JP6354553B2 - バイアス制御回路およびそれを含む光送信器 - Google Patents
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Claims (7)
- 一対の第1の光導波路を含む第1のマッハツェンダ型変調器と、前記第1のマッハツェンダ型変調器から出力される光の一部を受光する受光素子とを有する位相変調器に対して、バイアス電圧をそれぞれの前記第1の光導波路上に形成された電極に印加するバイアス制御回路であって、
バイアス電圧制御信号が入力されて、前記バイアス電圧制御信号に応じて電圧値が設定されるとともに所定のディザー信号が重畳された前記バイアス電圧を前記電極に印加するバイアス電圧生成回路と、
一対の第1の入力端子を有し、前記一対の第1の入力端子の一方に前記受光素子の出力電流に基づいて生成されたモニタ用電気信号の時間平均に相当する第1の基準電圧信号が入力され、前記一対の第1の入力端子の他方に前記モニタ用電気信号が入力され、前記第1の基準電圧信号と前記モニタ用電気信号との電位差に応じた振幅の第1の電圧信号を出力する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路から出力された前記第1の電圧信号から前記ディザー信号によって生じた周波数成分を検出し、該周波数成分の強度に応じて前記バイアス電圧制御信号を生成し、該バイアス電圧制御信号を前記バイアス電圧生成回路に入力する制御回路と、
を備えるバイアス制御回路。 - A/D変換器と、D/A変換器と、をさらに備え、
前記A/D変換器は、前記モニタ用電気信号を第1のデジタル信号に変換して前記制御回路に入力し、
前記制御回路は、前記第1のデジタル信号の時間平均値を演算処理により算出して、前記時間平均値をデジタル信号として前記D/A変換器に入力し、
前記D/A変換器は、前記時間平均値を第1のアナログ信号に変換して、前記第1のアナログ信号を前記第1の基準電圧信号として前記差動増幅回路に入力する、
請求項1に記載のバイアス制御回路。 - 前記位相変調器は、一対の第2の光導波路を含む第2のマッハツェンダ型変調器と、前記第1のマッハツェンダ型変調器からの出力光が一対の第3の光導波路の一方に入力されるとともに前記第2のマッハツェンダ型変調器からの出力光が前記一対の第3の光導波路の他方に入力される親変調器をさらに有し、前記受光素子は、前記親変調器から出力される光の一部をさらに受光可能に構成され、
一対の第2の入力端子を有し、前記一対の第2の入力端子の一方に交流結合を介して所定の低周波成分が除去された前記モニタ用電気信号の時間平均に相当する第2の基準電圧信号が入力され、前記一対の第2の入力端子の他方に前記交流結合を介して所定の低周波成分が除去された前記モニタ用電気信号が入力され、前記第2の基準電圧信号と所定の低周波成分が除去された前記モニタ用電気信号との電位差に応じた振幅の第2の電圧信号を出力する親変調器用差動増幅回路をさらに備え、
前記制御回路は、前記第2の電圧信号をデジタル信号に変換し、前記第2の電圧信号から前記ディザー信号によって生じた周波数成分を検出し、該周波数成分の強度に応じて前記バイアス電圧制御信号を生成し、該バイアス電圧制御信号を前記バイアス電圧生成回路に入力する、
請求項1又は2記載のバイアス制御回路。 - 一対の第1のマッハツェンダ型変調器と、前記一対の第1マッハツェンダ型変調器の出力光が入力される第1の親変調器と、前記第1の親変調器の出力光の一部を受光する第1の受光素子と、を有する第1の位相変調器と、
一対の第2のマッハツェンダ型変調器と、前記一対の第2マッハツェンダ型変調器の出力光が入力される第2の親変調器と、前記第2の親変調器の出力光の一部を受光する第2の受光素子と、を有する第2の位相変調器と、
を有する偏波多重位相変調器に対して、バイアス電圧を供給するバイアス制御回路であって、
バイアス電圧制御信号が入力されて、該バイアス電圧制御信号に応じて電圧値が設定されるとともに所定のディザー信号が重畳された前記バイアス電圧を前記偏波多重位相変調器に供給するバイアス電圧生成回路と、
前記第1の受光素子の出力電流に基づいて生成された第1のモニタ用電気信号と、前記第2の受光素子の出力電流に基づいて生成された第2のモニタ用電気信号とからいずれかを選択して、選択されたモニタ用電気信号を出力する第1のスイッチと、
一対の第1の入力端子を有し、前記一対の第1の入力端子の一方に前記選択されたモニタ用電気信号の時間平均に相当する第1の基準電圧信号が入力され、前記一対の第1の入力端子の他方に前記選択されたモニタ用電気信号が入力され、前記第1の基準電圧信号と前記選択されたモニタ用電気信号との電位差に応じた振幅の第1の電圧信号を出力する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路から出力された前記第1の電圧信号から前記ディザー信号によって生じた周波数成分を検出し、該周波数成分の強度に応じて前記バイアス電圧制御信号を生成し、該バイアス電圧制御信号を前記バイアス電圧生成回路に入力する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記第1のスイッチに対して選択信号を送出することにより、前記一対の第1のマッハツェンダ型変調器のそれぞれに対する前記バイアス電圧の調整と前記一対の第2のマッハツェンダ型変調器のそれぞれに対する前記バイアス電圧の調整と、を時分割方式で実行する、
バイアス制御回路。 - 第1の交流結合を介して受けた前記第1のモニタ用電気信号と、第2の交流結合を介して受けた前記第2のモニタ用電気信号とからいずれかを選択して、親変調器用モニタ用電気信号を出力する第2のスイッチと、
一対の第2の入力端子を有し、前記一対の第2の入力端子の一方に前記親変調器用モニタ用電気信号の時間平均に相当する第2の基準電圧信号が入力され、前記一対の第2の入力端子の他方に前記親変調器用モニタ用電気信号が入力され、前記第2の基準電圧信号と前記親変調器用モニタ用電気信号との電位差に応じた振幅の第2の電圧信号を出力する差動増幅回路と、をさらに有し、
前記制御回路は、前記差動増幅回路から出力された前記第2の電圧信号から前記ディザー信号によって生じた周波数成分を検出し、該周波数成分の強度に応じて前記バイアス電圧制御信号を生成し、
前記第2のスイッチに対して選択信号を送出することにより、前記第1の親変調器に対する前記バイアス電圧の調整と前記第2の親変調器に対する前記バイアス電圧の調整と、を時分割方式で実行する、
請求項4記載のバイアス制御回路。 - 一対の第1のマッハツェンダ型変調器と、前記一対の第1マッハツェンダ型変調器の出力光が入力される第1の親変調器と、前記第1の親変調器の出力光の一部を受光する第1の受光素子と、を有する第1の位相変調器と、
一対の第2のマッハツェンダ型変調器と、前記一対の第2マッハツェンダ型変調器の出力光が入力される第2の親変調器と、前記第2の親変調器の出力光の一部を受光する第2の受光素子と、を有する第2の位相変調器と、
を有する偏波多重位相変調器に対して、バイアス電圧を供給するバイアス制御回路であって、
バイアス電圧制御信号が入力されて、該バイアス電圧制御信号に応じて電圧値が設定されるとともに所定のディザー信号が重畳された前記バイアス電圧を前記偏波多重位相変調器に供給するバイアス電圧生成回路と、
前記第1の受光素子の出力電流に基づいて生成された第1のモニタ用電気信号と、前記第2の受光素子の出力電流に基づいて生成された第2のモニタ用電気信号と、第1の交流結合を介して受けた前記第1のモニタ用電気信号と、第2の交流結合を介して受けた前記第2のモニタ用電気信号と、からいずれかを選択して、選択されたモニタ用電気信号を出力するスイッチと、
一対の入力端子を有し、前記一対の入力端子の一方に前記選択されたモニタ用電気信号の時間平均に相当する基準電圧信号が入力され、前記一対の入力端子の他方に前記選択されたモニタ用電気信号が入力され、前記基準電圧信号と前記選択されたモニタ用電気信号との電位差に応じた振幅の電圧信号を出力する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路から出力された前記電圧信号から前記ディザー信号によって生じた周波数成分を検出し、該周波数成分の強度に応じて前記バイアス電圧制御信号を生成し、該バイアス電圧制御信号を前記バイアス電圧生成回路に入力する制御回路と、を有し、
前記制御回路は、前記スイッチに対して選択信号を送出することにより、前記一対の第1のマッハツェンダ型変調器のそれぞれに対する前記バイアス電圧の調整と前記一対の第2のマッハツェンダ型変調器のそれぞれに対する前記バイアス電圧の調整と、前記第1の親変調器に対する前記バイアス電圧の調整と、前記第2の親変調器に対する前記バイアス電圧の調整と、を時分割方式で実行する、
バイアス制御回路。 - 一対のマッハツェンダ型変調器と、前記一対のマッハツェンダ型変調器の出力光が入力される親変調器と、前記親変調器の出力光の一部を受光する受光素子と、を有する位相変調器と、
バイアス電圧制御信号が入力されて、前記バイアス電圧制御信号に応じて電圧値が設定されるとともに所定のディザー信号が重畳された前記バイアス電圧を前記位相変調器に供給するバイアス電圧生成回路と、
一対の入力端子を有し、前記一対の入力端子の一方に前記受光素子の出力電流に基づいて生成されたモニタ用電気信号の時間平均に相当する基準電圧信号が入力され、前記一対の入力端子の他方に前記モニタ用電気信号が入力され、前記基準電圧信号と前記モニタ用電気信号との電位差に応じた振幅の電圧信号を出力する差動増幅回路と、
前記差動増幅回路から出力された前記電圧信号から前記ディザー信号によって生じた周波数成分を検出し、該周波数成分の強度に応じて前記バイアス電圧制御信号を生成し、該バイアス電圧制御信号を前記バイアス電圧生成回路に入力する制御回路と、
を備える光送信器。
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