JP6373239B2 - 圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネル - Google Patents

Description

本発明の実施形態は、圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネルに関する。

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術を用いた圧力センサがある。圧力センサは、例えば、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネルなどに応用できる。磁気スピン技術を用いた圧力センサも提案されている。圧力センサにおいて、感度の向上が望まれる。

特開２０１３−２０５４０３号公報

本発明の実施形態は、感度を向上できる圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネルを提供する。

本発明の実施形態によれば、圧力センサは、支持部と、膜部と、第１センサ部と、を含む。前記膜部は、変形可能である。前記膜部は、前記支持部によって支持された第１端部と、中心と、前記中心と前記第１端部との間に位置し第１剛性を有する第１領域と、前記第１領域と前記第１端部との間に位置し前記第１剛性よりも低い第２剛性を有する第２領域と、を含む。前記第１センサ部は、前記第１領域に設けられ、第１磁性層と、第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１中間層と、を含む。前記第１領域と前記第１端部との間の第１端部側距離は、前記第２領域と前記中心との間の第１中心側距離よりも短い。

図１（ａ）〜図１（ｅ）は、第１の実施形態に係る圧力センサを例示する模式図である。 図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力センサの一部を例示する模式的断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力センサの特性を例示する模式図である。 図４（ａ）及び図４（ｂ）は、圧力センサの特性を例示する模式図である。 図５は、第１の実施形態に係る別の圧力センサを例示する模式的斜視図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の圧力センサを例示する模式的平面図である。 図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の圧力センサを例示する模式的平面図である。 図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第２の実施形態に係る圧力センサを例示する模式的平面図である。 図９は、第３の実施形態に係る圧力センサを例示する模式的平面図である。 図１０は、第４の実施形態に係るマイクロフォンを示す模式的断面図である。 図１１は、第４の実施形態に係るマイクロフォンの使用状態を例示する模式図である。 図１２は、第５の実施形態に係る血圧センサを例示する模式図である。 図１３は、第６の実施形態に係るタッチパネルを例示する模式図である。

以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１（ａ）〜図１（ｅ）は、第１の実施形態に係る圧力センサを例示する模式図である。
図１（ａ）は、斜視図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の矢印ＡＲ方向からみた平面図である。図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面図である。図１（ｄ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面の一部を例示している。図１（ｅ）は、図１（ｂ）のＡ１−Ａ２線断面の別の一部を例示している。

図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、本実施形態に係る圧力センサ１１０は、支持部７０Ｈと、膜部７０と、第１センサ部５１と、を含む。この例では、第２センサ部５２がさらに設けられている。

膜部７０は、変形可能である。膜部７０は、第１端部７０ｅと、中心７０ｃと、第１領域７１と、第２領域７２と、を含む。この例では、膜部７０は、第２端部７０ｆと、第３領域７３と、第４領域７４と、をさらに含む。

第１端部７０ｅは、支持部７０Ｈにより支持される。第２端部７０ｆは、支持部７０Ｈに支持される。第１端部７０ｅと第２端部７０ｆとの間に、中心７０ｃが配置される。

中心７０ｃは、膜部７０の中心である。すなわち、中心７０ｃは、変形可能な領域の中心である。中心７０ｃは、変形可能な領域の重心でも良い。

第１領域７１は、中心７０ｃと、第１端部７０ｅと、の間に位置する。第１領域７１は、例えば、第１剛性を有する。

第２領域７２は、第１領域７１と第１端部７０ｅとの間に位置する。すなわち、第２領域７２は、第１端部７０ｅに近い。第１領域７１は、中心７０ｃに近い。第２領域７２は、第２剛性を有する。第２剛性は、例えば、第１剛性よりも低い。

第３領域７３は、中心７０ｃと、第２端部７０ｆとの間に位置する。第３領域７３は、第３剛性を有する。第３剛性は、例えば、第１剛性と実質的に同じでも良い。第３剛性は、第１剛性と異なっても良い。

第４領域７４は、第３領域７３と第２端部７０ｆとの間に位置する。すなわち、第４領域７４は、第２端部７０ｆに近い。第３領域７３は、中心７０ｃに近い。第４領域７４は、第４剛性を有する。第４剛性は、例えば、第３剛性よりも低い。

実施形態において、「剛性」は、例えば、曲げ剛性である。「剛性」は、例えば、「平板」の曲げ剛性である。「剛性」は、例えば、「コルゲート形状の板」の曲げ剛性である。「剛性」は、曲げ変形のし難さを示す。「剛性」は、物体の断面形状と、物体の物性と、に基づく。例えば、物体の厚さｈ（メートル）、物体のヤング率Ｅ、及び、物体のポアソン比νを用いると、平板の「剛性」（曲げ剛性）Ｄ（Ｎ・ｍ：ニュートン・メートル）は、簡易的に、Ｅ×ｈ^３／（１２×（１−ν^２））で表される。

第１センサ部５１は、第１領域７１に設けられる。第２センサ部５２は、第３領域７３に設けられる。

例えば、膜部７０は、第１中心側領域７０ｃａをさらに含む。第１中心側領域７０ｃａと第２領域７２との間に、第１領域７１が設けられる。第１中心側領域７０ｃａは、例えば、中心７０ｃと第１領域７１との間に設けられる。

膜部７０のうちで第１センサ部５１が設けられる部分が、第１領域７１に対応する。中心７０ｃと第１領域７１との間において、第１センサ部５１が設けられない領域が、第１中心側領域７０ｃａに対応する。

例えば、膜部７０は、第２中心側領域７０ｃｂをさらに含む。第２中心側領域７０ｃｂと第４領域７４との間に、第３領域７３が設けられる。第２中心側領域７０ｃｂは、例えば、中心７０ｃと第３領域７３との間に設けられる。

膜部７０のうちで第２センサ部５２が設けられる部分が、第３領域７３に対応する。中心７０ｃと第３領域７３との間において、第２センサ部５２が設けられない領域が、第２中心側領域７０ｃｂに対応する。

図１（ｄ）に示すように、第１センサ部５１は、第１磁性層１１と、第２磁性層１２と、第１中間層１１Ｍと、を含む。第１中間層１１Ｍは、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間に設けられる。

第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の電気抵抗は、膜部７０の変形に伴い変化する。例えば、圧力センサ１１０に圧力が加わる。この圧力により、膜部７０に応力が加わる。この応力により、膜部７０が変形する。膜部７０の変形に伴い、第１磁性層１１の磁化及び第２磁性層１２の磁化の少なくともいずれかが変化する。これは、例えば、逆磁歪効果に基づく。磁化の変化は、例えば、第１センサ部５１に生じる異方性歪による逆磁歪効果に基づく。加わった圧力に応じて、第１磁性層１１の磁化と第２磁性層１２の磁化との間の角度が変化する。この角度の変化に応じて、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の電気抵抗が変化する。電気抵抗の変化を観測することで、加わった圧力が検出できる。

図１（ｅ）に示すように、第２センサ部５２は、第３磁性層１３と、第４磁性層１４と、第２中間層１２Ｍと、を含む。第２中間層１２Ｍは、第３磁性層１３と第４磁性層１４との間に設けられる。第２センサ部５２においても、第３磁性層１３と第４磁性層１５との間の電気抵抗は、膜部７０の変形に伴い変化する。すなわち、逆磁歪効果に基づく磁化の変化が生じ、電気抵抗が変化する。例えば、第２センサ部５２に生じる異方性歪みによる逆磁歪効果に基づいて磁化の変化が生じる。これにより、電気抵抗が変化する。

実施形態において、第１センサ部５１と中心７０ｃとの間の距離（第１距離Ｄ１）は、第１センサ部５１と第１端部７０ｅとの間の距離（第２距離Ｄ２）よりも長い。すなわち、第１センサ部５１は、第１端部７０ｅに近い。第１センサ部５１は、中心７０ｃから遠い。

例えば、第１領域７１と第１端部７０ｅとの間の第１端部側距離Ｌｅ１は、第２領域７２と中心７０ｃとの間の第１中心側距離Ｌｃ１よりも短い。

実施形態において、第２センサ部５２と中心７０ｃとの間の距離（第３距離Ｄ３）は、第２センサ部５２と第２端部７０ｆとの間の距離（第４距離Ｄ４）よりも長い。すなわち、第２センサ部５２は、第２端部７０ｆに近い。第２センサ部５２は、中心７０ｃから遠い。

例えば、第３領域７３と第２端部７０ｆとの間の第２端部側距離Ｌｅ２は、第４領域７４と中心７０ｃとの間の第２中心側距離Ｌｃ２よりも短い。

このように、剛性が相対的に低い第２領域７２を第１端部７０ｅの近くに設け、その第２領域７２と中心７０ｃとの間に、剛性が相対的に高い第１領域７１を配置する。この第１領域７１に第１センサ部５１を設ける。第２領域７２を設けることで、膜部７０において大きな変形が得られる。第２領域７２において、大きな変形が得られる。その結果、第１領域７１において、大きな歪（異方性歪）が生じる。これにより、第１センサ部５１において、大きな応力が加わり、第１センサ部５１において高い感度が得られる。

同様に、剛性が相対的に低い第４領域７４を第２端部７０ｆの近くに設け、その第４領域７４と中心７０ｃとの間に、剛性が相対的に高い第３領域７３を配置する。この第３領域７３に第２センサ部５２を設ける。第４領域７４を設けることで、膜部７０において大きな変形が得られる。第４領域７４において、大きな変形が得られる。その結果、第３領域７３において大きな歪（異方性歪）が生じる。これにより、第２センサ部５２において、大きな応力が加わり、第２センサ部５２において高い感度が得られる。

膜部７０の中心７０ｃから第１端部７０ｅに向かう方向を第１方向とする。第１方向をＸ軸方向とする。Ｘ軸方向に対して垂直な１つの軸をＺ軸方向とする。Ｘ軸方向とＺ軸方向とに対して垂直な方向をＹ軸方向とする。

膜部７０から第１センサ部５１に向かう方向（すなわち、第１領域７１から第１センサ部５１に向かう方向）を第２方向とする。第２方向は、例えば、Ｚ軸方向に対応する。

第２端部７０ｆは、第１方向（Ｘ軸方向）に沿って、第１端部７０ｅと並ぶ。

例えば、第２センサ部５２の少なくとも一部は、第１センサ部５１の少なくとも一部と、Ｘ軸方向において離間する。例えば、第２センサ部５２の少なくとも一部と、第１センサ部５１の少なくとも一部と、の間に、膜部７０の中心７０ｃが位置する。

この例では、膜部７０の形状は、実質的に長方形である。長方形の４つの外縁に沿って、第２領域７２及び第４領域７４が設けられている。

この例では、複数の第１センサ部５１が設けられている。複数の第１センサ部５１は、長方形の長辺に沿って並んでいる。複数の第２センサ部５２が設けられている。複数の第２センサ部５２は、長方形の長辺に沿って並んでいる。

支持部７０Ｈは、例えば基板６０の上に設けられる。支持部７０Ｈにより、膜部７０の周辺部が支持される。膜部７０の上に複数の第１センサ部５１が配置される。この例では、複数の第１センサ部５１と基板６０との間に、膜部７０が配置される。膜部７０の少なくとも一部と、基板６０と、の間に、複数の第１センサ部５１が配置されても良い。

図１（ｃ）に示すように、膜部７０は、基板６０と離間している。膜部７０と基板６０との間に空間が設けられている。この空間には、例えば気体（空気など）が設けられても良い。この空間に、例えば液体が設けられても良い。

実施形態において、第２領域７２の第２剛性は、第１領域７１の第１剛性よりも低い。例えば、膜部７０の厚さを変更することにより、剛性が変更できる。膜部７０の材料を変更することで、剛性を変更できる。膜部７０の断面形状を変更することで、剛性を変更できる。以下、剛性の変更に例について、説明する。

図２（ａ）〜図２（ｃ）は、第１の実施形態に係る圧力センサの一部を例示する模式的断面図である。
これらの図は、膜部７０の第１領域７１及び第２領域７２を例示している。

図２（ａ）に示す圧力センサ１１１においては、第２領域７２の厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）は、第１領域７１の厚さ（Ｚ軸方向に沿った長さ）よりも薄い。

このとき、膜部７０の材料は、同じである。第２領域７２の厚さは、第１領域７１の厚さの０．８倍以下である。第２領域７２の厚さを第１領域７１の厚さの０．８倍以下とすることで、第２領域７２の剛性は、第１領域７１の剛性の１／２以下になる。第２領域７２が、変形し易くなる。第２領域７２の厚さを過度に薄くすると、機械的強度が低くなる。例えば、膜部７０として、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン及び酸化アルミニウムの少なくともいずれかを用いることができる。

図２（ｂ）に示す圧力センサ１１２においては、第２領域７２のヤング率は、第１領域７１のヤング率よりも低い。より好ましくは、膜部７０の第２領域７２の膜面に沿う方向のヤング率は、膜部７０の第２領域７２の膜面に対して垂直方向のヤング率よりも低い。このような異方性のヤング率が設けられる。第２領域７２のヤング率（異方性のヤング率）を、第１領域７１のヤング率よりも低くすることで、第２領域７２の第２剛性を、第１領域７１の第１剛性よりも低くできる。例えば、第１領域７１として単結晶シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸化アルミニウムなどを用いる。このとき、第２領域７２として、キシリレン含有樹脂（例えば、ポリ・パラ・キシリレン樹脂）などを用いる。第２領域７２のヤング率を第１領域７１のヤング率よりも低くすることで、第２領域７２が変形し易くなる。

図２（ｃ）に示す圧力センサ１１３においては、第２領域７２は、コルゲート形状を有する。例えば、第２領域７２は、第１部分ｐ１と、第２部分ｐ２と、を含む。第２部分ｐ２は、第１部分ｐ１と接続される。第１部分ｐ１は、第１方向（膜部７０の中心７０ｃから第１端部７０ｅに向かう方向）に延びる。第１方向は、例えば、Ｘ軸方向である。第２部分ｐ２は、第２方向に延びる。第２方向は、膜部７０から第１センサ部５１に向かう方向（すなわち、第１領域７１から第１センサ部５１に向かう方向）である。第２方向は、例えばＺ軸方向である。

このように、第２領域７２に、延びる方向が互いに異なる複数の部分（第１部分ｐ１及び第２部分ｐ２）が設けられる。これにより、第２領域７２は、変形し易くなる。

この例では、第１部分ｐ１は、複数設けられている。第２部分ｐ２は、複数の第１部分ｐ１の間に設けられている。この例では、第２部分ｐ２も、複数設けられている。複数の第１部分ｐ１と、複数の第２部分ｐ２と、は、交互に配置されている。実施形態において、複数の第１部分ｐ１の数は、奇数でも良く、偶数でも良い。複数の第２部分ｐ２の数は、奇数でも良く、偶数でも良い。

第２領域７２がコルゲート形状を有する場合において、第２領域７２の各部分の厚さは、第１領域７１の厚さと同じでも良い。

第２領域７２の各部分の厚さを第１領域７１の厚さと実質的に同じとすると、例えば、第１領域７１及び第２領域７２を有する膜部７０の形成が容易になる。

上記の圧力センサ１１１、１１２及び１１３においても、第１領域７１と第１端部７０ｅとの間の第１端部側距離Ｌｅ１は、第２領域７２と中心７０ｃとの間の第１中心側距離Ｌｃ１よりも短い。これにより、第１センサ部５１において高い感度が得られる。

以下、センサ部の感度の例について説明する。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る圧力センサの特性を例示する模式図である。
図３（ａ）は、シミュレーションのモデルを示す模式的斜視図である。図３（ｂ）は、シミュレーション結果を示すグラフ図である。シミュレーションにおいて、モデルの圧力センサ１１３ａにおいては、コルゲート構造が適用されている。

図３（ａ）は、シミュレーションにおける膜部７０の１／４の部分を例示している。シミュレーションにおいては、膜部７０の形状は、円形である。円形の径方向がＸ軸方向に対応する。膜部７０は、酸化アルミニウム膜である。膜部７０のヤング率は、１２０ＧＰａであり、膜部７０のポアソン比は、０．２４である。膜部７０の第２領域７２においては、コルゲート構造が設けられている。膜部７０の中心７０ｃと、第２領域７２と、の間の距離は、膜７０の半径の約４／５である。第２領域７２と第１端部７０ｅとの間の距離（すなわち、第２領域７２の幅）は、約１／５である。

コルゲート構造において、コルゲート数は、４である。コルゲート数は、２つの第１部分ｐ１と、２つの第２部分ｐ２と、の組みの数である。コルゲート強度（高さの厚さに対する比）は、５である。

図３（ｂ）は、膜部７０が膜応力σで形成された際の、膜部７０の「異方性歪傾き」を示している。この例では、音圧レベルＳＰＬ９４ｄＢの圧力±１Ｐａが、膜部７０に加えられる。図３（ｂ）の横軸は、Ｘ軸方向における相対的な位置Ｐｘである。縦軸は、異方性歪傾きＳ１である。異方性歪傾きＳ１は、印加圧力が±１Ｐａの範囲での異方性歪の印加圧力に対する変化率である。異方性歪は、最大主歪（歪が最大となる方向における第１歪）と、最小主歪（歪が最小となる方向で、第１歪の方向に対して直交する方向における第２歪）と、の差である。異方性歪傾きＳ１が大きいときに、感度が高い。図３（ｂ）において、異方性歪傾きＳ１は相対値として示している。

図３（ｂ）において、膜部７０の膜応力σが、±０ＭＰａ、＋５ＭＰａ、＋１０ＭＰａ、または、＋３０ＭＰａであるときの結果が示されている。

図３（ｂ）に示すように、圧力センサ１１３ａにおいては、Ｘ軸方向の相対的な位置Ｐｘが、１.８以上２．２以下の範囲において、大きな異方性歪傾きＳ１が得られる。例えば、この範囲の領域に第１センサ部５１を配置することで、高い感度が得られる。

図３（ｂ）から分かるように、圧力センサ１１３ａにおいては、膜部７０の膜応力σが異なる場合（±０ＭＰａ、＋５ＭＰａ、＋１０ＭＰａ、または、＋３０ＭＰａ）においても、大きな異方性歪傾きＳ１が得られる。圧力センサ１１３ａは、膜応力σに対してロバストである。

図４（ａ）及び図４（ｂ）は、圧力センサの特性を例示する模式図である。
これらの図は、参考例に係る圧力センサ１９９に対応する。図４（ａ）は、シミュレーションのモデルを示す模式的斜視図である。図４（ｂ）は、シミュレーション結果を示すグラフ図である。

圧力センサ１９９においては、第２領域７２が設けられていない。すなわち、円形の膜部７０において、構成（厚さ、材料及び形状など）が均一である。

図４（ｂ）に示すように、圧力センサ１９９においては、膜応力σが±０ＭＰａであるときには、比較的大きな異方性歪傾きＳ１が得られる。しかしながら、膜応力σが、＋５ＭＰａ、または、＋１０ＭＰａであるときには、歪異方性傾きＳ１は、著しく小さい。例えば、膜部７０が製造工程に伴う現実的な膜応力σを持つときに、十分な感度が得られない。

このように、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す圧力センサ１１３ａにおいては、圧力センサ１９９に比べて、高い感度が得られる。

圧力センサ１１１及び１１２においても、膜応力σが、±０ＭＰａ、＋５ＭＰａ、＋１０ＭＰａ、または、＋３０ＭＰａにおいて、大きな歪異方性傾きＳ１が得られる。

実施形態によれば、膜部７０の膜応力σに対してロバストで、高感度な圧力センサを提供することができる。

実施形態においては、センサ部（第１センサ部５１及び第２センサ部５２）に磁性体が用いられる。そして、例えば、逆磁歪効果に基づいて、加えられる圧力が検出される。実施形態においては、異方性歪傾きが大きい領域の面積が広いときに高い感度が得られる。異方性歪傾きは、印加圧力に対する異方性歪の変化率である。異方性歪は、最大主歪と最小主歪との差である。異方性歪は、例えば、最大主歪（歪が最大となる方向における第１歪）と、最小主歪（歪が最小となる方向で、第１歪の方向に対して直交する方向における第２歪）と、の差である。剛性が互いに異なる第１領域７１及び第２領域７２を設け、第１領域７１にセンサ部を設けることで、広い領域において大きな異方性歪傾きが得られる。

一方、磁性体を用いず、シリコンピエゾ抵抗素子をセンサ部に用いる参考例がある。この参考例においても、コルゲートによる膜応力の緩和効果が得られる。しかしながら、この参考例においては、異方性歪傾きが大きいこと、及び、異方性歪傾きが大きい領域の面積が広いこと、による効果を十分には得ることはできない。

実施形態において、例えば、支持部７０Ｈは、例えば、シリコン基板を含んでも良い。膜部７０は、例えば、単結晶シリコン、アモルファスシリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、及び、酸化アルミニウムの少なくともいずれかを含む。

例えば、第２磁性層１２が磁化固定層である場合、第２磁性層１２は、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金を含む。例えば、第２磁性層１２は、（Ｃｏ_ｘＦｅ_１−ｘ）_１−ｙＢ_ｙ合金（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦０．３、ｘ及びｙは原子パーセント）が用いられる。第２磁性層１２には、例えば、Ｆｅ−Ｃｏ合金などを用いてもよい。

第１中間層１１Ｍは、例えば、第１磁性層１１と第２磁性層１２との間の磁気的な結合を分断する。第１中間層１１Ｍは、例えば、金属、絶縁体、または、半導体を含む。この金属は、例えば、Ｃｕ、Ａｕ及びＡｇの少なくともいずれかを含む。絶縁体または半導体は、例えば、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化亜鉛、及び、酸化ガリウムの少なくともいずれかを含む。第１中間層１１Ｍは、例えば、ＣＣＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ−Ｃｏｎｆｉｎｅｄ−Ｐａｔｈ）スペーサ層を含んでも良い。第１中間層１１ＭとしてＣＣＰスペーサ層を用いる場合には、例えば、第１中間層１１Ｍは、絶縁層（例えば酸化アルミニウム層）と、その絶縁層を貫通するメタルパス（例えばＣｕ）と、を含む。

第１磁性層１１が磁化自由層である場合、第１磁性層１１は、強磁性体材料を含む。第１磁性層１１は、例えば、ＦｅＣｏ合金、または、ＮｉＦｅ合金を含む。第１磁性層１１は、例えば、Ｆｅ及びＣｏの少なくともいずれかを含む合金を含んでも良い。第１磁性層１１は、例えば、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｉ−Ｂ合金、Ｆｅ−Ｇａ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ合金、Ｔｂ−Ｍ−Ｆｅ合金、Ｔｂ−Ｍ１−Ｆｅ−Ｍ２合金、Ｆｅ−Ｍ３−ＭＢ合金、Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ、または、フェライトを含んでも良い。Ｆｅ−Ｇａ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｇａ合金、Ｔｂ−Ｍ−Ｆｅ合金、Ｔｂ−Ｍ１−Ｆｅ−Ｍ２合金、Ｆｅ−Ｍ３−ＭＢ合金、Ｎｉ、Ｆｅ−Ａｌ、及びフェライトにおいては、磁歪定数が大きい。

膜部７０の平面形状は、例えば、長方形、正方形、多角形、円形、または、偏平円形などである。

基板６０は、例えば、有機材料（例えば樹脂）を含む。基板６０は、例えば、無機材料（例えばセラミック）を含んでも良い。

図５は、第１の実施形態に係る別の圧力センサを例示する模式的斜視図である。
図５は、膜部７０の別の例を示している。図５は、膜部７０の１／４の部分を例示している。図５に示すように、圧力センサ１１３ｂにおいては、膜部７０の形状は、実質的に長方形である。この例では、第２領域７２は、コルゲート構造を有する。この例では、コルゲート構造の第２領域７２が、膜部７０の長方形の４つの外縁に沿って設けられている。圧力センサ１１３ｂにおいても、高感度な圧力センサを提供することができる。

図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の圧力センサを例示する模式的平面図である。
図６（ａ）に示すように、圧力センサ１１４ａにおいては、膜部７０の平面形状は、実質的に長方形である。膜部７０に、第１領域７１と、第２領域７２と、第３領域７３と、第４領域７４と、が設けられている。

第１センサ部５１が、第１領域７１に設けられる。この例では、第１センサ部５１は、複数設けられている。複数の第１センサ部５１は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。複数の第１センサ部５１の少なくとも２つは、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に沿って並ぶ。第１領域７１は、Ｙ軸方向に沿って延在する。

第２センサ部５２が、第３領域７３に設けられる。この例では、第２センサ部５２は、複数設けられている。複数の第２センサ部５２は、Ｙ軸方向に沿って並ぶ。複数の第２センサ部５２の少なくとも２つは、第１方向（Ｘ軸方向）と交差する方向（Ｙ軸方向）に沿って並ぶ。第３領域７３は、Ｙ軸方向に沿って延在する。例えば、第２センサ部５２の少なくとも一部と、第１センサ部５１の少なくとも一部と、の間に、膜部７０の中心７０ｃが位置する。

既に説明したように、膜部７０は実質的に長方形である。例えば、膜部７０において、第１領域７１から第１センサ部５１に向かう方向を、積層方向（Ｚ軸方向）とする。積層方向に対して垂直な１つの方向を第１面内方向とする。積層方向と第１面内方向とに対して垂直な方向を第２面内方向とする。例えば、第１面内方向を、Ｘ軸方向（第１方向）とする。第２面内方向を、Ｙ軸方向（第２方向）とする。

第１面内方向（Ｘ軸方向）に沿う膜部７０の第１長さｄ１は、第２面内方向（Ｙ軸方向）に沿う膜部７０の第２長さｄ２さよりも短い。膜部７０は、第１辺ｓ１と、第２辺ｓ２と、を含む。第１辺ｓ１は、第１面内方向（Ｘ軸方向）に沿う。第２辺ｓ２は、第２面内方向（Ｙ軸方向）に沿う。第１辺ｓ１は、短辺であり、第２辺ｓ２は、長辺である。実施形態において、第２領域７２は、第２辺ｓ２に沿う。第２領域７２は、第２辺ｓ２に沿って延在する。第２領域７２の第２辺ｓ２に沿う方向（Ｙ軸方向）の長さは、第２領域７２の第１辺ｓ１に沿う方向（Ｘ軸方向）の長さよりも長い。第４領域７４の第２辺ｓ２に沿う方向（Ｙ軸方向）の長さは、第４領域７４の第１辺ｓ１に沿う方向（Ｘ軸方向）の長さよりも長い。

そして、このような第２領域７２と中心７０ｃとの間に、第１領域７１が設けられる。第１領域７１は、第２辺ｓ２に沿う。第１領域７１は、第２辺ｓ２に沿って延在する。第１領域７１の第２辺ｓ２に沿う方向（Ｙ軸方向）の長さは、第１領域７１の第１辺ｓ１に沿う方向（Ｘ軸方向）の長さよりも長い。

第４領域７４と中心７０ｃとの間に、第３領域７３が設けられる。第３領域７３は、第２辺ｓ２の延在方向に沿う。第３領域７３は、第２辺ｓ２の延在方向に沿って延在する。第３領域７３の第２辺ｓ２に沿う方向（Ｙ軸方向）の長さは、第３領域７３の第１辺ｓ１に沿う方向（Ｘ軸方向）の長さよりも長い。

実施形態において、第１辺ｓ１と第２辺ｓ２の長さが異なる場合、長い辺に沿ってセンサ部を配置することが好ましい。膜部７０において、長い辺に沿う領域において、歪が大きい。このため、長いに辺に沿う領域に、センサ部を配置することで、高い感度が得られる。

図６（ｂ）に示すように、圧力センサ１１４ｂにおいては、膜部７０の平面形状は、実質的に円形である。膜部７０に、第１領域７１と、第２領域７２と、第３領域７３と、第４領域７４と、が設けられている。第１領域７１に第１センサ部５１が設けられている。第３領域７３に第２センサ部５２が設けられている。

圧力センサ１１４ｂにおいては、第１端部７０ｅと支持部７０Ｈとの間の境界は、曲線状である。このように、膜部７０の外形は、曲線状でも良い。

図６（ｃ）に示すように、圧力センサ１１４ｃにおいては、膜部７０の平面形状は、実質的に六角形である。膜部７０に、第１領域７１と、第２領域７２と、第３領域７３と、第４領域７４と、が設けられている。第１領域７１に第１センサ部５１が設けられている。第３領域７３に第２センサ部５２が設けられている。複数の第１センサ部５１は、膜部７０の辺に沿って設けられている。複数の第２センサ部５２は、膜部７０の辺に沿って設けられている。

圧力センサ１１４ａ、１１４ｂ及び１１４ｃも、第２領域７２及び第４領域７４が設けられている。これにより、感度を向上できる圧力センサが提供できる。

圧力センサ１１４ａにおいては、第２領域７２（または第４領域７４）は、第１辺ｓ１に沿ってもさらに設けられている。第２領域７２（または第４領域７４）は、例えば、膜部７０の外縁に沿って設けられても良い。

図７（ａ）及び図７（ｂ）は、第１の実施形態に係る別の圧力センサを例示する模式的平面図である。
図７（ａ）に示すように、圧力センサ１１５ａにおいては、第１導電層５５ａ、第２導電層５５ｂ、第３導電層５５ｃ及び第４導電層５５ｄが設けられている。それ以外は、例えば、圧力センサ１１４ａと同様である。

第１導電層５５ａは、第１磁性層１１に電気的に接続されている。第２導電層５５ｂは、第２磁性層１２に電気的に接続されている。第３導電層５５ｃは、第３磁性層１３に電気的に接続されている。第４導電層５５ｄは、第４磁性層１４に電気的に接続されている。

これらの導電層は、配線である。これらの導電層のそれぞれの一部は、支持部７０Ｈに設けられている。そして、導電層は、第２領域７２または第４領域７４と重ならない位置を通って、支持部７０Ｈの上の部分（例えばパッド部）をセンサ部と電気的に接続する。

例えば、第１導電層５５ａの一部は、Ｚ軸方向（第１領域７１から第１センサ部５１に向かう積層方向）において、支持部７０Ｈと重なる。第１導電層５５ａの別の一部は、Ｚ軸方向において、第２領域７２と重ならない。

第２領域７２は、剛性が低い部分である。第２領域７２は、例えば、コルゲート構造を含む。第１導電層５５ａがこのような第２領域７２を通過しないで、第１磁性層１１と、支持部７０Ｈの上の部分（例えばパッド部）と、の間を接続する。これにより、安定した電気的接続が得られる。

同様に、第２導電層５５ｂの一部は、Ｚ軸方向において支持部７０Ｈと重なる。第２導電層５５ｂの別の一部は、Ｚ軸方向において、第２領域７２と重ならない。第３導電層５５ｃの一部は、Ｚ軸方向において支持部７０Ｈと重なる。第３導電層５５ｃの別の一部は、Ｚ軸方向において、第４領域７４と重ならない。第４導電層５５ｄの一部は、Ｚ軸方向において支持部７０Ｈと重なる。第４導電層５５ｄの別の一部は、Ｚ軸方向において、第４領域７４と重ならない。

図７（ｂ）に示すように、圧力センサ１１５ｂにおいても、第１導電層５５ａ、第２導電層５５ｂ、第３導電層５５ｃ及び第４導電層５５ｄが設けられている。圧力センサ１１６ｂにおいて、膜部７０の外縁は曲線状である。膜部７０の平面形状は、実質的に円形（偏平円形を含む）である。

（第２の実施形態）
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、第２の実施形態に係る圧力センサを例示する模式的平面図である。
図８（ａ）は、平面図である。図８（ｂ）及び図８（ｃ）は、断面図である。
図８（ａ）に示すように、本実施形態に係る圧力センサ１２０は、支持部７０Ｈ、膜部７０、第１センサ部５１及び第２センサ部５２に加えて、第３センサ部５３及び第４センサ部５３をさらに含む。支持部７０Ｈ、膜部７０、第１センサ部５１及び第２センサ部５２については、例えば、圧力センサ１１０と同様である。以下、第３センサ部５３及び第４センサ部５４について説明する。

第３センサ部５３は、膜部７０の第５領域７５に設けられる。第４センサ部５４は、膜部７０の第７領域７７に設けられる。

すなわち、膜部７０は、第３端部７０ｇと、第４端部７０ｈと、第５領域７５と、第７領域７７と、を含む。この例では、膜部７０は、第６領域７６及び第８領域７８をさらに含む。

第３端部７０ｇは、支持部７０Ｈに支持される。中心７０ｃから第３端部７０ｇに向かう方向は、中心７０ｃから第１端部７０ｅに向かう方向と交差する。中心７０ｃから第３端部７０ｇに向かう方向は、例えば、Ｙ軸方向である。中心７０ｃから第１端部７０ｅに向かう方向は、Ｘ軸方向である。

第４端部７０ｈは、支持部７０Ｈに支持される。中心７０ｃから第４端部７０ｈに向かう方向は、中心７０ｃから第１端部７０ｅに向かう方向と交差する。中心７０ｃから第４端部７０ｈに向かう方向は、例えば、Ｙ軸方向である。

第５領域７５は、中心７０ｃと第３端部７０ｇとの間に位置する。第６領域７６は、第５領域７５と第３端部７０ｇとの間に位置する。第７領域７７は、中心７０ｃと第７端部７０ｈとの間に位置する。第８領域７８は、第７領域７７と第４端部７０ｈとの間に位置する。第３センサ部５３は、このような第５領域７５に設けられる。第４センサ部５４は、このような第７領域７７に設けられる。

図８（ｂ）に示すように、第３センサ部５３は、第５磁性層１５と、第６磁性層１６と、第５磁性層１５と第６磁性層１６との間に設けられた第３中間層１３Ｍと、を含む。 図８（ｃ）に示すように、第４センサ部５４は、第７磁性層１７と、第８磁性層１８と、第７磁性層１７と第８磁性層１８との間に設けられた第４中間層１４Ｍと、を含む。

第５磁性層１５の磁化、及び、第６磁性層１６の磁化の少なくともいずれかは、第１磁性層１１の磁化、及び、第２磁性層１２の磁化の少なくともいずれかと交差する。第７磁性層１７の磁化、及び、第８磁性層１８の磁化の少なくともいずれかは、第１磁性層１１の磁化、及び、第２磁性層１２の磁化の少なくともいずれかと交差する。

例えば、第３センサ部５３の磁化の方向は、第１センサ部５１の磁化の方向とは異なる。例えば、第３センサ部５３の磁化の方向は、第１センサ部５１の磁化の方向と直交する。例えば、第４センサ部５４の磁化の方向は、第１センサ部５１の磁化の方向とは異なる。例えば、第４センサ部５４の磁化の方向は、第１センサ部５１の磁化の方向と直交する。例えば、第２センサ部５２の磁化の方向は、第１センサ部５１の磁化の方向に沿う。

例えば、第１センサ部５１及び第２センサ部５２に加わる異方性歪の極性は、第３センサ部５３及び第４センサ部５４に加わる異方性歪の極性とは、異なる。このようなセンサ部において、第３センサ部５３の磁化の方向を第１センサ部５１の磁化の方向と変えることで、より高感度の検出が可能になる。第４センサ部５４の磁化の方向を第１センサ部５１の磁化の方向と変えることで、より高感度の検出が可能になる。

圧力センサ１２０においては、例えば、膜部７０の直交する２つの辺のそれぞれの近傍に、センサ部が設けられている。すなわち、第１センサ部５１と中心７０ｃとを通る第１直線Ｌｎ１（Ｘ軸方向に沿う直線）と、第３センサ部５３と中心７０ｃとを通る第２直線Ｌｎ２（Ｙ軸方向に沿う直線）と、の間の角度は、７０度以上１１０度以下（例えば、約９０度）である。

圧力センサ１２０においても、第２領域７２及び第４領域７４が設けられている。これにより、感度を向上できる圧力センサが提供できる。そして、第３センサ部５３及び第４センサ部５４を設けることにより、さらに高い感度が得られる。

（第３の実施形態）
図９は、第３の実施形態に係る圧力センサを例示する模式的平面図である。
図９に示すように、本実施形態に係る圧力センサ１３０は、支持部７０Ｈと、膜部７０と、第１センサ部５１と、第２センサ部５２と、第１端センサ部５１Ａと、第２端センサ部５２Ａと、を含む。膜部７０は、変形可能である。膜部７０は、第１端部７０ｅと、中心７０ｃと、第１領域７１と、第２領域７２と、第１端領域７２Ａと、を含む。第１端部７０ｅは、支持部７０Ｈによって支持される。第１領域７１は、中心７０ｃと第１端部７０ｅとの間に位置する。第２領域７２は、第１領域７１と第１端部７０ｅとの間に位置する。第１端領域７２Ａは、第２領域７２と第１端部７０ｅとの間に設けられる。

第１センサ部５１は、第１領域７１に設けられる。第１端センサ部５１Ａは、第１端領域７２Ａに設けられる。

膜部７０は、第２端部７０ｆと、第３領域７３と、第４領域７４と、第２端領域７４Ａと、をさらに含む。第３領域７３は、中心７０ｃと、第２端部７０ｆとの間に位置する。第４領域７４は、第３領域７３と第２端部７０ｆとの間に位置する。第２端領域７４Ａは、第４領域７４と第２端部７０ｆとの間に設けられる。

第２センサ部５２は、第３領域７３に設けられる。第２端センサ部５２Ａは、第２端領域７４Ａに設けられる。

第２領域７２の剛性は、第１領域７１の剛性よりも低い。例えば、第２領域７２の剛性は、第１端領域７２Ａの剛性よりも低い。第４領域７４の剛性は、第３領域７３の剛性よりも低い。例えば、第４領域７４の剛性は、第２端領域７４Ａの剛性よりも低い。圧力センサ１３０においても、感度を向上できる圧力センサが提供できる。

（第４の実施形態）
図１０は、第４の実施形態に係るマイクロフォンを示す模式的断面図である。
図１０に示すように、本実施形態に係るマイクロフォン２４０は、上記の実施形態に係る圧力センサ（この例では圧力センサ１１０）を含む。この図では、センサ部は省略されている。

圧力センサ１１０は、アンプなどの回路２４８を含んでも良い。膜部７０の上に、カバー２４３が設けられている。カバー２４３には、開口２４２が設けられている。音波２４４は、開口２４２を通ってカバー２４３の内部に進入する。マイクロフォン２４０は、音波２４４の音圧に対して感応する。音波２４４は、可聴域の信号である。音波２４４は、例えば、超音波を含んでも良い。

図１１は、第４の実施形態に係るマイクロフォンの使用状態を例示する模式図である。 図１１に示すように、マイクロフォン２４０は、携帯情報端末２５０に組み込まれても良い。マイクロフォン２４０は、ＩＣレコーダまたはピンマイクロフォンなどに適用されてもよい。

（第５の実施形態）
図１２は、第５の実施形態に係る血圧センサを例示する模式図である。
図１２に示すように、血圧センサ２６０は、上記の実施形態に係る圧力センサ（この例では圧力センサ１１０）を含む。この図では、膜部７０及びセンサ部などは、省略されている。血圧センサ２６０は、例えば、人間の血圧を測定する。血圧センサ２６０において、例えば、圧力センサ１１０が、動脈血管２６２の上の皮膚２６３に押し当てられる。連続的に血圧測定が行われる。本実施形態によれば、感度を向上できる血圧センサが提供できる。

（第６の実施形態）
図１３は、第６の実施形態に係るタッチパネルを例示する模式図である。
図１３に示すように、本実施形態に係るタッチパネル２７０は、上記の実施形態に係る複数の圧力センサ（この例では圧力センサ１１０）を含む。タッチパネル２７０は、さらに、複数の第１配線２７４、複数の第２配線２７５、及び、制御部２７６を備える。圧力センサ１１０は、例えば、ディスプレイの内部及びディスプレイの外部の少なくともいずれかに搭載される。

複数の第１配線２７４は、１つの方向に沿って並ぶ。複数の第１配線２７４のそれぞれは、上記の１つの方向と交差する別の方向に沿って延びる。複数の第２配線２７５は、上記の別の方向に沿って並ぶ。複数の第２配線２７５のそれぞれは、上記の１つの方向に沿って延びる。

複数の圧力センサ１１０のそれぞれは、複数の第１配線２７４と複数の第２配線２７５とのそれぞれの交差部に設けられる。圧力センサ１１０の各々は、検出のための検出要素２７０ｅの１つとなる。交差部は、第１配線２７４と第２配線２７５とが交差する位置及びその周辺の領域を含む。

複数の圧力センサ１１０のそれぞれの一端２７２は、複数の第１配線２７４のそれぞれと接続される。複数の圧力センサ１１０のそれぞれの他端２７３は、複数の第２配線２７５のそれぞれと接続される。

制御部２７６は、複数の第１配線２７４と複数の第２配線２７５とに接続される。制御部２７６は、複数の第１配線２７４に接続された第１配線用回路２７６ａと、複数の第２配線２７５に接続された第２配線用回路２７６ｂと、第１配線用回路２７６ａと第２配線用回路２７６ｂとに接続された制御回路２７７と、を含む。

圧力センサ１１０においては、小型で高感度な圧力センシングが可能である。高精細なタッチパネルを実現することが可能である。

上記の実施形態に係る圧力センサ及びその変形の圧力センサは、例えば、気圧センサまたは、空気圧センサなどに利用できる。

実施形態によれば、感度を向上できる可能な圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネルが提供できる。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれば良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、圧力センサに含まれるセンサ部、膜部及び支持部などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネルを基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての圧力センサ、マイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ及びタッチパネルも、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１１〜１８…第１〜第８磁性層、 １１Ｍ〜１４Ｍ…第１〜第８中間層、 ５１〜５４…第１〜第４センサ部、 ５５ａ〜５５ｄ…第１〜第４導電層、 ６０…基板、 ７０…膜部、 ７０Ｈ…保持部、 ７０ｃ…中心、 ７０ｃａ…第１中心側領域、 ７０ｃｂ…第２中心側領域、 ７０ｅ〜７０ｈ…第１〜第４端部、 ７１〜７８…第１〜第４領域、 ７２ｈ、７４ｈ…孔、 ７２Ａ…第１端領域、 ７４Ａ…第２端領域、 １１０〜１１３、１１３ａ、１１３ｂ、１１４ａ〜１１４ｃ、１１５ａ、１１５ｂ、１２０、１３０、１９９…圧力センサ、 ２４０…マイクロフォン、 ２４２…開口、 ２４３…カバー、 ２４４…音波、 ２５０…携帯情報端末、 ２６０…血圧センサ、 ２６２…動脈血管、 ２６３…皮膚、 ２７０…タッチパネル、 ２７０ｅ…検出要素、 ２７２…一端、 ２７３…他端、 ２７４…配線、 ２７５…配線、 ２７６…制御部、 ２７６ａ…第１配線用回路、 ２７６ｂ…第２配線用回路、 ２７７…制御回路、 ＡＲ…矢印、 Ｄ１〜Ｄ４…第１〜第４距離、 Ｌｃ１、Ｌｃ２…第１、第２中心側距離、 Ｌｅ１、Ｌｅ２…第１、第２中心側距離、 Ｌｎ１、Ｌｎ２…第１、第２直線、 Ｐｘ…位置、 Ｓ１…歪異方性傾き、 ｄ１、ｄ２…第１、第２長さ、 ｐ１、ｐ２…第１、第２部分、 ｓ１、ｓ２…第１、第２辺

Claims (10)

1. 支持部と、
   変形可能な膜部であって、
   前記支持部によって支持された第１端部と、
   中心と、
   前記中心と前記第１端部との間に位置し第１剛性を有する第１領域と、
   前記第１領域と前記第１端部との間に位置し前記第１剛性よりも低い第２剛性を有する第２領域と、
   を含む前記膜部と、
   前記第１領域に設けられ、第１磁性層と、第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１中間層と、を含む第１センサ部と、
   を備え、
   前記第１領域と前記第１端部との間の第１端部側距離は、前記第２領域と前記中心との間の第１中心側距離よりも短い、圧力センサ。
2. 前記第２領域の厚さは、前記第１領域の厚さよりも薄い、請求項１記載の圧力センサ。
3. 前記第２領域のヤング率は、前記第１領域のヤング率よりも低い、請求項１記載の圧力センサ。
4. 前記第２領域は、コルゲート形状を有する、請求項１記載の圧力センサ。
5. 支持部と、
   可撓性を有する膜部であって、
   前記支持部によって支持された第１端部と、
   中心と、
   前記中心と前記第１端部との間に位置する第１領域と、
   前記第１領域と前記第１端部との間に位置する第２領域と、
   を含む前記膜部と、
   前記第１領域に設けられ、第１磁性層と、第２磁性層と、前記第１磁性層と前記第２磁性層との間に設けられた第１中間層と、を含む第１センサ部と、
   を備え、
   前記第２領域は、
   前記中心から前記第１端部に向かう第１方向に延びる第１部分と、
   前記第１部分と接続され前記第１領域から前記第１センサ部に向かう第２方向に延びる第２部分と、
   を含み、
   前記第１領域と前記第１端部との間の第１端部側距離は、前記第２領域と前記中心との間の第１中心側距離よりも短い、圧力センサ。
6. 前記第１部分は、複数設けられ、
   前記第２部分は、前記複数の第１部分の間に設けられる、請求項５記載の圧力センサ。
7. 前記第１部分は、複数設けられ、
   前記第２部分は、複数設けられ、
   前記複数の第１部分と、前記複数の第２部分は、交互に配置される、請求項５記載の圧力センサ。
8. 前記第１センサ部は、複数設けられ、
   前記複数の第１センサ部の少なくとも２つは、前記第１方向と交差する方向に沿って並ぶ、請求項５〜７のいずれか１つに記載の圧力センサ。
9. 前記第１領域から前記第１センサ部に向かう積層方向に対して垂直な第１面内方向に沿う前記膜部の第１長さは、前記積層方向と前記第１面内方向とに対して垂直な第２面内方向に沿う前記膜部の第２長さよりも短く、
   前記膜部は、
   前記第１面内方向に沿う第１辺と、
   前記第２面内方向に沿う第２辺と、
   を含み、
   前記第２領域は、前記第１辺と第２辺に沿う、請求項１〜８のいずれか１つに記載の圧力センサ。
10. 請求項１〜９のいずれか１つに記載の圧力センサを備えたマイクロフォン、超音波センサ、血圧センサ、または、タッチパネル。