JP6352014B2 - Thickness measuring instrument - Google Patents
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Description
本発明は、測定対象物の厚さを測定する厚さ測定器および厚さ測定方法に関する。 The present invention relates to a thickness measuring instrument and a thickness measuring method for measuring the thickness of a measurement object.
携帯電話、デジタルAV機器およびICカード等の高機能化に伴い、搭載される半導体シリコンチップ(以下、チップ)を小型化および薄板化することによって、パッケージ内にチップを高集積化する要求が高まっている。パッケージ内のチップの高集積化を実現するためには、チップの厚さを25〜150μmの範囲にまで薄くする必要がある。 As mobile phones, digital AV devices, IC cards, etc. have become more sophisticated, there is an increasing demand for higher integration of chips in packages by reducing the size and thickness of semiconductor silicon chips (hereinafter referred to as chips). ing. In order to achieve high integration of chips in the package, it is necessary to reduce the thickness of the chip to a range of 25 to 150 μm.
従来、チップのベースとなる半導体ウエハ(以下、ウエハ)の厚さや、当該ウエハを含む積層体の厚さは、分光干渉式レーザ変位計で測定されている。具体的には、例えば、測定対象物である積層体の表面(上面)に分光干渉式レーザ変位計からレーザ光を照射し、ウエハ表裏面や積層体の各層で反射した反射光である分光を受光してウエハの厚さや積層体の厚さを測定している。また、特許文献1には、搬送装置によって搬送されている測定対象物の表裏面に光学式変位計から光スポットを当てて当該測定対象物の表裏面の変位を測定し、厚さを算出する厚み計測装置が記載されている。上記厚み計測装置は、光学式変位計から照射される光スポット同士の干渉を避けるために、光を透過する測定対象物の裏面における、表面に当てられた第一の光スポットの位置に対応する位置の近傍の位置に、第二の光スポットをずらして当て、測定のタイミングを測定対象物の搬送速度と同期させて測定している。 Conventionally, the thickness of a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) serving as a chip base and the thickness of a laminated body including the wafer are measured by a spectral interference type laser displacement meter. Specifically, for example, the surface (upper surface) of the laminate that is the object to be measured is irradiated with laser light from a spectral interference type laser displacement meter, and the spectrum that is the reflected light reflected on each surface of the wafer front and back surfaces and the laminate is measured. It receives light and measures the thickness of the wafer and the thickness of the laminate. Further, in Patent Document 1, a light spot is applied from the optical displacement meter to the front and back surfaces of the measurement object being transported by the transport device, the displacement of the front and back surfaces of the measurement object is measured, and the thickness is calculated. A thickness measuring device is described. The thickness measuring device corresponds to the position of the first light spot applied to the front surface on the back surface of the measurement object that transmits light in order to avoid interference between the light spots irradiated from the optical displacement meter. The second light spot is shifted and applied to a position in the vicinity of the position, and the measurement timing is synchronized with the conveyance speed of the measurement object.
しかしながら、ウエハ表裏面や積層体の各層で反射した反射光である分光を受光してウエハの厚さや積層体の厚さを測定している従来の方法では、例えば回路が形成されているウエハ(デバイスウエハ)の厚さを測定すると、当該回路によってウエハ表面の状態(凹凸)が場所によって異なることにより、またはウエハの材質により、或いは、当該回路に形成されている金属からなるバンプにより、ウエハの厚さや積層体の厚さを正確に測定することができないという問題を有している。さらに、積層体がウエハと支持体であるガラスとを含み、当該ウエハおよびガラスの屈折率が互いに近い場合には、分光が互いに重なりあって厚さを正確に測定することができないという問題も有している。また、特許文献1に記載の厚み計測装置では、装置が微振動したり、測定対象物の搬送速度が微変動したりすると、測定対象物の裏面における、表面に当てられた第一の光スポットの位置に対応する位置に第二の光スポットが当たらなくなり、厚さを正確に測定することができないという問題を有している。 However, in the conventional method of measuring the thickness of the wafer and the thickness of the laminated body by receiving the spectrum which is the reflected light reflected by the front and back surfaces of the wafer and each layer of the laminated body, for example, a wafer (circuit is formed) When the thickness of the device wafer) is measured, the state of the wafer surface (irregularities) varies depending on the circuit depending on the location, the material of the wafer, or the bump made of metal formed in the circuit, There is a problem that the thickness and the thickness of the laminate cannot be measured accurately. Furthermore, when the laminate includes a wafer and a glass as a support, and the refractive index of the wafer and the glass is close to each other, there is a problem in that the spectra overlap each other and the thickness cannot be measured accurately. doing. Moreover, in the thickness measuring apparatus described in Patent Document 1, when the apparatus slightly vibrates or the conveyance speed of the measurement object slightly fluctuates, the first light spot applied to the surface on the back surface of the measurement object Thus, the second light spot does not hit the position corresponding to the position, and the thickness cannot be measured accurately.
本発明は上記問題を考慮して成されたものであり、その主たる目的は、装置の微振動や、測定対象物の表裏面の凹凸の有無等に左右されることなく、当該測定対象物の厚さを正確に測定することができる厚さ測定器および厚さ測定方法を提供することにある。 The present invention has been made in consideration of the above problems, and the main purpose of the present invention is not affected by the minute vibration of the apparatus or the presence or absence of irregularities on the front and back surfaces of the measurement object. An object of the present invention is to provide a thickness measuring instrument and a thickness measuring method capable of accurately measuring the thickness.
上記の課題を解決するために、本発明に係る厚さ測定器は、測定対象物の表面の変位を測定する第一のレーザ変位計および第二のレーザ変位計と、上記レーザ変位計で測定された第一の変位および第二の変位から、演算によって測定対象物の厚さを算出する算出装置とを備え、上記第一のレーザ変位計および第二のレーザ変位計は、測定対象物の表裏面の変位を測定するために一直線上に対向配置されていることを特徴としている。 In order to solve the above-described problems, a thickness measuring instrument according to the present invention includes a first laser displacement meter and a second laser displacement meter that measure the displacement of the surface of an object to be measured, and the laser displacement meter. A calculation device that calculates the thickness of the measurement object from the first displacement and the second displacement that are calculated, and the first laser displacement meter and the second laser displacement meter In order to measure the displacement of the front and back surfaces, they are arranged opposite to each other on a straight line.
上記の課題を解決するために、本発明に係る厚さ測定方法は、一直線上に対向配置された第一のレーザ変位計および第二のレーザ変位計の間に測定対象物を配置し、当該測定対象物の表面の第一の変位および裏面の第二の変位を測定する測定工程と、上記第一の変位および第二の変位から、演算によって測定対象物の厚さを算出する算出工程と、を少なくとも有することを特徴としている。 In order to solve the above-described problem, a thickness measurement method according to the present invention includes a measurement object disposed between a first laser displacement meter and a second laser displacement meter that are opposed to each other on a straight line, and A measurement step of measuring the first displacement of the front surface of the measurement object and the second displacement of the back surface, and a calculation step of calculating the thickness of the measurement object by calculation from the first displacement and the second displacement. , At least.
本発明によれば、装置の微振動や、測定対象物の表裏面の凹凸の有無等に左右されることなく、当該測定対象物の厚さを正確に測定することができる厚さ測定器および厚さ測定方法を提供することができるという効果を奏する。 According to the present invention, a thickness measuring instrument capable of accurately measuring the thickness of the measurement object without being influenced by micro vibrations of the apparatus or the presence or absence of irregularities on the front and back surfaces of the measurement object, There is an effect that a thickness measuring method can be provided.
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
〔測定対象物〕
測定対象物は、特に限定されるものではないが平板状であることが望ましく、例えば、チップのベースとなるウエハや、当該ウエハを含む積層体、サポートプレート(支持体)が好適である。上記ウエハの表面上には接着層や分離層等の各種層が形成されていてもよい。また、ウエハは、接着層側の面に、電子回路等の微細構造が形成された基板であってもよい。さらに、接着層を介してガラス、シリコン、アクリル系樹脂、セラミック等で構成されているサポートプレートが貼り付けられた積層体であってもよい。尚、測定対象物としては、積層体や、サポートプレート、ウエハからなる基板に限定されず、薄いフィルム基板、フレキシブル基板等の任意の基板を選択することもできる。
[Measurement object]
The object to be measured is not particularly limited, but is preferably flat. For example, a wafer serving as a base of a chip, a laminate including the wafer, and a support plate (support) are preferable. Various layers such as an adhesive layer and a separation layer may be formed on the surface of the wafer. The wafer may be a substrate in which a fine structure such as an electronic circuit is formed on the surface on the adhesive layer side. Furthermore, it may be a laminate in which a support plate made of glass, silicon, acrylic resin, ceramic, or the like is attached via an adhesive layer. The measurement object is not limited to a laminate, a support plate, or a substrate made of a wafer, and an arbitrary substrate such as a thin film substrate or a flexible substrate can be selected.
以下、測定対象物として、ウエハからなる基板、接着層、およびガラスからなるサポートプレートが積層されてなる積層体を主に例に挙げて説明することとする。 Hereinafter, as a measurement object, a laminated body in which a substrate made of a wafer, an adhesive layer, and a support plate made of glass are laminated will be mainly described as an example.
〔厚さ測定器〕
本発明の一実施形態に係る厚さ測定器について、図1および図2を用いて以下に説明する。図1および図2に示すように、厚さ測定器57は、測定対象物である例えば積層体の厚さを測定するための装置であり、積層体の表裏面の複数個所の厚さを測定して厚み分布を得る場合には厚み分布測定装置とも称される。ここで、測定対象物である積層体の厚み分布とは、積層体の上面(サポートプレートの上面)または下面(基板の下面)における面内分布を示す。厚さ測定器57は、非接触のレーザ変位計を備えているので、積層体の厚み分布を好適に測定することができる。
[Thickness measuring instrument]
A thickness measuring instrument according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. 1 and 2. As shown in FIGS. 1 and 2, the thickness measuring
図1および図2に示すように、厚さ測定器57は、測定対象物である例えば積層体の表面の変位(第一の変位)を測定する第一のレーザ変位計26および積層体の裏面の変位(第二の変位)を測定する第二のレーザ変位計27を移動可能に保持する変位計保持部21、並びに、積層体を保持する測定対象物保持部22を主に備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the
変位計保持部21は、第一移動部材23、一対のレール部材24、および第二移動部材25で主に構成されている。また、変位計保持部21は、第一移動部材23および第二移動部材25を駆動する駆動部(図示せず)を備えている。
The displacement
一対のレール部材24は、測定対象物保持部22を挟んで互いに平行に配置されており、第一移動部材23を移動可能に支持し、測定対象物保持部22に近づく方向、および測定対象物保持部22から遠ざかる方向(図1における矢印方向)に、上記第一移動部材23を移動させるためのガイドとなっている。
The pair of
第一移動部材23は、第二移動部材25を移動可能に支持し、第一移動部材23の移動方向と直交する方向(図1,2における矢印方向)に、上記第二移動部材25を移動させるためのガイドとなっている。
The first moving
第二移動部材25は、側面から見た形状が測定対象物保持部22側に向かって開いた「コ」字型となっており、測定対象物保持部22側に向かって上下に突き出た測定治具25a,25bの先端部に第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を保持している。具体的には、上側に突き出た測定治具25aの先端部に第一のレーザ変位計26が保持されており、下側に突き出た測定治具25bの先端部に第二のレーザ変位計27が保持されている。また、測定治具25aの先端部には、第一のレーザ変位計26の位置合わせを行うための位置調節部材26aが設けられている。
The second moving
上記第一のレーザ変位計26は、測定対象物である積層体にレーザ光を照射する照射部と、積層体の表面で反射したレーザ光だけを受光する受光部と、受光したレーザ光を信号に変換して算出装置に送信する送信部(何れも図示せず)とを備えている。同様に、上記第二のレーザ変位計27は、測定対象物である積層体にレーザ光を照射する照射部と、積層体の裏面で反射したレーザ光だけを受光する受光部と、受光したレーザ光を信号に変換して算出装置に送信する送信部(何れも図示せず)とを備えている。尚、上記第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、測定対象物である積層体の表面の変位を非接触で測定することができればよく、特に限定されるものではないが、分光干渉式レーザ変位計であることがより好ましい。
The first
上記第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、測定対象物保持部22上に載置された積層体(図示せず)の表裏面の変位を測定するために、一直線上に対向配置されている。また、上記第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、測定対象物保持部22上に載置された積層体の表面または裏面に対して、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を結ぶ直線が直交するように、測定治具25a,25bの先端部に取り付けられている。従って、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、変位計保持部21の駆動によって移動しても、或いは、装置が微振動しても、互いの相対的な位置や距離は常に一定である。
The first
そして、変位計保持部21は、第一移動部材23および第二移動部材25を移動させることにより、測定治具25a,25bの先端部に保持した第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を、測定対象物保持部22上に載置された積層体の所望の位置に移動させるようになっている。つまり、変位計保持部21は、測定対象物保持部22に対して、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を相対移動させる構成となっている。具体的には、変位計保持部21は、第一のレーザ変位計26を、上記積層体の表面における所望の位置に移動させると共に、第二のレーザ変位計27を、上記積層体の裏面における、上記所望の位置に対応する位置に移動させるようになっている。但し、本発明において上記「所望の位置」とは、保持ステージ31に形成されている、積層体の裏面の一部を露出させることができる複数の孔の位置に対応する位置を指す。
The displacement
測定対象物保持部22は、測定対象物である例えば積層体を保持する保持ステージ(載置台)31を備えている。また、上記保持ステージ31は、積層体を保持ステージ31に載置して固定するための吸着機構を備えている。吸着機構を用いて積層体を保持ステージ31に固定することにより、厚さ測定器57は、反っている積層体であっても反りを抑制して当該積層体の厚さを正確に測定することができる。尚、吸着機構の構成は、特に限定されるものではなく、真空ポンプ等を備えた公知の吸着装置を用いればよい。
The measurement
また、保持ステージ31には、例えば10mm間隔の碁盤目状に配置された多数の孔(開口部)(図示せず)が形成されている。これにより、積層体を保持ステージ31に保持した状態において、上記孔を介して、当該積層体の裏面の一部を露出させることができるようになっている。尚、孔同士の間隔は、特に限定されるものではなく、例えば測定対象物の大きさ等に応じて適宜設定すればよい。
Further, the holding
さらに、厚さ測定器57は、上記第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27で測定された第一の変位および第二の変位から、演算によって積層体の厚さを算出して例えば外部表示装置に出力する算出装置(図示せず)を備えている。算出装置の構成は、特に限定されるものではなく、公知の演算装置や、厚さを記憶する記憶装置を備えていればよい。
Further, the
また、厚さ測定器57は、変位計保持部21および測定対象物保持部22の駆動や、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27の動作を制御する制御部(図示せず)を備えている。従って、第一移動部材23および第二移動部材25を駆動する駆動部は、上記制御部によって、その動作が制御されている。
Further, the
尚、図1および図2においては、変位計保持部21が、測定対象物保持部22に対して、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を相対移動させる構成となっているが、厚さ測定器は当該構成に限定されるものではなく、測定対象物保持部が、変位計保持部に保持されている第一のレーザ変位計および第二のレーザ変位計に対して相対移動する構成となっていてもよく、変位計保持部および測定対象物保持部が互いに相対移動する構成となっていてもよい。また、変位計保持部および測定対象物保持部の相対移動は、直線移動、回転移動等、どのような移動であってもよく、積層体の表裏面の複数個所の厚さを測定することができるようになっていればよい。
In FIGS. 1 and 2, the displacement
〔厚さ測定方法〕
次に、上記構成の厚さ測定器57を用いて積層体の厚さを測定する方法について、図3を参照しながら、順に説明する。
[Thickness measurement method]
Next, a method for measuring the thickness of the laminate using the
先ず、測定対象物である積層体40を測定対象物保持部22の保持ステージ31に載置し、吸着機構を用いて当該積層体40を保持ステージ31に固定する。このとき、変位計保持部21はホームポジション(初期位置)に位置している。
First, the laminate 40 that is a measurement object is placed on the holding
次に、変位計保持部21を駆動し、第一移動部材23および第二移動部材25を移動させて、第一のレーザ変位計26を、上記積層体40の表面における所望の位置に移動させると共に、第二のレーザ変位計27を、上記積層体40の裏面における、上記所望の位置に対応する位置に移動させる。これにより、一直線上に対向配置された第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27の間に積層体40が配置されることになる。また、積層体40の表面または裏面に対して、上記第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を結ぶ直線を直交させることになる。
Next, the displacement
移動後、第一のレーザ変位計26から、積層体40の上面(サポートプレート43の上面)にレーザ光を照射し、積層体40で反射したレーザ光Aを受光する一方、第二のレーザ変位計27から、保持ステージ31に形成された孔32を通じて、積層体40の下面(基板41の下面)にレーザ光を照射し、積層体40で反射したレーザ光Bを受光する。これにより、積層体40の表面の第一の変位および裏面の第二の変位を測定する(測定工程)。
After the movement, the first
このとき、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、レーザ光を同時に照射して積層体40の表裏面の変位を同時に測定してもよく、レーザ光を別々に照射して積層体40の表裏面の変位を別々に測定してもよい。或る一つの孔32での測定においては、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27の位置は見かけ上、固定されていることになるので、レーザ光の照射のタイミングは互いに同時であってもよく、互いに異なっていてもよい。但し、同時にレーザ光を照射した方がより正確に厚さを測定することができ、また、測定時間を短縮することができる。
At this time, the first
また、第一のレーザ変位計26の受光部は、積層体40の表面で反射したレーザ光Aだけを受光し、第二のレーザ変位計27の受光部は、積層体40の裏面で反射したレーザ光Bだけを受光する。つまり、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、積層体40の表裏面からの反射光だけを検出し、サポートプレート43や接着層42、基板41を透過若しくはこれら各層で反射したレーザ光を検出しないので、レーザ光A,Bが互いに干渉することはない。
Further, the light receiving part of the first
第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、受光したレーザ光を信号に変換して算出装置に送信する。算出装置は、上記第一の変位および第二の変位から、演算によって積層体40の厚さを算出し(算出工程)、結果を例えば外部表示装置に出力したり、記憶装置に記憶したりする。
The first
或る一つの孔32での積層体40の表裏面の変位の測定が終われば、厚さ測定器57は、変位計保持部21を駆動し、第一移動部材23および第二移動部材25を移動させて、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を、次に測定する位置、具体的には、次の孔32の位置に対応する位置に相対的に移動させる。これにより、次の孔32の位置での積層体40の表裏面の変位を測定し、積層体40の厚さを算出する。
When the measurement of the displacement of the front and back surfaces of the laminate 40 in a
その後、上記測定を積層体40の大きさ等に応じて繰り返し、積層体40の表面の変位を複数測定する。厚さ測定器57は、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を積層体40に対して相対的に移動させて測定するので、積層体40の表裏面全体にわたって厚さを測定することができる。従って、積層体40の厚み分布を測定することができる。また、第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27は、互いの相対的な位置や距離が常に一定であるので、装置の微振動や、積層体40の表裏面の凹凸の有無等に左右されることなく、当該積層体40の厚さを正確に測定することができる。
Then, the said measurement is repeated according to the magnitude | size etc. of the
尚、上記説明においては、変位計保持部21によって第一のレーザ変位計26および第二のレーザ変位計27を測定対象物保持部22に対して相対移動させる方法となっているが、厚さ測定方法は当該方法に限定されるものではなく、測定対象物保持部を、変位計保持部に保持されている第一のレーザ変位計および第二のレーザ変位計に対して相対移動させる方法であってもよく、変位計保持部および測定対象物保持部が互いに相対移動する方法であってもよい。
In the above description, the displacement
〔積層体形成システム〕
上記構成の厚さ測定器57を備えた積層体形成システムについて、図4を用いて以下に説明する。積層体形成システムは、基板と支持体であるサポートプレートとを、接着層を介して貼り合わせて積層体を形成するシステムである。
[Laminated body formation system]
A laminated body forming system including the
積層体形成後における基板の薄化、実装等のプロセスを考慮すると、積層体の厚み分布の値は小さいことが好ましく、製品の品質管理のためには、半導体ウエハの製造工程において積層体の厚み分布を測定することが好ましい。本実施形態では、積層体形成システムが厚さ測定器57を備えることにより、積層体形成のプロセス中に積層体の厚み分布を測定することができ、効率的である。また、積層体の厚み分布に関する情報は、例えば、製造される積層体の異常の検出に有用である。
In consideration of processes such as thinning and mounting of the substrate after the formation of the laminate, the thickness distribution value of the laminate is preferably small. For product quality control, the thickness of the laminate in the semiconductor wafer manufacturing process It is preferable to measure the distribution. In the present embodiment, since the laminate forming system includes the
また、本実施形態において、厚さ測定器57は、基板との貼り付け前のサポートプレートの厚み分布を測定する。積層体の厚み分布は、サポートプレートの厚み分布によっても左右されるため、サポートプレートの厚み分布を予め測定することにより、製造される積層体の異常が何に起因するのかを知ることができる。また、サポートプレートの厚み分布に関する情報は、例えば、サポートプレートの異常の検出に有用である。
In the present embodiment, the
図4に示すように、積層体形成システム1は、基板上に接着剤を塗布するスピンナー(塗布装置)52と、接着剤が塗布された基板を加熱して当該基板上に接着層を形成するベークプレート(加熱装置)51と、基板とサポートプレートとを、接着層を介して貼り合わせて積層体を形成する重ね合わせ部6および貼付部(貼付装置)7と、積層体の厚み分布を測定する厚さ測定器57とを備えている。そして、積層体形成システム1は、キャリアステーション(格納部)50と、温度調節部56と、第一搬送装置4と、第二搬送装置54と、洗浄装置53とをさらに備えている。積層体形成システム1は、保持部3および重ね合わせ部6を備えていてもよい。尚、積層体形成システム1は、各装置の動作を制御する制御部(図示せず)を備えている。
As shown in FIG. 4, the laminate forming system 1 forms a bonding layer on a spinner (coating apparatus) 52 that applies an adhesive on a substrate and a substrate on which the adhesive is applied. Bake plate (heating device) 51, substrate and support plate are bonded to each other via an adhesive layer to form a
以下、積層体形成システム1の各装置について説明する。 Hereinafter, each apparatus of the laminated body formation system 1 is demonstrated.
(塗布装置)
スピンナー(塗布装置)52は、基板上に接着剤を塗布する装置である。本実施形態においては、第二搬送装置54が基板をスピンナー52に搬入して載置する。スピンナー52は、載置された基板を例えば3000rpmで回転させながら当該基板上に接着剤をスピン塗布する。基板への接着剤の塗布方法は、特に限定されるものではなく、例えば、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー塗布、スリット塗布等の方法が挙げられる。また、基板の回転速度も特に限定されるものではなく、接着剤の種類、基板の大きさ等に応じて適宜設定すればよい。
(Applicator)
The spinner (coating device) 52 is a device that applies an adhesive onto a substrate. In the present embodiment, the
また、スピンナー52は、基板上に接着剤を塗布するときに、基板の端面または裏面に付着した接着剤を洗浄するための洗浄液を基板にさらに塗布する洗浄部を備えていてもよい。これにより、接着剤を洗浄する洗浄装置を別途設けることなく、基板上に接着剤を塗布しながら当該基板の端面または裏面を洗浄することができる。よって、本発明に係る積層体形成システム1においては、省スペース化することができ、また、積層体の形成時間を短縮することができる。
Further, the
(加熱装置)
ベークプレート(加熱装置)51は、スピンナー52により接着剤が塗布された基板を加熱して、基板上に接着層を形成する装置である。本実施形態においては、スピンナー52により基板上に接着剤を塗布した後に、当該基板をベークプレート51に載置し、接着剤をベークする。ベークプレート51に熱源を取り付けることにより、または天板に熱源を取り付けることにより、接着剤をベークすることができる。熱源の例としては、例えば、温水ヒータ、温風ヒータ、赤外線ヒータ、電熱ヒータ等が挙げられる。
(Heating device)
The bake plate (heating device) 51 is a device that heats a substrate coated with an adhesive by a
(重ね合わせ部)
重ね合わせ部6は、基板およびサポートプレートを、接着層を介して重ね合わせる装置である。例えば、本実施形態において、重ね合わせ部6は、基板とサポートプレートとの相対位置を、位置調整部(図示せず)を用いて調整した後に、基板とサポートプレートとを重ね合わせるようになっている。
(Overlapping part)
The overlapping
(貼付装置)
貼付部(貼付装置)7は、基板とサポートプレートとを、接着層を介して貼り合わせて積層体を形成する装置である。貼付部7では、重ね合わせ部6にて重ね合わされた基板およびサポートプレートを押圧しながら接着層を加熱する。具体的には、例えば、貼付部7内の上下にプレスプレートを設け、この上下のプレスプレート間に、重ね合わせた基板およびサポートプレートを載置し、押圧すればよい。これにより、積層体を形成することができる。
(Paste device)
The sticking unit (sticking device) 7 is a device that forms a laminated body by sticking a substrate and a support plate through an adhesive layer. In the affixing unit 7, the adhesive layer is heated while pressing the substrate and the support plate superimposed in the overlapping
(貼り合わせユニット)
本実施形態において、上記重ね合わせ部6および貼付部7は、貼り合わせユニット2を構成している。貼り合わせユニット2は、一つの処理室の内部を二つの処理部屋に仕切る壁を設けた構造とすることができる。或いは、貼り合わせユニット2は、重ね合わせ部6と貼付部7とがそれぞれの側面において隙間無く互いに接している構造とすることもできる。重ね合わせ部6および貼付部7の境界には、重ね合わせ部6で重ね合わせた基板およびサポートプレート、並びに、貼付部7で貼り合わせて形成した積層体の受け渡しを行うためのゲート8が設けられている。ゲート8はシャッターによってその開閉が制御されている。ゲート8の開閉には従来公知の構造を用いることができ、例えばゲートバルブ構造を適用することができる。
(Lamination unit)
In the present embodiment, the overlapping
また、重ね合わせ部6には、貼り合わせユニット2と第一搬送装置4との間で基板、サポートプレート、および積層体の受け渡しを行うための受け渡し窓9が開閉可能に設けられている。重ね合わせ部6および貼付部7には、公知の減圧装置(図示せず)がそれぞれ設けられており、重ね合わせ部6および貼付部7の内部圧の状態をそれぞれ独立に制御することができる。さらに、貼り合わせユニット2には、ゲート8を介して重ね合わせ部6および貼付部7間で積層体の受け渡しを行う内部搬送装置(図示せず)が設けられている。
In addition, a
貼付部7は減圧可能な構成であるため、減圧雰囲気下において基板とサポートプレートとを、接着層を介して貼り合わせることができる。減圧雰囲気下において接着層に基板を圧着させることによって、基板表面の凹凸パターンの窪みに空気が存在しない状態で、接着層を当該窪みに入り込ませることができるため、接着層と基板との間での気泡の発生を、より確実に防止することが可能である。 Since the affixing portion 7 has a configuration capable of reducing the pressure, the substrate and the support plate can be bonded to each other through an adhesive layer in a reduced pressure atmosphere. By pressure-bonding the substrate to the adhesive layer in a reduced-pressure atmosphere, the adhesive layer can enter the dent in a state where there is no air in the dent of the uneven pattern on the substrate surface. It is possible to more reliably prevent the generation of bubbles.
ゲート8は、シャッターが開いた状態で、重ね合わせた基板およびサポートプレートを重ね合わせ部6から貼付部7に移動させることができるように、また、積層体を貼付部7から重ね合わせ部6に移動させることができるように形成されている。従って、ゲート8は、重ね合わせ部6および貼付部7の何れも減圧させた状態でシャッターを開けることにより、重ね合わせた基板およびサポートプレートを重ね合わせ部6から貼付部7に、また、積層体を貼付部7から重ね合わせ部6に、減圧下で移動させることができる構造となっている。
The
(格納部)
キャリアステーション(格納部)50は、基板およびサポートプレートを格納している。また、本実施形態においては、キャリアステーション50を介して、基板およびサポートプレートを積層体形成システム1に投入することができる。また、貼付部7にて形成した積層体を、キャリアステーション50を介して、積層体形成システム1から取り出すことができる。
(Storage part)
The carrier station (storage unit) 50 stores a substrate and a support plate. In the present embodiment, the substrate and the support plate can be put into the stacked body forming system 1 via the
(保持部)
保持部3は基板およびサポートプレートのアライメントをする装置である。保持部3は、撮像部および中心位置検出部(図示せず)を備えており、重ね合わされる前の基板またはサポートプレートを保持するようになっている。
(Holding part)
The holding
撮像部は、例えばCCDカメラで構成されており、保持された基板またはサポートプレートの互いに異なる端面を含む領域をそれぞれ撮像するようになっている。当該領域は、例えば、保持された基板またはサポートプレートの凡そ対角線上に設定されていることが好ましい。 The imaging unit is composed of, for example, a CCD camera, and images each of regions including different end surfaces of the held substrate or support plate. The region is preferably set, for example, approximately on a diagonal line of the held substrate or support plate.
中心位置検出部は、撮像部が撮像した複数の画像に基づいて、保持された基板またはサポートプレートの中心位置を検出する。中心位置検出部は、円板の端面の画像に基づいて、仮想円を算出し、中心位置を検出するようになっていればよい。端面の画像に基づく中心位置の検出技術は、公知の画像処理を用いればよく、特に限定されない。 The center position detection unit detects the center position of the held substrate or support plate based on a plurality of images captured by the imaging unit. The center position detection unit only needs to calculate a virtual circle based on the image of the end face of the disk and detect the center position. The technique for detecting the center position based on the image of the end face is not particularly limited as long as known image processing is used.
基板またはサポートプレートは、保持部3において中心位置が検出された後、第一搬送装置4により、重ね合わせ部6に搬送される。そして、基板またはサポートプレートは、重ね合わせ部6において、重ね合わせの前に、位置調整部(図示せず)によって、保持部3において検出した互いの中心位置が重なるように位置が調整される。
After the center position is detected by the holding
(温度調節部)
温度調節部56は基板を冷却することにより、基板の温度調節を行う冷却板(図示せず)と、基板の位置を調整する位置調整装置(図示せず)とを備えている。本実施形態においては、温度調節部56を挟んで、第一搬送装置4と第二搬送装置54とが基板の受け渡しを行う。
(Temperature adjuster)
The
基板または積層体を冷却板に載置することで、これら基板または積層体を冷却することができる。また、冷却時に位置調整装置を用いて、基板のアライメントを行うことができる。よって、積層体形成システム1を省スペース化することができるとともに、積層体の形成時間を短縮することができる。 By placing the substrate or the laminated body on the cooling plate, the substrate or the laminated body can be cooled. Further, the substrate can be aligned using the position adjusting device during cooling. Therefore, the stack forming system 1 can be saved in space, and the stack forming time can be shortened.
さらに、温度調節部56は接着層を形成した後の基板および積層体を自然冷却するための冷却エリアを有している。冷却エリアは、基板および積層体の熱を効率的に逃がすことができる構成であればよい。例えば、冷却エリアには、基板および積層体を支持するための支持点が形成されており、基板および積層体の面の内周部を三点〜十点において支持点に支持させることにより、基板および積層体全体の熱を効率的に逃がすことができる。
Furthermore, the
(第一搬送装置)
第一搬送装置4は、キャリアステーション50、貼り合わせユニット2、温度調節部56および厚さ測定器57の間で基板を搬送する。また、第一搬送装置4は、図4における矢印方向に、第一搬送装置走行路5内を移動する。第一搬送装置4は、必要な処理が終了した後に次の処理を行うために、基板、サポートプレートおよび積層体をそれぞれ所望の位置まで搬送する。
(First transfer device)
The first transport device 4 transports the substrate among the
(第二搬送装置)
第二搬送装置54は、温度調節部56、ベークプレート51、スピンナー52、および洗浄装置53の間で基板を搬送する。また、第二搬送装置54は、図4における矢印方向に、つまり、第一搬送装置4の移動方向と直交する方向に、第二搬送装置走行路55内を移動する。第二搬送装置54は、必要な処理が終了した後に次の処理を行うために、基板をそれぞれ所望の位置まで搬送する。
(Second transfer device)
The
(洗浄装置)
洗浄装置53は、接着剤を塗布した基板を洗浄する装置である。本実施形態において、洗浄装置53は、基板上に接着剤を塗布した後に、基板の端面または裏面に付着した接着剤を洗浄する。洗浄方法としては、例えば、端面または裏面に接着剤が付着した基板を3000rpmで回転させながら、洗浄液を端面または裏面に塗布すればよい。
(Cleaning device)
The
洗浄液は、接着剤を溶解させることができる溶剤を含んでいればよく、特に限定されるものではないが、例えば、直鎖状の炭化水素、炭素数4から15の分岐状の炭化水素、テルペン系溶剤、ラクトン類、ケトン類、多価アルコール類、多価アルコール類の誘導体、環式エーテル類、エステル類、芳香族系有機溶剤等を用いることができる。洗浄液としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(PGMEA)、プロピレングリコールモノメチルエーテル(PGME)がより好ましい。 The cleaning liquid is not particularly limited as long as it contains a solvent capable of dissolving the adhesive, and examples thereof include linear hydrocarbons, branched hydrocarbons having 4 to 15 carbon atoms, and terpenes. Solvents, lactones, ketones, polyhydric alcohols, derivatives of polyhydric alcohols, cyclic ethers, esters, aromatic organic solvents and the like can be used. As the cleaning liquid, propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA) and propylene glycol monomethyl ether (PGME) are more preferable.
〔積層体形成方法〕
次に、図5に示すフローチャートを参照しながら、積層体形成システム1を用いて積層体を形成する工程について順に説明する。図5に示すステップS1〜S10は、基板に関する処理を表し、ステップS11〜S13は、サポートプレートに関する処理を表し、ステップS14〜S17は、積層体に関する処理を表す。
[Laminate Forming Method]
Next, the process of forming a laminated body using the laminated body formation system 1 is demonstrated in order, referring the flowchart shown in FIG. Steps S1 to S10 shown in FIG. 5 represent processes related to the substrate, steps S11 to S13 represent processes related to the support plate, and steps S14 to S17 represent processes related to the laminated body.
ステップS1において、第一搬送装置4が基板をキャリアステーション50から積層体形成システム1内に投入する。第一搬送装置4は、基板を支持した状態で当該基板を温度調節部56まで搬送する。
In step S <b> 1, the first transport device 4 inputs the substrate from the
ステップS2において、第一搬送装置4は基板を温度調節部56の冷却板に載置し、温度調節部56は基板の温度を調節する。そして、温度調節部56の位置調整装置によって、基板のアライメントを冷却板上で行う。アライメント終了後に、第二搬送装置54は、基板を支持した状態で当該基板をスピンナー52に搬入する(第一搬入工程)。
In step S <b> 2, the first transport device 4 places the substrate on the cooling plate of the
ステップS3において、第二搬送装置54は基板をスピンナー52に載置し、スピンナー52は基板に接着剤を塗布する(接着剤塗布工程)。ステップS2で基板のアライメントを行っているため、基板の表面に均等に接着剤をスピン塗布することができる。また、ステップS2において基板の温度調節を行っているので、一定の塗布条件で接着剤を塗布することができる。基板に接着剤を塗布した後に、スピンナー52に設けられた洗浄部は、基板の裏面を洗浄(バックリンス)する。また、必要に応じて、洗浄部は、基板の端面を洗浄(エッジバックリンス)してもよい。洗浄終了後に、第二搬送装置54は、基板を支持した状態で当該基板をベークプレート51に搬送する(第二搬入工程)。
In step S3, the
ステップS4において、第二搬送装置54は基板をベークプレート51に載置し、熱源を用いて基板に塗布された接着剤をベークする。接着剤をベークすることにより、溶剤を適切に揮発させることができる。また、接着剤をベークする温度(t1℃)は、接着剤の種類に応じて適宜定めることができる。
In step S4, the
ステップS5において、接着剤をさらにベークする。接着剤をさらにベークする温度(t2℃)は、接着剤の種類に応じて適宜定めることができる。ベーク終了後に、第二搬送装置54は、基板を支持した状態で当該基板を温度調節部56まで搬送する。
In step S5, the adhesive is further baked. The temperature (t 2 ° C) at which the adhesive is further baked can be appropriately determined according to the type of adhesive. After the completion of baking, the
ステップS6において、第二搬送装置54は基板を冷却板に載置し、温度調節部56は基板を冷却する。そして、位置調整装置により冷却板上で基板のアライメントを行う。アライメント終了後に、第二搬送装置54は、基板を支持した状態で当該基板を洗浄装置53に搬入する。
In step S6, the
ステップS7において、第二搬送装置54は基板を洗浄装置53に載置し、洗浄装置53は基板の端面をエッジバックリンスし、基板の裏面をバックリンスする。これにより、スピンナー52にて接着剤を基板にスピン塗布したときに、当該基板の端面および裏面に付着した接着剤を除去することができる。ここで、ステップS6において、基板の位置調整を行っているので、基板の端面(エッジ)を正確に洗浄することができる。基板の洗浄終了後に、第二搬送装置54は、基板を支持した状態で当該基板をベークプレート51まで搬送する。
In step S7, the
ステップS8において、第二搬送装置54は基板をベークプレート51に載置し、熱源を用いて基板に塗布された接着剤をさらにベークする。接着剤をさらにベークする温度(t3℃)は、接着剤の種類に応じて適宜定めることができる。これにより、基板上の接着剤が乾燥し、接着層が形成される(接着層形成工程)。
In step S <b> 8, the
ステップS4、S5およびS8において、接着剤をベークする温度をそれぞれt1、t2、t3(℃)とすると、t1<t2<t3(但し、t1≧60(℃)およびt3≦250(℃)であることが好ましい)を満たすように、ステップ間で接着剤をベークする温度を段階的に上げることが好ましい。接着剤の塗布が終了した直後に高温でベークすると、接着剤の収縮による基板の反り、接着剤表面のシワ、接着剤の発泡等の不具合が発生し易くなり、均一な接着層を形成することができないおそれがあるが、ベークする温度を段階的に上げることにより均一な接着層を形成することができる。 In steps S4, S5, and S8, assuming that the temperatures at which the adhesive is baked are t 1 , t 2 , and t 3 (° C.), respectively, t 1 <t 2 <t 3 (where t 1 ≧ 60 (° C.) and t 1 3 ≦ 250 (° C.) is preferable, and the temperature at which the adhesive is baked between steps is preferably increased step by step. When baking at high temperature immediately after the application of adhesive is completed, defects such as warpage of the substrate due to shrinkage of the adhesive, wrinkles on the adhesive surface, and foaming of the adhesive are likely to occur, and a uniform adhesive layer should be formed. However, it is possible to form a uniform adhesive layer by raising the baking temperature stepwise.
接着層の形成後に、第二搬送装置54は、基板を支持した状態で当該基板を温度調節部56まで搬送する。
After the formation of the adhesive layer, the
ステップS9において、第二搬送装置54は基板を冷却エリアの支持点に支持させ、温度調節部56は基板を自然冷却する。自然冷却後に、第一搬送装置4は、基板を支持した状態で当該基板を保持部3まで搬入する。
In step S <b> 9, the
ステップS10において、第一搬送装置4は基板を保持部3に搬入し、載置する。保持部3は、基板のアライメントを行う。アライメント後に、第一搬送装置4は、基板を支持した状態で当該基板を重ね合わせ部6に搬入する(第三搬入工程)。
In step S <b> 10, the first transport device 4 carries the substrate into the holding
そして、基板に関する上記ステップS1〜S10の前、終了後、または並行して、サポートプレートに関するステップS11〜S13を行う。先ず、ステップS11において、第一搬送装置4がサポートプレートをキャリアステーション50から積層体形成システム1内に投入する。第一搬送装置4は、サポートプレートを支持した状態で当該サポートプレートを厚さ測定器57に搬入する。
And before step S1-S10 regarding a board | substrate, after completion | finish, or in parallel, step S11-S13 regarding a support plate is performed. First, in step S <b> 11, the first transport device 4 loads the support plate from the
ステップS12において、第一搬送装置4は、サポートプレートを厚さ測定器57に載置し、厚さ測定器57は、サポートプレートの厚み分布を測定する(支持体厚み分布測定工程)。厚み分布を測定した後に、第一搬送装置4はサポートプレートを支持した状態で当該サポートプレートを保持部3まで搬入する。サポートプレートを基板に貼り合わせる前に、サポートプレートの厚み分布の測定を行うことにより、サポートプレートの異常を検出することができる。
In step S12, the first transport device 4 places the support plate on the
ステップS13において、第一搬送装置4は、サポートプレートを保持部3に搬入し、載置する。そして、保持部3はサポートプレートをアライメントする。アライメントした後に、第一搬送装置4は、サポートプレートを支持した状態で当該サポートプレートを重ね合わせ部6に搬入する(第四搬入工程)。
In step S <b> 13, the first transport device 4 carries the support plate into the holding
サポートプレートに分離層が形成されている場合には、第一搬送装置4は、分離層がサポートプレートよりも鉛直上方に位置するようにしてサポートプレートを搬送してから、サポートプレートの上下を反転させて、重ね合わせ部6に搬送することが好ましい。重ね合わせ部6に搬入する前まで、分離層が形成されていないサポートプレートの裏面を第一搬送装置4が支持することにより、分離層と第一搬送装置4とが接触する時間を短くして、第一搬送装置4によって分離層が汚染または損傷されることを抑制することができる。
When the separation layer is formed on the support plate, the first transport device 4 transports the support plate so that the separation layer is positioned vertically above the support plate, and then the support plate is turned upside down. Then, it is preferable to convey it to the overlapping
第一搬送装置4は、サポートプレートが分離層よりも鉛直上方に位置するようにしてサポートプレートを重ね合わせ部6に搬送する。そして、第三搬入工程にて第一搬送装置4が重ね合わせ部6に搬送した基板と上記サポートプレートとを、分離層と接着層とが対面した状態で重ね合わせる。
The first transport device 4 transports the support plate to the overlapping
基板およびサポートプレートの重ね合わせは、重ね合わせ部6内の位置調整部(図示せず)を用いて基板とサポートプレートとの相対位置を調整してから行ってもよい。これにより、基板およびサポートプレートの中心位置がずれることなく、これらの中心位置を重ね合わせることができる。
The superposition of the substrate and the support plate may be performed after adjusting the relative position between the substrate and the support plate using a position adjustment unit (not shown) in the
内部搬送アーム(図示せず)は、重ね合わせた基板およびサポートプレートを支持した状態で、これら基板およびサポートプレートを貼付部7に搬入する。 An internal transfer arm (not shown) carries the substrate and the support plate into the affixing unit 7 in a state where the overlapped substrate and the support plate are supported.
ステップS14において、貼付部7は、重ね合わせた基板およびサポートプレートを、接着層を介して貼り合わせる(貼付工程)。このとき、プレスプレートで、基板およびサポートプレートを押圧しながら、接着層を形成する熱可塑性材料がガラス転移点以上の温度になるまで加熱する。これにより、接着層の熱流動性が向上し、容易に変形するようになるため、積層体を形成することができる。 In step S14, the sticking unit 7 sticks the superposed substrate and the support plate together through an adhesive layer (sticking step). At this time, while pressing the substrate and the support plate with a press plate, heating is performed until the thermoplastic material forming the adhesive layer reaches a temperature equal to or higher than the glass transition point. Thereby, the heat fluidity of the adhesive layer is improved, and the adhesive layer is easily deformed, so that a laminate can be formed.
積層体の形成後、第一搬送装置4は、積層体を支持した状態で当該積層体を温度調節部56に搬送する。ステップS15において、第一搬送装置4は、積層体を冷却エリアの支持点に支持させ、温度調節部56は積層体を自然冷却する。自然冷却することにより、積層体の反りを低減することができる。また、自然冷却以外に基板内に温度分布が生じないようにゆるやかに強制排気を行うことによって、より短時間で冷却が完了する。冷却が終了した後に、第一搬送装置4は積層体を支持した状態で当該積層体を厚さ測定器57に搬入する(第五搬入工程)。
After forming the stacked body, the first transport device 4 transports the stacked body to the
ステップS16において、厚さ測定器57に搬入された積層体の厚み分布を測定する(積層体厚み分布測定工程)。ステップS15にて積層体を自然冷却しているため、室温(例えば25℃)における積層体の厚み分布を測定することができる。
In step S16, the thickness distribution of the laminated body carried into the
積層体の厚み分布を測定することによって、積層体の品質を確認することができる。また、ステップS12にて、サポートプレートの厚み分布を測定しているため、サポートプレートの厚み分布と積層体の厚み分布とを比較することにより、積層体における凹凸が、サポートプレートまたは接着層の何れに起因するものであるのかを知ることができる。 By measuring the thickness distribution of the laminate, the quality of the laminate can be confirmed. In addition, since the thickness distribution of the support plate is measured in step S12, the unevenness in the laminated body can be detected by comparing the thickness distribution of the support plate with the thickness distribution of the laminated body. You can know if it is caused by
また、基板またはサポートプレートに品番等を設けることにより、積層体毎の貼付精度を管理することができ、積層体形成処理にフィードバックすることができる。 Further, by providing a product number or the like on the substrate or the support plate, it is possible to manage the pasting accuracy for each laminate, and to feed back to the laminate formation process.
ステップS17において、積層体の厚み分布の測定終了後に、第一搬送装置4は、厚さ測定器57からキャリアステーション50に積層体を搬送する。そして、積層体をキャリアステーション50から取り出す。
In step S <b> 17, after the measurement of the thickness distribution of the stacked body is completed, the first transport device 4 transports the stacked body from the
よって、ステップS1〜S17のステップにより、基板およびサポートプレートを、接着層を介して貼り合わせた積層体を形成することができる。 Therefore, the laminated body which bonded the board | substrate and the support plate through the contact bonding layer by the step of S1-S17 can be formed.
また、上述した二つの搬送装置(第一搬送装置4、第二搬送装置54)を使い分けて搬送を行うことにより、積層体形成システム1を構成する多数の装置を図4に示すようにコンパクトに配置したとしても、装置間での基板、サポートプレートおよび積層体の受け渡しを効率的に行うことができ、従って積層体を効率的に形成することができる。 Further, by carrying out conveyance using the above-mentioned two conveyance devices (first conveyance device 4 and second conveyance device 54) properly, a large number of devices constituting the laminate forming system 1 can be made compact as shown in FIG. Even if it arrange | positions, the board | substrate, a support plate, and a laminated body can be efficiently delivered between apparatuses, Therefore A laminated body can be formed efficiently.
キャリアステーション50から取り出された基板は、サポートプレートに支持された積層体の状態で、薄化、実装等のプロセスに供される。そして、プロセス終了後に、サポートプレートを介して光を分離層に照射し、分離層を変質させることにより、サポートプレートと基板とを容易に分離することができる。
The substrate taken out from the
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。 The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made within the scope shown in the claims, and the embodiments can be obtained by appropriately combining technical means disclosed in different embodiments. Is also included in the technical scope of the present invention.
本発明に係る厚さ測定器および厚さ測定方法は、例えば、半導体ウエハの製造工程において広範に利用することができる。 The thickness measuring device and the thickness measuring method according to the present invention can be widely used, for example, in a semiconductor wafer manufacturing process.
1 積層体形成システム
2 貼り合わせユニット
3 保持部
4 第一搬送手段(搬送装置)
5 第一搬送手段走行路
6 重ね合わせ部(貼付装置)
7 貼付部(貼付装置)
8 ゲート
9 受け渡し窓
21 変位計保持部
22 測定対象物保持部
23 第一移動部材
24 レール部材
25 第二移動部材
26 第一のレーザ変位計
27 第二のレーザ変位計
31 保持ステージ(載置台)
50 キャリアステーション(格納部)
51 ベークプレート(加熱装置)
52 スピンナー(塗布装置)
53 洗浄装置
54 第二搬送手段(搬送装置)
55 第二搬送手段走行路
56 温度調節部
57 厚さ測定器
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1
5 First transport means
7 Affixing part (applying device)
8
50 Carrier station (storage)
51 Bake plate (heating device)
52 Spinner (coating device)
53
55 Second transport means
Claims (9)
上記第一のレーザ変位計および第二のレーザ変位計は、測定対象物の表裏面の変位を測定するために一直線上に対向配置され、
上記測定対象物保持部は測定対象物を載置する載置台を備え、上記載置台は、測定対象物の裏面の一部を露出させる複数の開口部を有することを特徴とする厚さ測定器。 A first laser displacement meter and a second laser displacement meter for measuring the displacement of the surface of the object to be measured; and a displacement meter holding unit for holding the first laser displacement meter and the second laser displacement meter movably A calculation device that calculates the thickness of the measurement object from the first displacement and the second displacement measured by the laser displacement meter, and a measurement object holding unit that holds the measurement object movably With
The first laser displacement meter and the second laser displacement meter are arranged to face each other on a straight line in order to measure the displacement of the front and back surfaces of the measurement object ,
The measuring object holding unit includes a mounting table on which the measuring object is mounted, and the mounting table has a plurality of openings exposing a part of the back surface of the measuring object . .
測定対象物としての上記積層体の厚さを測定する請求項1から5の何れか一項に記載の厚さ測定器と、
を備えていることを特徴とする積層体形成システム。 A pasting device that forms a laminate by laminating the substrate on which the adhesive layer is formed and the support through the adhesive layer;
The thickness measuring instrument according to any one of claims 1 to 5 , which measures the thickness of the laminate as a measurement object;
A laminate forming system comprising:
上記接着剤が塗布された基板を加熱して基板上に接着層を形成する加熱装置と、
をさらに備えていることを特徴とする請求項6に記載の積層体形成システム。 An applicator for applying an adhesive on the substrate;
A heating device for heating the substrate coated with the adhesive to form an adhesive layer on the substrate;
The laminate forming system according to claim 6 , further comprising:
基板の温度を調整する温度調節部と、
上記格納部、上記貼付装置、および上記温度調節部の間で基板を搬送する第一搬送装置と、
上記温度調節部、上記塗布装置、および上記加熱装置の間で基板を搬送する第二搬送装置と、
をさらに備えていることを特徴とする請求項7に記載の積層体形成システム。 A storage unit for storing the substrate;
A temperature control unit for adjusting the temperature of the substrate;
A first transfer device for transferring a substrate between the storage unit, the sticking device, and the temperature adjustment unit;
A second transport device for transporting the substrate between the temperature control unit, the coating device, and the heating device;
The laminate forming system according to claim 7 , further comprising:
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