要素あるいはこれらの組合せが存在することを明示するが、1つまたは複数の他の特徴、整数、ステップ、動作、要素、構成要素、またはそのグループあるいはこれらの組合せの存在または追加を排除しないことをさらに理解されよう。
請求項内の全てのミーンズ・プラス・ファンクション要素またはステップ・プラス・ファンクション要素の対応する構造、材料、働き、および等価物は、他の特許請求される要素と組み合わせて、具体的に特許請求されるものとして、機能を実施するため、任意の構造、材料、または働きを含むことが意図される。本発明の記載は、説明および記載のために提示されたが、網羅的であること、または、開示された形式での発明に限定することを意図していない。本発明の範囲および思想から逸脱することなく、多くの変更形態および変形形態が、当業者には明らかであろう。様々な変更形態を備える様々な実施形態が意図された具体的な使用に適するので、実施形態は、本発明の原理および実践的な適用を最もよく説明するため、および当業者が本発明を理解することが可能となるために、選択され記載された。
本明細書に描かれた流れ図は、ほんの1つの例である。本発明の思想から逸脱することなく、こうした図面またはそこに記載されたステップ(または動作)には、多くの変形形態が存在する可能性がある。例えば、ステップは、異なる順序で実施することができ、またはステップは、追加、削除、または変更することができる。これらの変形形態の全ては、特許請求される発明の一部と考えられる。
本発明の好ましい実施形態が記載されてきたが、当業者なら、現在および将来の両方において、特許請求の範囲に含まれる様々な改良および拡張を行うことができることを理解されよう。これらの請求項は、最初に記載した本発明に対して、適切に保護し続けるとみなされるべきである。

Claims (23)

  1. デバイスであって、
    筐体と、
    前記筐体内に配設される少なくとも2つのキュービットと、
    前記筐体内に配設され、前記少なくとも2つのキュービットに結合される共振器と
    を備え、
    前記少なくとも2つのキュービットが、固定周波数で維持され、前記共振器を介して互いに静的に結合され、
    エネルギ・レベル|03>とエネルギ・レベル|12>が厳密に整合され、
    前記キュービットに適用される同調マイクロ波信号が2キュービット位相相互作用を活性化する、デバイス。
  2. 前記少なくとも2つのキュービットが、前記共振器からのマイクロ波を介して制御される、請求項1に記載のデバイス。
  3. 前記同調マイクロ波信号が、エネルギ・レベル|01>とエネルギ・レベル|02>の周波数差に対応する、請求項1または2に記載のデバイス。
  4. 前記少なくとも2つのキュービットが、マイクロ波活性制御される位相(MAP)ゲートを介して相互作用する、請求項1ないし3のいずれかに記載のデバイス。
  5. 前記同調マイクロ波信号に起因して、2キュービット|11>状態が|01>状態と|10>状態の和と異なるときに、マイクロ波活性位相が生成される、請求項4に記載のデバイス。
  6. 前記同調マイクロ波信号が適用されると、|12>と|11>の間のエネルギ差が|02>と|01>のものとは異なる、請求項5に記載のデバイス。
  7. 位相の差がπに等しいことに応じて、制御される位相ゲートが実施される、請求項6に記載のデバイス。
  8. 前記少なくとも2つのキュービットの各々がトランスモン・キュービットである、請求項1ないし7のいずれかに記載のデバイス。
  9. マイクロ波活性制御される位相(MAP)ゲート・システムであって、
    筐体と、
    前記筐体内に配設される共振器と、
    前記筐体内に配設される第1のキュービットと、
    前記筐体内に配設され、前記共振器を介して前記第1のキュービットと結合される第2のキュービットと
    を備え、
    エネルギ・レベル|03>とエネルギ・レベル|12>が厳密に整合され、
    前記キュービットに適用される同調マイクロ波信号が2キュービット位相相互作用を活性化する、システム。
  10. 前記少なくとも2つのキュービット間の前記結合が、遷移周波数におけるマイクロ波駆動により活性化される、請求項9に記載のシステム。
  11. 前記適用されたマイクロ波駆動周波数が、|01>から|02>への遷移に対応する、請求項10に記載のシステム。
  12. マイクロ波活性制御される位相(MAP)ゲート・システムであって、
    筐体と、
    前記筐体内に配設される共振器と、
    前記筐体内に配設される第1のキュービットと、
    前記筐体内に配設され、共振器駆動線を介して前記第1のキュービットと結合される第2のキュービットと
    を備え、
    前記第1および第2のキュービットがトランスモン・キュービットであり、
    |03>エネルギ・レベルが|12>エネルギ・レベルに等しい、システム。
  13. 前記第1のキュービットが、グランド状態|00>および励起状態|10>のうちの少なくとも一方である、請求項1に記載のシステム。
  14. 前記第2のキュービットにπ/2マイクロ波パルスと、その後に続く|01>から|02>への遷移に対応する周波数におけるマイクロ波駆動が適用される、請求項1に記載のシステム。
  15. 適用される前記マイクロ波駆動に応答して、前記第1のキュービットが|00>または|10>であるときの間、前記第2のキュービット上の位相の差がπに等しいとき、制御される位相ゲートが実施される、請求項1に記載のシステム。
  16. マイクロ波活性制御される位相(MAP)ゲート方法であって、
    第1のキュービットを第2のキュービットに共振器線バスを介して結合し、それによりMAPゲートを生成することであって、|03>エネルギ・レベルが|12>エネルギ・レベルに等しい、前記生成することと、
    前記MAPゲートを同調することと、
    継続時間Tの範囲にわたり掃引することにより時間Tgateを選択することと、
    前記MAPゲートを介して2キュービット結合システムを確立することと
    を含む、方法。
  17. 前記MAPゲートを同調することが、前記第2のキュービットにπ/2パルスを適用することを含む、請求項1に記載の方法。
  18. 前記π/2パルスが、前記第2のキュービットの|1>から|2>への遷移における駆動周波数を確立する、請求項1に記載の方法。
  19. 前記第1のキュービットが、グランド状態|00>および励起状態|10>のうちの少なくとも一方である、請求項1ないし1のいずれかに記載の方法。
  20. 前記第2のキュービットにπ/2マイクロ波パルスを適用することをさらに含む、請求項19に記載の方法。
  21. マイクロ波活性制御される位相(MAP)ゲート方法であって、
    第1のキュービットを第2のキュービットに共振器線バスを介して結合することであって、|03>エネルギ・レベルが|12>エネルギ・レベルに等しい、前記結合することと、
    前記第2のキュービットの|1>から|2>への遷移における駆動周波数で、前記第1のキュービットに交差共振のやり方でマイクロ波駆動信号を適用することとを含み、
    前記マイクロ波駆動信号が半分に分割され、πパルスが前記第1および第2のキュービットに適用され、前記分割されるマイクロ波駆動信号の間に挿入されて、さらなる位相エラーを除去する、方法。
  22. 継続時間Tの範囲にわたり掃引することにより前記MAPゲートを同調することをさらに含む、請求項2に記載の方法。
  23. MAPプロトコルに起因して前記第2のキュービットにより、π位相シフトを受けるとき、2キュービット制御される位相ゲートが達成される、請求項2に記載の方法。
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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015178991A2 (en) * 2014-02-28 2015-11-26 Rigetti & Co., Inc. Operating a multi-dimensional array of qubit devices
PL3198348T3 (pl) 2014-09-24 2020-10-05 Quantum Valley Investment Fund LP Generowanie sekwencji sterującej do sterowania kwantowego
US10248491B1 (en) 2015-05-29 2019-04-02 Rigetti & Co, Inc. Quantum computing in a three-dimensional device lattice
US9524470B1 (en) 2015-06-12 2016-12-20 International Business Machines Corporation Modular array of vertically integrated superconducting qubit devices for scalable quantum computing
US10170680B2 (en) 2015-09-16 2019-01-01 International Business Machines Corporation Qubits by selective laser-modulated deposition
US9503063B1 (en) 2015-09-16 2016-11-22 International Business Machines Corporation Mechanically tunable superconducting qubit
CA3003695C (en) * 2015-10-29 2020-10-27 Google Llc Removing leakage in a quantum bit
EP4354357A2 (en) * 2015-11-06 2024-04-17 Google LLC Controller for individual qubit excitation control
WO2017111949A1 (en) 2015-12-22 2017-06-29 Rigetti & Co., Inc. Operating a coupler device to perform quantum logic gates
US10467544B2 (en) 2015-12-31 2019-11-05 International Business Machines Corporation Multi-qubit tunable coupling architecture using fixed-frequency superconducting qubits
US10352992B1 (en) * 2016-01-11 2019-07-16 Rigetti & Co, Inc. Quantum error-correction in microwave integrated quantum circuits
CN108780129B (zh) 2016-02-12 2021-03-23 耶鲁大学 用于控制量子系统的技术及相关系统和方法
US10763420B2 (en) 2016-06-13 2020-09-01 Intel Corporation Josephson Junction damascene fabrication
US10748961B2 (en) 2016-07-01 2020-08-18 Intel Corporation Interconnects below qubit plane by substrate bonding
US11361240B2 (en) 2016-07-01 2022-06-14 Intel Corporation Flux bias lines below qubit plane
WO2018004635A1 (en) 2016-07-01 2018-01-04 Intel Corporation Interconnects below qubit plane by substrate doping
JP6542165B2 (ja) * 2016-07-15 2019-07-10 株式会社東芝 計算装置及びサンプリング方法
EP3300004A1 (en) * 2016-09-27 2018-03-28 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method for executing a quantum error correction cycle in a quantum computer
WO2018063168A1 (en) * 2016-09-28 2018-04-05 Intel Corporation On-chip frequency tuning of resonator structures in quantum circuits
US10176432B2 (en) * 2017-03-07 2019-01-08 International Business Machines Corporation Weakly tunable qubit based on two coupled disparate transmons
US9978020B1 (en) 2017-03-29 2018-05-22 International Business Machines Corporation Optimizing physical parameters in fault-tolerant quantum computing to reduce frequency crowding
WO2018236922A1 (en) 2017-06-19 2018-12-27 Rigetti & Co, Inc. QUANTITIC LOGIC DOORS WITH PARAMETRIC ACTIVATION
US10528885B2 (en) * 2017-09-29 2020-01-07 International Business Machines Corporation Cross-resonance fan-out for efficiency and hardware reduction
US10374612B1 (en) 2017-10-06 2019-08-06 Rigetti & Co, Inc. Ancilla qubit devices in a superconducting quantum processor
US11004009B2 (en) * 2018-01-04 2021-05-11 University Of Maryland, College Park Optical control of atomic quantum bits for phase control of operation
CA3085955A1 (en) * 2018-01-05 2019-08-15 Yale University Hardware-efficient fault-tolerant operations with superconducting circuits
US10847705B2 (en) 2018-02-15 2020-11-24 Intel Corporation Reducing crosstalk from flux bias lines in qubit devices
US10354198B1 (en) * 2018-03-21 2019-07-16 International Business Machines Corporation Fast quantum gates with first-order transitions via frequency-modulated tunable coupling element
US10423888B1 (en) 2018-06-07 2019-09-24 International Business Machines Corporation Frequency allocation in multi-qubit circuits
CN112513660A (zh) 2018-07-25 2021-03-16 量子谷投资基金有限合伙公司 非线性共振器的模型不敏感控制
US11513552B2 (en) 2018-12-21 2022-11-29 Intel Corporation Apparatus and method for dynamically adjusting quantum computer clock frequency with a locking pulse
AU2019433194B2 (en) * 2019-03-05 2023-03-16 Google Llc Non-adiabatic implementation of an iswap quantum logic gate
US10892398B2 (en) * 2019-03-28 2021-01-12 Johannes Pollanen Qubit hardware for electrons on helium
US10733524B1 (en) * 2019-05-09 2020-08-04 Honeywell International Inc. Quantum D-state AC-Stark shift gate
US10997522B1 (en) * 2019-12-10 2021-05-04 Honeywell International Inc. Suppressing/transforming leakage errors in hyperfine qubits
DE102020201688B3 (de) 2020-02-11 2021-07-29 Forschungszentrum Jülich GmbH Schaltkreis mit gekoppelten Qubits mit unterschiedlich anharmonischem Energiespektrum
CN115867924A (zh) 2020-08-26 2023-03-28 于利希研究中心有限公司 用于操作具有第一和第二量子比特的电路的方法
DE102020122245A1 (de) 2020-08-26 2022-03-03 Forschungszentrum Jülich GmbH Verfahren für den Betrieb eines Schaltkreises mit einem ersten und einem zweiten Qubit
US11183989B1 (en) 2020-10-06 2021-11-23 International Business Machines Corporation Electrical circuits for leakage reduction units
CN112884155B (zh) * 2021-03-02 2023-08-25 清华大学 一种实现量子逻辑门的方法及装置
WO2023105434A1 (en) * 2021-12-08 2023-06-15 Yeda Research And Development Co. Ltd. Robust multi-qubit gates for quantum computing

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4647748B2 (ja) * 2000-06-12 2011-03-09 キヤノン株式会社 暗号化装置及び方法、ならびに通信方法及びシステム
EP1310910A1 (en) 2001-11-13 2003-05-14 Dieter Prof. Dr. Suter A method and system for quantum computation
US6605822B1 (en) * 2002-03-16 2003-08-12 D-Wave Systems, Inc. Quantum phase-charge coupled device
US6900454B2 (en) 2002-04-20 2005-05-31 D-Wave Systems, Inc. Resonant controlled qubit system
EP1380991A1 (en) * 2002-07-08 2004-01-14 STMicroelectronics S.r.l. Method and relative quantum gate for running a Grover's or Deutsch-Jozsa's quantum algorithm
AU2002950888A0 (en) * 2002-08-20 2002-09-12 Unisearch Limited Quantum device
JP4374444B2 (ja) * 2003-03-13 2009-12-02 独立行政法人科学技術振興機構 原子デバイス
US7230266B2 (en) 2003-05-15 2007-06-12 D-Wave Systems Inc. Conditional Rabi oscillation readout for quantum computing
JP4408079B2 (ja) * 2004-12-03 2010-02-03 日本電信電話株式会社 量子回路及び複数の量子ビット素子間の量子もつれ状態制御方法
US7639035B2 (en) * 2005-04-26 2009-12-29 D-Wave Systems, Inc. Qubit state copying
US7426444B2 (en) 2006-04-19 2008-09-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Methods for determining relative phase differences in entangled quantum states
US7830695B1 (en) * 2006-10-30 2010-11-09 Hrl Laboratories Capacitive arrangement for qubit operations
US7687938B2 (en) * 2006-12-01 2010-03-30 D-Wave Systems Inc. Superconducting shielding for use with an integrated circuit for quantum computing
US7498832B2 (en) 2007-08-03 2009-03-03 Northrop Grumman Systems Corporation Arbitrary quantum operations with a common coupled resonator
US7893708B2 (en) * 2007-08-03 2011-02-22 Northrop Grumman Systems Corporation Quantum gate operations with a common coupled resonator
WO2009039634A1 (en) 2007-09-24 2009-04-02 D-Wave Systems Inc. Systems, methods, and apparatus for qubit state readout
US7932515B2 (en) * 2008-01-03 2011-04-26 D-Wave Systems Inc. Quantum processor
US7932514B2 (en) 2008-05-23 2011-04-26 International Business Machines Corporation Microwave readout for flux-biased qubits
US7655850B1 (en) * 2008-08-26 2010-02-02 University Of Seoul Industry Cooperation Foundation Universal quantum gate
GB2470069A (en) * 2009-05-08 2010-11-10 Hewlett Packard Development Co Quantum Repeater and System and Method for Creating Extended Entanglements
US8374994B2 (en) * 2009-11-16 2013-02-12 International Business Machines Corporation System and method of quantum computing using three-state representation of a qubit
US8022722B1 (en) * 2010-06-04 2011-09-20 Northrop Grumman Systems Corporation Quantum logic gates utilizing resonator mediated coupling
US8648331B2 (en) * 2010-11-10 2014-02-11 Microsoft Corporation Coherent quantum information transfer between topological and conventional qubits
US9317473B2 (en) * 2010-12-14 2016-04-19 President And Fellows Of Harvard College Scalable room temperature quantum information processor
US9379303B2 (en) * 2011-06-14 2016-06-28 Glocbalfoundries Inc. Modular array of fixed-coupling quantum systems for quantum information processing
US8897449B1 (en) * 2011-09-12 2014-11-25 Quantum Valley Investment Fund LP Quantum computing on encrypted data
US8817254B2 (en) * 2011-10-28 2014-08-26 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Entanglement process
US8841764B2 (en) * 2012-01-31 2014-09-23 International Business Machines Corporation Superconducting quantum circuit having a resonant cavity thermalized with metal components
US9569730B2 (en) * 2012-10-05 2017-02-14 Raytheon Bbn Technologies Corp. Device and method for optimally distinguishing among an arbitrary set of coherent states of light
US9275011B2 (en) * 2013-03-27 2016-03-01 Microsoft Technology Licensing, Llc Fast quantum and classical phase estimation
US9350460B2 (en) * 2013-04-23 2016-05-24 Raytheon Bbn Technologies Corp. System and method for quantum information transfer between optical photons and superconductive qubits

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