JP6379202B2 - 単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法 - Google Patents
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Description
背景技術
そのうち,前記ミクロンレベルの単結晶ダイヤモンドとナノメートルレベルの金属粉末の質量比率は1:1‐4:1である;
前記ミクロンレベルの単結晶ダイヤモンドとミクロンレベルの金属粉末の質量比率は5:1‐20:1である;
前記ゾルにナノメートルレベルの金属粉末の物質量は濃度が1‐4mol/Lである;
前記ステップ(2)で造粒を行う方法は撹拌造粒法、噴霧乾燥法、沸騰造粒法、押出球形化造粒法又は遠心造粒法である。
前記ステップ(2)で造粒して取得した複合顆粒は粒径が10‐200μmである。
酸化性酸処理を前記無機酸により処理された複合顆粒に加え,150‐200℃条件で6‐8時間の処理を行う。
一連の水性研磨液を配合すること。
表1‐単結晶ダイヤモンドが処理前後その研磨特性の評価データ
Claims (9)
- 単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法であり,それは以下のステップを含む:
(1)ミクロンレベル単結晶ダイヤモンドと少なくともミクロンレベル金属粉末を少なくともナノメートル金属粉末を含有するゾルに分散させ,撹拌して均一にしたスラリーを形成すること;
前記スラリー形成ステップにおいて,前記ミクロンレベルの単結晶ダイヤモンドとナノメートル金属粉末の質量比率が1:1‐4:1であり;
前記ミクロンレベルの単結晶ダイヤモンドとミクロンレベルの金属粉末の質量比率が5:1‐20:1であり;
前記ゾルにナノメートルレベル金属粉末の物質の量は濃度が1‐4mol/Lであり;
(2)前記スラリーを造粒して,球形凝集の単結晶ダイヤモンドと前記した2種類の金属粉末とからなる複合顆粒を取得すること;
(3)ステップ(2)において取得した前記複合顆粒を真空炉に置き,前記真空炉の温度を600‐1000℃に設定し,0.5‐5時間保温した後に,室温まで冷却すること
(4)ステップ(3)で室温まで冷却した複合顆粒を順次無機酸処理、酸化性酸処理により中性まで洗浄し,乾燥し,前記単結晶ダイヤモンド砥粒を取得することである。 - 前記ミクロンレベルの金属粉末と前記ナノメートル金属粉末が全体的に少なくとも二種類の金属を含有することを特徴とする、請求項1に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。
- 前記ミクロンレベルの単結晶ダイヤモンドの粒径が0.1‐30μmである;
前記ナノメートルレベルの金属粉末は粒径が10‐100nmである;
前記ミクロンレベルの金属粉末は粒径が0.1‐10μmである,請求項1又は2に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。 - 前記ナノメートルレベルの金属粉末ゾルは溶剤が脱イオン水及び/又は無水エタノールである、請求項1−3のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。
- 前記ナノメートルレベルの金属粉末と前記ミクロンレベルの金属粉末はそれぞれ以下の金属粉末の一種類又は複数種類の混合物である、請求項1−4のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法:
鉄粉末、コバルト粉末、ニッケル粉末、マンガン粉末又は鉄、コバルト、ニッケル、マンガンの二種類又は複数種類で形成される合金粉末である。 - 前記ステップ(2)で造粒を行う方法は撹拌造粒法、噴霧乾燥法、沸騰造粒法、押出球形化造粒法又は遠心造粒法である、請求項1−5のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。
- 前記ステップ(2)で造粒して取得した複合顆粒は粒径が10‐200μmである、請求項1−6のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。
- 前記ステップ(3)で熱処理を行う時に,前記真空炉の内部ガスは真空、水素ガス又は不活性ガスである、請求項1−7のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。
- 前記ステップ(4)で無機酸処理と酸化性酸処理を行う具体的な操作は:無機酸を複合顆粒に加え,80‐100℃条件で3‐5時間の処理を行うこと;
酸化性酸処理を前記無機酸により処理された複合顆粒に加え,150‐200℃条件で6‐8時間の処理を行う、請求項1−8のいずれか1項に記載の単結晶ダイヤモンド砥粒の製造方法。
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