JP6356950B2 - 水晶デバイス - Google Patents

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本発明は、所定の周波数で振動する水晶振動片が載置された水晶デバイスに関する。
所定の周波数で振動する水晶振動片は、温度変化によりその周波数が変化する。このような水晶振動片の温度変化に起因する周波数変化を防ぐために、水晶振動片を所定の温度に制御する恒温槽付水晶発振器(OCXO)が知られている。例えば、特許文献1では、サーミスタ及び加熱抵抗と共に温度制御回路が形成されて水晶振動片の温度制御がなされる恒温型の水晶発振器が示されている。
特開2011−77963号公報
しかし、特許文献1の恒温槽付水晶発振器では全体の大きさが大きくなるという問題があり、ヒーター及びディスクリート部品等をLSI(Large Scale Integration)として小型化されることが望ましい。また、このときLSIは発熱するが、LSIの熱履歴によりLSIに電極として使用した金属が絶縁物の上を移動すること(マイグレーション現象)による電極間の抵抗値の低下、アルミニウム(Al)がシリコン(Si)を取り込むことによる接合破壊(アロイスパイク)、アルミニウム(Al)と金(Au)とが反応して化合物を生じコンタクト抵抗が大きくなることによる破壊(パープルブレイク)等を原因とした故障が生じる場合があった。
本発明は、小型化され、ヒーターの発熱による熱履歴に起因した故障が防がれた水晶デバイスを提供することを目的とする。
第1観点の水晶デバイスは、所定の振動数で振動する水晶振動片と、温度を測定する温度センサと、発熱するヒーターと、温度センサ、ヒーター、及び水晶振動片を制御する集積回路と、矩形形状に形成された底部及び底部の一方の面を囲むように形成される第1側面から成り、水晶振動片及びヒーターが配置される第1凹部と底部及び底部の他方の面を囲むように形成される第2側面から成り、温度センサ及び集積回路が配置される第2凹部とが形成されるパッケージと、パッケージの上面に配置されて第1凹部を密閉し、金属材料により形成されるリッド板と、を有する。また、パッケージの下面には、リッド板に電気的に接続されるアース端子が形成されており、リッド板はヒーターに熱的に接続され、水晶振動片がリッド板及びヒーターからの放射熱により加温される。
第2観点の水晶デバイスは、所定の振動数で振動する水晶振動片と、温度を測定する温度センサと、発熱するヒーターと、温度センサ、ヒーター、及び水晶振動片を制御する集積回路と、矩形形状に形成された底部及び底部の一方の面を囲むように形成される第1側面から成り、水晶振動片、温度センサ及びヒーターが配置される第1凹部と底部及び底部の他方の面を囲むように形成される第2側面から成り、集積回路が配置される第2凹部とが形成されるパッケージと、パッケージの上面に配置されて第1凹部を密閉し、金属材料により形成されるリッド板と、を有する。また、パッケージの下面には、リッド板に電気的に接続されるアース端子が形成されており、リッド板はヒーターに熱的に接続され、水晶振動片がリッド板及びヒーターからの放射熱により加温される。
第3観点の水晶デバイスは、第1観点及び第2観点において、水晶振動片には一対の励振電極及び一対の励振電極から引き出された引出電極が形成され、第1凹部の一方の側には、水晶振動片を載置し、一対の引出電極が導電性接着剤を介して接合される一対の接続電極が形成される一対の載置部が形成され、第1凹部の他方の側には、アース端子に電気的に接続される金属膜が形成された保持部が形成され、水晶振動片が金属膜上に形成される導電性接着剤に接触して保持される。
本発明の水晶デバイスによれば、小型化されると共に、ヒーターの発熱による熱履歴に起因した故障を防ぐことができる。
水晶デバイス100の分解斜視図である。 図1のA−A断面図である。 水晶デバイス100の回路図である。 水晶デバイス200の断面図である。
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
(第1実施形態)
<水晶デバイス100の構成>
図1は、水晶デバイス100の分解斜視図である。水晶デバイス100は、表面実装型の水晶デバイスであり、プリント基板等に実装されて使用される。水晶デバイス100は主に、水晶振動片110と、パッケージ120と、リッド板130と、により形成されている。水晶振動片110には、例えばATカットの水晶振動片が用いられる。ATカットの水晶振動片は、主面(YZ面)が結晶軸(XYZ)のY軸に対して、X軸を中心としてZ軸からY軸方向に35度15分傾斜されている。以下の説明では、ATカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をY’軸及びZ’軸として用いる。すなわち、水晶デバイス100において水晶デバイス100の長手方向をX軸方向、水晶デバイス100の高さ方向をY’軸方向、X軸方向及びY’軸方向に垂直な方向をZ’軸方向として説明する。
水晶振動片110は、+Y’軸側の面及び−Y’軸側の面に励振電極111が形成されており、各励振電極111からは水晶振動片110の−X軸側の辺に引出電極112が引き出されている。+Y’軸側の面に形成されている励振電極111から引き出される引出電極112は−X軸側の辺の+Z’軸側に引き出され、+Z’軸側の側面を介して−Y’軸側の面に引き出されている。−Y’軸側の面に形成されている励振電極111から引き出されている引出電極112は、−X軸側の辺の−Z’軸側に引き出され、−Z’軸側の側面を介して+Y’軸側の面に引き出されている。
パッケージ120は、X軸方向に伸びる長辺、及びZ’軸方向に伸びる短辺を有している。パッケージ120は、+Y’軸側の面である上面の周囲にリッド板130に接合される接合面121a及び接合面121aから−Y’軸方向に凹んだ第1凹部121が形成されている。接合面121aには第1凹部121を囲むように枠状金属膜127aが形成されており、第1凹部121には水晶振動片110が載置され、引出電極112が電気的に接続される一対の接続電極124及び発熱するヒーター141が配置されている。また、パッケージ120の−Y’軸側の面である下面の周囲には水晶デバイス100が実装される実装面122a及び実装面122aから+Y’軸方向に凹んだ第2凹部122(図2参照)が形成されている。実装面122aには外部端子125が形成されており、第2凹部122には温度を測定する温度センサ142(図2参照)及び温度センサ142、ヒーター141、及び水晶振動片110を制御する集積回路143(図2参照)が配置される。
パッケージ120は、例えばセラミックを基材としており、第1層120a、第2層120b、及び第3層120cの3つの層が重ね合わされることにより形成されている。第1層120aは、パッケージ120の+Y’軸側に配置され、第1層120aの+Y’軸側の面には接合面121aが形成されている。第2層120bは、第1層120aの−Y’軸側の面に接合されて配置されている。第3層120cは、第2層120bの−Y’軸側の面に配置されている。第3層120cの−Y’軸側の面には、外部端子125が形成されている。さらに、パッケージ120の四隅の側面にはパッケージ120の内側に凹んだキャスタレーション129が形成されている。
リッド板130は、平板状に形成されており、パッケージ120の接合面121aにシームリング151(図2参照)を介して接合されて、パッケージ120の第1凹部121を密封する。また、リッド板130は金属材料により形成されている。
図2は、図1のA−A断面図である。水晶デバイス100では、第1凹部121が、第2層120bを底部とし、第2層120bの+Y’軸側の面を囲むように第1層120aが側面となるように配置されることで形成される。また、第2凹部122は、第2層120bの−Y’軸側の面を囲む側面となるように第3層120cが配置されることで形成される。実装面122aに形成される外部端子125は接地されるアース端子125aを含み、アース端子125aは第1層120a、第2層120b、及び第3層120cを貫通する貫通電極126aを介して枠状金属膜127aに熱的、電気的に接続される。また、第1凹部121はリッド板130がシームリング151を介して接合面121aに接合されることにより密封されている。シームリング151は接合面121a上に配置されるように矩形形状に形成された環状のリングであり、電気を伝導する金属材料で形成されている。そのため、シームリング151は枠状金属膜127aとリッド板130とを熱的、電気的に接続する。
第1凹部121には、接続電極124に水晶振動片110の引出電極112が導電性接着剤152を介して電気的に接続されることで水晶振動片110が載置されている。また、第2層120bの+Y’軸側の面にはヒーター141が配置されている。ヒーター141は貫通電極126aに熱的に接続されており、ヒーター141で発生した熱が貫通電極126aを介してリッド板130に伝わる。
第2凹部122には、温度センサ142及び集積回路143が配置されている。温度センサ142は、例えばサーミスタ等により構成され、第1凹部121内の温度を測定する。また、集積回路143は接続電極124、ヒーター141、及び温度センサ142に電気的に接続され、水晶振動片110、ヒーター141、及び温度センサ142を制御している。また、集積回路143は実装面122aに形成される各外部端子125に電気的に接続されている。
図3は、水晶デバイス100の回路図である。図3では、水晶振動片110が示されており、これ以外の部分がヒーター141、温度センサ142、及び集積回路143に相当する部分となる。水晶デバイス100では、接地されるアース端子125a、電源に接続され集積回路143に電力を供給する電源端子125c、周波数信号が出力される出力端子125d、及び水晶振動片110に制御電圧を入力する入力端子125eの4つの外部端子125が形成されている。これらの端子は、例えば、アース端子125aが実装面122aの+X軸側の+Z’軸側、出力端子125dが実装面122aの+X軸側の−Z’軸側、入力端子125eが実装面122aの−X軸側の+Z’軸側、及び電源端子125cが実装面122aの−X軸側の−Z’軸側に形成される。入力端子125eから入力された制御電圧は、周波数制御回路及び周波数調整回路を経て水晶振動片110に加えられる。また、水晶振動片110で発生した周波数信号は、発振回路、増幅回路、及び出力回路を経て出力端子125dから出力される。また、水晶デバイス100は、ヒーター141及び温度センサ142を有している。図3では、温度センサ142は温度制御回路に含まれている。ヒーター141は発熱することにより水晶振動片110を加温する。また、ヒーター141で発生した熱はリッド板130に伝わり、リッド板130からの放射熱により水晶振動片110が加温される。ヒーター141が発する熱は、温度センサ142により測定された温度を基に温度制御回路で制御される。
水晶デバイス100では、ヒーター141の放射熱及びヒーター141から貫通電極126aを介して伝熱される熱により加温されるリッド板130からの放射熱により、水晶振動片110が加温される。このように、水晶デバイス100では水晶振動片110が+Y’軸方向及び−Y’軸方向から挟まれるように放射熱を受けるため、水晶振動片110への単位時間当たりの伝熱量が多くなり、水晶振動片110の温度上昇速度が上げられている。そのため、水晶振動片110を目的の温度にまで早く上げることができ、これによって水晶振動片110を早く安定な温度状態に置くことができ、水晶振動片110を早く安定な周波数を発振する状態に置くことができる。
水晶デバイス100では、ディスクリート部品が集積回路143として集積化されることにより小型化されている。また、ヒーター141と集積回路143とが分離して配置されることで集積回路143にかかる熱を抑え、これにより集積回路143におけるマイグレーション現象、アロイスパイク、及びパープルブレイクの発生を抑えることができ、水晶デバイス100の寿命を向上させることができる。
(第2実施形態)
水晶デバイスでは、第1凹部に温度センサが配置されていても良い。以下に、第1凹部に温度センサが配置された水晶デバイス200について説明する。また、以下の説明では第1実施形態と同じ部分に関しては第1実施形態と同じ番号を付してその説明を省略する。
<水晶デバイス200の構成>
図4は、水晶デバイス200の断面図である。水晶デバイス200は主に、水晶振動片110と、パッケージ220と、リッド板130と、温度センサ142と、ヒーター141と、集積回路143と、により構成され、水晶発振器として使用される。
パッケージ220は、X軸方向に長辺、Z’軸方向に短辺が形成されている。また、パッケージ220の+Y’軸側の面にはリッド板130がシームリング151を介して接合される接合面221a及び接合面221aから−Y’軸方向に凹んだ第1凹部221が形成されている。第1凹部221には載置部223及び保持部228が形成されており、水晶振動片110が載置部223に形成される一対の接続電極124に導電性接着剤152aを介して載置される。また、水晶デバイス200では、保持部228の+Y’軸側の面に形成される金属膜227bに形成される導電性接着剤152bに水晶振動片110の+X軸側の端が接している。導電性接着剤152bは励振電極111には電気的に接続されていない。また、第1凹部221内には温度センサ142及びヒーター141が配置されている。ヒーター141はパッケージ220をアース端子125aから枠状金属膜127aまで貫通する貫通電極226aを介してリッド板130及び金属膜227bを加温する。他方、パッケージ220の−Y’軸側の面には水晶デバイス200が実装される実装面222a及び実装面222aから+Y’軸側に凹んだ第2凹部222が形成されている。第2凹部222内の+Y’軸側の面には、水晶振動片110と、温度センサ142と、ヒーター141とに接続されてこれらを制御する集積回路143が配置されている。また、実装面222aには、複数の外部端子125が形成されており、外部端子125は接地されるアース端子125a等を含んで構成される。
パッケージ220は、セラミックを基材としており、第1層220a、第2層220b、第3層220c、及び第4層220dの4つの層が重ね合わされることにより形成されている。第1層220aはパッケージ220の+Y’軸側に配置されており、第1層220aの+Y’軸側の面には接合面221aが形成されている。第2層220bは、第1層220aの−Y’軸側の面に接合されており、第1凹部221内に形成される載置部223及び保持部228を構成する。第1層220a及び第2層220bは、第1凹部221の側面を形成している。また、貫通電極226aは第1層220a及び第2層220bを貫通して形成されている。第3層220cは、第2層220bの−Y’軸側に配置される。第3層220cは第1凹部221の底部を形成し、また第1凹部221と第2凹部222との間を仕切っている。第4層220dは第3層220cの−Y’軸側の面に配置されており、第2凹部222の側面を形成する層である。第4層220dの−Y’軸側の面は外部端子125が形成される実装面222aとなる。
水晶デバイス200では、水晶振動片110が載置される第1凹部221内に温度センサ142が配置されている。そのため、水晶振動片110の温度をより直接的に測定することができるため、水晶振動片110のより正確な温度を測定することができ好ましい。また、水晶振動片110がヒーター141及びリッド板130からの放射熱、及び金属膜227b及び導電性接着剤152bを介して水晶振動片110を直接加温することができるため、水晶振動片110の温度上昇速度が上げられている。そのため、水晶振動片110を目的の温度にまで早く上げることができ、これによって水晶振動片110を早く安定な温度状態に置くことができ、水晶振動片110を早く安定な周波数を発振する状態に置くことができる。
また、水晶デバイス200では、水晶デバイス100と同様に、ヒーター141と集積回路143とが分離して配置されることで集積回路143にかかる熱が抑えられており、これにより集積回路143におけるマイグレーション現象、アロイスパイク、及びパープルブレイクの発生を抑えることができ、水晶デバイス100の寿命を向上させることができる。
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
例えば、載置部及び保持部が形成されていない水晶デバイス100において載置部及び保持部が形成されても良い。また、保持部が形成されている水晶デバイス200において保持部が形成されていなくても良い。さらに、水晶デバイス200において、保持部228には導電性接着剤152bが形成されなくても良く、金属膜227bの熱を放射熱として水晶振動片110に伝えるのみとしても良い。
100、200 … 水晶デバイス
110 … 水晶振動片
111 … 励振電極
112 … 引出電極
120、220 … パッケージ
120a、220a … 第1層
120b、220b … 第2層
120c、220c … 第3層
121、221 … 第1凹部
121a、221a … 接合面
122、222 … 第2凹部
122a、222a … 実装面
124 … 接続電極
125 … 外部端子
125a … アース端子
125c … 電源端子
125d … 出力端子
125e … 入力端子
126a、226a … 貫通電極
127a … 枠状金属膜
129 … キャスタレーション
130 … リッド板
141 … ヒーター
142 … 温度センサ
143 … 集積回路
151 … シームリング
152、152a、152b … 導電性接着剤
220d … 第4層
223 … 載置部
227b … 金属膜
228 … 保持部

Claims (2)

  1. 一対の励振電極及び前記一対の励振電極から引き出された引出電極が形成され、所定の振動数で振動する水晶振動片と、
    温度を測定する温度センサと、
    発熱するヒーターと、
    前記温度センサ、前記ヒーター、及び前記水晶振動片を制御する集積回路と、
    矩形形状に形成された底部及び前記底部の一方の面を囲むように形成される第1側面から成り、前記水晶振動片及び前記ヒーターが配置される第1凹部と、前記底部及び前記底部の他方の面を囲むように形成される第2側面から成り、前記温度センサ及び前記集積回路が配置される第2凹部と、が形成されるパッケージと、
    前記パッケージの上面に配置されて前記第1凹部を密閉し、金属材料により形成されるリッド板と、を有し、
    前記第1凹部の一方の側には、前記水晶振動片を載置し、前記一対の引出電極が導電性接着剤を介して接合される一対の接続電極が形成される一対の載置部が形成され、
    前記第1凹部の他方の側には、アース端子に電気的に接続される金属膜が形成された保持部が形成され、
    前記水晶振動片が前記載置部上及び前記金属膜上に形成される導電性接着剤に接触して保持され、
    前記パッケージの下面には、前記リッド板に電気的に接続される前記アース端子が形成されており、前記リッド板は前記ヒーターに熱的に接続され、前記水晶振動片が前記リッド板、前記保持部に形成された金属膜及び前記ヒーターからの放射熱により加温される水晶デバイス。
  2. 一対の励振電極及び前記一対の励振電極から引き出された引出電極が形成され、所定の振動数で振動する水晶振動片と、
    温度を測定する温度センサと、
    発熱するヒーターと、
    前記温度センサ、前記ヒーター、及び前記水晶振動片を制御する集積回路と、
    矩形形状に形成された底部及び前記底部の一方の面を囲むように形成される第1側面から成り、前記水晶振動片、前記温度センサ及び前記ヒーターが配置される第1凹部と、前記底部及び前記底部の他方の面を囲むように形成される第2側面から成り、前記集積回路が配置される第2凹部と、が形成されるパッケージと、
    前記パッケージの上面に配置されて前記第1凹部を密閉し、金属材料により形成されるリッド板と、を有し、
    前記第1凹部の一方の側には、前記水晶振動片を載置し、前記一対の引出電極が導電性接着剤を介して接合される一対の接続電極が形成される一対の載置部が形成され、
    前記第1凹部の他方の側には、アース端子に電気的に接続される金属膜が形成された保持部が形成され、
    前記水晶振動片が前記載置部上及び前記金属膜上に形成される導電性接着剤に接触して保持され、
    前記パッケージの下面には、前記リッド板に電気的に接続される前記アース端子が形成されており、前記リッド板は前記ヒーターに熱的に接続され、前記水晶振動片が前記リッド板、前記保持部に形成された金属膜及び前記ヒーターからの放射熱により加温される水晶デバイス。
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