JP6379954B2 - ウエハ加熱ヒータ - Google Patents

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Description

本発明は、載置面に載置された半導体ウエハをその下面から加熱するウエハ加熱ヒータに関する。
LSIなどの半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハに対して成膜やエッチングなどの様々な処理が施される。これらの処理はウエハの加熱工程を伴うことが多く、その場合は載置面に載置されたウエハをその下面から所定の温度で加熱するウエハ加熱ヒータが使用される。ウエハ加熱ヒータは、例えばウエハのフォトリソグラフィーに使用されるコータデベロッパ、半導体検査用に使用されるウエハプローバ、成膜に使用されるCVD装置等の半導体製造装置に搭載されている。
コータデベロッパでは、ウエハの表面にレジスト膜を塗布し、フォトリソグラフィー用のチャンバー内に搬送される。このチャンバー内にウエハ加熱ヒータが設置されており、ウエハ加熱ヒータを構成するウエハ載置台の上にウエハを搭載して下からの加熱によりレジスト膜を乾燥した後、露光や現像などの処理が施される。これによりレジスト膜のパターニングが行われる。
上記したウエハの処理では、ウエハ面の温度分布をできるだけ均一にした状態で処理が行われる望ましく、熱伝導率の高い金属板で構成されるウエハ加熱ヒータが用いられていた。しかし、金属板は厚み方向に温度差が生じると反りやすいという問題をかかえていた。また、金属の表面から脱離した金属粒が異物としてウエハを汚染させることがあり、金属汚染を嫌うクリーンな環境では使用できないことがあった。そこで、例えば特許文献1に示すように、ウエハ載置台をヤング率の高いセラミックスで形成することでウエハ載置面の平面度を高め、これによりウエハの裏面を載置面に確実に密着させることでウエハ面の温度分布を均一に保つことが行われていた。
国際公開第01/013423号
上記したようにウエハ載置台をセラミックス製にすることにより、厚み方向に温度差が生じても金属とは異なり反りにくくなるのでよりウエハ面をより均一に加熱することができ、金属汚染の問題も解消することできるが、一般にセラミックスは金属に比べて熱伝導度が低いので、セラミックス製のウエハ載置台では昇温時に載置台の中心部と周縁部との温度差が顕著になりやすく、設定温度を変更した時などにウエハ載置面の温度を均一にするのに時間がかかることがあった。本発明はかかる従来の問題に鑑みてなされたものであり、ウエハ載置面において高い平面度と優れた均熱性とを共に得ることが可能なウエハ加熱ヒータを提供する事を目的としている。
上記の目的を達成するため、本発明のウエハ加熱ヒータは、少なくとも載置面がフッ素樹脂でコーティングされた金属製の円板からなるウエハ載置板と、該ウエハ載置板の下面を略全面に亘って摺動自在に支持するセラミックス製の円板からなる支持板と、該支持板の上面若しくは下面に設けられた円板状の発熱ユニットと、該支持板の下側に位置する金属製の保持部材とを有するウエハ加熱ヒータであって、該ウエハ載置板は載置面の周方向に略均等に配置された複数の結合部材で該保持部材に結合されていることを特徴としている。
本発明によれば、ウエハ加熱ヒータ自体の温度が変化しても、ウエハ載置面において高い均熱性と高い平面度を維持することが可能になる。
本発明の第1の実施形態のウエハ加熱ヒータを示す模式的な縦断面図である。 図1のウエハ加熱ヒータの変形例を示す模式的な縦断面図である。 本発明の第2の実施形態のウエハ加熱ヒータを模式的に示す縦断面図である。 本発明の第3の実施形態のウエハ加熱ヒータを模式的に示す縦断面図である。 本発明の第4の実施形態のウエハ加熱ヒータを模式的に示す縦断面図である。 図1のウエハ加熱ヒータのVI−VI矢視図である。 実施例1のウエハ加熱ヒータとの比較のために作製したウエハ加熱ヒータを示す模式的な縦断面図である。 実施例2のウエハ加熱ヒータとの比較のために作製したウエハ加熱ヒータを示す模式的な縦断面図である。
先ず、図1を参照しながら本発明の第1の実施形態のウエハ加熱ヒータについて説明する。この図1に示す第1の実施形態のウエハ加熱ヒータは、フッ素樹脂1aが全面にコーティングされた金属製の円板からなるウエハ載置板1と、このウエハ載置板1の下面を略全面に亘って摺動自在に支持するセラミックス製の円板からなる支持板2と、この支持板2の下側に位置する金属製の保持部材7とを有している。そして、これらウエハ載置板1と保持部材7とは、ウエハ載置板1の載置面の周方向に略均等に配置された複数の第2結合部材8で互いに結合されている。ここで略均等に配置とは、厳密に等間隔に配置する場合のみならず本発明の効果を奏する範囲で概ね等間隔とみなされるように配置する場合を含むことを意味している。また、略全面に亘って支持とは、ウエハ載置板1の下面はできるだけ全面に亘って支持するのが好ましいが、ウエハ載置板1の下面に設けられるネジ穴や必要に応じて取り付ける温度センサ等の設置用ザグリ穴、又は後述する気密シール用のOリング等が設けられる周縁部等の領域は、支持される面から除かれることを意味している。
支持板2の下側には、この支持板2と略同じ外径を有する金属製の円板からなる押え板4が設けられており、これら支持板2と押え板4とで支持板2の下面に設けられた円板状の発熱ユニット3が挟持されている。発熱ユニット3及び押え板4には下から見た同じ位置に貫通孔が設けられており、この貫通孔に下側から挿通されるネジ等の第1結合部材5が、支持板2の下面側に設けられたネジ穴に螺合している。これにより支持板2と押え板4とが互いに結合されている。
支持板2において第2結合部材8が貫通している部分は、第2結合部材8の外径よりも大きな内径を有する貫通孔2aが設けられている。これにより、ウエハ加熱ヒータの昇温時や降温時にウエハ載置板1と支持板2との熱膨張係数の差に起因してウエハ載置板1と支持板2との対向面の方向に応力が働いた時に、当該対向面で摺動させることが可能になる。発熱ユニット3及び押え板4において第2結合部材8が貫通している部分は、上記の支持板2の貫通孔2aの内径よりも大きな内径を有する貫通孔が設けられている。このように、貫通孔の内径が異なることで下側に露出する支持板2の貫通孔2aの周縁部に、保持部材7の上面に設けられた筒状の柱状部材6の上端面が当接している。この柱状部材6の高さは、発熱ユニット3及び押え板4を合計した厚みよりも大きく、そのため、保持部材7の上面と押え板4の下面とは離間している。
ウエハ載置板1の材質は金属であれば特にその種類を問わないが、100W/mK以上の熱伝導率を持つ金属であることがより好ましい。例えばウエハ加熱ヒータを良好な昇温特性が必要とされる半導体製造装置のコータデベロッパに使用する場合は、ウエハ載置板1の材質に熱容量が比較的小さく且つ軽量で安価なアルミニウムまたはアルミニウム合金を使用することが好ましい。保持部材7は、このウエハ載置板1の材質が有する熱膨脹係数と略同等の熱膨張係数を有する材質で形成するのが好ましい。ウエハ載置板1と保持部材7の温度が大きく異なるような使用の場合、熱膨張量が略同等であるように材質を選ぶのがさらに好ましい。
支持板2を形成するセラミックスは、ウエハ載置面での高い平面度を担保するため高いヤング率を有しているのが好ましく、また、100W/mK程度以上の高い熱伝導率を有しているのが好ましい。更に、5E−6/K程度以下の低い熱膨張率を有しているのが好ましい。これらの要件を満たす材料としては、例えば窒化アルミニウムや炭化ケイ素、あるいは、炭化ケイ素などのセラミックとシリコンとの複合体を挙げることができる。
第2結合部材8の材質は特に制約がなく、銅、コバール、ステンレス、チタン、タングステン等の金属を使用することができるが、その熱膨張係数が上記したウエハ載置板1及び保持部材7の熱膨張係数と略同等であるのが好ましい。これにより、温度変化が生じた時にウエハ載置板1や保持部材7に第2結合部材8から過大な軸力がかかることを避けることができ、ウエハ載置板1の載置面での反りを抑えることができる。
温度変化が生じてもウエハ載置面において高い平面度を維持するには、温度によるウエハ載置板1の反りを抑えることが必要であり、前述したようにウエハ載置板1と保持部材7とをウエハ載置板1の載置面の周方向に略均等に配置された複数の第2結合部材8で互いに結合することで、ウエハ載置板1に温度変化により厚み方向の応力がかかっても金属に比べて著しく平面度に優れたセラミックス製の支持板2の上面にウエハ載置板1の下面を密着させておくことが可能になる。すなわち、支持板2がウエハ載置板1に対して互いの対向面に垂直な方向に押圧されていることで、温度変化による応力がかかった場合でも該対向面を密着させておくことが可能となる。この意味において結合部材の配置は上記の配置に限定されない。結合部材は載置面の周方向に均等に配置される方が、押圧力が均等にかかりやすい点で好ましい。さらに、ウエハ載置板1と保持部材7との材質を同程度の熱膨脹量を有する金属にすることで、加熱時に下に凸状に変形させるウエハ載置板1の応力を、上に凸状に変形させる保持部材7の応力で緩和することができる。
柱状部材6の材質は特に制約はないが、優れた断熱性と高い剛性を有するものがより好ましい。具体的には、熱伝導率が低く且つヤング率の高いステンレスやコバールなどの金属でもよいし、アルミナやムライトアルミナ、窒化ケイ素などのセラミックスでもよい。このように、断熱性に優れた材料で柱状部材6を形成することによって、ウエハ加熱ヒータを断熱性に優れたものにすることができる。
発熱ユニット3は、例えば金属箔からなる抵抗発熱体をマイカなどの絶縁体で挟み込んだ構造が簡便であるので好ましい。抵抗発熱体の材料には、例えばニッケル、ステンレス、銀、タングステン、モリブデン、クロムなどの金属やそれらの合金を使用することができる。これら金属材料の中では、ステンレスまたはニクロムが特に好ましい。ステンレスあるいはニクロムは、発熱体の形状に加工する時、エッチングなどの手法により、抵抗発熱体回路パターンを比較的に精度良く形成することができるからである。また、安価な上、耐酸化性を有するので使用温度が高温であっても長期間の使用に耐えることができるからである。
抵抗発熱体を挟み込む絶縁体は、耐熱性を有する絶縁体であれば特に制約はない。例えば上記したマイカのほか、ポリイミド、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを使用することができる。また、絶縁性の樹脂で抵抗発熱体を挟み込む場合、抵抗発熱体で発生した熱をよりスムースに支持板2に伝えるために、樹脂中にフィラーを分散させてもよい。このような熱伝導を高める役割を担うフィラーには、樹脂との反応性が無ければ種々のものを使用してよい。例えば、窒化硼素、窒化アルミニウム、アルミナ、シリカなどの物質を使用することができる。上記した発熱ユニット3は、図示しない熱電対などの温度センサ及びコントローラで構成される制御系によって制御されており、これによりウエハ載置面の温度制御が可能になる。
このように、本発明の第1の実施形態のウエハ加熱ヒータは、良好な熱伝導度を有する金属製のウエハ載置板が金属に比べてヤング率の高いセラミックス製の支持板の上面に摺動可能な状態で当接しているので、昇温時や降温時においても常にウエハ載置面において高い平面度と優れた均熱性を維持することができる。また、ウエハ載置板のウエハ載置面がフッ素樹脂で全面コーティングされているので、金属製のウエハ載置板から生じた物質が異物としてウエハを汚染する問題を防ぐことが可能になる。なお、図2に示す変形例のように、ウエハ載置板11の下面側はフッ素樹脂で被覆しなくてもよい。この場合は、フッ素樹脂層を介することなく支持板2の上面が直接ウエハ載置板11の金属に接触することになるので、より高い伝熱性能を得ることができる。
次に、図3を参照しながら本発明の第2の実施形態のウエハ加熱ヒータについて説明する。この第2の実施形態のウエハ加熱ヒータは、発熱ユニット3が支持板2の下面側に位置している上記した第1の実施形態のウエハ加熱ヒータの構造に代えて、発熱ユニット23が支持板22の上面側に位置している。すなわち、ウエハ載置板21と支持板22とで発熱ユニット23が挟持されており、上記した制御系によるウエハ載置面の温度制御の応答性をより高めることができる。
更に、この第2の実施形態のウエハ加熱ヒータでは、図2に示す押え板4及びこれを支持板2に取り付ける第1結合部材5が不要になるので、ウエハ加熱ヒータの構成を簡素化してコストを抑えることも可能になる。ただし、前述したように発熱ユニット23は比較的軟らかい材料で形成されているので、ウエハ載置板21のウエハ載置面での平面度は、わずかではあるが発熱ユニット23の影響を受けるおそれがある。
次に、図4を参照しながら本発明の第3の実施形態のウエハ加熱ヒータについて説明する。この第3の実施形態のウエハ加熱ヒータは、保持部材37が円板状底部37aとその周縁部から立設する円筒状壁部37bとで構成されている。この保持部材37は、表裏面がフッ素樹脂でコーティングされており、ウエハを汚染させる物質が保持部材37から生じにくくなっている。また、円筒状壁部37bの上部は、全周に亘って外側に屈曲しており、この屈曲部の上端面とウエハ載置板31の下面との間がOリング39で気密シールされている。これにより、ウエハ載置板31と保持部材37とによって画定される内部空間をウエハ加熱ヒータが設置されるチャンバー内の腐食環境から隔離することが可能になる。
次に、図5を参照しながら本発明の第4の実施形態のウエハ加熱ヒータについて説明する。この第4の実施形態のウエハ加熱ヒータは、上記した第2の実施形態のウエハ加熱ヒータのように、発熱ユニット43が支持板42の上面側に位置している部分を除いて基本的には上記した第3の実施形態のウエハ加熱ヒータと同様である。従って、この第4の実施形態のウエハ加熱ヒータによれば、前述した第2の実施形態のウエハ加熱ヒータの効果と第3の実施形態のウエハ加熱ヒータの効果の両方を得ることができる。
以上、本発明のウエハ加熱ヒータについて複数の実施形態を挙げて説明したが、本発明はこれら実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨から逸脱しない範囲内で種々の代替例や変形例を考えることができる。すなわち、本発明の技術的範囲は、特許請求の範囲およびその均等物に及ぶものである。
[実施例1]
図1に示すようなウエハ加熱ヒータを作製して加熱前後におけるウエハ載置面の平面度の変化を調べた。具体的には、金属製のウエハ載置板1として、Cu製の外径300mm厚み10mmの円板に対して、ウエハ載置面とは反対側の面のP.C.D.240mmの位置に12等配のM4タップを施し、更にP.C.D.100mmの位置に4等配のM4タップを施し、表面に厚み0.5mmのフッ素樹脂コーティングを施した。セラミック製の支持板2として、Si50SiC50(以下、SiSiCと称する)製の外径280mm厚み5mmの円板に、P.C.D.240mmの位置に12等配の内径8mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径8mmの貫通孔、P.C.D.260mmの位置に12等配のM4タップ、P.C.D.150mmの位置に8等配のM4タップを施した。
次に、発熱ユニット3として、外径280mm、厚み0.5mmのマイカシート2枚の間にステンレスで所定の発熱パターンにエッチングをした発熱体を挟み込み圧着したものに対して、P.C.D.240mmの位置に12等配の内径14mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径14mmの貫通孔、P.C.D.260mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.150mmの位置に8等配の内径4.4mmの貫通孔を施した。
金属製の押え板4として、SUS304製の外径280mm厚み2mmの円板にP.C.D.240mmの位置に12等配の内径14mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径14mm貫通孔、P.C.D.260mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.150mmの位置に8等配の内径4.4mmの貫通孔を施した。第1結合部材5としてステンレス製の首下6mmのM4ネジ20本を用意し、発熱ユニット3および押え板4の内径4.4mmの貫通孔を通して支持板2のM4タップにネジ止めした。
柱状部材6として、アルミナ製の外径12mm、内径8mm、高さ14mmのパイプを16本用意し、保持部材7として、A5052製の外径260mm厚み3mmの円板にP.C.D.240mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径4.4mmの貫通孔を施し、締結用ネジである第2結合部材8として、ステンレス製の首下26mmのM4ネジ16本を用意した。これら第2結合部材8を支持板2、発熱ユニット3、押え板4、柱状部材6、保持部材7の貫通孔を通して、ウエハ載置板1のM4タップにネジ止めした。
このようにして試料101のウエハ加熱ヒータを作製した。なお、この作製した試料101のウエハ加熱ヒータを図1のVI−VI矢視図を図6に示す。更に、各部材に下記表1に示す様々な材料のうちのいずれかを用いた以外は上記試料101のウエハ加熱ヒータと同様にして試料102〜114のウエハ加熱ヒータを作製した。
Figure 0006379954
比較のため、図7に示すようなウエハ加熱ヒータを作製した。具体的には、金属製のウエハ載置板51として、Cu製の外径300mm、厚み10mmの円板にウエハと対向する面とは反対の面にP.C.D.240mmの位置に12等配のM4タップ、P.C.D.100mmの位置に4等配のM4タップ、P.C.D.260mmの位置に12等配のM4タップ、P.C.D.150mmの位置に8等配のM4タップを施し、表面にフッ素樹脂コーティング厚み0.5mmを施した。
セラミック製の支持板52として、SiSiC製の外径280厚み5mmの円板に、P.C.D.240mmの位置に12等配の内径8mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径8mmの貫通孔、P.C.D.260mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.150mmの位置に8等配の内径4.4mmの貫通孔を施した。
発熱ユニット53、金属製の押え板54、柱状部材56、保持部材57、第2結合部材58は、それぞれ上記した試料101のウエハ加熱ヒータと同じものを使用した。そして、第1結合部材55としてステンレス製の首下11mmのM4ネジ20本を用意し、支持板52、発熱ユニット53および押え板54の内径4.4mmの貫通孔を通してウエハ載置板51のM4タップにネジ止めし、第2結合部材58を支持板52、発熱ユニット53、押え板54、柱状部材56、保持部材57の貫通孔を通して、ウエハ載置板51のM4タップにネジ止めした。このようにして試料121のウエハ加熱ヒータを作製した。更に、各部材に上記表1に示す様々な材料のうちのいずれかを用いた以外は上記試料121のウエハ加熱ヒータと同様にして試料122〜134のウエハ加熱ヒータを作製した。
これら試料101〜114及び試料121〜134のウエハ加熱ヒータに対して、各々室温で組んだときの平面度と、発熱体に所定の電力を与えヒータ表面の温度が150℃になったときの平面度を測定し、その差を反り量として評価した。その測定結果を使用した材質と共に下記表2に示す。
Figure 0006379954
上記表2から分かるように、本発明の要件を満たすウエハ加熱ヒータは、いずれも中凹形状で0.05mm以下の反り量となったが、比較例のヒータは中凸で0.2mmまで変化したものがあった。試料122、123、125〜131のウエハ加熱ヒータは、ウエハ載置板51と押え板54の熱膨張差が大きいために大きな反りが発生したのに対して、試料121、124、132、133、134のウエハ加熱ヒータは、ウエハ載置板51と押え板54の熱膨張差がほとんどないため、反りが少なかった。それに対応する本発明の試料102、103、105〜111のウエハ加熱ヒータは、支持板2によってウエハ載置板1の平面度変化を抑制できていることがわかった。
[実施例2]
図3に示すようなウエハ加熱ヒータを作製して加熱前後におけるウエハ載置面の平面度の変化を調べた。具体的には、金属製のウエハ載置板21として、Cu製の外径300mm、厚み10mmの円板にウエハと対向する面とは反対の面にP.C.D.240mmの位置に12等配のM4タップ、P.C.D.100mmの位置に4等配のM4タップを施し、表面にフッ素樹脂コーティング厚み0.5mmを施した。発熱ユニット23として、外径280厚み0.5mmのマイカシート2枚の間にステンレスで所定の発熱パターンにエッチングをした発熱体を挟み込み圧着したものに対して、P.C.D.240mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径4.4mmの貫通孔を施した。
セラミック製の支持板22として、Si50SiC50(以下、SiSiC)製の内径280厚み5mmの円板に、P.C.D.240mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径4.4mmの貫通孔を施した。柱状部材26としてアルミナ製の外径12mm、内径8mm、高さ14mmのパイプを16本用意し、保持部材27としてA5052製の外径260mm、厚み3mmの円板にP.C.D.240mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径4.4mmの貫通孔を施し、第2結合部材28としてステンレス製の首下27mmのM4ネジ16本を用意し、第2結合部材28を発熱ユニット23、支持板22、柱状部材26、保持部材27の貫通孔を通して、ウエハ載置板21のM4タップにネジ止めし、ウエハ加熱ヒータ201を作製した。更に、各部材に上記表1に示す様々な材料のうちのいずれかを用いた以外は上記試料201のウエハ加熱ヒータと同様にして試料202〜210のウエハ加熱ヒータを作製した。
比較のため、図8に示すようなウエハ加熱ヒータを作製した。具体的には、金属製のウエハ載置板61として、Cu製の外径300mm、厚み10mmの円板にウエハと対向する面とは反対の面にP.C.D.240mmの位置に12等配のM4タップ、P.C.D.100mmの位置に4等配のM4タップ、P.C.D.260mmの位置に12等配のM4タップ、P.C.D.150mmの位置に8等配のM4タップを施し、表面にフッ素樹脂コーティング厚み0.5mmを施した。
発熱ユニット63として、外径280mm、厚み0.5mmのマイカシート2枚の間にステンレスで所定の発熱パターンにエッチングをした発熱体を挟み込み圧着したものに対して、P.C.D.240mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径4.4mmの貫通孔を施し、P.C.D.260mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.150mmの位置に8等配の内径4.4mmの貫通孔を施した。セラミック製の支持板62として、SiSiC製の外径280mm、厚み5mmの円板に、P.C.D.240mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.100mmの位置に4等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.260mmの位置に12等配の内径4.4mmの貫通孔、P.C.D.150mmの位置に8等配の内径4.4mmの貫通孔を施した。
柱状部材66、保持部材67、第2結合部材68は試料201のウエハ加熱ヒータと同じものを使用し、第1結合部材65としてステンレス製の首下10mmのM4ネジ20本を用意し、支持板62、発熱ユニット63の内径4.4mmの貫通孔を通してウエハ載置板61のM4タップにネジ止めし、第2結合部材68を支持板62、発熱ユニット63、柱状部材66、保持部材67の貫通孔を通して、ウエハ載置板61のM4タップにネジ止めし、試料221のウエハ加熱ヒータを作製した。更に、各部材に上記表1に示す様々な材料のうちのいずれかを用いた以外は上記試料221のウエハ加熱ヒータと同様にして試料222〜230のウエハ加熱ヒータを作製した。
これら試料201〜210及び試料221〜230のウエハ加熱ヒータに対して、室温で組んだときの平面度と、発熱体に所定の電力を与えヒータ表面の温度が150℃になったときの平面度を測定し、その差を反り量として評価した。その測定結果を使用した材料と共に下記表3に示す。
Figure 0006379954
上記表3から分かるように、本発明の要件を満たすウエハ加熱ヒータは、いずれも中凹形状で0.06mm以下の反り量となったが、比較例のヒータは中凸で0.4mmまで変化したものがあった。試料221〜229のウエハ加熱ヒータは、ウエハ載置板61と支持板62の熱膨張差が大きいために大きな反りが発生したのに対して、試料ヒータ230のウエハ加熱ヒータは、ウエハ載置板61と支持板62の熱膨張差がほとんどないため、反りが少なかった。それに対応する本発明の要件を満たす試料201〜210のウエハ加熱ヒータは、支持板22によってウエハ載置板21の平面度変化を抑制できていることがわかった。
1、11、21、31、41、51、61 ウエハ載置板
1a、11a、21a、31a、41a、51a、61a フッ素樹脂層
2、22、32、42、52、62 支持板
3、23、33、43、53、63 発熱ユニット
4、34、54 押え板
5、35、55、65 第1結合部材
6、26、36、46、56、66 柱状部材
7、27、37、47、57、67 保持部材
8、28、38、48、58、68 第2結合部材
37a、47a 円板状底部
37b、47b 円筒状壁部
39、49 Oリング

Claims (2)

  1. 少なくとも載置面がフッ素樹脂でコーティングされた金属製の円板からなるウエハ載置板と、該ウエハ載置板の下面を略全面に亘って摺動自在に支持するセラミックス製の円板からなる支持板と、該支持板の上面若しくは下面に設けられた円板状の発熱ユニットと、該支持板の下側に位置するフッ素樹脂でコーティングされた金属製の保持部材と、前記支持板と前記保持部材との間に介在してこれらを離間させるセラミック製の柱状部材とを有するウエハ加熱ヒータであって、該ウエハ載置板は載置面の周方向に略均等に配置された複数の結合部材で該保持部材に結合されており、前記保持部材は円板状底部とその周縁部から立設する円筒状壁部とからなり、該円筒状壁部の上端面と前記ウエハ載置板の下面との間が気密シールされているウエハ加熱ヒータ。
  2. 前記ウエハ加熱ヒータは前記支持板の下面に設けられた前記発熱ユニットを該支持板との間で挟持する金属製の円板からなる押え板を更に有している、請求項1に記載のウエハ加熱ヒータ。
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