JP6355410B2 - 充電回路、パワーマネージメント回路、およびそれを用いた電子機器 - Google Patents
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Description
充電回路10rでは、DC電源2が接続されているか否かは、DCIN端子の電圧VDCINを監視し、所定のしきい値(たとえばVUVLO)を下回ると、DC電源2が接続されていないものと判定する。
これにより、DC電源が取り外された直後に、第2トランジスタおよびそのボディダイオードにラッシュ電流が流れるのを防止できる。
「一体集積化」とは、回路の構成要素のすべてが半導体基板上に形成される場合や、回路の主要構成要素が一体集積化される場合が含まれ、回路定数の調節用に一部の抵抗やキャパシタなどが半導体基板の外部に設けられていてもよい。
回路を1つのチップ上に集積化することにより、回路面積を削減することができるとともに、回路素子の特性を均一に保つことができる。
図3は、第1の実施の形態に係る充電回路10を備える電子機器1の回路図である。充電回路10の周辺回路については図1と同じであるため説明を省略する。
図4は、DC電源2が取り外されたときの図3の充電回路10の動作波形図である。初期状態において、DC電源2が接続され、VUVLO<VDC<VOVPを満たす正常なDC電圧VDCが供給されている。このときゲートコントローラ120は、第1トランジスタM1をフルオンしうるゲート電圧VG1(=V0)を生成する。このとき、DCIN端子とSYS端子の電圧は、いずれもDC電源2からの電圧VDCと等しい。
図5は、電流容量が小さいDC電源2が接続されたときの図3の充電回路10の動作波形図である。
初期状態において、DC電源2が接続されている。入力電流IDCは、DC電源2の電流容量より小さなI0であり、VUVLO<VDC<VOVPを満たす正常なDC電圧VDCが供給されている。このときゲートコントローラ120は、第1トランジスタM1をフルオンしうるゲート電圧VG1(=V0)を生成しており、DCIN端子とSYS端子の電圧は、いずれもDC電源2からの電圧VDCと等しい。
また、DC電源2の取り外しが検出されると直ちに、充電コントローラ122、低電圧検出回路108、DC電源検出部110、OCP回路106等を停止できるため、二次電池20の電力が無駄に消費されるのを防止できる。
第2の実施の形態では、第1の実施の形態と組み合わせて、あるいはそれとは別に利用可能な充電回路10について説明する。
ゲートコントローラ120は、第1トランジスタM1をオンする。充電コントローラ122は、第2トランジスタM2のゲート電圧を調節し、DC電源2からの電圧VDCによって二次電池20を充電する。バックゲートコントローラ130は、システム電圧VSYSと電池電圧VBATの大小関係に応じて、VSYS>VBATのとき、第1バックゲートスイッチSW11をオン、第2バックゲートスイッチSW12をオフし、VSYS<VBATのとき、バックゲートスイッチSW11をオフ、SW12をオンする。
ゲートコントローラ120は、第1トランジスタM1をオフする。充電コントローラ122は、第2トランジスタM2のゲート電圧を接地電圧(0V)として第2トランジスタM2をフルオンさせる。バックゲートコントローラ130は、バックゲートスイッチSW11をオフ、SW12をオンする。
図8(a)は、図7の充電回路10aの動作波形図であり、図8(b)は、図6の充電回路10の動作波形図である。トランジスタおよびスイッチを示す信号は、ローレベルがオフ、ハイレベルがオンに対応する。充電回路10aの利点を明確化するため、図8(b)を参照して図6の充電回路10の動作を再度説明する。
時刻t0より前は、図8(b)と同様である。時刻t0に取り外し検出信号S2がアサートされると、第1トランジスタM1がオフされる。比較信号S4が、VSYS>VBATを示すレベル(ここではローレベル)である間、第2トランジスタM2は直ちにフルオンされることなく、それより前の状態を維持する。
この充電回路10aによれば、コンパレータコントローラ140を設け、DC電源2が取り外された後も、VSYS>VBATの間は、バックゲートコントローラ130の機能である電圧比較にもとづくバックゲート制御を有効とすることにより、ラッシュ電流を抑制できる。
第2の実施の形態において、図7のDC電源検出部110としては、第1の実施の形態で説明したDC電源の取り外し検出技術、すなわち図3の低電圧検出回路108、OCP回路106、DC電源検出部110の組み合わせを用いてもよい。あるいは、図1を参照して説明したように、DCIN端子の電圧VDCINとしきい値電圧VUVLOとの比較結果にもとづいて、DC電源2の取り外しを検出してもよい。
実施の形態では、充電回路10と電源回路22が別のICである場合を説明したが、それらを一体化してもよい。
また、電子機器1を正常に起動・停止するためには、CPU24や周辺回路26に対する電源電圧VDDを所定のシーケンスにしたがって生成、停止する必要があり、そのためにパワーマネージメントコントローラが搭載される場合がある。そこで充電回路10と電源回路22と、パワーマネージメント(PM)コントローラを、ひとつのIC(PMICという)に集積化してもよい。
最後に、充電回路10の用途を説明する。図9は、PMIC40を備える電子機器500の斜視図である。電子機器500はたとえばタブレット端末やスマートホンである。筐体520には、CPU24、RAM、HDDなどの周辺回路26、二次電池20、およびPMIC40が内蔵される。PMIC40は、CPU24やRAM、HDDに加えて、ディスプレイパネル510や、そのドライバ、オーディオ回路などに電源電圧を供給してもよい。なお電子機器500は、ノートPCやコンソールゲーム機器、ポータブルゲーム機器、ウェアラブルPC、ポータブルオーディオプレイヤ、デジタルカメラなどであってもよい。PMIC40に代えて、充電回路10と電源回路22が別の部品として搭載されてもよい。
Claims (9)
- DC電源からのDC電圧を受けるDC入力端子と、
二次電池が接続される電池端子と、
システム端子と、
前記DC入力端子とシステム端子の間に設けられる第1トランジスタと、
前記システム端子と前記電池端子の間に設けられる第2トランジスタと、
前記第1トランジスタのオン、オフを制御するゲートコントローラと、
前記第2トランジスタのゲート電圧を制御することにより、前記二次電池の充電を制御する充電コントローラと、
前記DC入力端子および前記第1トランジスタを流れる入力電流を多段階で可変のしきい値電流と比較し、前記入力電流が前記しきい値電流に達すると、前記ゲートコントローラが生成する前記第1トランジスタのゲート電圧を、オン抵抗が増大するように変化させる過電流保護回路と、
前記DC入力端子の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、前記DC入力端子の電圧が前記しきい値電圧を下回ると、前記過電流保護回路のしきい値電流を1ステップ低下させる低電圧検出回路と、
前記しきい値電流が最低値であるときに、前記DC入力端子の電圧が前記しきい値電圧を下回ると、前記DC電源が非接続状態と判定するDC電源検出部と、
を備えることを特徴とする充電回路。 - 前記しきい値電圧は、前記二次電池の満充電電圧より低く設定されることを特徴とする請求項1に記載の充電回路。
- 前記DC入力端子の電圧を低電圧ロックアウト用のしきい値電圧と比較する低電圧ロックアウト回路をさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の充電回路。
- 前記第2トランジスタは、Pチャンネルトランジスタであり、その第1電極が前記システム端子と接続され、その第2電極が前記電池端子と接続されており、そのバックゲートと第1電極の間に第1バックゲートスイッチ、そのバックゲートと第2電極の間に第2バックゲートスイッチを有し、
前記充電回路は、前記システム端子の電圧が前記電池端子の電圧より高いとき、前記第1バックゲートスイッチをオン、前記第2バックゲートスイッチをオフし、前記システム端子の電圧が前記電池端子の電圧より低いとき、前記第1バックゲートスイッチをオフ、前記第2バックゲートスイッチをオンするバックゲートコントローラをさらに備えることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の充電回路。 - 前記バックゲートコントローラは、前記システム端子の電圧と前記電池端子の電圧とを比較するコンパレータを含むことを特徴とする請求項4に記載の充電回路。
- 前記コンパレータのオン、オフ状態を制御するコンパレータコントローラをさらに備え、
前記コンパレータコントローラは、前記DC電源検出部が、前記DC電源が非接続状態であると判定し、かつ前記電池端子の電圧が前記システム端子の電圧より高いときに、前記コンパレータをオフすることを特徴とする請求項5に記載の充電回路。 - ひとつの半導体基板に一体集積化されることを特徴とする請求項1から6のいずれかに記載の充電回路。
- DC電源が接続される外部電源端子と、
二次電池と、
プロセッサと、
請求項1から6のいずれかに記載の充電回路と、
前記充電回路のシステム端子の電圧を受け、少なくとも前記プロセッサに電源電圧を供給する電源回路と、
を備えることを特徴とする電子機器。 - 請求項1から6のいずれかに記載の充電回路と、
前記システム端子の電圧を受け、複数の電源電圧を生成する電源回路と、
前記電源回路を制御するパワーマネージメントコントローラと、
を備えることを特徴とするパワーマネージメント回路。
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