JP6394372B2 - シリカ構造体およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本形態に係るシリカ構造体は、シリカおよびモリブデンを含み、かつ、連通孔を有さない。この際、シリカ構造体の全体または表面層を構成するケイ素原子はQ4構造を有する。なお、シリカ構造体はさらに有機化合物等を含んでいてもよい。
シリカ構造体は、その全体または表面層を構成するケイ素原子がQ4構造を有する。より詳細には、シリカ構造体の全体を構成するケイ素原子がQ4構造を有する場合には、シリカは実質的にQ4構造のケイ素原子からなり、好ましくは、シリカはQ4構造のケイ素原子からなる。これに対し、シリカ構造体の表面層を構成するケイ素原子がQ4構造を有する場合には、シリカは、実質的にQ4構造のケイ素原子からなる表面層(シェル層)と、Q1構造のケイ素原子、Q2構造のケイ素原子、およびQ3構造のケイ素原子からなる群から選択される少なくとも1つを含むコア部と、を含み、好ましくは、シリカはQ4構造のケイ素原子からなる表面層(シェル層)と、Q1構造のケイ素原子、Q2構造のケイ素原子、およびQ3構造のケイ素原子からなる群から選択される少なくとも1つを含むコア部と、を含む。なお、本明細書において、「実質的にQ4構造のケイ素原子からなる」とは、シリカ中のシラノール基の含有率が5mol%以下、好ましくは1〜3mol%のシリカを意味する。この際、「シリカ中のシラノール基の含有率」の値は、29Si−CP/MAS NMR測定で得られるQ4と、Q3およびQ2との比率により計算された値を採用するものとする。
モリブデンは触媒機能、光学的機能を有する。また、モリブデンを活用することにより、後述するように製造方法において、シリカを構成するケイ素原子の構造を制御することができる。
一実施形態において、シリカ構造体は有機化合物を含んでいてもよい。当該有機化合物は、シリカ構造体の表面物性を調節する機能を有する。
シリカ構造体の比表面積は、8m2/g以下であることが好ましく、0〜5m2/gであることがより好ましい。シリカの比表面積が8m2/g以下であると、シリカ構造体の機械的強度に優れることから好ましい。なお、本明細書において、「比表面積」の値は、BET法により測定された値を採用するものとする。
シリカ構造体の製造方法は、特に制限されず、公知の技術が適宜適用されうるが、ケイ素原子の構造を好適に制御することができる観点から、好ましくはモリブデンを利用したフラックス法を利用した製造方法が適用されうる。
焼成工程は、比表面積が10m2/g未満であるシリコン化合物を、モリブデン化合物の存在下で焼成する工程である。
シリコン化合物としては、特に制限されず、公知のものが使用されうる。シリコン化合物の具体例としては、乾式無孔質シリカ、湿式低孔質シリカ、フュームドシリカ、溶融シリカ、シリカゲル、等の人工合成シリコン化合物;バイオシリカ等の天然シリコン化合物;これらのシリコン化合物誘導体等が挙げられる。
モリブデン化合物は、後述するように、シラノール基の脱水反応触媒としての機能を有する。
シリコン化合物をモリブデン化合物存在下で焼成することにより、シリカ構造体を得ることができる。この際、得られるシリカ構造体は、シリカおよびモリブデンを含み、かつ、連通孔を有さない。また、シリカ構造体の全体または表面層を構成するケイ素原子が、Q4構造を有する。
シリカ構造体の製造方法は、焼成工程後、必要に応じてモリブデンの少なくとも一部を除去するモリブデン除去工程をさらに含んでいてもよい。
一実施形態において、シリカ構造体の製造方法は、有機化合物層形成工程をさらに含んでいてもよい。当該有機化合物層形成工程は、通常、焼成工程の後、またはモリブデン除去工程の後に行われる。
[実施例1]
フラックス法によりシリカ構造体を合成した。
シリコン化合物である湿式低孔質シリカ:シーホスターKE−P250(平均粒径:2.6μm、比表面積:1〜5m2/g、株式会社日本触媒製)0.85gとモリブデン化合物である酸化モリブデン(和光純薬工業株式会社製)0.15gとを乳鉢で混合し、混合物1gを得た。得られた混合物1gを焼成装置として、セラミック電気炉ARF−100K型(AMF−2P型温度コントローラ付)(株式会社アサヒ理化製作所製)にて900℃で1時間焼成した。酸化モリブデンが殆ど昇華し、0.84gのシリカ構造体の粉末を得た。
実施例1と同様の方法でシリカ構造体を製造した。
Claims (5)
- シリカおよびモリブデンを含む、連通孔を有さないシリカ構造体であって、
前記シリカ構造体の全体または表面層を構成するケイ素原子が、Q4構造を有する、シリカ構造体。 - 前記モリブデンの含有量が、シリカ構造体の質量に対して、20質量%以下である、請求項1に記載のシリカ構造体。
- 比表面積が10m2/g未満であるシリコン化合物を、モリブデン化合物の存在下で焼成する焼成工程を含む、連通孔を有さないシリカ構造体の製造方法であって、
前記シリカ構造体が、シリカおよびモリブデンを含み、
前記シリカ構造体の全体または表面層を構成するケイ素原子が、Q4構造を有する、製造方法。 - 前記焼成工程後、前記モリブデンの少なくとも一部を除去するモリブデン除去工程をさらに含む、請求項3に記載の製造方法。
- 前記シリコン化合物が、乾式無孔質シリカ、湿式低孔質シリカ、フュームドシリカ、および溶融シリカからなる群から選択される少なくとも1つである、請求項3または4に記載の製造方法。
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