JP6386322B2 - プラスチックイメージファイバの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明はプラスチックイメージファイバとその製造方法に関する。
内視鏡等の医療用途において、カテーテル管等の内部に挿入されて、画像を伝送するイメージファイバが用いられている。イメージファイバは、画素数に対応した複数のコアを有する複芯ファイバ（マルチコアファイバ）である。
上記用途において、イメージファイバは、外径が小さくてカテーテル管等の内部に挿入しやすく、良好な屈曲性（可撓性）を有し、破損しにくい安全性を有することが求められる。上記用途において、イメージファイバとしては、ガラス製よりもプラスチック製が好ましく用いられる。
以下、プラスチック製のイメージファイバは、「プラスチックイメージファイバ」または「ＰＩＦ」と記す。
なお、ＰＩＦは医療用途に限らず、工業用ファイバスコープ等の他の用途にも使用される。
上記用途において、イメージファイバは、外径が小さくてカテーテル管等の内部に挿入しやすく、良好な屈曲性（可撓性）を有し、破損しにくい安全性を有することが求められる。上記用途において、イメージファイバとしては、ガラス製よりもプラスチック製が好ましく用いられる。
以下、プラスチック製のイメージファイバは、「プラスチックイメージファイバ」または「ＰＩＦ」と記す。
なお、ＰＩＦは医療用途に限らず、工業用ファイバスコープ等の他の用途にも使用される。
ＰＩＦは、クラッド（鞘部）からなる海部の中に複数のコア（芯部）が島状に存在する海島構造を有する。
従来、上記海島構造のＰＩＦの製造方法としては、画素数に対応した複数のノズル孔を有する複合口金から、１つのコアがクラッド層で被覆された単芯ファイバを同時に複数押し出す方法が知られている（特許文献１等）。
この方法では、用いる複合口金によって、画素径（コア径）、画素数（コア数）、およびコア面積比率（開口率）等の製品仕様が固定されてしまう。そのため、製品仕様が変更すれば複合口金を作り直す必要があり、製品仕様の変更あるいは製品仕様の多様化に対して低コストに対応することが難しい。
従来、上記海島構造のＰＩＦの製造方法としては、画素数に対応した複数のノズル孔を有する複合口金から、１つのコアがクラッド層で被覆された単芯ファイバを同時に複数押し出す方法が知られている（特許文献１等）。
この方法では、用いる複合口金によって、画素径（コア径）、画素数（コア数）、およびコア面積比率（開口率）等の製品仕様が固定されてしまう。そのため、製品仕様が変更すれば複合口金を作り直す必要があり、製品仕様の変更あるいは製品仕様の多様化に対して低コストに対応することが難しい。
一般に、画素径（コア径）および画素数（コア数）が同一条件であれば、点灯画素の平均的な明るさおよびクロストークと呼ばれる画像のボケ度合いは、コア面積比率と相関する。
本明細書において、「点灯画素の平均的な明るさ」は、点灯コアおよびこれを被覆するクラッド層との平均的な明るさである。
コア面積比率が大きい程、クラッド層の割合が小さくなるので、点灯画素の平均的な明るさが向上する一方、クロストークにより画像のボケ度合いが大きくなり画質が低下する傾向がある。反対に、コア面積比率が小さい程、クラッド層の割合が大きくなるので、クロストークが抑制されて画像のボケ度合いが小さくなり画質が向上する一方、点灯画素の平均的な明るさが低下する傾向がある。
本明細書において、「点灯画素の平均的な明るさ」は、点灯コアおよびこれを被覆するクラッド層との平均的な明るさである。
コア面積比率が大きい程、クラッド層の割合が小さくなるので、点灯画素の平均的な明るさが向上する一方、クロストークにより画像のボケ度合いが大きくなり画質が低下する傾向がある。反対に、コア面積比率が小さい程、クラッド層の割合が大きくなるので、クロストークが抑制されて画像のボケ度合いが小さくなり画質が向上する一方、点灯画素の平均的な明るさが低下する傾向がある。
特許文献２には、上記課題を解決する方法として、以下の方法が提案されている（第５図を参照）。
画素数に対応した複数の単芯ファイバ素線を束ねてクラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得る。減圧雰囲気下で、得られたバンドルプリフォームの先端部を加熱し線引きする。
上記のようにして、画素数に対応した複数のコアを有する複芯ファイバからなるＰＩＦが製造される。
この方法では、複合口金を用いる必要がないので、画素径、画素数（コア数）、およびコア面積比率等の製品仕様の変更に柔軟に対応できる。
画素数に対応した複数の単芯ファイバ素線を束ねてクラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得る。減圧雰囲気下で、得られたバンドルプリフォームの先端部を加熱し線引きする。
上記のようにして、画素数に対応した複数のコアを有する複芯ファイバからなるＰＩＦが製造される。
この方法では、複合口金を用いる必要がないので、画素径、画素数（コア数）、およびコア面積比率等の製品仕様の変更に柔軟に対応できる。
特許文献２に記載の方法において、複数の単芯ファイバ素線を束ねる際には、個々の単芯ファイバ素線が傷付かないことが好ましい。
個々の単芯ファイバ素線は細く、プラスチック製であるために擦れに弱く、また、複数の単芯ファイバ素線の間の摩擦力が大きいため、特段の対応をしなければ、複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に、これらが互いに擦り合って傷が付く恐れがある。
傷のある単芯ファイバ素線を含むバンドルプリフォームを線引きすると、傷のあるコアの透過率が低下して点灯画素が黒っぽく表示される暗欠陥が生じ得る。
複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に、これらが互いに擦り合って傷が付くと、傷を介して、単芯ファイバ素線の内部に異物が混入する恐れもある。このことも暗欠陥の要因となり得る。
個々の単芯ファイバ素線は細く、プラスチック製であるために擦れに弱く、また、複数の単芯ファイバ素線の間の摩擦力が大きいため、特段の対応をしなければ、複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に、これらが互いに擦り合って傷が付く恐れがある。
傷のある単芯ファイバ素線を含むバンドルプリフォームを線引きすると、傷のあるコアの透過率が低下して点灯画素が黒っぽく表示される暗欠陥が生じ得る。
複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に、これらが互いに擦り合って傷が付くと、傷を介して、単芯ファイバ素線の内部に異物が混入する恐れもある。このことも暗欠陥の要因となり得る。
ＰＩＦにおいて、画像を高精度に伝送するには、複数の画素が整然と整列していることが好ましい。このためには、バンドルプリフォームを形成する時点で、複数の単芯ファイバ素線を整然と配列させることが好ましい。複数の単芯ファイバ素線は例えば、六方稠密配列させることが好ましい。
しかしながら、個々の単芯ファイバ素線は細く、プラスチック製であるために擦れに弱い。また、製造効率を考慮すれば、バンドルプリフォームを形成する工程に、不要に時間と手間をかけることもできない。従来の方法では、効率良く簡便に複数の単芯ファイバ素線を傷付けずに整然と配列させることが難しい。特に、画素径（コア径）が小さく画素数（コア数）が多い高精細ＰＩＦにおいて、この問題は顕著になる。
しかしながら、個々の単芯ファイバ素線は細く、プラスチック製であるために擦れに弱い。また、製造効率を考慮すれば、バンドルプリフォームを形成する工程に、不要に時間と手間をかけることもできない。従来の方法では、効率良く簡便に複数の単芯ファイバ素線を傷付けずに整然と配列させることが難しい。特に、画素径（コア径）が小さく画素数（コア数）が多い高精細ＰＩＦにおいて、この問題は顕著になる。
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、画素径（コア径）、画素数（コア数）、およびコア面積比率等の製品仕様の変更に柔軟に対応でき、かつ、暗欠陥が抑制され、複数の画素が整然と整列し、画像を高精度に伝送することが可能なプラスチックイメージファイバ（ＰＩＦ）の製造方法を提供することを目的とするものである。
本発明のプラスチックイメージファイバ（ＰＩＦ）の製造方法は、
クラッドと、当該クラッドの中に形成された複数のコアとを有する複芯ファイバからなり、個々の前記コアが個々の画素をなすプラスチックイメージファイバの製造方法であって、
１つのコアがクラッド層で被覆された単芯ファイバ素線を、前記プラスチックイメージファイバの画素数に対応して複数用意する工程（Ａ）と、
前記複数の単芯ファイバ素線が前記クラッドの材料からなるクラッドパイプの中空部に挿入されたバンドルプリフォームを得る工程（Ｂ）と、
減圧雰囲気下で、前記バンドルプリフォームの先端部を加熱し線引きして、前記複芯ファイバとする工程（Ｄ）とを有し、
工程（Ｂ）において、前記複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に界面活性剤を含む溶液を用いるものである。
クラッドと、当該クラッドの中に形成された複数のコアとを有する複芯ファイバからなり、個々の前記コアが個々の画素をなすプラスチックイメージファイバの製造方法であって、
１つのコアがクラッド層で被覆された単芯ファイバ素線を、前記プラスチックイメージファイバの画素数に対応して複数用意する工程（Ａ）と、
前記複数の単芯ファイバ素線が前記クラッドの材料からなるクラッドパイプの中空部に挿入されたバンドルプリフォームを得る工程（Ｂ）と、
減圧雰囲気下で、前記バンドルプリフォームの先端部を加熱し線引きして、前記複芯ファイバとする工程（Ｄ）とを有し、
工程（Ｂ）において、前記複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に界面活性剤を含む溶液を用いるものである。
本発明の第１のプラスチックイメージファイバ（ＰＩＦ）は、
上記の本発明のプラスチックイメージファイバの製造方法により製造されたものである。
上記の本発明のプラスチックイメージファイバの製造方法により製造されたものである。
本発明の第２のプラスチックイメージファイバ（ＰＩＦ）は、
クラッドと、当該クラッドの中に形成された複数のコアとを有する複芯ファイバからなり、個々の前記コアが個々の画素をなすプラスチックイメージファイバであって、
画素数が５２００以上であり、
前記画素数に対して、断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合が９０％以上である、
プラスチックイメージファイバである。
クラッドと、当該クラッドの中に形成された複数のコアとを有する複芯ファイバからなり、個々の前記コアが個々の画素をなすプラスチックイメージファイバであって、
画素数が５２００以上であり、
前記画素数に対して、断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合が９０％以上である、
プラスチックイメージファイバである。
本明細書において、「単芯ファイバ素線におけるコア面積比率」は、単芯ファイバ素線の全断面積に占めるコア断面積の比率であり、一般式：［コア断面積］／［単芯ファイバ素線の断面積］で求められる。
本明細書において、「ＰＩＦにおけるコア面積比率」は、ＰＩＦの実効断面積に占めるすべてのコアの総断面積の比率であり、一般式：［すべてのコアの総断面積］／［ＰＩＦの実効断面積］で求められる。
ここで、「ＰＩＦの実効断面積」とは、ＰＩＦの断面積から、画像伝送に寄与しないクラッド材料からなる外縁部分を除いた実効部分の断面積である。すなわち、「ＰＩＦの実効断面積」は、断面視で、ＰＩＦの中心を中心点としてすべての画素（コア）を含む最小の仮想円を描いたとき、この仮想円の面積に相当する。
ここで、「ＰＩＦの実効断面積」とは、ＰＩＦの断面積から、画像伝送に寄与しないクラッド材料からなる外縁部分を除いた実効部分の断面積である。すなわち、「ＰＩＦの実効断面積」は、断面視で、ＰＩＦの中心を中心点としてすべての画素（コア）を含む最小の仮想円を描いたとき、この仮想円の面積に相当する。
本発明によれば、画素径（コア径）、画素数（コア数）、およびコア面積比率等の製品仕様の変更に柔軟に対応でき、かつ、暗欠陥が抑制され、複数の画素が整然と整列し、画像を高精度に伝送することが可能なプラスチックイメージファイバ（ＰＩＦ）の製造方法を提供することができる。
（プラスチックイメージファイバ（ＰＩＦ））
図面を参照して、本発明に係る一実施形態のＰＩＦの構成について、説明する。
図１Ａは、模式断面図である。
図面を参照して、本発明に係る一実施形態のＰＩＦの構成について、説明する。
図１Ａは、模式断面図である。
本実施形態のＰＩＦ２０は、後記製造方法によって製造されたものである。
図１Ａに示すように、本実施形態のＰＩＦ２０は、クラッド２２と、クラッド２２の中に形成された複数のコア２１とを有する複芯ファイバからなり、個々のコア２１が個々の画素をなすプラスチックイメージファイバである。
ＰＩＦ２０は、断面視において、海部であるクラッド２２の中に、複数のコア２１が島状に形成された海島構造を有する。
図１Ａに示すように、本実施形態のＰＩＦ２０は、クラッド２２と、クラッド２２の中に形成された複数のコア２１とを有する複芯ファイバからなり、個々のコア２１が個々の画素をなすプラスチックイメージファイバである。
ＰＩＦ２０は、断面視において、海部であるクラッド２２の中に、複数のコア２１が島状に形成された海島構造を有する。
ＰＩＦ２０においては、個々のコア２１内に光が通る。個々のコア２１内に光を閉じ込めて良好に導光させるためには、コア２１の屈折率がクラッド２２の屈折率よりも相対的に大きいことが必要である。
コア２１は比較的高屈折率の透光性ポリマーにより構成され、クラッド２２は比較的低屈折率の透光性ポリマーにより構成される。
コア２１は比較的高屈折率の透光性ポリマーにより構成され、クラッド２２は比較的低屈折率の透光性ポリマーにより構成される。
コア材料／クラッド材料の組合せとしては、
ポリスチレン（ＰＳ、例えば屈折率１．５９程度）／ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、例えば屈折率１.４９４程度）、
ポリベンジルメタクリレート（ＰＢｚＭＡ、例えば屈折率１．５７程度）／ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、例えば屈折率１.４９４程度）、
および、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、例えば屈折率１.４９４程度）／メタクリル酸２,２,２−トリフルオロエチル（例えば屈折率１.４２程度）等が好ましい。
ポリスチレン（ＰＳ、例えば屈折率１．５９程度）／ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、例えば屈折率１.４９４程度）、
ポリベンジルメタクリレート（ＰＢｚＭＡ、例えば屈折率１．５７程度）／ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、例えば屈折率１.４９４程度）、
および、
ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、例えば屈折率１.４９４程度）／メタクリル酸２,２,２−トリフルオロエチル（例えば屈折率１.４２程度）等が好ましい。
ＰＩＦ２０は、コア２１内の屈折率分布が一様なステップインデックス（ＳＩ）型でもよいし、コア２１内の屈折率分布がゆるやかに変化したグレーデッドインデックス（ＧＩ）型でもよい。
ＰＩＦ２０には、画像伝送に寄与しないクラッド材料からなる外縁部分が存在する。
この外縁部分を除く部分が、実質的に画像伝送に寄与する実効部分である。
図１Ａには、ＰＩＦ２０の中心を中心点としてすべての画素（コア２１）を含む最小の仮想円２４を描いてある。この仮想円２４の径をＰＩＦ２０の実効径Ｄ１と定義し、仮想円２４の断面積をＰＩＦ２０の実効断面積と定義する。図中、符号Ｄ２はＰＩＦ２０の外径である。
この外縁部分を除く部分が、実質的に画像伝送に寄与する実効部分である。
図１Ａには、ＰＩＦ２０の中心を中心点としてすべての画素（コア２１）を含む最小の仮想円２４を描いてある。この仮想円２４の径をＰＩＦ２０の実効径Ｄ１と定義し、仮想円２４の断面積をＰＩＦ２０の実効断面積と定義する。図中、符号Ｄ２はＰＩＦ２０の外径である。
図１Ａにおいて、符号ｍａはコア径を示し、符号ｍｐはコアピッチ（画素ピッチ）を示す。ＰＩＦ２０において、コア数が画素数Ｎである。これらのパラメータは所望の仕様に応じて設計される。
図１Ａでは、簡略化して、コア数を実際よりも少なく図示してある。
図１Ａでは、簡略化して、コア数を実際よりも少なく図示してある。
ＰＩＦ２０においては、個々のコア２１の周りに個々のコア２１を被覆するクラッド層が存在するが、個々のコア２１を被覆する個々のクラッド層と外縁部分のクラッド層とは互いに一体化され、それぞれを明確に識別することができない。
ただし、図１Ａには、個々のコア２１を被覆する個々のクラッド層を、「仮想クラッド層２３」として図示してある。なお、説明の便宜上、「仮想クラッド層２３」は単にクラッド層と表記する場合もある。
図中、互いに隣接する２つのコア２１の離間距離を２×ｍｔとして図示してある。
ここで、ｍｔは、個々のコア２１を被覆する仮想クラッド層２３の厚み（仮想クラッド層厚）である。
ただし、図１Ａには、個々のコア２１を被覆する個々のクラッド層を、「仮想クラッド層２３」として図示してある。なお、説明の便宜上、「仮想クラッド層２３」は単にクラッド層と表記する場合もある。
図中、互いに隣接する２つのコア２１の離間距離を２×ｍｔとして図示してある。
ここで、ｍｔは、個々のコア２１を被覆する仮想クラッド層２３の厚み（仮想クラッド層厚）である。
ＰＩＦ２０において、１つの画素は、１つのコア２１とこれを被覆する仮想クラッド層２３とからなる。
画素径は、ｍａ＋２×ｍｔである。
１つの画素において、コア２１が実質的な点灯部分である。
画素径は、ｍａ＋２×ｍｔである。
１つの画素において、コア２１が実質的な点灯部分である。
ＰＩＦ２０の画素数Ｎ（コア数）は用途等に応じて設計される。
画素数Ｎが多くなる程、高精細となる。
内視鏡等の用途において、画素数Ｎは、好ましくは２０００以上、より好ましくは５２００以上、より好ましくは１００００以上、より好ましくは２００００以上、より好ましくは３００００以上、特に好ましくは４００００以上である。
画素数Ｎが多くなる程、高精細となる。
内視鏡等の用途において、画素数Ｎは、好ましくは２０００以上、より好ましくは５２００以上、より好ましくは１００００以上、より好ましくは２００００以上、より好ましくは３００００以上、特に好ましくは４００００以上である。
一般に、ＰＩＦ２０において、画素径（コア径）および画素数（コア数）が同一条件であれば、点灯画素の平均的な明るさ（点灯コアおよびこれを被覆するクラッド層との平均的な明るさ）およびクロストークと呼ばれる画像のボケ度合いは、コア面積比率ｍＥと相関する。
コア面積比率ｍＥが大きい程、クラッド層の割合が小さくなるので、点灯画素の平均的な明るさが向上する一方、クロストークにより画像のボケ度合いが大きくなり画質が低下する傾向がある。反対に、コア面積比率ｍＥが小さい程、クラッド層の割合が大きくなるので、クロストークが抑制されて画像のボケ度合いが小さくなり画質が向上する一方、点灯画素の平均的な明るさが低下する傾向がある。
コア面積比率ｍＥが大きい程、クラッド層の割合が小さくなるので、点灯画素の平均的な明るさが向上する一方、クロストークにより画像のボケ度合いが大きくなり画質が低下する傾向がある。反対に、コア面積比率ｍＥが小さい程、クラッド層の割合が大きくなるので、クロストークが抑制されて画像のボケ度合いが小さくなり画質が向上する一方、点灯画素の平均的な明るさが低下する傾向がある。
ＰＩＦ２０におけるコア面積比率ｍＥは、ＰＩＦ２０の実効断面積（仮想円２４の面積）に占めるすべてのコア２１の総断面積の比率であり、一般式：［すべてのコアの総断面積］／［ＰＩＦの実効断面積］で求められる。
上記のように、ＰＩＦ２０には、画像伝送に寄与しないクラッド材料からなる外縁部分（仮想円２４より外側部分）が存在するが、コア面積比率ｍＥの算出にあたっては、この外縁部分を除外してある。これによって、実質的に画像伝送に寄与する実効部分に特化して、パラメータの好適な範囲を議論することができる。
ＰＩＦ２０においては、断面視において、複数のコア２１は六方稠密に整然と配列している。
詳細については後記するが、本発明に係る製造方法によれば、画素数Ｎが５２００以上であっても、複数の画素を六方稠密に整然と配列させることができ、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合を９０％以上または９５％以上とすることができる。
本発明に係る製造方法では、画素数Ｎが１００００以上、２００００以上、３００００以上、あるいは４００００以上であっても、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合を９０％以上または９５％以上とすることができる。
詳細については後記するが、本発明に係る製造方法によれば、画素数Ｎが５２００以上であっても、複数の画素を六方稠密に整然と配列させることができ、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合を９０％以上または９５％以上とすることができる。
本発明に係る製造方法では、画素数Ｎが１００００以上、２００００以上、３００００以上、あるいは４００００以上であっても、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合を９０％以上または９５％以上とすることができる。
本実施形態では、複数のコア２１を自然に整然と配列させることができるため、ＰＩＦ２０の断面において、コア径ｍａ、コアピッチｍｐ、仮想クラッド層厚ｍｔ、およびコア面積比率ｍＥには、ほとんどばらつきがない。
したがって、コア面積比率ｍＥは、コア径ｍａ、個々のコア２１を被覆する仮想クラッド層２３の厚み（仮想クラッド層厚）ｍｔ、およびコアピッチｍｐと相関し、下記式で求められる。
ｍＥ（％）＝（ｍａ／ｍｐ）２×１００、
ｍｐ＝ｍａ＋２×ｍｔ。
したがって、コア面積比率ｍＥは、コア径ｍａ、個々のコア２１を被覆する仮想クラッド層２３の厚み（仮想クラッド層厚）ｍｔ、およびコアピッチｍｐと相関し、下記式で求められる。
ｍＥ（％）＝（ｍａ／ｍｐ）２×１００、
ｍｐ＝ｍａ＋２×ｍｔ。
明るさおよびクロストークのバランスを考慮すると、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥは好ましくは５０〜６２％であり、より好ましくは５３〜６０％である。
ＰＩＦ２０において、外径は用途等に応じて設計される。
例えば医療用途において、内視鏡等ではＰＩＦ２０はカテーテル管等の内部に挿入されるので、外径はカテーテル管等の内径より小さく設計される。
例えば医療用途において、内視鏡等ではＰＩＦ２０はカテーテル管等の内部に挿入されるので、外径はカテーテル管等の内径より小さく設計される。
ＰＩＦ２０において、外径が同一の条件において高精細とするには、画素数Ｎ（コア数）を大きくする必要がある。この場合、コア径ｍａが小さくなる。ここで、コア面積比率ｍＥが同じ条件のままコア径ｍａを小さくすると、クロストークが発生する方向に向かう。そこで、クロストークを抑制するには、コア面積比率ｍＥを小さくする必要がある。
すなわち、高精細化とクロストーク抑制の観点からは、コア径ｍａが小さく、コア面積比率ｍＥが小さいことが好ましい。
すなわち、高精細化とクロストーク抑制の観点からは、コア径ｍａが小さく、コア面積比率ｍＥが小さいことが好ましい。
ＰＩＦ２０のコア径ｍａは、好ましくは２０μｍ以下、より好ましくは１５μｍ以下、さらに好ましくは１０μｍ以下、特に好ましくは５μｍ以下である。
製造容易性を考慮すれば、ＰＩＦ２０のコア径ｍａは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上、さらに好ましくは２μｍ以上、特に好ましくは３μｍ以上である。
製造容易性を考慮すれば、ＰＩＦ２０のコア径ｍａは、好ましくは１μｍ以上、より好ましくは１．５μｍ以上、さらに好ましくは２μｍ以上、特に好ましくは３μｍ以上である。
ＰＩＦ２０の仮想クラッド層厚ｍｔは、所望のコア径ｍａおよび所望のコア面積比率ｍＥに応じて設計される。ＰＩＦ２０の仮想クラッド層厚ｍｔは、好ましくは０．３〜１．０μｍであり、より好ましくは０．５〜０．７μｍである。
ＰＩＦ２０の実効径Ｄ１は、所望の画素径（コア径ｍａ）、所望の画素数Ｎ（コア数）、および所望のコア面積比率ｍＥに応じて設計される。
画素径（コア径ｍａ）および画素数Ｎ（コア数）が同一の条件であれば、外縁部分の厚み（＝（Ｄ２−Ｄ１）／２）は薄い方が、ＰＩＦ２０の外径を小さくでき、好ましい。ただし、外縁部分の厚み（＝（Ｄ２−Ｄ１）／２）が過小では、クラッドによる光閉じ込め効果が不充分となる恐れがある。
ＰＩＦ２０の外縁部分の厚み（＝（Ｄ２−Ｄ１）／２）は、１０〜３０μｍが好ましい。
画素径（コア径ｍａ）および画素数Ｎ（コア数）が同一の条件であれば、外縁部分の厚み（＝（Ｄ２−Ｄ１）／２）は薄い方が、ＰＩＦ２０の外径を小さくでき、好ましい。ただし、外縁部分の厚み（＝（Ｄ２−Ｄ１）／２）が過小では、クラッドによる光閉じ込め効果が不充分となる恐れがある。
ＰＩＦ２０の外縁部分の厚み（＝（Ｄ２−Ｄ１）／２）は、１０〜３０μｍが好ましい。
ＰＩＦ２０は、以上のように構成される。
（ＰＩＦの製造方法）
以下、図面を参照して、ＰＩＦ２０の製造方法の一実施形態について、説明する。
図１Ｂは、バンドルプリフォームの模式断面図である。
図２は、コアロッドを第１のクラッドパイプの中空部に挿入している様子を示す模式斜視図である。
図３Ａは、単芯ファイバ素線を製造する方法を示す模式図（左図）と、得られた単芯ファイバ素線の模式断面図（右図）である。
図３Ｂは、ファイバ素線束の模式斜視図である。
図３Ｃは、バンドルプリフォームの模式斜視図である。
図３Ｄは、バンドルプリフォームを用いてＰＩＦを製造する方法を示す模式図である。
なお、図ごとに縮尺は適宜異ならせてある。
以下、図面を参照して、ＰＩＦ２０の製造方法の一実施形態について、説明する。
図１Ｂは、バンドルプリフォームの模式断面図である。
図２は、コアロッドを第１のクラッドパイプの中空部に挿入している様子を示す模式斜視図である。
図３Ａは、単芯ファイバ素線を製造する方法を示す模式図（左図）と、得られた単芯ファイバ素線の模式断面図（右図）である。
図３Ｂは、ファイバ素線束の模式斜視図である。
図３Ｃは、バンドルプリフォームの模式斜視図である。
図３Ｄは、バンドルプリフォームを用いてＰＩＦを製造する方法を示す模式図である。
なお、図ごとに縮尺は適宜異ならせてある。
（工程（Ａ））
はじめに、図３Ａの右図に示すように、１つのコア１４がクラッド層１５で被覆された単芯ファイバ素線１６を、ＰＩＦ２０の画素数Ｎに対応して複数用意する。
この工程では、ＰＩＦ２０のコア径ｍａおよびコアピッチｍｐを均一化するために、同一仕様の単芯ファイバ素線１６を複数用意することが好ましい。
単芯ファイバ素線１６において、コア１４はＰＩＦ２０のコア２１と同一材料（比較的高屈折率の透光性ポリマー）により構成され、クラッド層１５はＰＩＦ２０のクラッド２２と同一材料（比較的低屈折率の透光性ポリマー）により構成される。
はじめに、図３Ａの右図に示すように、１つのコア１４がクラッド層１５で被覆された単芯ファイバ素線１６を、ＰＩＦ２０の画素数Ｎに対応して複数用意する。
この工程では、ＰＩＦ２０のコア径ｍａおよびコアピッチｍｐを均一化するために、同一仕様の単芯ファイバ素線１６を複数用意することが好ましい。
単芯ファイバ素線１６において、コア１４はＰＩＦ２０のコア２１と同一材料（比較的高屈折率の透光性ポリマー）により構成され、クラッド層１５はＰＩＦ２０のクラッド２２と同一材料（比較的低屈折率の透光性ポリマー）により構成される。
単芯ファイバ素線１６は以下のようにして製造される。
図２に示すように、コア材料（比較的高屈折率の透光性ポリマー）からなる１つのコアロッド１１と、クラッド材料（比較的低屈折率の透光性ポリマー）からなる１つの第１のクラッドパイプ１２とを用意する。
本明細書において、「ロッド」は内部に中空部を有しない円柱状部材であり、「パイプ」は内部に中空部を有する管状部材である。
コアロッド１１の外径は、第１のクラッドパイプ１２の内径より若干小さく設計される。
図２に示すように、コア材料（比較的高屈折率の透光性ポリマー）からなる１つのコアロッド１１と、クラッド材料（比較的低屈折率の透光性ポリマー）からなる１つの第１のクラッドパイプ１２とを用意する。
本明細書において、「ロッド」は内部に中空部を有しない円柱状部材であり、「パイプ」は内部に中空部を有する管状部材である。
コアロッド１１の外径は、第１のクラッドパイプ１２の内径より若干小さく設計される。
コアロッド１１および第１のクラッドパイプ１２は、公知方法により製造される。
コアロッド１１は例えば、ガラスアンプル等の有底筒状容器内で、１種または２種以上のモノマーを溶媒存在下で重合させることにより製造される。この方法では、製造に用いる容器の内径が、コアロッド１１の外径となる。
第１のクラッドパイプ１２は例えば、ガラスアンプル等の有底筒状容器内で、１種または２種以上のモノマーを溶媒存在下で遠心注型法により重合させることにより製造される。第１のクラッドパイプ１２の製造では、１種または２種以上のモノマーの入った容器を中心軸の周りに回転させ、遠心力の作用で１種または２種以上のモノマーを容器の内壁面にへばりつかせた状態で重合させることで、パイプ状にポリマーを生成する。この方法では、製造に用いる容器の内径が、第１のクラッドパイプ１２の外径となる。第１のクラッドパイプ１２の厚みは、容器内に入れるモノマー等の材料の量および遠心力により調整される。
なお、後記する第２のクラッドパイプ１８の製造方法は、用いる有底筒状容器の内径を変更し、また、材料の量および遠心力を必要に応じて変更する以外は、第１のクラッドパイプ１２の製造方法と同様である。
コアロッド１１は例えば、ガラスアンプル等の有底筒状容器内で、１種または２種以上のモノマーを溶媒存在下で重合させることにより製造される。この方法では、製造に用いる容器の内径が、コアロッド１１の外径となる。
第１のクラッドパイプ１２は例えば、ガラスアンプル等の有底筒状容器内で、１種または２種以上のモノマーを溶媒存在下で遠心注型法により重合させることにより製造される。第１のクラッドパイプ１２の製造では、１種または２種以上のモノマーの入った容器を中心軸の周りに回転させ、遠心力の作用で１種または２種以上のモノマーを容器の内壁面にへばりつかせた状態で重合させることで、パイプ状にポリマーを生成する。この方法では、製造に用いる容器の内径が、第１のクラッドパイプ１２の外径となる。第１のクラッドパイプ１２の厚みは、容器内に入れるモノマー等の材料の量および遠心力により調整される。
なお、後記する第２のクラッドパイプ１８の製造方法は、用いる有底筒状容器の内径を変更し、また、材料の量および遠心力を必要に応じて変更する以外は、第１のクラッドパイプ１２の製造方法と同様である。
次に図２に示すように、上記のコアロッド１１を上記の第１のクラッドパイプ１２の中空部に挿入して、単芯のクラッド／コア複合材１３を得る。
図２には、単芯のクラッド／コア複合材１３において、中心軸から外周に向かう一方向（ｘ方向）の屈折率ｎｄの分布例を示してある。この例では、コアロッド１１内の屈折率ｎｄはｘ方向に対して一様であり、その値はｎ２である。第１のクラッドパイプ１２の屈折率ｎｄはｘ方向に対して一様であり、その値はｎ１である。ここで、ｎ２＞ｎ１である。
コア１４の屈折率ｎ１、およびクラッド層１５の屈折率ｎ２は、モノマー組成および分子量等によって調整できる。
なお、コアロッド１１はｘ方向に対して屈折率分布を有していてもよい。同様に、第１のクラッドパイプ１２はｘ方向に対して屈折率分布を有していてもよい。
コア１４の屈折率ｎ１、およびクラッド層１５の屈折率ｎ２は、モノマー組成および分子量等によって調整できる。
なお、コアロッド１１はｘ方向に対して屈折率分布を有していてもよい。同様に、第１のクラッドパイプ１２はｘ方向に対して屈折率分布を有していてもよい。
得られた単芯のクラッド／コア複合材１３を減圧雰囲気下、好ましくは真空雰囲気下で加熱して全体を一体化してから、次の線引きの工程に供する。
なお、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
なお、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
次に図３Ａの左図に示すように、得られた単芯のクラッド／コア複合材１３を用い、単芯ファイバ素線の製造装置３０を用いて、単芯ファイバ素線１６を製造する。
単芯ファイバ素線の製造装置３０は、
単芯のクラッド／コア複合材１３を保持し、かつ、その位置を調整することが可能な保持手段（図示略）と、
単芯のクラッド／コア複合材１３の先端部を加熱する加熱手段３１と、
加熱された単芯のクラッド／コア複合材１３の先端部を線引きする線引き手段３２と、
製造された単芯ファイバ素線１６を所定の長さに切断する切断手段３３とを備える。
単芯のクラッド／コア複合材１３を保持し、かつ、その位置を調整することが可能な保持手段（図示略）と、
単芯のクラッド／コア複合材１３の先端部を加熱する加熱手段３１と、
加熱された単芯のクラッド／コア複合材１３の先端部を線引きする線引き手段３２と、
製造された単芯ファイバ素線１６を所定の長さに切断する切断手段３３とを備える。
図示例において、加熱手段３１は、単芯のクラッド／コア複合材１３の先端部を挟んで互いに対向して配置された一対のヒータである。線引き手段３２は、加熱された単芯のクラッド／コア複合材１３の先端部を加圧挟持する一対の加圧ローラである。切断手段３３はカッタである。
単芯ファイバ素線の製造装置３０において、製造される単芯ファイバ素線１６のコア１４とクラッド層１５との間に空気等のガス、不純物、および異物が残ることを抑制するために、単芯ファイバ素線１６の製造は、減圧雰囲気下、好ましくは真空雰囲気下で実施される。
すなわち、単芯ファイバ素線の製造装置３０において、上記した保持手段（図示略）、加熱手段３１、線引き手段３２、および切断手段３３は、内部を減圧好ましくは真空減圧することが可能な減圧容器好ましくは真空減圧容器内に配置される。
すなわち、単芯ファイバ素線の製造装置３０において、上記した保持手段（図示略）、加熱手段３１、線引き手段３２、および切断手段３３は、内部を減圧好ましくは真空減圧することが可能な減圧容器好ましくは真空減圧容器内に配置される。
図３Ａに示すように、減圧雰囲気下、好ましくは真空雰囲気下で、単芯のクラッド／コア複合材１３の先端部を加熱手段３１によって加熱した後、線引き手段３２により線引きし、切断手段３３にて所定の長さに切断する。これら一連の工程によって、所定の長さの単芯ファイバ素線１６が製造される。
なお、線引きの工程において、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
なお、線引きの工程において、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
図３Ａの左図に示すように、単芯ファイバ素線１６は、コアロッド１１から形成された１つのコア１４が第１のクラッドパイプ１２から形成されたクラッド層１５で被覆されたものである。
単芯ファイバ素線１６において、コア径をｓａ、クラッド層厚をｓｔとし、単芯ファイバ素線１６の外径をｓｄとし、コア面積比率をｓＥとする。
単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄおよびコア面積比率ｓＥは、下記式で表される。
ｓｄ＝ｓａ＋２×ｓｔ、
ｓＥ（％）＝（ｓａ／ｓｄ）２×１００。
単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄおよびコア面積比率ｓＥは、下記式で表される。
ｓｄ＝ｓａ＋２×ｓｔ、
ｓＥ（％）＝（ｓａ／ｓｄ）２×１００。
（工程（Ｂ））
次に図３Ｃに示すように、ＰＩＦ２０の画素数Ｎに対応して用意された複数の単芯ファイバ素線１６がクラッド材料からなる第２のクラッドパイプ１８の中空部に挿入されたバンドルプリフォーム１９を得る。
次に図３Ｃに示すように、ＰＩＦ２０の画素数Ｎに対応して用意された複数の単芯ファイバ素線１６がクラッド材料からなる第２のクラッドパイプ１８の中空部に挿入されたバンドルプリフォーム１９を得る。
図中、符号１７は、複数の単芯ファイバ素線１６の束（ファイバ素線束）である。
第２のクラッドパイプ１８の内径は、ファイバ素線束１７より若干大きいサイズに設計される。
第２のクラッドパイプ１８は主として、ＰＩＦ２０の外縁部分となる。
第２のクラッドパイプ１８の内径は、ファイバ素線束１７より若干大きいサイズに設計される。
第２のクラッドパイプ１８は主として、ＰＩＦ２０の外縁部分となる。
図１Ｂにバンドルプリフォーム１９の拡大模式断面図を示す。
バンドルプリフォーム１９は、１つのコア１４とこれを被覆するクラッド層１５とからなる単芯ファイバ素線１６が複数、束になって、第２のクラッドパイプ１８の中空部に挿入されたものである。
この時点において、バンドルプリフォーム１９内には、複数の単芯ファイバ素線１６の互いの間、および複数の単芯ファイバ素線１６のうち最外周に位置する複数の単芯ファイバ素線１６と第２のクラッドパイプ１８との間に空隙が存在する。この時点において、複数の単芯ファイバ素線１６のクラッド層１５と第２のクラッドパイプ１８とは、互いに一体化されておらず、識別可能である。
バンドルプリフォーム１９は、１つのコア１４とこれを被覆するクラッド層１５とからなる単芯ファイバ素線１６が複数、束になって、第２のクラッドパイプ１８の中空部に挿入されたものである。
この時点において、バンドルプリフォーム１９内には、複数の単芯ファイバ素線１６の互いの間、および複数の単芯ファイバ素線１６のうち最外周に位置する複数の単芯ファイバ素線１６と第２のクラッドパイプ１８との間に空隙が存在する。この時点において、複数の単芯ファイバ素線１６のクラッド層１５と第２のクラッドパイプ１８とは、互いに一体化されておらず、識別可能である。
図１Ｂには、単芯ファイバ素線１６のコア径ｓａ、互いに隣接する２つの単芯ファイバ素線１６のコア１４の離間距離２×ｓｔ（クラッド層厚ｓｔの２倍に相当）、および単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄを図示してある。
バンドルプリフォーム１９におけるコアピッチは、単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄと一致する。
バンドルプリフォーム１９におけるコアピッチは、単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄと一致する。
本実施形態の製造方法では、工程（Ｂ）において、複数の単芯ファイバ素線１６を束ねる際に界面活性剤を含む溶液を用いる。
図３Ｂおよび図３Ｃに示すように、
工程（Ｂ）は、
複数の単芯ファイバ素線１６を界面活性剤を含む溶液中で束ねて、ファイバ素線束１７を得る工程（ＢＸ）と、
上記のファイバ素線束１７をクラッドパイプ１８の中空部に挿入して、バンドルプリフォーム１９を得る工程（ＢＹ）とを含むことができる。
工程（ＢＸ）では例えば、界面活性剤を含む溶液中で複数の単芯ファイバ素線１６を俵積みして、ファイバ素線束１７を得ることができる。
工程（Ｂ）は、
複数の単芯ファイバ素線１６を界面活性剤を含む溶液中で束ねて、ファイバ素線束１７を得る工程（ＢＸ）と、
上記のファイバ素線束１７をクラッドパイプ１８の中空部に挿入して、バンドルプリフォーム１９を得る工程（ＢＹ）とを含むことができる。
工程（ＢＸ）では例えば、界面活性剤を含む溶液中で複数の単芯ファイバ素線１６を俵積みして、ファイバ素線束１７を得ることができる。
工程（Ｂ）においては、
工程（ＢＸ）と工程（ＢＹ）との２段工程を実施する代わりに、
複数の単芯ファイバ素線１６を界面活性剤を含む溶液を用いて束ねながらクラッドパイプ１８の中空部に挿入して、バンドルプリフォーム１９を得るようにしてもよい。
工程（ＢＸ）と工程（ＢＹ）との２段工程を実施する代わりに、
複数の単芯ファイバ素線１６を界面活性剤を含む溶液を用いて束ねながらクラッドパイプ１８の中空部に挿入して、バンドルプリフォーム１９を得るようにしてもよい。
界面活性剤がない環境下、例えば空気中あるいは界面活性剤のない水中又は水溶液中では、複数の単芯ファイバ素線１６の間の摩擦力が大きいため、複数の単芯ファイバ素線１６が互いに擦り合って互いに傷付け合う恐れがある。
傷のある単芯ファイバ素線１６を含むバンドルプリフォーム１９を線引きすると、傷のあるコア２１の透過率が低下して点灯画素が黒っぽく表示される暗欠陥が生じ得る。
複数の単芯ファイバ素線１６を束ねる際に、これらが互いに擦り合って傷が付くと、傷を介して、単芯ファイバ素線１６の内部に異物が混入する恐れもある。このことも暗欠陥の要因となり得る。
また、界面活性剤がない環境下では、複数の単芯ファイバ素線１６の間の摩擦力が大きいため、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが小さく、これらを自然に隙間なく整然と配列させることが難しい。この場合、画素抜けが生じる恐れがある。画素抜けが生じた場合、画素抜け部分に後から単芯ファイバ素線１６を補充することも難しい。また、全体的に画素配列が整然としていないと、高精度に画像を伝送することが難しい。
傷のある単芯ファイバ素線１６を含むバンドルプリフォーム１９を線引きすると、傷のあるコア２１の透過率が低下して点灯画素が黒っぽく表示される暗欠陥が生じ得る。
複数の単芯ファイバ素線１６を束ねる際に、これらが互いに擦り合って傷が付くと、傷を介して、単芯ファイバ素線１６の内部に異物が混入する恐れもある。このことも暗欠陥の要因となり得る。
また、界面活性剤がない環境下では、複数の単芯ファイバ素線１６の間の摩擦力が大きいため、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが小さく、これらを自然に隙間なく整然と配列させることが難しい。この場合、画素抜けが生じる恐れがある。画素抜けが生じた場合、画素抜け部分に後から単芯ファイバ素線１６を補充することも難しい。また、全体的に画素配列が整然としていないと、高精度に画像を伝送することが難しい。
界面活性剤を含む溶液を用いて複数の単芯ファイバ素線１６を束ねることで、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りを良くし、複数の単芯ファイバ素線１６が互いに擦り合って互いに傷付け合うことを抑制することができる。これにより、単芯ファイバ素線１６に付いた傷、あるいは傷を介した異物混入に起因するＰＩＦ２０の暗欠陥が抑制される。
また、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが良くなることで、これらを自然に整然と配列させることができる。例えば、断面視において、複数の単芯ファイバ素線１６を自然に六方稠密配列させることが可能となる。このことにより、本来画素となる部分にコアがない画素抜けが抑制される。また、画素配列が整然とするため、画像の乱れが抑制され、高精細な画像の伝送が可能となる。
仮に画素抜けが生じたとしても、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが良いので、画素抜け部分に後から単芯ファイバ素線１６を補填することも容易である。
また、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが良くなることで、これらを自然に整然と配列させることができる。例えば、断面視において、複数の単芯ファイバ素線１６を自然に六方稠密配列させることが可能となる。このことにより、本来画素となる部分にコアがない画素抜けが抑制される。また、画素配列が整然とするため、画像の乱れが抑制され、高精細な画像の伝送が可能となる。
仮に画素抜けが生じたとしても、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが良いので、画素抜け部分に後から単芯ファイバ素線１６を補填することも容易である。
界面活性剤は公知のものを１種または２種以上用いることができる。
アニオン性界面活性剤としては、
脂肪酸ナトリウムおよびアルファスルホン化脂肪酸エステルナトリウム等の脂肪酸系；
直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム（ＬＡＳ）等の直鎖アルキルベンゼン系；
ラウリル硫酸ナトリウム（ＳＬＳ）等のアルキル硫酸エステルナトリウム（ＡＳ）、およびアルキルエーテル硫酸エステルナトリウム（ＡＥＳ）等の高級アルコール系；
アルファオレフィンスルホン酸ナトリウム（ＡＯＳ）等のアルファオレフィン系；
アルキルスルホン酸ナトリウム等のノルマルパラフィン系等が挙げられる。
脂肪酸ナトリウムおよびアルファスルホン化脂肪酸エステルナトリウム等の脂肪酸系；
直鎖アルキルベンゼンスルホン酸ナトリウム（ＬＡＳ）等の直鎖アルキルベンゼン系；
ラウリル硫酸ナトリウム（ＳＬＳ）等のアルキル硫酸エステルナトリウム（ＡＳ）、およびアルキルエーテル硫酸エステルナトリウム（ＡＥＳ）等の高級アルコール系；
アルファオレフィンスルホン酸ナトリウム（ＡＯＳ）等のアルファオレフィン系；
アルキルスルホン酸ナトリウム等のノルマルパラフィン系等が挙げられる。
カチオン性界面活性剤としては、アルキルトリメチルアンモニウム塩、ジアルキルジメチルアンモニウム塩、およびアルキルベンジルジメチルアンモニウム塩等が挙げられる。
ノニオン性界面活性剤としては、
ポリオキシエチレンアルキルエーテル（ＡＥ）等の高級アルコール系；
ポリオキシエチレンアルキルフェニールエーテル（ＡＰＥ）等のアルキルフェノール系；
蔗糖脂肪酸塩エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、およびアルカノールアミド等の脂肪酸系等が挙げられる。
ポリオキシエチレンアルキルエーテル（ＡＥ）等の高級アルコール系；
ポリオキシエチレンアルキルフェニールエーテル（ＡＰＥ）等のアルキルフェノール系；
蔗糖脂肪酸塩エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸エステル、およびアルカノールアミド等の脂肪酸系等が挙げられる。
両性界面活性剤としては、アルキルジメチルアミンオキシドおよびアルキルカルボキシベタイン等が挙げられる。
上記の中でも、低コストで入手しやすく残留しにくいことから、アニオン性界面活性剤が好ましく、ラウリル硫酸ナトリウム（ＳＬＳ）等の高級アルコール系のアニオン性界面活性剤が特に好ましい。
界面活性剤は、親水性と親油性とを有する。
界面活性剤は、後工程において除去が容易であることから、水溶液の形態で用いることが好ましい。水溶液であれば、水洗浄等により、後工程において、界面活性剤を容易に除去することができる。
すなわち、界面活性剤を含む水溶液中で複数の単芯ファイバ素線１６を束ねて、ファイバ素線束１７を得ることが好ましい。
水溶液中の界面活性剤の濃度は臨界ミセル濃度以上であれば特に制限なく、例えば０．３〜０．７質量％程度が好ましい。
界面活性剤は、後工程において除去が容易であることから、水溶液の形態で用いることが好ましい。水溶液であれば、水洗浄等により、後工程において、界面活性剤を容易に除去することができる。
すなわち、界面活性剤を含む水溶液中で複数の単芯ファイバ素線１６を束ねて、ファイバ素線束１７を得ることが好ましい。
水溶液中の界面活性剤の濃度は臨界ミセル濃度以上であれば特に制限なく、例えば０．３〜０．７質量％程度が好ましい。
界面活性剤を含む溶液（好ましくは水溶液）には必要に応じて、仮接着剤を添加することができる。
仮接着剤としては、後工程において水洗浄等により容易に除去できることから、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の水溶性高分子が好ましい。
仮接着剤を用いることで、複数の単芯ファイバ素線１６が仮接着されたファイバ素線束１７が得られ、後工程に供する際の取扱い性が向上する。
界面活性剤を含む溶液（好ましくは水溶液）には必要に応じて、他の任意の成分を添加することができる。
他の任意成分についても、後工程において水洗浄等により容易に除去できることから、水溶性物質が好ましい。
仮接着剤としては、後工程において水洗浄等により容易に除去できることから、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の水溶性高分子が好ましい。
仮接着剤を用いることで、複数の単芯ファイバ素線１６が仮接着されたファイバ素線束１７が得られ、後工程に供する際の取扱い性が向上する。
界面活性剤を含む溶液（好ましくは水溶液）には必要に応じて、他の任意の成分を添加することができる。
他の任意成分についても、後工程において水洗浄等により容易に除去できることから、水溶性物質が好ましい。
（工程（Ｃ））
次に好ましくは、バンドルプリフォーム１９を洗浄する。これによって、バンドルプリフォーム１９に付着した工程（Ｂ）で用いた溶液の成分（界面活性剤および必要に応じて用いられた仮接着剤等の任意成分）を除去する。
界面活性剤等の成分が付着したままバンドルプリフォーム１９を後工程に供すると、残留した界面活性剤等の成分が析出してコアを圧迫し、ＰＩＦ２０の暗欠陥となる恐れがある。洗浄により、界面活性剤等の成分を除去しておくことで、ＰＩＦ２０の暗欠陥を抑制することができる。
ただし、工程（Ｂ）で用いた溶液中の界面活性剤等の量は微量であるので、用途等によっては、バンドルプリフォーム１９内に多少残っても、支障のない場合もある。
次に好ましくは、バンドルプリフォーム１９を洗浄する。これによって、バンドルプリフォーム１９に付着した工程（Ｂ）で用いた溶液の成分（界面活性剤および必要に応じて用いられた仮接着剤等の任意成分）を除去する。
界面活性剤等の成分が付着したままバンドルプリフォーム１９を後工程に供すると、残留した界面活性剤等の成分が析出してコアを圧迫し、ＰＩＦ２０の暗欠陥となる恐れがある。洗浄により、界面活性剤等の成分を除去しておくことで、ＰＩＦ２０の暗欠陥を抑制することができる。
ただし、工程（Ｂ）で用いた溶液中の界面活性剤等の量は微量であるので、用途等によっては、バンドルプリフォーム１９内に多少残っても、支障のない場合もある。
バンドルプリフォーム１９の洗浄は、洗浄液を用いて行うことができる。
洗浄液は、単芯ファイバ素線１６を傷付けず、界面活性剤および必要に応じて用いられた仮接着剤等の任意成分を除去できるものであればよい。
バンドルプリフォーム１９に新たに余分な成分が付着することを抑制するために、洗浄液としては水（以下、洗浄水とも言う。）が好ましい。
洗浄水としては、不純物の少ない純水が好ましく、不純物量が０．０１μｇ／Ｌ以下の超純水が特に好ましい。
洗浄液は、単芯ファイバ素線１６を傷付けず、界面活性剤および必要に応じて用いられた仮接着剤等の任意成分を除去できるものであればよい。
バンドルプリフォーム１９に新たに余分な成分が付着することを抑制するために、洗浄液としては水（以下、洗浄水とも言う。）が好ましい。
洗浄水としては、不純物の少ない純水が好ましく、不純物量が０．０１μｇ／Ｌ以下の超純水が特に好ましい。
洗浄後のバンドルプリフォーム１９を減圧雰囲気下、好ましくは真空雰囲気下で加熱して全体を一体化してから、次の線引きの工程に供する。
なお、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
なお、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
（工程（Ｄ））
次に図３Ｄに示すように、上記のようにして得られたバンドルプリフォーム１９を用いて、複芯ファイバの製造装置４０を用いて、ＰＩＦ２０を製造する。
次に図３Ｄに示すように、上記のようにして得られたバンドルプリフォーム１９を用いて、複芯ファイバの製造装置４０を用いて、ＰＩＦ２０を製造する。
複芯ファイバ素線の製造装置４０は、バンドルプリフォーム１９を保持し、かつ、その位置を調整することが可能な保持手段（図示略）と、
バンドルプリフォーム１９の先端部を加熱する加熱手段４１と、
加熱されたバンドルプリフォーム１９の先端部を線引きする線引き手段４２とを備える。
バンドルプリフォーム１９の先端部を加熱する加熱手段４１と、
加熱されたバンドルプリフォーム１９の先端部を線引きする線引き手段４２とを備える。
図示例において、加熱手段４１は、バンドルプリフォーム１９の先端部を挟んで互いに対向して配置された一対のヒータである。線引き手段４２は、加熱されたバンドルプリフォーム１９の先端部を加圧挟持する一対の加圧ローラである。
複芯ファイバの製造装置４０において、ＰＩＦ２０の内部に空気等のガス、不純物、および異物が残ることを抑制するために、ＰＩＦ２０の製造は、減圧雰囲気下、好ましくは真空雰囲気下で実施される。
すなわち、複芯ファイバ素線の製造装置４０において、上記した保持手段（図示略）、加熱手段４１、および線引き手段４２は、内部を減圧好ましくは真空減圧することが可能な減圧容器好ましくは真空減圧容器内に配置される。
すなわち、複芯ファイバ素線の製造装置４０において、上記した保持手段（図示略）、加熱手段４１、および線引き手段４２は、内部を減圧好ましくは真空減圧することが可能な減圧容器好ましくは真空減圧容器内に配置される。
図３Ｄに示すように、減圧雰囲気下好ましくは真空雰囲気下で、バンドルプリフォーム１９の先端部を加熱手段４１によって加熱した後、線引き手段４２により線引きする。これら一連の工程によって、ＰＩＦ２０が製造される。
なお、線引きの工程において、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
なお、線引きの工程において、減圧雰囲気好ましくは真空雰囲気の圧力および加熱温度は、公知方法と同様である。
図１Ａに示したように、ＰＩＦ２０においては、バンドルプリフォーム１９内にあった空隙はなくなり、複数の単芯ファイバ素線１６のクラッド層１５と第２のクラッドパイプ１８とが互いに融着一体化してクラッド２２が形成される。断面視において、海部であるクラッド２２の中に、複数のコア２１が島状に形成された海島構造を有するＰＩＦ２０が製造される。
本実施形態の製造方法においては、バンドルプリフォーム１９の線引きの工程において、全体が細線化するが、個々のコアとこれを被覆するクラッド層との面積比は変化しない。また、本明細書では、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥの算出において、外縁部分を除外してある。そのため、製造に用いた単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥと、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥとは、基本的に同一である。
したがって、単芯ファイバ素線１６の製造の時点で、単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥを、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥの所望値に設計しておけばよい。
したがって、単芯ファイバ素線１６の製造の時点で、単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥを、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥの所望値に設計しておけばよい。
上記したように、明るさおよびクロストークのバランスを考慮すると、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥは好ましくは５０〜６２％であり、より好ましくは５３〜６０％である。
上記のように、単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥは、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥと基本的に同一であるので、単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥはＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥと同様、好ましくは５０〜６２％であり、より好ましくは５３〜６０％である。
上記のように、単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥは、ＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥと基本的に同一であるので、単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥはＰＩＦ２０のコア面積比率ｍＥと同様、好ましくは５０〜６２％であり、より好ましくは５３〜６０％である。
単芯ファイバ素線１６のコア面積比率ｓＥは、単芯ファイバ素線１６のコア径ｓａと、クラッド層厚ｓｔ、および単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄと相関する。また、製造されるＰＩＦ２０の各種パラメータは、単芯ファイバ素線１６の上記パラメータに依存する。
したがって、ＰＩＦ２０の各種パラメータ設計に応じて、単芯ファイバ素線１６の各種パラメータを好ましい範囲内に設計する。
単芯ファイバ素線１６のコア径ｓａは、３．２〜３．４ｍｍが好ましい。
単芯ファイバ素線１６のクラッド層厚ｓｔは、０．６〜０．５ｍｍが好ましい。
単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄは、４．３〜４．４ｍｍが好ましい。
したがって、ＰＩＦ２０の各種パラメータ設計に応じて、単芯ファイバ素線１６の各種パラメータを好ましい範囲内に設計する。
単芯ファイバ素線１６のコア径ｓａは、３．２〜３．４ｍｍが好ましい。
単芯ファイバ素線１６のクラッド層厚ｓｔは、０．６〜０．５ｍｍが好ましい。
単芯ファイバ素線１６の外径ｓｄは、４．３〜４．４ｍｍが好ましい。
本実施形態の製造方法では、複合口金を用いる必要がないので、画素径（コア径ｍａ）、画素数Ｎ（コア数）、およびコア面積比率ｍＥ等の製品仕様の変更に柔軟に対応できる。
本実施形態の製造方法では、画素径（コア径ｍａ）、画素数Ｎ（コア数）、およびコア面積比率ｍＥ等を自由に設計できるので、点灯画素の平均的な明るさおよびクロストーク等を好適な範囲に設計でき、光学品質に優れたＰＩＦ２０を製造できる。
本実施形態の製造方法では、画素径（コア径ｍａ）、画素数Ｎ（コア数）、およびコア面積比率ｍＥ等を自由に設計できるので、点灯画素の平均的な明るさおよびクロストーク等を好適な範囲に設計でき、光学品質に優れたＰＩＦ２０を製造できる。
本実施形態の製造方法では、界面活性剤を含む溶液（好ましくは水溶液）を用いて複数の単芯ファイバ素線１６を束ねることで、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りを良くし、複数の単芯ファイバ素線１６が互いに擦り合って互いに傷付け合うことを抑制することができる。これにより、単芯ファイバ素線１６に付いた傷等に起因するＰＩＦ２０の暗欠陥が抑制される。
また、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが良くなることで、これらを自然に整然と配列させることができる。その結果、ＰＩＦ２０の画素抜けが抑制される。また、画素配列が整然とするため、ＰＩＦ２０を用いて高精細な画像の伝送が可能となる。
また、複数の単芯ファイバ素線１６の間の滑りが良くなることで、これらを自然に整然と配列させることができる。その結果、ＰＩＦ２０の画素抜けが抑制される。また、画素配列が整然とするため、ＰＩＦ２０を用いて高精細な画像の伝送が可能となる。
本実施形態の製造方法では、画素数Ｎが５２００以上であっても、複数の画素を整然と配列させることができ、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合を９０％以上または９５％以上とすることができる。
本実施形態の製造方法では、画素数Ｎが１００００以上、２００００以上、３００００以上、あるいは４００００以上であっても、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合を９０％以上または９５％以上とすることが可能である。
本実施形態の製造方法では、画素数Ｎが１００００以上、２００００以上、３００００以上、あるいは４００００以上であっても、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合を９０％以上または９５％以上とすることが可能である。
本明細書において、ある任意の１つの画素（Ｇ1）が六方稠密に配列しているか否かについては次の基準で判断する。
まず、断面視において、ある任意の１つの画素（Ｇ1）から見て直近の周囲に存在する６つの画素（Ｇ2〜Ｇ7）を選択する。
なお、ある任意の１つの画素（Ｇ1）の周囲に６つの画素が存在しない場合（例えば最外縁の画素が相当）もあるが、その画素は六方稠密に配列していないものとしてカウントする。このカウント基準では、必然的に画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は１００％とはならない。
前述のとおり選択した６つの画素（Ｇ2〜Ｇ7）に関して、画素Ｇ１に属するコアと画素Ｇi（ここで、ｉは２〜７の整数である。）に属するコアとの画素ピッチの距離をｍｐiとする。このとき、ｍｐ2〜ｍｐ7の値がいずれも、ｍｐ2〜ｍｐ7の平均値の９０〜１１０％の範囲内である場合、画素（Ｇ1）は断面視で六方稠密に配列しているとしてカウントする。
ここで、ｍｐ2〜ｍｐ7の平均値とは、下記式で定義される値である。
（ｍｐ2＋ｍｐ3＋ｍｐ4＋ｍｐ5＋ｍｐ6＋ｍｐ7）/６
まず、断面視において、ある任意の１つの画素（Ｇ1）から見て直近の周囲に存在する６つの画素（Ｇ2〜Ｇ7）を選択する。
なお、ある任意の１つの画素（Ｇ1）の周囲に６つの画素が存在しない場合（例えば最外縁の画素が相当）もあるが、その画素は六方稠密に配列していないものとしてカウントする。このカウント基準では、必然的に画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は１００％とはならない。
前述のとおり選択した６つの画素（Ｇ2〜Ｇ7）に関して、画素Ｇ１に属するコアと画素Ｇi（ここで、ｉは２〜７の整数である。）に属するコアとの画素ピッチの距離をｍｐiとする。このとき、ｍｐ2〜ｍｐ7の値がいずれも、ｍｐ2〜ｍｐ7の平均値の９０〜１１０％の範囲内である場合、画素（Ｇ1）は断面視で六方稠密に配列しているとしてカウントする。
ここで、ｍｐ2〜ｍｐ7の平均値とは、下記式で定義される値である。
（ｍｐ2＋ｍｐ3＋ｍｐ4＋ｍｐ5＋ｍｐ6＋ｍｐ7）/６
以上のように、本実施形態によれば、画素径（コア径ｍａ）、画素数（コア数）Ｎ、およびコア面積比率ｍＥ等の製品仕様の変更に柔軟に対応でき、かつ、暗欠陥および画素抜けが抑制され、複数の画素が整然と整列し、画像を高精度に伝送することが可能なＰＩＦ２０の製造方法を提供することができる。
以下、本発明に係る実施例および比較例について説明する。
（実施例１）
はじめに、外径５３ｍｍφのポリスチレン（ＰＳ、屈折率１．５９）製のコアロッドと、内径５５ｍｍφ、外径７０ｍｍφのポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、屈折率１．４９４）製の第１のクラッドパイプとを用意した。
次に図２に示したように、上記の第１のクラッドパイプの中空部に上記のコアロッドを挿入して、単芯のクラッド／コア複合材を得た。
単芯のクラッド／コア複合材において、中心軸から外周に向かう一方向（ｘ方向）の屈折率ｎｄの分布は、図２に示したように、コアロッド内の屈折率ｎｄはｘ方向に対して一様であり、第１のクラッドパイプの屈折率ｎｄはｘ方向に対して一様であった。
次に図３Ａに示したように、得られた単芯のクラッド／コア複合材に対して、真空雰囲気下で先端部を加熱し、線引きし、切断して、単芯ファイバ素線を得た。
得られた単芯ファイバ素線は、コア径ｓａ＝０．６８ｍｍ、クラッド層厚ｓｔ＝０．１０ｍｍ、外径ｓｄ＝０．８７ｍｍφ、コア面積比率ｓＥ＝６０％、長さ＝２００ｍｍであった。
はじめに、外径５３ｍｍφのポリスチレン（ＰＳ、屈折率１．５９）製のコアロッドと、内径５５ｍｍφ、外径７０ｍｍφのポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、屈折率１．４９４）製の第１のクラッドパイプとを用意した。
次に図２に示したように、上記の第１のクラッドパイプの中空部に上記のコアロッドを挿入して、単芯のクラッド／コア複合材を得た。
単芯のクラッド／コア複合材において、中心軸から外周に向かう一方向（ｘ方向）の屈折率ｎｄの分布は、図２に示したように、コアロッド内の屈折率ｎｄはｘ方向に対して一様であり、第１のクラッドパイプの屈折率ｎｄはｘ方向に対して一様であった。
次に図３Ａに示したように、得られた単芯のクラッド／コア複合材に対して、真空雰囲気下で先端部を加熱し、線引きし、切断して、単芯ファイバ素線を得た。
得られた単芯ファイバ素線は、コア径ｓａ＝０．６８ｍｍ、クラッド層厚ｓｔ＝０．１０ｍｍ、外径ｓｄ＝０．８７ｍｍφ、コア面積比率ｓＥ＝６０％、長さ＝２００ｍｍであった。
上記の単芯ファイバ素線を５２００本用意した。
次に図３Ｂに示したように、０．５質量％のラウリル硫酸ナトリウム（ＳＬＳ）水溶液中で、５２００本の単芯ファイバ素線を束ねて、ファイバ素線束を得た。
次に図３Ｃに示したように、得られたファイバ素線束を、外径７０ｍｍφ、肉厚２ｍｍのポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、屈折率１．４９４）製の第２のクラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得た。
次に図３Ｂに示したように、０．５質量％のラウリル硫酸ナトリウム（ＳＬＳ）水溶液中で、５２００本の単芯ファイバ素線を束ねて、ファイバ素線束を得た。
次に図３Ｃに示したように、得られたファイバ素線束を、外径７０ｍｍφ、肉厚２ｍｍのポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ、屈折率１．４９４）製の第２のクラッドパイプの中空部に挿入して、バンドルプリフォームを得た。
次に、水道水を開口径０．２μｍのろ過フィルタとイオン交換膜に順次通して得た超純水（最大抵抗値：１８．２ＭΩ）を用いて、得られたバンドルプリフォームを水洗浄した。この水洗浄により、バンドルプリフォームに付着した界面活性剤を除去した。
水洗浄後のバンドルプリフォームを真空雰囲気下（１ｋＰａ）２５０℃で加熱して全体を一体化してから、図３Ｄに示したように、真空雰囲気下（１ｋＰａ）でその先端部を２４０℃で加熱し線引きして、複芯ファイバからなるＰＩＦを得た。
ＰＩＦの長さは、２ｍとした。
ＰＩＦの長さは、２ｍとした。
得られたＰＩＦについて光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、すべてのコアが六方稠密配列に整然と配列していた。
すなわち、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は９２％であった。
暗欠陥および画素抜けも見られなかった。
光学顕微鏡による断面写真を図４Ａに示す。
すなわち、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は９２％であった。
暗欠陥および画素抜けも見られなかった。
光学顕微鏡による断面写真を図４Ａに示す。
得られたＰＩＦは、画素数Ｎ（コア数）＝５２００、コア径ｍａ（画素径）＝３．４μｍ、コアピッチｍｐ＝４．４μｍ、仮想クラッド層厚ｍｔ＝０．５μｍ、コア面積比率ｍＥ＝６０％、実効径Ｄ１＝３２８μｍ、外径Ｄ２＝３４０μｍであった。
なお、ｍａ、ｍｐ、およびｍｔは、ランダムに選んだ１０箇所の平均値としたが、測定箇所によるばらつきは見られなかった。
なお、ｍａ、ｍｐ、およびｍｔは、ランダムに選んだ１０箇所の平均値としたが、測定箇所によるばらつきは見られなかった。
主な製造条件と評価結果を表１に示す。
（実施例２）
表１に示す製造条件に変更した以外は実施例１と同様にして、単芯ファイバ素線およびＰＩＦの製造と評価を実施した。
評価結果を表１に示す。
実施例２においては、実施例１よりもコア径ｍａ（画素径）が小さく、画素数Ｎ（コア数）が多いＰＩＦを製造した。
表１に示す製造条件に変更した以外は実施例１と同様にして、単芯ファイバ素線およびＰＩＦの製造と評価を実施した。
評価結果を表１に示す。
実施例２においては、実施例１よりもコア径ｍａ（画素径）が小さく、画素数Ｎ（コア数）が多いＰＩＦを製造した。
得られたＰＩＦについて、実施例１と同様に光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、ほぼすべてのコアが六方稠密配列に整然と配列していた。
実施例１と同様、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は９７％であった。
暗欠陥および画素抜けも見られなかった。
光学顕微鏡による断面写真は、実施例１と同様であったので、図示を省略する。
実施例１と同様、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は９７％であった。
暗欠陥および画素抜けも見られなかった。
光学顕微鏡による断面写真は、実施例１と同様であったので、図示を省略する。
（実施例３）
バンドルプリフォームの水洗浄を実施しなかった以外は実施例１と同様にして、単芯ファイバ素線およびＰＩＦの製造と評価を実施した。
評価結果を表１に示す。
バンドルプリフォームの水洗浄を実施しなかった以外は実施例１と同様にして、単芯ファイバ素線およびＰＩＦの製造と評価を実施した。
評価結果を表１に示す。
得られたＰＩＦについて、実施例１と同様に光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、ほぼすべてのコアが六方稠密配列に整然と配列していた。
実施例１と同様、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は９２％であった。
画素抜けも見られなかった。
ただし、界面活性剤の残留に起因すると思われる暗欠陥が見られた。
光学顕微鏡による断面写真を図４Ｂに示す。
実施例１と同様、画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は９２％であった。
画素抜けも見られなかった。
ただし、界面活性剤の残留に起因すると思われる暗欠陥が見られた。
光学顕微鏡による断面写真を図４Ｂに示す。
（比較例１）
表２に示す製造条件に変更した以外は実施例１と同様にして、単芯ファイバ素線およびＰＩＦの製造と評価を実施した。
評価結果を表２に示す。
比較例１では、界面活性剤を使用せず、純水中で複数の単芯ファイバ素線を束ねる作業を行った。また、バンドル後の水洗浄を実施しなかった。
表２に示す製造条件に変更した以外は実施例１と同様にして、単芯ファイバ素線およびＰＩＦの製造と評価を実施した。
評価結果を表２に示す。
比較例１では、界面活性剤を使用せず、純水中で複数の単芯ファイバ素線を束ねる作業を行った。また、バンドル後の水洗浄を実施しなかった。
比較例１では、画素数Ｎを実施例１〜３の半分以下としたにもかかわらず、得られたＰＩＦについて、実施例１と同様に光学顕微鏡による断面観察を実施したところ、コアの配列が不揃いであった。
画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は２０％であった。
また、画素抜けも見られた。
また、複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に生じた傷等に起因すると思われる暗欠陥も見られた。
光学顕微鏡による断面写真を図４Ｃに示す。
画素数Ｎに対して断面視で六方稠密に配列している複数の画素の数の割合は２０％であった。
また、画素抜けも見られた。
また、複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に生じた傷等に起因すると思われる暗欠陥も見られた。
光学顕微鏡による断面写真を図４Ｃに示す。
本発明は上記実施形態および実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない限りにおいて、適宜設計変更が可能である。
本発明のプラスチックイメージファイバ（ＰＩＦ）とその製造方法は、内視鏡等の医療用途、および工業用ファイバスコープ等の工業用途等に好ましく適用することができる。
１１ コアロッド
１２ 第１のクラッドパイプ
１３ 単芯のクラッド／コア複合材
１４ コア
１５ クラッド層
１６ 単芯ファイバ素線
１７ ファイバ素線束
１８ 第２のクラッドパイプ
１９ バンドルプリフォーム
２０ ＰＩＦ（プラスチックイメージファイバ）
２１ コア
２２ クラッド
２３ 仮想クラッド層
２４ 仮想円
３０ 単芯ファイバ素線の製造装置
４０ ＰＩＦの製造装置
ｓａ 単芯ファイバ素線のコア径
ｓｔ 単芯ファイバ素線のクラッド層厚
ｓｄ 単芯ファイバ素線の外径
ｍａ ＰＩＦのコア径
ｍｐ ＰＩＦのコアピッチ
ｍｔ ＰＩＦの仮想クラッド層厚
Ｄ１ ＰＩＦの実効径
Ｄ２ ＰＩＦの外径
１２ 第１のクラッドパイプ
１３ 単芯のクラッド／コア複合材
１４ コア
１５ クラッド層
１６ 単芯ファイバ素線
１７ ファイバ素線束
１８ 第２のクラッドパイプ
１９ バンドルプリフォーム
２０ ＰＩＦ（プラスチックイメージファイバ）
２１ コア
２２ クラッド
２３ 仮想クラッド層
２４ 仮想円
３０ 単芯ファイバ素線の製造装置
４０ ＰＩＦの製造装置
ｓａ 単芯ファイバ素線のコア径
ｓｔ 単芯ファイバ素線のクラッド層厚
ｓｄ 単芯ファイバ素線の外径
ｍａ ＰＩＦのコア径
ｍｐ ＰＩＦのコアピッチ
ｍｔ ＰＩＦの仮想クラッド層厚
Ｄ１ ＰＩＦの実効径
Ｄ２ ＰＩＦの外径
Claims (5)
- クラッドと、当該クラッドの中に形成された複数のコアとを有する複芯ファイバからなり、個々の前記コアが個々の画素をなすプラスチックイメージファイバの製造方法であって、
１つのコアがクラッド層で被覆された単芯ファイバ素線を、前記プラスチックイメージファイバの画素数に対応して複数用意する工程（Ａ）と、
前記複数の単芯ファイバ素線が前記クラッドの材料からなるクラッドパイプの中空部に挿入されたバンドルプリフォームを得る工程（Ｂ）と、
減圧雰囲気下で、前記バンドルプリフォームの先端部を加熱し線引きして、前記複芯ファイバとする工程（Ｄ）とを有し、
工程（Ｂ）において、前記複数の単芯ファイバ素線を束ねる際に界面活性剤を含む溶液を用い、工程（Ｂ）と工程（Ｄ）との間に、前記バンドルプリフォームに付着した前記界面活性剤を除去する工程（Ｃ）を有する、
プラスチックイメージファイバの製造方法。 - 工程（Ｂ）は、
前記複数の単芯ファイバ素線を前記界面活性剤を含む溶液中で束ねて、ファイバ素線束を得る工程（ＢＸ）と、
前記ファイバ素線束を前記クラッドパイプの前記中空部に挿入して、前記バンドルプリフォームを得る工程（ＢＹ）とを含む、
請求項１に記載のプラスチックイメージファイバの製造方法。 - 工程（Ｂ）においては、前記複数の単芯ファイバ素線を前記界面活性剤を含む溶液を用いて束ねながら前記クラッドパイプの前記中空部に挿入して、前記バンドルプリフォームを得る、請求項１に記載のプラスチックイメージファイバの製造方法。
- 前記プラスチックイメージファイバのコア面積比率が５０〜６２％である、請求項１〜３のいずれかに記載のプラスチックイメージファイバの製造方法。
- 前記プラスチックイメージファイバの画素数が５２００以上である、請求項１〜４のいずれかに記載のプラスチックイメージファイバの製造方法。
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