JP6341709B2 - Wafer processing method - Google Patents

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Description

本発明は、ウェーハの裏面外周に環状凸部が形成されたウェーハを、個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法に関する。   The present invention relates to a wafer processing method in which a wafer having an annular protrusion formed on the outer periphery of the back surface of a wafer is divided into individual devices.

近年、電機機器の軽量化や小型化を達成するためにウェーハの厚さをより薄く、例えば、５０μｍ以下にすることが要求されている。このように薄く形成されたウェーハは剛性が低下する上、反りが発生するため取り扱いが困難となり、搬送等において破損する恐れがある。そこで、ウェーハのデバイスが形成されるデバイス形成領域に対応する裏面のみを研削することで、デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域に対応する裏面に補強用の環状凸部を形成する研削方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。   In recent years, it has been required to reduce the thickness of a wafer, for example, 50 μm or less, in order to achieve a reduction in weight and size of electrical equipment. Such a thinly formed wafer has a reduced rigidity and is difficult to handle due to warpage, and may be damaged during transportation. Therefore, a grinding method has been proposed in which only the back surface corresponding to the device forming region where the device of the wafer is formed is ground, thereby forming a reinforcing annular convex portion on the back surface corresponding to the outer peripheral surplus region surrounding the device forming region. (For example, refer to Patent Document 1).

このようなウェーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウェーハの分割前に環状凸部を除去する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。この方法では、環状凸部が突出したウェーハの裏面に沿ってダイシングテープが貼着され、ダイシングテープを介してウェーハの裏面側がチャックテーブルに支持される。チャックテーブルでは、テーブル上面から突出したポーラス部がウェーハの凹部に入り込んで係合され、切削ブレードによってウェーハの表面側から環状凸部が切り離される。その後、切削ブレードでウェーハが表面側から切削されて個々のデバイスに分割される。   As a method of dividing such a wafer along the planned division line, a method of removing the annular convex portion before dividing the wafer has been proposed (see, for example, Patent Document 2). In this method, a dicing tape is attached along the back surface of the wafer from which the annular convex portion protrudes, and the back surface side of the wafer is supported by the chuck table via the dicing tape. In the chuck table, the porous portion protruding from the upper surface of the table enters and engages with the concave portion of the wafer, and the annular convex portion is separated from the front surface side of the wafer by the cutting blade. Thereafter, the wafer is cut from the surface side by a cutting blade and divided into individual devices.

特開２００７−１７３４８７号公報JP 2007-173487 A 特開２０１０−１８６９７１号公報JP 2010-186971 A

特許文献２に記載の方法では、ウェーハの裏面には環状凸部と凹部が形成されているため、ウェーハの裏面に沿わせるようにダイシングテープが貼着されると、ウェーハの凹部の角に気泡が残存してしまう。ウェーハから環状凸部を切り離す際に、切削ブレードによってウェーハの表面側から凹部が形成された裏面に向かって切り込むと、気泡によって切削ブレードにバタツキが生じたり、気泡内に切削屑が入り込んだりしてウェーハに悪影響が生じていた。このため、環状凸部を除去した後のウェーハにおいて、ウェーハの外周側のデバイスの品質が悪化するという問題があった。   In the method described in Patent Document 2, since an annular convex portion and a concave portion are formed on the back surface of the wafer, when a dicing tape is stuck along the back surface of the wafer, bubbles are formed at the corners of the concave portion of the wafer. Will remain. When cutting the annular convex part from the wafer, if the cutting blade cuts from the front side of the wafer toward the back side where the concave part is formed, the cutting blade may flutter due to air bubbles, or cutting dust may enter the air bubbles. The wafer had an adverse effect. For this reason, there was a problem that the quality of the device on the outer peripheral side of the wafer deteriorated in the wafer after the annular convex portion was removed.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、裏面外周に環状凸部が形成されたウェーハを、品質を悪化させることなく個々のデバイスに分割することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above points, and provides a wafer processing method capable of dividing a wafer having an annular convex portion formed on the outer periphery of the back surface into individual devices without deteriorating quality. The purpose is to do.

本発明のウェーハの加工方法は、表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって形成された略円形状のデバイス形成領域と、該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウェーハの加工方法であって、ウェーハ表面側に保護テープを貼着し、ウェーハの該デバイス形成領域に対応する裏面側の領域のみを所定厚さ研削して該デバイス形成領域を所望厚さに薄化し、該裏面に凹部を形成するとともに、該外周余剰領域に裏面側に突出する環状凸部を形成する凹部形成工程と、該凹部形成工程を実施した後に、該環状凸部と該凹部の境界に円形の分割溝を形成し該環状凸部と該凹部を分割する環状凸部分割工程と、該環状凸部分割工程を実施した後に、ウェーハの裏面の該分割溝の内側全面にダイシングテープを貼着すると共に該保護テープを剥離し該環状凸部を除去する転写工程と、該転写工程を実施した後に、該デバイス形成領域の分割予定ラインに沿って分割を行うデバイス形成領域分割工程と、からなり、該転写工程では、ウェーハの裏面に沿って該ダイシングテープがウェーハの裏面の中央から径方向外側に向かって貼着される。 The wafer processing method of the present invention is a wafer processing method having a substantially circular device forming region in which a plurality of devices are formed on the surface by a predetermined dividing line and an outer peripheral surplus region surrounding the device forming region. Then, a protective tape is attached to the front side of the wafer, only the area on the back side corresponding to the device forming area of the wafer is ground to a predetermined thickness, and the device forming area is thinned to a desired thickness. And forming a concave projection that protrudes on the back surface side in the outer peripheral surplus region, and after performing the concave formation step, a circular dividing groove is formed at the boundary between the annular convex and the concave. After forming the annular convex portion and the concave portion and dividing the annular convex portion and the annular convex portion dividing step, a dicing tape is attached to the entire inner surface of the dividing groove on the back surface of the wafer and the holding portion is retained. A transfer step of removing the annular convex portion is peeled off the tape, after performing the transcription process, and the device forming region dividing step for dividing along the dividing lines of the device forming region, consists, transcription step Then, the dicing tape is attached along the back surface of the wafer from the center of the back surface of the wafer toward the outside in the radial direction.

この構成によれば、ウェーハの表面側に保護テープが貼着された状態で、ウェーハの裏面側の環状凸部と凹部の境界に円形の分割溝が形成される。このため、ウェーハの裏面に対するダイシングテープの貼着時に、ウェーハの裏面とダイシングテープとの間の空気を分割溝に逃がすことができる。よって、ウェーハの裏面全体に気泡を残すことなくダイシングテープが貼着されると共に、ウェーハの表面から保護テープが剥離され、ウェーハから環状凸部が除去されることで、保護テープからダイシングテープにウェーハを良好に転写することができる。また、ウェーハの裏面に気泡が残されていない状態でウェーハが分割されるため、気泡の影響によってデバイスの品質が低下することがない。   According to this configuration, a circular division groove is formed at the boundary between the annular convex portion and the concave portion on the back surface side of the wafer in a state where the protective tape is adhered to the front surface side of the wafer. For this reason, at the time of sticking of the dicing tape with respect to the back surface of a wafer, the air between the back surface of a wafer and a dicing tape can be escaped to a division | segmentation groove | channel. Therefore, the dicing tape is stuck without leaving bubbles on the entire back surface of the wafer, the protective tape is peeled off from the front surface of the wafer, and the annular protrusion is removed from the wafer, so that the wafer is transferred from the protective tape to the dicing tape. Can be transferred satisfactorily. In addition, since the wafer is divided in a state where no bubbles are left on the back surface of the wafer, the quality of the device does not deteriorate due to the influence of the bubbles.

本発明によれば、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着する前に、環状凸部と凹部との境界に分割溝を形成しておくことで、裏面外周に環状凸部が形成されたウェーハを、品質を悪化させることなく個々のデバイスに分割することができる。   According to the present invention, before attaching the dicing tape to the back surface of the wafer, by forming a dividing groove at the boundary between the annular convex portion and the concave portion, the wafer having the annular convex portion formed on the outer periphery of the rear surface. Can be divided into individual devices without degrading quality.

本実施の形態に係るウェーハの斜視図である。It is a perspective view of the wafer which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る凹部形成工程の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the recessed part formation process which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る環状凸部分割工程の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the cyclic | annular convex part division | segmentation process which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係る転写工程の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the transfer process which concerns on this Embodiment. 本実施の形態に係るデバイス形成領域分割工程の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the device formation area division | segmentation process which concerns on this Embodiment. 比較例に係るウェーハの加工方法の説明図である。It is explanatory drawing of the processing method of the wafer which concerns on a comparative example.

本実施の形態に係るウェーハの加工方法は、ウェーハの裏面の外周部分だけを残し、その内側だけを研削した、いわゆるＴＡＩＫＯウェーハに対して実施される。このようなウェーハを個々のデバイスに分割する場合、ウェーハの裏面中央だけが凹状に薄化されていると、ウェーハの裏面側から突出した外周部分によってウェーハの裏面側をチャックテーブルに保持させることができない。このため通常は、ウェーハの外周部分を除去してウェーハの裏面を平坦化した後に、ウェーハを個々のチップに分割している。   The wafer processing method according to the present embodiment is performed on a so-called TAIKO wafer in which only the outer peripheral portion of the back surface of the wafer is left and only the inside thereof is ground. When dividing such a wafer into individual devices, if only the center of the back surface of the wafer is thinned in a concave shape, the back surface side of the wafer can be held on the chuck table by the outer peripheral portion protruding from the back surface side of the wafer. Can not. For this reason, the wafer is usually divided into individual chips after removing the outer peripheral portion of the wafer and flattening the back surface of the wafer.

この場合、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着する必要があるが、ウェーハの裏面から外周部分が突出しているため、ウェーハの裏面とダイシングテープの間に気泡が残ってしまう。そこで、本実施の形態に係るウェーハの加工方法では、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着する前に、ウェーハの凹状部分と外周部分との境界に気泡の逃げ道になる分割溝を形成している。これにより、ウェーハの外周部分が突出していても、ウェーハの裏面全体にダイシングテープを隙間なく貼着させることが可能になっている。   In this case, although it is necessary to stick a dicing tape on the back surface of the wafer, since the outer peripheral portion protrudes from the back surface of the wafer, air bubbles remain between the back surface of the wafer and the dicing tape. Therefore, in the wafer processing method according to the present embodiment, before adhering the dicing tape to the back surface of the wafer, a dividing groove serving as a bubble escape path is formed at the boundary between the concave portion and the outer peripheral portion of the wafer. . Thereby, even if the outer peripheral part of a wafer protrudes, it becomes possible to stick a dicing tape on the whole back surface of a wafer without gap.

以下、添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳細に説明する。図１は、本実施の形態に係るウェーハの斜視図である。図２は、本実施の形態に係る凹部形成工程の一例を示す図である。図３は、本実施の形態に係る環状凸部分割工程の一例を示す図である。図４は、本実施の形態に係る転写工程の一例を示す図である。図５は、本実施の形態に係るデバイス形成領域分割工程の一例を示す図である。   Hereinafter, a wafer processing method according to the present embodiment will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 is a perspective view of a wafer according to the present embodiment. FIG. 2 is a diagram illustrating an example of a recess forming process according to the present embodiment. FIG. 3 is a diagram illustrating an example of the annular convex portion dividing step according to the present embodiment. FIG. 4 is a diagram illustrating an example of a transfer process according to the present embodiment. FIG. 5 is a diagram showing an example of a device formation region dividing step according to the present embodiment.

図１に示すように、ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面１１に配列された格子状の分割予定ライン１８によって複数の領域に区画されている。ウェーハＷの中央には、分割予定ライン１８に区画された各領域にデバイスＤが形成されている。ウェーハＷの表面１１は、複数のデバイスＤが形成されたデバイス形成領域Ａ１と、デバイス形成領域Ａ１を囲繞する外周余剰領域Ａ２とに分けられている。また、ウェーハＷの外縁１３には、結晶方位を示すノッチ１４が形成されている。ウェーハＷは、表面１１に保護テープＴ１が貼着された状態で研削装置２１（図２参照）に搬入される。   As shown in FIG. 1, the wafer W is formed in a substantially disc shape, and is partitioned into a plurality of regions by lattice-shaped division scheduled lines 18 arranged on the surface 11. In the center of the wafer W, a device D is formed in each region partitioned by the division line 18. The surface 11 of the wafer W is divided into a device formation region A1 where a plurality of devices D are formed and an outer peripheral surplus region A2 surrounding the device formation region A1. A notch 14 indicating a crystal orientation is formed on the outer edge 13 of the wafer W. The wafer W is carried into the grinding device 21 (see FIG. 2) with the protective tape T1 attached to the surface 11.

図２に示すように、まず凹部形成工程が実施される。凹部形成工程では、保護テープＴ１を介してウェーハＷの表面１１側が研削装置２１のチャックテーブル２２に保持される。そして、研削装置２１の研削ホイール２３がＺ軸回りに回転しながらチャックテーブル２２に近付けられ、研削ホイール２３とウェーハＷの裏面１２とが回転接触することでウェーハＷが研削される。このとき、ウェーハＷの裏面１２のうち、表面１１のデバイス形成領域Ａ１の裏側だけが研削される。これにより、ウェーハＷの裏面１２には、デバイス形成領域Ａ１に対応する領域が所望の厚さに薄化されて円形の凹部１５が形成され、外周余剰領域Ａ２に対応する領域がウェーハＷの裏面１２側から突出して環状凸部１６が形成される。   As shown in FIG. 2, a recess forming step is first performed. In the recess forming step, the surface 11 side of the wafer W is held on the chuck table 22 of the grinding device 21 via the protective tape T1. Then, the grinding wheel 23 of the grinding device 21 approaches the chuck table 22 while rotating around the Z axis, and the grinding wheel 23 and the back surface 12 of the wafer W are in rotational contact with each other, whereby the wafer W is ground. At this time, only the back side of the device formation region A1 on the front surface 11 of the back surface 12 of the wafer W is ground. Thereby, on the back surface 12 of the wafer W, a region corresponding to the device formation region A1 is thinned to a desired thickness to form a circular recess 15, and a region corresponding to the outer peripheral surplus region A2 is formed on the back surface of the wafer W. Projecting from the 12 side, an annular convex portion 16 is formed.

このように、凹部１５によってウェーハＷの中央部分だけが薄化されて、凹部１５を囲む環状凸部１６によってウェーハＷの剛性が高められている。よって、ウェーハＷのデバイス形成領域Ａ１が薄化されると共に、環状凸部１６によってウェーハＷの反りが抑えられて搬送時の破損等が防止される。なお、ウェーハＷは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体ウェーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の光デバイスウェーハでもよい。凹部１５及び環状凸部１６が形成されたウェーハＷは、保護テープＴ１が貼着された状態で切削装置３１（図３参照）に搬入される。   In this way, only the central portion of the wafer W is thinned by the concave portion 15, and the rigidity of the wafer W is enhanced by the annular convex portion 16 surrounding the concave portion 15. Therefore, the device formation area A1 of the wafer W is thinned, and the warpage of the wafer W is suppressed by the annular convex portion 16, and damage during transportation is prevented. The wafer W may be a semiconductor wafer such as silicon or gallium arsenide, or a ceramic, glass, or sapphire optical device wafer. The wafer W on which the concave portion 15 and the annular convex portion 16 are formed is carried into the cutting device 31 (see FIG. 3) with the protective tape T1 attached.

図３に示すように、凹部形成工程の後には環状凸部分割工程が実施される。環状凸部分割工程では、保護テープＴ１を介してウェーハＷの表面１１側が切削装置３１のチャックテーブル３２に保持される。このとき、チャックテーブル３２の回転軸（Ｚ軸）にウェーハＷの中心を一致させるように、チャックテーブル３２に対してウェーハＷが位置合わせされている。また、ウェーハＷの環状凸部１６と凹部１５の境界に切削ブレード３３が位置付けられ、高速回転された切削ブレード３３によってウェーハＷの裏面１２側から環状凸部１６と凹部１５の境界が切り込まれる。   As shown in FIG. 3, an annular convex portion dividing step is performed after the concave portion forming step. In the annular protrusion dividing step, the surface 11 side of the wafer W is held on the chuck table 32 of the cutting device 31 via the protective tape T1. At this time, the wafer W is aligned with the chuck table 32 so that the center of the wafer W coincides with the rotation axis (Z axis) of the chuck table 32. Further, the cutting blade 33 is positioned at the boundary between the annular convex portion 16 and the concave portion 15 of the wafer W, and the boundary between the annular convex portion 16 and the concave portion 15 is cut from the back surface 12 side of the wafer W by the cutting blade 33 rotated at high speed. .

そして、切削ブレード３３によって保護テープＴ１の途中まで切り込まれると、チャックテーブル３２が回転されて切削ブレード３３によってウェーハＷが円形に切削される。これにより、ウェーハＷの外周に沿って凹部１５と環状凸部１６との間に円形の分割溝１７が形成され、ウェーハＷから環状凸部１６が切り離される。分割溝１７が形成されたウェーハＷは、転写装置（不図示）に搬入される。この場合、ウェーハＷのデバイス形成領域Ａ１が保護テープＴ１を介して環状凸部１６に支持された状態で搬送される。すなわち、環状凸部１６が環状フレームとして機能して、ウェーハＷの薄化されたデバイス形成領域Ａ１の撓みが抑えられている。   When the cutting blade 33 cuts the protective tape T1 halfway, the chuck table 32 is rotated and the wafer W is cut into a circle by the cutting blade 33. As a result, a circular dividing groove 17 is formed between the concave portion 15 and the annular convex portion 16 along the outer periphery of the wafer W, and the annular convex portion 16 is separated from the wafer W. The wafer W on which the dividing grooves 17 are formed is carried into a transfer device (not shown). In this case, the device formation area A1 of the wafer W is transported in a state of being supported by the annular convex portion 16 via the protective tape T1. That is, the annular protrusion 16 functions as an annular frame, and the bending of the thinned device formation region A1 of the wafer W is suppressed.

なお、環状凸部分割工程は、切削ブレード３３による切削加工（サークルカット）に限定されるものではない。環状凸部分割工程は、ウェーハＷの円形の凹部１５と環状凸部１６との間に分割溝１７を形成する構成であればよく、例えば、ウェーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザービームを用いたアブレーション加工によって実施されてもよい。アブレーションとは、レーザービームの照射強度が所定の加工閾値以上になると、固体表面で電子、熱的、光科学的及び力学的エネルギーに変換され、その結果、中性原子、分子、正負のイオン、ラジカル、クラスタ、電子、光が爆発的に放出され、固体表面がエッチングされる現象をいう。   The annular convex part dividing step is not limited to cutting (circle cutting) by the cutting blade 33. The annular convex part dividing step may be any structure as long as the dividing groove 17 is formed between the circular concave part 15 and the annular convex part 16 of the wafer W. For example, a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer W It may be carried out by ablation processing using. Ablation means that when the irradiation intensity of the laser beam exceeds a predetermined processing threshold, it is converted into electronic, thermal, photochemical and mechanical energy on the solid surface, resulting in neutral atoms, molecules, positive and negative ions, A phenomenon in which radicals, clusters, electrons, and light are explosively emitted and the solid surface is etched.

図４に示すように、環状凸部分割工程の後には転写工程が実施される。転写工程では、図４Ａに示すように、ウェーハＷの裏面１２に沿ってダイシングテープＴ２が貼着される。この場合、例えば転写装置の減圧空間内のテーブル上において環状フレームＦの内側にウェーハＷが配置され、ウェーハＷの凹部１５に対応した円形プレートによってウェーハＷの裏面１２にダイシングテープＴ２が押し付けられる。そして、ダイシングテープＴ２が径方向外側に引き伸ばされながら、ウェーハＷの裏面１２の中央から径方向外側に向かってダイシングテープＴ２が貼着される。   As shown in FIG. 4, a transfer process is performed after the annular protrusion dividing process. In the transfer process, as shown in FIG. 4A, the dicing tape T2 is attached along the back surface 12 of the wafer W. In this case, for example, the wafer W is arranged inside the annular frame F on the table in the decompression space of the transfer device, and the dicing tape T2 is pressed against the back surface 12 of the wafer W by the circular plate corresponding to the concave portion 15 of the wafer W. Then, the dicing tape T2 is attached from the center of the back surface 12 of the wafer W toward the radially outer side while the dicing tape T2 is stretched radially outward.

このダイシングテープＴ２の貼着時には、図４Ｂに示すように、ウェーハＷの裏面１２とダイシングテープＴ２の間の空気が径方向外側に押し出されて、環状凸部１６と凹部１５の境界の分割溝１７に逃がされる。このため、ウェーハＷの裏面１２側に気泡２５（図６参照）が残ることがなく、ウェーハＷの裏面１２の分割溝１７よりも内側全体にダイシングテープＴ２が良好に貼着される。次に、図４Ｃに示すように、ウェーハＷの表面１１から保護テープＴ１が剥離され、さらにダイシングテープＴ２から環状凸部１６が除去される。これにより、ウェーハＷのデバイス形成領域Ａ１がダイシングテープＴ２に残される。ダイシングテープＴ２に転写されたウェーハＷは、再び切削装置３１（図５参照）に搬入される。なお、保護テープＴ１の剥離及び環状凸部１６の除去は転写装置で実施されてもよいし、オペレータの手作業で実施されてもよい。   When the dicing tape T2 is attached, as shown in FIG. 4B, the air between the back surface 12 of the wafer W and the dicing tape T2 is pushed outward in the radial direction, and the dividing groove at the boundary between the annular convex portion 16 and the concave portion 15 is obtained. 17 escapes. For this reason, bubbles 25 (see FIG. 6) do not remain on the back surface 12 side of the wafer W, and the dicing tape T2 is satisfactorily adhered to the entire inside of the dividing groove 17 on the back surface 12 of the wafer W. Next, as shown in FIG. 4C, the protective tape T1 is peeled from the surface 11 of the wafer W, and the annular convex portion 16 is removed from the dicing tape T2. Thereby, the device formation area A1 of the wafer W is left on the dicing tape T2. The wafer W transferred to the dicing tape T2 is carried into the cutting device 31 (see FIG. 5) again. Note that the peeling of the protective tape T1 and the removal of the annular convex portion 16 may be performed by a transfer device, or may be performed manually by an operator.

なお、本実施の形態においては、環状凸部１６の除去を環状凸部分割工程の直後に切削装置３１内で行わずに、転写装置で転写された後に実施されている。環状凸部１６の除去を自動で実施する場合には、例えば特開２０１３−０９８２４６号公報に示す装置において、テープにテンションをかけた状態でスクレーパによって実施される。環状凸部分割工程の直後のウェーハＷには同サイズの保護テープＴ１だけしか貼着されていないため、転写工程においてダイシングテープＴ２が貼着される前においては、スクレーパによって環状凸部１６を除去することができない。このため、転写工程を実施しなければ、環状凸部１６を自動的に除去することが困難になっている。   In the present embodiment, the removal of the annular convex portion 16 is not performed in the cutting device 31 immediately after the annular convex portion dividing step but is performed after being transferred by the transfer device. When the removal of the annular convex portion 16 is automatically performed, for example, in the apparatus shown in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-098246, it is performed by a scraper in a state where tension is applied to the tape. Since only the protective tape T1 of the same size is attached to the wafer W immediately after the annular convex portion dividing step, the annular convex portion 16 is removed by a scraper before the dicing tape T2 is attached in the transfer step. Can not do it. For this reason, it is difficult to automatically remove the annular convex portion 16 unless the transfer step is performed.

また、凹部形成工程よりも前段階でウェーハＷを環状フレームＦに保持させることで、環状凸部１６の除去を切削装置３１内で実施する構成も考えられる。しかしながら、研削装置２１において環状フレームＦに支持されたウェーハＷに凹部形成工程を実施するためには、研削装置２１自体の改良が必要になりコストが増大するという問題がある。このように、本実施の形態では、ウェーハＷを転写装置に搬送して、転写装置においてウェーハＷが保護テープＴ１からダイシングテープＴ２に転写されることで、環状凸部１６の除去が簡易な構成で実施される。なお、上記したように、転写装置へのウェーハＷの搬送時には環状凸部１６が環状フレームとして機能するため、ウェーハＷの薄化されたデバイス形成領域Ａ１の撓みによる破損等の不具合が防止されている。   In addition, a configuration in which the annular convex portion 16 is removed in the cutting device 31 by holding the wafer W on the annular frame F at a stage prior to the concave portion forming step is also conceivable. However, in order to perform the recess forming process on the wafer W supported by the annular frame F in the grinding device 21, there is a problem that the grinding device 21 itself needs to be improved and the cost is increased. As described above, in the present embodiment, the wafer W is transferred to the transfer device, and the wafer W is transferred from the protective tape T1 to the dicing tape T2 in the transfer device, so that the annular protrusion 16 can be easily removed. Will be implemented. As described above, since the annular convex portion 16 functions as an annular frame when the wafer W is transferred to the transfer device, problems such as damage due to bending of the thinned device formation region A1 are prevented. Yes.

図５に示すように、転写工程の後にはデバイス形成領域分割工程が実施される。デバイス形成領域分割工程では、ダイシングテープＴ２を介してウェーハＷの裏面１２側がチャックテーブル３２に保持され、クランプ部３４によってウェーハＷの周囲の環状フレームＦが挟持固定される。切削ブレード３３は、ウェーハＷの径方向外側で分割予定ライン１８に対して位置合わせされ、この位置においてダイシングテープＴ２の途中まで切り込み可能な高さに下降される。そして、高速回転する切削ブレード３３に対してチャックテーブル３２上のウェーハＷがＸ軸方向に切削送りされることで、分割予定ライン１８に沿ってウェーハＷが切削される。   As shown in FIG. 5, a device formation region dividing step is performed after the transfer step. In the device formation region dividing step, the back surface 12 side of the wafer W is held by the chuck table 32 via the dicing tape T2, and the annular frame F around the wafer W is sandwiched and fixed by the clamp portion. The cutting blade 33 is aligned with the division line 18 on the outer side in the radial direction of the wafer W, and is lowered to a height at which it can be cut halfway through the dicing tape T2. Then, the wafer W on the chuck table 32 is cut and fed in the X-axis direction with respect to the cutting blade 33 that rotates at high speed, whereby the wafer W is cut along the scheduled division line 18.

一本の分割予定ライン１８に沿ってウェーハＷが切削されると、隣接する分割予定ライン１８に切削ブレード３３が位置合わせされて切削される。この動作が繰り返されてウェーハＷが一方向の全ての分割予定ライン１８に沿って切削される。ウェーハＷの一方向の全ての分割予定ライン１８に沿って切削されると、チャックテーブル３２が９０度回転されて、同様にして一方向の分割予定ライン１８に直交する他方向の分割予定ライン１８に沿ってウェーハＷが切削される。この結果、薄化されたデバイス形成領域Ａ１だけが分割予定ライン１８に沿ってフルカットされて、ウェーハＷが複数のデバイスＤに分割される。   When the wafer W is cut along one division line 18, the cutting blade 33 is aligned with the adjacent division line 18 and cut. This operation is repeated, and the wafer W is cut along all the division lines 18 in one direction. When the wafer W is cut along all the predetermined division lines 18 in one direction, the chuck table 32 is rotated by 90 degrees, and similarly, the predetermined division lines 18 in the other direction orthogonal to the one-way division line 18 are rotated. The wafer W is cut along As a result, only the thinned device formation region A1 is fully cut along the planned dividing line 18, and the wafer W is divided into a plurality of devices D.

このように、本実施の形態に係るウェーハＷの加工方法では、ウェーハＷのデバイス形成領域Ａ１の裏面１２全体にダイシングテープＴ２が良好に貼着されているため、デバイス形成領域Ａ１の分割時にデバイスＤの品質が悪化することがない。すなわち、デバイス形成領域Ａ１の外縁１９とダイシングテープＴ２の間に隙間（図６Ｃ参照）が生じないため、この隙間に切削屑が入り込むことがない。よって、環状凸部１６が形成されたウェーハＷを、品質を悪化させることなく個々のデバイスＤに分割することが可能になっている。   Thus, in the wafer W processing method according to the present embodiment, since the dicing tape T2 is satisfactorily adhered to the entire back surface 12 of the device formation region A1 of the wafer W, the device is formed when the device formation region A1 is divided. The quality of D does not deteriorate. That is, since no gap (see FIG. 6C) is generated between the outer edge 19 of the device formation region A1 and the dicing tape T2, no cutting waste enters the gap. Therefore, it is possible to divide the wafer W on which the annular protrusions 16 are formed into individual devices D without deteriorating the quality.

なお、デバイス形成領域分割工程は、切削ブレード３３によるメカニカルダイシングに限定されるものではない。デバイス形成領域分割工程は、デバイス形成領域Ａ１を分割予定ライン１８に沿って分割可能であればよく、例えば、ウェーハＷに対して吸収性を有する波長のレーザービームを用いたアブレーション加工によって実施されてもよいし、ウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザービームを用いたステルスダイシング（登録商標）によって実施されてもよい。   The device formation region dividing step is not limited to mechanical dicing by the cutting blade 33. The device forming region dividing step only needs to be able to divide the device forming region A1 along the planned dividing line 18, and is performed by, for example, ablation processing using a laser beam having a wavelength that absorbs the wafer W. Alternatively, it may be performed by stealth dicing (registered trademark) using a laser beam having a wavelength that is transmissive to the wafer W.

ステルスダイシングでは、分割予定ライン１８に沿って改質層が形成され、ウェーハＷに外力が加えられることで改質層を起点に個々のデバイスＤに分割される。なお、改質層は、レーザービームの照射によってウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。   In stealth dicing, a modified layer is formed along the division line 18, and an external force is applied to the wafer W to divide each device D from the modified layer as a starting point. The modified layer refers to a region where the internal density, refractive index, mechanical strength and other physical characteristics of the wafer W become different from the surroundings due to the irradiation of the laser beam, and the strength is lower than the surroundings. . The modified layer is, for example, a melt treatment region, a crack region, a dielectric breakdown region, or a refractive index change region, and may be a region in which these are mixed.

ここで、本発明との比較のため、図６を参照して比較例に係るウェーハの加工方法について簡単に説明する。図６は、比較例に係るウェーハの加工方法の説明図である。比較例に係るウェーハの加工方法においては、ウェーハの裏面にダイシングテープが貼着された後に、ウェーハから環状凸部が切り離される点で、本実施の形態に係るウェーハの加工方法と相違している。なお、ウェーハの裏面に環状凸部及び凹部を形成する構成については、本実施の形態と同様であるため説明を省略する。また、比較例においては、説明の便宜上、同一の名称には同一の符号を付して説明する。   Here, for comparison with the present invention, a wafer processing method according to a comparative example will be briefly described with reference to FIG. FIG. 6 is an explanatory diagram of a wafer processing method according to a comparative example. The wafer processing method according to the comparative example is different from the wafer processing method according to the present embodiment in that the annular protrusion is separated from the wafer after the dicing tape is attached to the back surface of the wafer. . In addition, since the structure which forms an annular convex part and a recessed part in the back surface of a wafer is the same as this Embodiment, description is abbreviate | omitted. Further, in the comparative example, for convenience of explanation, the same name is given the same name for explanation.

図６Ａに示すように、比較例に係るウェーハＷの加工方法では、分割溝１７（図６Ｂ参照）を形成する前にウェーハＷの裏面１２に沿ってダイシングテープＴ２が貼着される。このため、ウェーハＷの裏面１２とダイシングテープＴ２の間の空気の逃げ道がなく、ウェーハＷの裏面１２の環状凸部１６と凹部１５の角に気泡２５が残ってしまう。よって、ウェーハＷのデバイス形成領域Ａ１の外縁側ではダイシングテープＴ２が貼着されない。ウェーハＷがダイシングテープＴ２を介して環状フレームＦ（図４参照）に支持されると、ウェーハＷの表面１１から保護テープＴ１が剥離される。   As shown in FIG. 6A, in the processing method of the wafer W according to the comparative example, the dicing tape T2 is attached along the back surface 12 of the wafer W before the dividing grooves 17 (see FIG. 6B) are formed. For this reason, there is no air escape path between the back surface 12 of the wafer W and the dicing tape T2, and bubbles 25 remain at the corners of the annular convex portion 16 and the concave portion 15 of the back surface 12 of the wafer W. Therefore, the dicing tape T2 is not attached on the outer edge side of the device formation region A1 of the wafer W. When the wafer W is supported by the annular frame F (see FIG. 4) via the dicing tape T2, the protective tape T1 is peeled from the surface 11 of the wafer W.

次に、図６Ｂに示すように、切削ブレード３３によってウェーハＷの環状凸部１６と凹部１５の境界に円形の分割溝１７が形成される。このとき、切削ブレード３３の刃先が気泡２５に入り込むため、切削ブレード３３にバタツキが生じて加工品質が低下すると共に、切削屑２６が気泡２５内に入り込み汚染されてしまう。ウェーハＷに分割溝１７が形成されると、ウェーハＷの環状凸部１６がダイシングテープＴ２から除去される。次に、図６Ｃに示すように、切削ブレード３３によって分割予定ライン１８（図５参照）に沿ってウェーハＷが切削され、ウェーハＷが個々のデバイスＤに分割される。このとき、ウェーハＷの外縁１９にダイシングテープＴ２が貼着されていないため、ウェーハＷの外縁１９とダイシングテープＴ２の隙間に切削屑２６が入り込んでデバイスＤの品質が悪化する。   Next, as shown in FIG. 6B, a circular dividing groove 17 is formed at the boundary between the annular convex portion 16 and the concave portion 15 of the wafer W by the cutting blade 33. At this time, since the cutting edge of the cutting blade 33 enters the air bubbles 25, the cutting blade 33 is fluctuated to deteriorate the processing quality, and the cutting waste 26 enters the air bubbles 25 and is contaminated. When the dividing groove 17 is formed on the wafer W, the annular convex portion 16 of the wafer W is removed from the dicing tape T2. Next, as shown in FIG. 6C, the wafer W is cut along the division line 18 (see FIG. 5) by the cutting blade 33, and the wafer W is divided into individual devices D. At this time, since the dicing tape T2 is not adhered to the outer edge 19 of the wafer W, the cutting waste 26 enters the gap between the outer edge 19 of the wafer W and the dicing tape T2, and the quality of the device D deteriorates.

このように、比較例に係るウェーハＷの加工方法では、特にウェーハＷの外周側のデバイスＤの品質が悪化する。一方で、本実施の形態に係るウェーハＷの加工方法では、比較例に係るウェーハＷの加工方法のように、ウェーハＷの裏面１２とダイシングテープＴ２の間に気泡２５が残存することもなく、気泡２５に起因してウェーハＷの外周側のデバイスＤの品質が悪化することもない。   Thus, in the wafer W processing method according to the comparative example, the quality of the device D on the outer peripheral side of the wafer W is particularly deteriorated. On the other hand, in the processing method of the wafer W according to the present embodiment, bubbles 25 do not remain between the back surface 12 of the wafer W and the dicing tape T2 as in the processing method of the wafer W according to the comparative example. The quality of the device D on the outer peripheral side of the wafer W does not deteriorate due to the bubbles 25.

以上のように、本実施の形態に係るウェーハＷの加工方法によれば、ウェーハＷの表面１１側に保護テープＴ１が貼着された状態で、ウェーハＷの裏面１２側の環状凸部１６と凹部１５の境界に円形の分割溝１７が形成される。このため、ウェーハＷの裏面１２に対するダイシングテープＴ２の貼着時に、ウェーハＷの裏面１２とダイシングテープＴ２との間の空気を分割溝１７に逃がすことができる。よって、ウェーハＷの裏面１２全体に気泡２５を残すことなくダイシングテープＴ２が貼着されると共に、ウェーハＷの表面１１から保護テープＴ１が剥離され、環状凸部１６が除去されることで、保護テープＴ１からダイシングテープＴ２にウェーハＷを良好に転写することができる。また、ウェーハＷの裏面１２に気泡２５が残されていない状態でウェーハＷが分割されるため、気泡２５の影響によってデバイスＷの品質が低下することがない。   As described above, according to the method for processing the wafer W according to the present embodiment, the annular convex portion 16 on the back surface 12 side of the wafer W and the protective tape T1 are attached to the front surface 11 side of the wafer W. A circular dividing groove 17 is formed at the boundary of the recess 15. For this reason, the air between the back surface 12 of the wafer W and the dicing tape T <b> 2 can escape to the dividing groove 17 when the dicing tape T <b> 2 is attached to the back surface 12 of the wafer W. Therefore, the dicing tape T2 is stuck without leaving the air bubbles 25 on the entire back surface 12 of the wafer W, the protective tape T1 is peeled off from the front surface 11 of the wafer W, and the annular convex portion 16 is removed. The wafer W can be satisfactorily transferred from the tape T1 to the dicing tape T2. Further, since the wafer W is divided in a state where the bubbles 25 are not left on the back surface 12 of the wafer W, the quality of the device W does not deteriorate due to the influence of the bubbles 25.

なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。   In addition, this invention is not limited to the said embodiment, It can change and implement variously. In the above-described embodiment, the size, shape, and the like illustrated in the accompanying drawings are not limited to this, and can be appropriately changed within a range in which the effect of the present invention is exhibited. In addition, various modifications can be made without departing from the scope of the object of the present invention.

また、上記したウェーハＷの加工方法では、転写工程において環状フレームＦに貼着されたダイシングテープＴ２にウェーハＷが転写される構成としたが、この構成に限定されない。転写工程では、ウェーハＷの裏面１２にダイシングテープＴ２が貼着され、ウェーハＷの表面１１から保護テープＴ１が剥離されればよく、ウェーハＷがダイシングテープＴ２を介して環状フレームＦに支持されていなくてもよい。   In the processing method of the wafer W described above, the wafer W is transferred to the dicing tape T2 attached to the annular frame F in the transfer step. However, the present invention is not limited to this configuration. In the transfer process, the dicing tape T2 is adhered to the back surface 12 of the wafer W, and the protective tape T1 is peeled off from the front surface 11 of the wafer W. The wafer W is supported by the annular frame F through the dicing tape T2. It does not have to be.

以上説明したように、本発明は、品質を悪化させることなく個々のデバイスに分割することができるという効果を有し、ウェーハの裏面外周に環状凸部が形成されたウェーハを、個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法に有用である。   As described above, the present invention has an effect that it can be divided into individual devices without deteriorating the quality, and a wafer in which an annular convex portion is formed on the outer periphery of the back surface of the wafer can be divided into individual devices. This is useful for a method of processing a wafer to be divided.

１１ ウェーハの表面
１２ ウェーハの裏面
１５ 凹部
１６ 環状凸部
１７ 分割溝
１８ 分割予定ライン
Ａ１ デバイス形成領域
Ａ２ 外周余剰領域
Ｔ１ 保護テープ
Ｔ２ ダイシングテープ
Ｄ デバイス
Ｗ ウェーハ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Wafer surface 12 Wafer back surface 15 Concave part 16 Annular convex part 17 Divided groove 18 Divided line A1 Device formation area A2 Peripheral surplus area T1 Protective tape T2 Dicing tape D Device W Wafer

Claims (1)

表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって形成された略円形状のデバイス形成領域と、該デバイス形成領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハ表面側に保護テープを貼着し、ウェーハの該デバイス形成領域に対応する裏面側の領域のみを所定厚さ研削して該デバイス形成領域を所望厚さに薄化し、該裏面に凹部を形成するとともに、該外周余剰領域に裏面側に突出する環状凸部を形成する凹部形成工程と、
該凹部形成工程を実施した後に、該環状凸部と該凹部の境界に円形の分割溝を形成し該環状凸部と該凹部を分割する環状凸部分割工程と、
該環状凸部分割工程を実施した後に、ウェーハの裏面の該分割溝の内側全面にダイシングテープを貼着すると共に該保護テープを剥離し該環状凸部を除去する転写工程と、
該転写工程を実施した後に、該デバイス形成領域の分割予定ラインに沿って分割を行うデバイス形成領域分割工程と、からなり、
該転写工程では、ウェーハの裏面に沿って該ダイシングテープがウェーハの裏面の中央から径方向外側に向かって貼着されるウェーハの加工方法。 A wafer processing method having a substantially circular device forming region in which a plurality of devices are formed by dividing lines on a surface and an outer peripheral surplus region surrounding the device forming region,
A protective tape is attached to the front side of the wafer, and only the area on the back side corresponding to the device forming area of the wafer is ground to a predetermined thickness to reduce the device forming area to a desired thickness and form a recess on the back side. And a recess forming step of forming an annular protrusion protruding on the back surface side in the outer peripheral surplus region,
After carrying out the concave portion forming step, an annular convex portion dividing step of forming a circular dividing groove at the boundary between the annular convex portion and the concave portion and dividing the annular convex portion and the concave portion,
After carrying out the annular protrusion dividing step, a transfer step of attaching a dicing tape to the entire inner surface of the dividing groove on the back surface of the wafer and peeling the protective tape to remove the annular protruding portion;
The transcription process after carrying, the device forming region dividing step for dividing along the dividing lines of the device forming region, consists,
In the transfer step, the wafer processing method in which the dicing tape is attached from the center of the back surface of the wafer toward the radially outer side along the back surface of the wafer.
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