JP6380540B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
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Description
フォトレジスト105には、この製造方法では、ポジ型のものを使用している。なお、ポジ型のフォトレジストに代えて、ネガ型のフォトレジストを使用することもできる。ただし、この場合には、露光に用いるフォトマスクのパターン形状を、後述するものから反転させることが必要になる。
次に、図11(a)に示すように、フォトレジスト105を用いて、導電膜104Aをエッチングする。この結果、導電膜104Aからゲート電極104が形成される。
この後、更に、一般的なフォトリソグラフィー工程、成膜工程、エッチング工程等を繰り返して、半導体デバイス200を完成させる。
(実施形態1)
図1(a)〜図1(d)、および図2(a)〜図2(d)に、本発明の電子部品の製造方法の実施形態1に係る、MIM型キャパシタ8を含む電子部品100の製造方法を示す。
まず、測定することにより得られた層間絶縁膜14(絶縁膜4)の膜厚に基づいて、膜厚のばらつきによる静電容量のばらつきが小さくなるように、第2電極15のパターンを補正するための、DMDパターンデータを作製する。そして、該パターンデータを用いてパターン露光を行う。この工程により、層間絶縁膜14(絶縁膜4)の膜厚ばらつきに拠らない静電容量を有するMIM型キャパシタ8を得ることができる。
次に、図2(c)に示すように、フォトレジスト6を用いて、導電膜5をエッチングし、MIM型キャパシタ8の第2電極15を形成する。
しかしながら、本発明が上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更を加えることができる。
本実施形態においては、電子部品が振動装置を含むものを例示して、電子部品の製造方法について説明する。
まず、測定することにより得られたSi層31の膜厚に基づいて、膜厚のばらつきによる共振周波数frのばらつきが小さくなるように、振動腕30a,30b,30cの長さを補正するためのDMDパターンデータを作製する。そして、該パターンデータを用いてパターン露光を行う。
Claims (4)
- 電子部品の製造方法であって、
前の工程において作製された電子部品要素のパラメータを測定するパラメータ測定工程と、
フォトレジスト塗布工程と、
直接描画方式を用いるフォトレジスト露光工程と、
フォトレジスト現像工程と、を含み、
前記フォトレジスト露光工程は、前記パラメータ測定工程で得られたパラメータに基づき、前記パラメータのばらつきを減じるように補正されたパターンデータを作製し、前記パターンデータを用いてパターン露光を行い、
前記電子部品が、第1電極と、層間絶縁膜と、第2電極とが積層されたMIM型キャパシタを含み、
前記フォトレジスト露光工程で補正されるパターン形状が、前記第2電極を形成するためのパターン形状である、電子部品の製造方法。 - 前記パラメータ測定工程で測定されるパラメータが、前記層間絶縁膜の膜厚であり、
前記フォトレジスト露光工程は、
前記パラメータ測定工程で測定された前記層間絶縁膜の前記膜厚が、予め定められた値よりも小さい場合には、前記第2電極の形状が予め定められた値よりも小さくなるように、前記パターン形状の大きさを補正し、
前記パラメータ測定工程で測定された前記層間絶縁膜の前記膜厚が、予め定められた値よりも大きい場合には、前記第2電極の形状が予め定められた値よりも大きくなるように、前記パターン形状の大きさを補正する、請求項1に記載された電子部品の製造方法。 - 電子部品の製造方法であって、
前の工程において作製された電子部品要素のパラメータを測定するパラメータ測定工程と、
フォトレジスト塗布工程と、
直接描画方式を用いるフォトレジスト露光工程と、
フォトレジスト現像工程と、を含み、
前記フォトレジスト露光工程は、前記パラメータ測定工程で得られたパラメータに基づき、前記パラメータのばらつきを減じるように補正されたパターンデータを作製し、前記パターンデータを用いてパターン露光を行い、
前記電子部品が、振動部と、前記振動部上に形成され前記振動部を振動させるための励振部を有する振動子を含み、
前記パラメータ測定工程で測定されるパラメータが、前記振動部の厚みであり、
前記フォトレジスト露光工程で補正されるパターン形状が、前記振動部の形状を特定するためのパターン形状である、電子部品の製造方法。 - 1個のウエハに複数個の前記電子部品を形成することとし、
前記パラメータ測定工程は、前記ウエハを複数の領域に区分し、区分ごとに前記電子部品要素のパラメータを測定し、
前記フォトレジスト露光工程は、前記区分ごとに前記パターン形状を補正する、請求項1ないし3のいずれか1項に記載された電子部品の製造方法。
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